本實(shí)用新型涉及一種用于在CVD或PVD反應(yīng)器的過程室中固持至少一個(gè)基材的設(shè)備，在該反應(yīng)器的平坦的頂側(cè)上具有至少一個(gè)被至少一個(gè)定位邊限定的支承兜孔，以便容納至少一個(gè)基材，其中，支承兜孔具有支承兜孔底部，從支承兜孔底部開始在其限定了至少一個(gè)定位邊的邊緣附近突伸出支承凸起，支承凸起構(gòu)成被側(cè)壁圍繞的支承面/支承區(qū)，支承面/支承區(qū)位于支承平面中，支承平面相對(duì)于圍繞支承凸起的槽的底部比相對(duì)于支承兜孔底部具有更大的垂直間距。

背景技術(shù)：

文獻(xiàn)US 2003/0209326A1描述了一種基座，其帶有分別用于容納基材的支承兜孔。每個(gè)支承兜孔都具有支承兜孔底部。該底部延伸至定位邊，定位邊定義了支承兜孔的邊緣。在定位邊附近在支承兜孔底部的不同周向位置上設(shè)置隆起，支承凸起從隆起突伸出來，支承凸起與端面一起構(gòu)成支承面，基材的底側(cè)支承在支承面上，從而使基材中空地位于支承兜孔中。

由文獻(xiàn)US 2014/0287142 A1已知一種基座，其中，平行于邊緣延伸的肋條突伸出支承兜孔的底部，基材的邊緣支承在肋條上。

由文獻(xiàn)US 5,645,647已知一種基座，其中，由定位邊限定出用于基材的支承空間。

文獻(xiàn)DE 10 2012 108 986A1描述了一種CVD設(shè)備的基材固持器，該基材固持器由帶有頂側(cè)和底側(cè)的扁平圓盤構(gòu)成。頂側(cè)具有兜孔狀的結(jié)構(gòu)。每個(gè)這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成分別用于圓形基材的支承空間。頂側(cè)的支座的邊緣區(qū)段構(gòu)成定位邊，分別用于大量布置在基材固持器的頂側(cè)上的基材的定位。基材的邊緣靠在與定位邊相鄰的、零散的支承凸起上。支承凸起的伸進(jìn)支承空間的支承面中的區(qū)段被溝槽圍繞。支座具有三角形的底面輪廓，相互間隔并且能夠以六角形的布置方式定位基材。

文獻(xiàn)DE 20 2015 118 215描述了一種基座，其中，溝槽沿支座的定位邊延伸，從溝槽中突伸出支承凸起。該處還描述了被環(huán)形槽圍繞的支承凸起，其中，環(huán)形槽具有橫截面倒圓的弧，該弧在構(gòu)成側(cè)壁的情況下向用于支承基材的支承面無曲折點(diǎn)地過渡。

根據(jù)本實(shí)用新型的基座尤其應(yīng)用在CVD反應(yīng)器中，基材在該處構(gòu)成過程室的底部?；韵虏?、例如通過熱輻射被加熱。通過熱傳導(dǎo)實(shí)現(xiàn)向基座的頂側(cè)的輻射熱，在該頂側(cè)上，基材伸入此處布置的支承兜孔中。在基座的頂側(cè)上方具有過程室，該過程室的頂蓋由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)構(gòu)成。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的面向基座的排氣面具有與基座的表面溫度不同的溫度。排氣面與基座頂側(cè)之間的溫度差可以為幾百攝氏度，從而由于基座與進(jìn)氣機(jī)構(gòu)之間形成的溫度梯度產(chǎn)生自基座向進(jìn)氣機(jī)構(gòu)非常高的熱流。由于該熱流構(gòu)成基座內(nèi)部的垂直的溫度梯度，然而在支承兜孔的區(qū)域中也構(gòu)成垂直的溫度梯度?；闹锌盏匚挥谥С卸悼椎牡撞可戏降膮^(qū)域中的熱流和基材貼靠在支承凸起的支承面上的區(qū)域中的熱流是不同的。此外，還存在自定位邊向基材的垂直的熱量輸入。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供措施，以便使待涂覆的基材的表面上的水平溫度梯度最小化并且使橫向的溫度曲線均勻化。

