本發(fā)明涉及一種線路板(wiringboard)的制造方法及用該制造方法制造出線路板，特別涉及一種能夠防止鍍層金屬析出到溝道外的線路板的制造方法及線路板。
背景技術(shù)：
：伴隨著電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，對(duì)線路板的高密度化、高性能化的要求越來越高，對(duì)線路板的需求在不斷增加。特別是，伴隨著手機(jī)、筆記本電腦、相機(jī)等最新數(shù)字設(shè)備的小型化和薄型化，而越來越需要線路板上的導(dǎo)電圖形高密度化和細(xì)微化。而且，越來越需要以較高的頻率連接安裝在線路板上的部件，越來越需要有利于處理高速信號(hào)的高可靠性線路板?，F(xiàn)在，安裝技術(shù)中有半加成法(semiadditivemethod)和全加成法(fully-additivemethod)。一般情況下，積層(buildup)制法中的半加成法是這樣的一種方法：例如，對(duì)絕緣基材進(jìn)行化學(xué)鍍銅處理后而形成底層，用抗蝕劑形成電路圖形以后，再通過電解鍍銅形成銅電路。但是，半加成法存在以下三個(gè)問題：第一、進(jìn)行電鍍處理時(shí)電流的流動(dòng)狀態(tài)會(huì)受已形成的銅電路的疏密度、基板形狀等的影響而發(fā)生變化，因此缺點(diǎn)是鍍銅層的厚度(銅電路的高度)會(huì)出現(xiàn)差異；第二、伴隨著電路的細(xì)微化(使線路本身更窄，使線路間的空間更窄)，在形成抗蝕劑之際就容易產(chǎn)生位置偏離、顯影不良等，其結(jié)果是存在容易發(fā)生斷線、電路短路等問題；第三、電解鍍銅處理結(jié)束以后，需要進(jìn)行蝕刻來將化學(xué)鍍處理所產(chǎn)生的金屬銅且形成為電解鍍銅的通電用底層除去，故存在必要的電路部分由于該蝕刻工序而斷線或者電路由于蝕刻不足而短路等問題。在全加成法下，在將催化劑供給已形成有盲孔(blindvia)的基材以后，用抗蝕劑形成電路圖形，僅利用化學(xué)鍍銅處理形成銅電路。但是，該現(xiàn)有的全加成法存在以下問題：第一、伴隨著電路的細(xì)微化，在形成抗蝕劑之際容易發(fā)生位置偏移、顯影不良等問題，因此而容易產(chǎn)生斷線、電路短路等問題；第二、雖然在該全加成法下催化劑會(huì)殘留于抗蝕劑下面，但是伴隨著電路的細(xì)微化，電路間的絕緣性會(huì)下降，有時(shí)候甚至?xí)霈F(xiàn)短路。于是，為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題而提出了利用激光等在基板表面上形成溝道和導(dǎo)通孔，再對(duì)該溝道和導(dǎo)通孔進(jìn)行化學(xué)鍍銅的方法。更具體而言，例如專利文獻(xiàn)1中公開了一種線路板的制造方法，即：使用含有銅離子及其絡(luò)合劑、還原劑的化學(xué)鍍銅液，對(duì)具有細(xì)微圖形的基板表面進(jìn)行鍍覆處理，讓含氧氣體的氣泡分散到鍍液中，而且在該方法下，能夠控制該鍍覆反應(yīng)何時(shí)停止，并且還能夠防止鍍層金屬的異常析出。例如專利文獻(xiàn)2中公開了以下內(nèi)容：從鍍槽內(nèi)部空間的下方將由很多氣泡形成的氣泡流供向鍍槽內(nèi)的印制線路板，利用設(shè)在鍍槽內(nèi)的溢流壩(overflowdam)讓鍍液沿外部循環(huán)流路循環(huán)，將空氣吹進(jìn)供鍍液從外部循環(huán)流路返回鍍槽的返回循環(huán)流路內(nèi)，產(chǎn)生微小的氣泡，增加化學(xué)鍍槽內(nèi)的鍍液中的溶解氧量。在該方法下，形成在印制線路板上的鍍膜的伸展率良好，也很少會(huì)產(chǎn)生結(jié)瘤(nodules)等，因此能夠進(jìn)行良好的化學(xué)鍍銅。