所述技術(shù)問題通過一種用于在CVD或PVD反應(yīng)器的過程室中固持至少一個(gè)基材的設(shè)備解決，其中在反應(yīng)器的平坦的頂側(cè)上具有至少一個(gè)被至少一個(gè)定位邊限定的、用于容納至少一個(gè)基材的支承兜孔，其中，支承兜孔具有支承兜孔底部，在定位邊附近從支承兜孔底部突伸出支承凸起，支承凸起構(gòu)成被側(cè)壁圍繞的支承區(qū)，支承區(qū)位于支承平面中，支承平面相對(duì)于圍繞支承凸起的槽比相對(duì)于支承兜孔底部具有更大的垂直間距。通過按本發(fā)明的設(shè)備并且在以下所描述的技術(shù)特征改進(jìn)了基材表面上的溫度均勻度。通過以下建議的措施相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)減小基材表面上測得的最低溫度與同一基材表面上測得的最高溫度的差。首先并且主要建議，槽本身也布置在凹陷中，支承凸起自所述槽中突伸出來。凹陷在支承面的底部下方但在槽的底部上方的垂直水平面上延伸，從而使凹陷的垂直水平面位于槽的底部與支承兜孔底部之間。支承兜孔底部在平面內(nèi)基本上平坦地延伸。然而為了提高基材表面上的溫度均勻度還建議，支承兜孔底部具有垂直的結(jié)構(gòu)，例如相對(duì)于支承兜孔水平面提高的區(qū)域和相對(duì)于支承兜孔水平面下陷的區(qū)域。尤其規(guī)定，支承凸起具有相對(duì)于定位邊的間距。還規(guī)定，圍繞支承兜孔的槽具有相對(duì)于定位邊的間距。凹陷可以具有第一凹陷區(qū)段，所述第一凹陷區(qū)段填充槽與定位邊之間的間隔空間。該凹陷由此鄰接定位邊，從而使定位邊在第一凹陷區(qū)段的邊緣上延伸。在第一凹陷區(qū)段上可以鄰接第二凹陷區(qū)段。優(yōu)選地，沿支承空間的邊緣界限的周向在第一凹陷區(qū)段上連接有兩個(gè)第二凹陷區(qū)段，這兩個(gè)第二凹陷區(qū)段分別鄰接在定位邊上?？梢栽O(shè)置第三凹陷區(qū)段，該第三凹陷區(qū)段與第一凹陷區(qū)段相對(duì)于支承凸起相互對(duì)置。第一、第二和第三凹陷區(qū)段優(yōu)選布置成，使得第一、第二和第三凹陷區(qū)段完全圍繞又圍繞支承凸起的槽。支承凸起由此連同圍繞該支承凸起的槽一起作為島位于相對(duì)于支承面水平面下陷的構(gòu)成凹陷底部的平面中。支承凸起尤其相對(duì)于定位邊保持間隔，從而使支承凸起被基材的邊緣完全覆蓋。由此，基材的底側(cè)的與基材的邊緣朝基材的中心方向保持間隔的面區(qū)段支承在支承凸起的支承區(qū)上。支承區(qū)是幾乎點(diǎn)狀的面。該支承區(qū)優(yōu)選具有最大0.7mm、0.5mm或最大0.3mm的直徑。支承區(qū)的中心優(yōu)選相對(duì)于定位邊間隔至少4mm。支承區(qū)可以向支承凸起的在橫截面中倒圓的側(cè)壁無曲折點(diǎn)地過渡。側(cè)壁可以在彎曲的面上延伸，該彎曲的面在橫截面中沿圓弧線延伸。槽的橫截面也可以在圓弧線上延伸。槽構(gòu)成圍繞支承凸起的環(huán)形溝槽。這兩個(gè)圓弧線相反地彎曲并且在橫截面拐點(diǎn)的區(qū)域中相互過渡。槽的底部在由槽構(gòu)成的切口(Kehle)的頂點(diǎn)線上延伸。槽的徑向外部的邊緣可以倒圓或者在構(gòu)成倒棱的情況下向凹陷底部過渡。凹陷底部優(yōu)選在平行于支承面水平面和平行于支承平面上延伸。凹陷邊緣(凹陷底部在凹陷邊緣處結(jié)束)優(yōu)選由臺(tái)階構(gòu)成。為了構(gòu)成該臺(tái)階，凹陷邊緣向支承兜孔底部面過渡。支承兜孔優(yōu)選被至少六個(gè)優(yōu)選相互間隔的支座包圍，該支座分別構(gòu)成定位邊。定位邊可以在共同的圓弧線上延伸。然而每個(gè)定位邊還可以尤其在其中部具有直線延伸的區(qū)段。定位邊優(yōu)選在其與凹陷相鄰的位置處直線延伸。優(yōu)選六個(gè)支承凸緣分別設(shè)有一個(gè)支承面，這些支承面在支承兜孔的優(yōu)選圓形的限界邊緣的內(nèi)部沿圓弧線的周向以均勻的角分布布置。支承凸緣的全部支承面位于支承平面中。支承平面相對(duì)于支承兜孔底面的垂直間距優(yōu)選為400μm。該間距可以在300至500μm的范圍內(nèi)。槽底部相對(duì)于支承平面的垂直間距可以在500至900μm的范圍內(nèi)。支承平面相對(duì)于凹陷底部的垂直間距優(yōu)選為500μm，從而使凹陷與支承兜孔底部之間的臺(tái)階約為100μm。該間距可以在300至700μm之間的范圍內(nèi)，從而使臺(tái)階也可以小于100μm，然而也可以大于100μm。

附圖說明

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行闡述。在附圖中：

圖1示出基座1的頂側(cè)的俯視圖，該基座具有大量以六角形最緊密堆積體方式布置的支承兜孔2，分別用于支承圓形的基材，為此，每個(gè)不處于邊緣上的支承兜孔2都被六個(gè)分別具有一個(gè)定位邊3的支座9圍繞，

圖2示出圖1的剖切面II的放大圖，

圖3示出圖2的剖切面III的放大圖，

圖4示出沿圖3的剖切線IV-IV得到的剖視圖和

圖5示出根據(jù)圖4的視圖，然而其帶有支承在支承凸起8上的基材20。

具體實(shí)施方式

圖1示出圓形的、扁平的由石墨、鉬、石英或其他合適材料制成的基座1。所述基座1具有大體上平坦的頂側(cè)和大體上平坦的底側(cè)。頂側(cè)設(shè)有垂直結(jié)構(gòu)，利用該垂直結(jié)構(gòu)構(gòu)成分別用于基材20的支承空間2。而且在底側(cè)上也設(shè)有用于影響熱傳導(dǎo)的垂直結(jié)構(gòu)。基座1應(yīng)用在CVD反應(yīng)器中。在DE 10 2011 055 061 A1中示出帶有向外氣密封閉的殼體的CVD反應(yīng)器。在殼體內(nèi)部在下部的高度水平面上具有加熱裝置，其中，該加熱裝置可以是電阻加熱器、輻射加熱器或電感加熱器。利用該加熱裝置產(chǎn)生熱量，該熱量尤其借助熱輻射傳遞到布置在加熱裝置上方的基座1上。在基座的頂側(cè)上方具有過程室，過程氣體通過進(jìn)氣機(jī)構(gòu)輸送至過程室中。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)構(gòu)成過程室的上方界限并且具有排氣孔，過程氣體可以通過該排氣孔流入過程室中。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的面向過程室的排氣面優(yōu)選被冷卻，相反，基座的與該排氣面相對(duì)置的、承載基材20的頂面被加熱到一個(gè)高于幾百度的溫度。為了保持該溫度梯度，需要自基座1向進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的極高的熱流。該熱流導(dǎo)致基座1內(nèi)部的垂直的溫度梯度。