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本公開特許公報(bào)特開平7-154056號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本公開特許公報(bào)特開平6-97632號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題但是，在上述專利文獻(xiàn)1所公開的方法中，鍍液中的氣泡朝著循環(huán)系噴出口集中，而且，氣泡直徑較大，10mm。氣泡在鍍液中上升之際，氣泡會(huì)彼此結(jié)合而增大，結(jié)果是不能均勻分散。因此，氣泡不會(huì)遍布基板表面，結(jié)果會(huì)出現(xiàn)以下問題：鍍銅析出在形成到印制線路板上的溝道外或?qū)淄舛鴮?dǎo)致電路短路。在上述專利文獻(xiàn)2所公開的方法中，因?yàn)樗a(chǎn)生的氣泡的直徑較大(0.5mm)，而且鍍槽內(nèi)鍍液的流動(dòng)較弱，所以氣泡會(huì)在鍍槽的上方彼此接觸，而不會(huì)均勻地分布在基板表面上。結(jié)果會(huì)出現(xiàn)以下問題：鍍銅析出在形成在印制線路板上的溝道外或?qū)淄舛鴮?dǎo)致電路短路。因此，本發(fā)明正是為解決上述問題而完成的。其目的在于：提供一種能夠防止鍍銅析出在溝道外或?qū)淄獾木€路板的制造方法以及用該制造方法制造出的線路板。用于解決問題的方案為達(dá)成上述目的，本發(fā)明是一種線路板的制造方法，在將形成有導(dǎo)通孔和溝道二者中至少一方的被處理基板浸漬在以下化學(xué)鍍液中的狀態(tài)下，對(duì)被處理基板進(jìn)行化學(xué)鍍，由此將金屬埋入導(dǎo)通孔和溝道二者中至少一方內(nèi)。該線路板的制造方法至少包括以下工序：將化學(xué)鍍液供向被處理基板的下方的工序、讓含氧氣體往已供到被處理基板下方的化學(xué)鍍液內(nèi)擴(kuò)散的工序以及讓鍍液從被處理基板的上方溢出來的工序。化學(xué)鍍液：至少含有水溶性金屬鹽、還原劑和絡(luò)合劑，并且含有整平劑(leveler)，該整平劑由用以下通式(I)到(V)中之任一個(gè)通式表示的至少一種硫系有機(jī)化合物構(gòu)成，R1－(S)n－R2(I)R1－L1－(S)n－R2(II)R1－L1－(S)n－L2－R2(III)R1－(S)n－L3(IV)R1－L1－(S)n－L3(V)其中，在通式(I)到(V)中，n表示1以上的整數(shù)；R1、R2表示脂族環(huán)狀基或芳香族環(huán)狀基，其含有任意數(shù)量的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，且所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子彼此獨(dú)立，R1、R2或者表示任意一種以上的取代基有一個(gè)以上與該環(huán)狀基鍵合而形成的環(huán)狀基；L1、L2表示由分別獨(dú)立的直鏈或支鏈烷基、烷基氨基、亞烷基、烷氧基組成的基團(tuán)組中的任一種基團(tuán)；L3表示烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基氨基、羥基、烷基羥基、亞烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基氨基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、酰胺基、烷基酰胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺?；?、硫代羰基組成的基團(tuán)組中的任一種基團(tuán)。