在基座1的頂側(cè)上具有大量分別用于支承圓盤形的基材20的支承空間2。每個(gè)支承空間2被總共六個(gè)大致上三角形的、相互間隔的支座19包圍。每個(gè)支承兜孔底部4具有三個(gè)定位邊3，這三個(gè)定位邊以均勻的周向分布繞支承空間2的限界邊緣布置。

圖2示出帶有六個(gè)定位邊3的支承空間，該定位邊沿周向相互間隔地布置。每個(gè)定位邊3面向圓形的支承空間2的中心。朝該中心的方向緊鄰在定位邊3上具有凹陷11。定位邊3是垂直面，該垂直面具有外部的彎曲的區(qū)域和中部大致為直線延伸的區(qū)域。凹陷11的第一區(qū)段16沿定位邊3的直線延伸的區(qū)域延伸。第一凹陷區(qū)段16位于兩個(gè)第二凹陷區(qū)段17之間，這兩個(gè)第二凹陷區(qū)段與第一凹陷區(qū)段一樣緊鄰在定位邊3上。

在凹陷11內(nèi)部(所述凹陷的凹陷底部12在平面內(nèi)延伸)具有環(huán)形的槽5。由圖4的橫截面可以看出，槽5構(gòu)成帶有倒圓的橫截面的切口。該切口是橫截面輪廓由半徑R₁確定的環(huán)形切口。槽5的最低的區(qū)域構(gòu)成槽底部6，該槽底部相對(duì)于支承平面E間隔一個(gè)間距D₃。槽5繞中點(diǎn)圓弧狀地延伸并且具有徑向外部的槽邊緣7，在槽邊緣7內(nèi)，槽5在構(gòu)成倒圓或倒棱15的情況下向凹陷底部12過渡。凹陷底部12平行于支承平面E延伸并且相對(duì)于支承平面E以間距D₂保持間隔。

槽5的面向徑向內(nèi)部的壁在拐點(diǎn)14處向支承凸起8過渡，該壁在橫截面中沿半徑R₁延伸，該拐點(diǎn)14在俯視圖中描繪為圍繞槽5的中心的圓弧線。支承凸起8具有環(huán)形的側(cè)壁10，該側(cè)壁在橫截面中在半徑為R₂的弧線上延伸。側(cè)壁10向支承區(qū)9過渡，該支承區(qū)9構(gòu)成支承凸起8的中心并且在支承平面E內(nèi)延伸。

支承凸起8由此構(gòu)成凹陷11的拱頂狀隆起，該拱頂狀隆起被槽5圍繞。

槽5完全被凹陷11的凹陷底部12環(huán)形圍繞。第三凹陷區(qū)段18與第一凹陷區(qū)段16相對(duì)置?；谥С卸悼?的中點(diǎn)，第三凹陷區(qū)段18位于支承凸起8的徑向內(nèi)側(cè)，并且第一凹陷區(qū)段16位于支承凸起8的徑向外側(cè)。

支承區(qū)9的直徑為0.2mm。支承區(qū)9是大體上在支承平面E中延伸的平坦的面。

第三凹陷區(qū)段18在構(gòu)成圓形凹陷邊緣13的情況下鄰接大體上平坦延伸的支承兜孔底部4，該圓形凹陷邊緣13圍繞支承凸起8的中心延伸。支承兜孔底部4相對(duì)于支承平面E以間距D₁保持間隔。優(yōu)選的間距為以下數(shù)值：D₁＝400μm；D₂＝500μm并且D₃＝700μm。