根據(jù)該構(gòu)成方式，因?yàn)樵阱冊≈绣円寒a(chǎn)生更強(qiáng)的上升液流，所以鍍液中的氣泡會(huì)遍布被處理基板的整個(gè)表面，被處理基板表面的溶解氧量會(huì)增多。其結(jié)果是，鍍浴內(nèi)變成氧化環(huán)境，從而能夠防止鍍銅異常地析出在被處理基板的溝道外或?qū)淄?。其結(jié)果是，能夠防止發(fā)生以下不良現(xiàn)象：鍍銅的異常析出引起斷線或形成在線路板上的導(dǎo)體電路短路等。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠防止發(fā)生以下不良現(xiàn)象：鍍銅的異常析出引起斷線或形成在線路板上的導(dǎo)體電路短路等。附圖說明圖1是剖視圖,示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的印制線路板(printedwiringboard)。圖2示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍裝置。圖3是剖視圖，用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的印制線路板的制造方法。圖4是剖視圖，用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的印制線路板的制造方法。圖5示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍裝置。圖6是實(shí)施例1中的聚合物微粒的金屬顯微鏡照片。圖7是比較例2中的聚合物微粒的金屬顯微鏡照片。具體實(shí)施方式下面,參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。需要說明的是,本發(fā)明并不限于以下實(shí)施方式。(第一實(shí)施方式)圖1是剖視圖,示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的印制線路板。如圖1所示,本實(shí)施方式的印制線路板1包括第一樹脂層2、導(dǎo)體電路3、第二樹脂層4、導(dǎo)通孔5和溝道6、以及金屬層7。其中，該導(dǎo)體電路3形成在第一樹脂層2上；該第二樹脂層4形成在第一樹脂層2上，覆蓋導(dǎo)體電路3；該導(dǎo)通孔5和溝道6形成在第二樹脂層4上；該金屬層7形成在導(dǎo)通孔5和溝道6中。第一樹脂層2發(fā)揮著印制線路板1的底基板(basesubstrate)的作用，由具有電絕緣性的樹脂材料形成。形成第一樹脂層2的材料例如有：環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、聚苯醚樹脂、液晶聚合物、聚醚醚酮樹脂、聚醚亞酰胺樹脂、聚醚磺樹脂等。第一樹脂層2還可以使用由以下樹脂復(fù)合材料制成的板材等，讓環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂浸漬于連續(xù)多孔聚四氟乙烯樹脂等呈三維網(wǎng)眼狀的氟系樹脂基材中，即形成該樹脂復(fù)合材料。導(dǎo)體電路3是形成印制線路板1的導(dǎo)電圖形的金屬電路，貼在第一樹脂層2上而導(dǎo)體電路3，或者通過對(duì)第一樹脂層2施加鍍覆處理而形成導(dǎo)體電路3。導(dǎo)體電路3由例如銅、鋁、鐵、鎳、鉻、鉬等金屬的金屬箔或者這些金屬的合金的合金箔(例如鋁青銅合金、磷青銅合金、黃銅合金等銅合金；不銹鋼、因瓦合金、鎳合金、錫合金等)形成。需要說明的是，既能夠用這些金屬箔等的一個(gè)單層作導(dǎo)體電路3，又能夠用將這些金屬箔等層疊多層后而形成的疊層體作導(dǎo)體電路3。特別是，從提高鍍覆結(jié)合力和導(dǎo)電性，降低成本的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用銅或銅合金。第二樹脂層4具有保護(hù)形成在第一樹脂層2的表面上的導(dǎo)體電路3的作用。能夠使用與形成上述第一樹脂層2一樣的材料作形成該第二樹脂層4的材料。從以下觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂形成第一、第二樹脂層2、4。該觀點(diǎn)是：如果使用環(huán)氧樹脂，那么，例如在進(jìn)行化學(xué)鍍處理時(shí)，不會(huì)溶解出對(duì)鍍液有害的有害物質(zhì)，也不會(huì)產(chǎn)生界面剝離等，環(huán)氧樹脂對(duì)鍍覆處理工序有耐性。而且，如果使用環(huán)氧樹脂，還能夠提高第一、第二樹脂層2、4與導(dǎo)體電路3之間的結(jié)合力，從而能夠避免在冷熱循環(huán)等試驗(yàn)中產(chǎn)生剝離、龜裂等。利用鍍覆處理(化學(xué)鍍處理)將鍍層金屬埋入導(dǎo)通孔5內(nèi)和溝道6內(nèi)來形成金屬層7。形成該金屬層7的金屬例如有：銅或鎳等。接著，參照附圖說明本實(shí)施方式的化學(xué)鍍裝置。圖2示出本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍裝置。化學(xué)鍍裝置10是這樣的一種裝置，通過對(duì)基板進(jìn)行鍍覆處理(化學(xué)鍍處理)來將鍍層金屬埋入導(dǎo)通孔5內(nèi)和溝道6內(nèi)，由此形成構(gòu)成印制線路板1的電路的金屬層7。該化學(xué)鍍裝置10包括：填充有鍍液20的鍍槽11；將鍍液20供向鍍槽11內(nèi)的供液部件12；讓含氧氣體(即氣泡)在鍍槽11內(nèi)往位于被處理基板30下方的鍍液20內(nèi)擴(kuò)散的擴(kuò)散部件13；以及貯存從鍍槽11中溢出來的鍍液20的溢流槽14。鍍槽11是呈近似長方體的容器，在該容器的上表面具有近似矩形的開口11a，在該鍍槽11的內(nèi)部填充有鍍液20。圖2所示的結(jié)構(gòu)保證做到：在進(jìn)行鍍覆處理時(shí)，整個(gè)被處理基板30浸漬于填充到鍍槽11內(nèi)部的鍍液20中。需要說明的是，圖2所示的結(jié)構(gòu)保證做到：被處理基板30在被設(shè)置在鍍槽11上方的夾具21夾住的狀態(tài)下整體浸漬在鍍液20中。該夾具21具有框架和夾緊件。該框架比被處理基板30的外形大，該夾緊件設(shè)置在框架的上邊和下邊上，用于將被處理基板30的端部夾住，并且連接在能夠沿上下方向和水平方向移動(dòng)的輸送裝置(未圖示)上。被處理基板30以近似垂直的狀態(tài)浸漬在鍍液20中，被處理基板30被夾住而使得被處理基板30的表面和鍍槽11的壁面大致平行。供液部件12設(shè)置在鍍槽11內(nèi)被處理基板30的下方。該供液部件12例如由以下兩根管狀部件構(gòu)成，該兩根管狀部件中的每根管狀部件上都具有多個(gè)噴液孔，每根管狀部件的全長都比被處理基板30在水平方向上的寬度長，將該兩根管狀部件布置在與被處理基板30之間的距離彼此相等的位置處，而且,該兩根管狀部件位于同一高度的水平面上且彼此平行。因此，無論是在被處理基板30的表面還是背面，兩根管狀部件都能夠提高液流的效果。擴(kuò)散部件13設(shè)置在鍍槽11內(nèi)被處理基板30的下方。如圖2所示，該擴(kuò)散部件13與上述供液部件12相鄰且連接在用于將含氧氣體供向擴(kuò)散部件13的氣泵15上。該擴(kuò)散部件13由例如由多孔陶瓷材料形成的兩根管狀部件構(gòu)成。將該兩根管狀部件布置在與被處理基板30之間的距離彼此相等的位置處，該兩根管狀部件位于同一高度的水平面上且彼此平行。