圖5示出如圖4的橫截面，然而其利用附圖標(biāo)記20標(biāo)注支承在支承凸起8上的基材?；?0以總共六個(gè)點(diǎn)分別支承在相應(yīng)的支承凸起8上?；?0的中間區(qū)域以間距D₁中空地位于支承兜孔底部4上方。基材20的底側(cè)則位于支承平面E中。

上述實(shí)施例用于闡述全部包含在本申請(qǐng)中的實(shí)用新型，這些實(shí)用新型至少通過以下技術(shù)特征組合分別對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行獨(dú)立地改進(jìn)，也即：

一種設(shè)備，其特征在于，所述槽5在凹陷11中延伸，該凹陷的垂直水平面位于槽5的底部6與支承兜孔底部4之間。

一種設(shè)備，其特征在于，支承凸起8和/或圍繞支承凸起8的槽5具有相對(duì)于定位邊3的水平間距。

一種設(shè)備，其特征在于，槽5與定位邊3之間的水平間距被凹陷11的第一區(qū)段16填充。

一種設(shè)備，其特征在于，設(shè)有凹陷11的連接在第一凹陷區(qū)段16上的、鄰接定位邊3的第二區(qū)段17。

一種設(shè)備，其特征在于，第一凹陷區(qū)段16和第二凹陷區(qū)段17連同與第一凹陷區(qū)段16相對(duì)置的第三凹陷區(qū)段18一起無中斷地圍繞槽5。

一種設(shè)備，其特征在于，支承凸起8被基材20的邊緣完全覆蓋。

一種設(shè)備，其特征在于，支承區(qū)9的中點(diǎn)相對(duì)于定位邊3間隔至少4mm。

一種設(shè)備，其特征在于，支承區(qū)9是直徑最大為0.7mm或最大為0.5mm、優(yōu)選最大為0.3mm的平面E。

一種設(shè)備，其特征在于，在橫截面中倒圓的側(cè)壁10向支承區(qū)9無曲折點(diǎn)地過渡，和/或在橫截面中倒圓的側(cè)壁10自支承區(qū)9向槽5的槽底部6無曲折點(diǎn)地過渡，和/或槽底部6由倒圓的切口的頂點(diǎn)構(gòu)成，該倒圓的切口在構(gòu)成倒棱15或倒圓的情況下向凹陷底部12過渡。

一種設(shè)備，其特征在于，凹陷底部12是平行于支承面9延伸的平面。

一種設(shè)備，其特征在于，支承兜孔2具有至少六個(gè)尤其沿周向在圓弧線上均勻間隔的支承凸起8。

一種設(shè)備，其特征在于，支承區(qū)9與支承兜孔底部4之間的垂直間距D₁約為400μm，支承區(qū)9與凹陷底部12之間的垂直間距D₂約為500μm，并且支承平面E與槽底部6之間的垂直間距D₃約為700μm。

所有公開的技術(shù)特征本身，然而也以相互組合的方式對(duì)于本實(shí)用新型都是非常重要的。還將所述/所附優(yōu)先權(quán)文本在先申請(qǐng)文本的公開內(nèi)容完全包含在本申請(qǐng)的公開內(nèi)容中，出于此目的，還將優(yōu)先權(quán)文本的技術(shù)特征也包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求中。從屬權(quán)利要求以其技術(shù)特征表征對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的獨(dú)特、有創(chuàng)造性的改進(jìn)，尤其能夠基于這些從屬權(quán)利要求進(jìn)行分案申請(qǐng)。

附圖標(biāo)記清單

1 基座

2 支承兜孔、支承空間

3 定位邊

4 支承兜孔底部

5 槽

6 槽底部

7 槽邊緣

8 支承凸起

9 支承面

10 側(cè)壁

11 凹陷

12 凹陷底部

13 凹陷邊緣

14 拐點(diǎn)

15 倒棱

16 凹陷區(qū)段

17 凹陷區(qū)段

18 凹陷區(qū)段

19 支座

20 基材

E 支承平面

D₁ 間距

D₂ 間距

D₃ 間距

R₁ 半徑

R₂ 半徑