該兩根管狀部件構(gòu)成為：能夠?qū)⒆銐虻暮鯕怏w供到被處理基板30的表面。該構(gòu)成方式保證做到：當(dāng)從上述氣泵15往擴(kuò)散部件13的內(nèi)部供給含氧氣體時(shí)，該含氧氣體會(huì)通過由多孔陶瓷材料形成的多孔體往鍍液20內(nèi)擴(kuò)散。需要說明的是，擴(kuò)散部件13長時(shí)間承受氣體的壓力，如果用例如氟樹脂等樹脂形成擴(kuò)散部件，就會(huì)存在擴(kuò)散部件13在鍍液中破損的情況。在本實(shí)施方式中，用硬度和耐磨損性比氟樹脂優(yōu)良的多孔陶瓷材料形成擴(kuò)散部件13，因此能夠防止擴(kuò)散部件13在鍍液20中破損。在塵埃等附著在多孔體的孔內(nèi)的情況下，清洗掉塵埃等，就能夠重復(fù)使用擴(kuò)散部件13。從防止氣泡進(jìn)入溝道6、導(dǎo)通孔5的內(nèi)部，并且增加鍍液20中的溶解氧量的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含氧氣體的氣泡直徑為5-50μm。在本實(shí)施方式中，從防止鍍液20伴隨著還原反應(yīng)的進(jìn)行而分解，并且在溝道6和導(dǎo)通孔5內(nèi)可靠地開始進(jìn)行鍍覆處理的析出反應(yīng)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在開始化學(xué)鍍(即，被處理基板30已全部浸漬于鍍液20中)以前的規(guī)定時(shí)間(例如1到2分鐘)內(nèi)，擴(kuò)散部件13不進(jìn)行擴(kuò)散處理。既要避免由于鍍液20中的溶解氧量的增加而抑制了鍍層金屬析出在溝道6的內(nèi)部和導(dǎo)通孔5的內(nèi)部這樣的不良現(xiàn)象，還要可靠地防止由于鍍液20中的溶解氧量下降，鍍層金屬析出在溝道6外、導(dǎo)通孔5外這樣的不良現(xiàn)象，從以上兩個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選，一分鐘內(nèi)將0.1-1.0L的含氧氣體供向一立升的鍍液20，即，針對(duì)一立升的鍍液20將含氧氣體供向鍍液20的供給速率為0.1-1.0L/分。溢流槽14與鍍槽11相鄰而設(shè)。更詳細(xì)而言，溢流槽14是夾著鍍槽11上端的開口11a布置在彼此相對(duì)的兩側(cè)部分(即，俯視時(shí)呈近似矩形的鍍槽11的四個(gè)側(cè)壁中彼此相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁的上端部)。以上構(gòu)成方式保證做到：填充在鍍槽11內(nèi)的鍍液20通過形成在鍍槽11上的流出口11b朝著溢流槽14溢出而貯存在溢流槽14內(nèi)。如圖2所示，化學(xué)鍍裝置10包括循環(huán)通路16和設(shè)置在循環(huán)通路16上的泵17、調(diào)溫部件18和過濾器19。其中，循環(huán)通路16連接在鍍槽11和溢流槽14上，將貯存在溢流槽14內(nèi)的鍍液引入鍍槽11中。貯存在溢流槽14內(nèi)的鍍液20通過泵17引向循環(huán)通路16，由調(diào)溫部件18調(diào)節(jié)溫度且由過濾器19除去異物等以后，由循環(huán)通路16使鍍液20循環(huán)而將鍍液20引入鍍槽11內(nèi)。根據(jù)該構(gòu)成方式，就會(huì)在鍍槽11的內(nèi)部形成鍍液20的強(qiáng)上升液流(即，從鍍槽11的下部朝上部流動(dòng)的強(qiáng)液流)。需要說明的是，在鍍槽11的下部形成有排出口24，從排出口24排出的鍍液20經(jīng)連接在上述循環(huán)通路16上的排出通路23引導(dǎo)到循環(huán)通路16內(nèi)。與貯存在上述溢流槽14內(nèi)的鍍液20一樣，該鍍液20由調(diào)溫部件18調(diào)節(jié)了溫度，由過濾器19除去了異物等以后，由循環(huán)通路16使該鍍液20循環(huán)而被引入鍍槽11內(nèi)。按照該構(gòu)成方式，能夠除去累積在鍍槽11底部的異物。舉一例說明本實(shí)施方式中的印制線路板的制造方法。圖3、圖4是剖視圖，用以說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的印制線路板的制造方法。需要說明的是，本實(shí)施方式的制造方法包括:導(dǎo)體電路形成工序、第二樹脂層形成工序、保護(hù)層形成工序、導(dǎo)通孔和溝道形成工序、鍍覆前處理工序、催化劑供給工序、保護(hù)層剝離工序以及鍍覆處理工序。<導(dǎo)體電路形成工序>首先，例如將例如銅箔(厚度：幾μm到25μm)貼在由環(huán)氧樹脂形成的第一樹脂層2的表面上，而在第一樹脂層2的表面上形成銅箔疊層板。接著，利用光刻、絲網(wǎng)印刷等方法將該銅箔疊層板圖形化，而在第一樹脂層2的表面上形成導(dǎo)體電路3，如圖3(a)所示。需要說明的是，上述銅箔疊層板還可以通過對(duì)第一樹脂層2進(jìn)行鍍銅箔處理來形成。<第二樹脂層形成工序>接著，例如將環(huán)氧樹脂(厚度：20μm-100μm)涂布在第一樹脂層2上以覆蓋導(dǎo)體電路3，再對(duì)該環(huán)氧樹脂進(jìn)行加熱、加壓處理(例如溫度：100-300℃、壓力：5-60kg/cm2)，由此而在第一樹脂層2上形成由環(huán)氧樹脂形成的第二樹脂層4以覆蓋導(dǎo)體電路3，如圖3(b)所示。需要說明的是，還可以夾著黏合劑層(未圖示)將第二樹脂層4貼在第一樹脂層2上，這樣來層疊上第二樹脂層4。<保護(hù)層形成工序>接著，例如將聚酰亞胺樹脂(厚度：0.1μm到10μm)涂布在第二樹脂層4上，之后對(duì)該聚酰亞胺樹脂進(jìn)行加熱處理，由此而在第二樹脂層4上形成由聚酰亞胺樹脂形成的保護(hù)層8，如圖3(c)所示。需要說明的是，當(dāng)將保護(hù)層8層疊在第二樹脂層4上之際，可以首先將黏合劑層(未圖示)層疊在第二樹脂層4上，之后再隔著該黏合劑層將保護(hù)層8層疊在第二樹脂層4上。在該情況下，黏合劑層可以使用例如由聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂等形成的耐熱性黏合薄片等形成，通過加熱該黏合薄片并使其熔化來形成黏合劑層。黏合劑層的熔化條件并無特別的限定，能夠根據(jù)形成黏合薄片等的樹脂適當(dāng)?shù)馗淖凁ず蟿拥娜刍瘲l件。例如，在30秒到2分鐘這段時(shí)間內(nèi)將黏合薄片加熱到100到190℃左右，就能夠使黏合薄片熔化而形成黏合劑層。在后述的催化劑供給工序中，該保護(hù)層8用于使催化劑僅附著在形成在第二樹脂層4上的導(dǎo)通孔5和溝道6內(nèi)，并防止催化劑附著在第二樹脂層4的表面4a上(參照?qǐng)D1、圖3(c))。該保護(hù)層8由樹脂形成，該樹脂具有絕緣性和彈水性且溶解于在后述的保護(hù)層剝離工序中使用的剝離液。形成保護(hù)層8的樹脂例如有：聚酰亞胺樹脂、硅樹脂、酚醛樹脂、二甲苯樹脂、不飽和聚酯樹脂、間苯二酸二烯丙酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂等堿溶性樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、ABS樹脂、聚異丁烯樹脂等醇溶性樹脂等。優(yōu)選，保護(hù)層8的厚度為0.1μm-10μm。這是因?yàn)?如果保護(hù)層8的厚度小于0.1μm，在后述的催化劑供給工序中，就會(huì)出現(xiàn)以下功能下降的情況，該功能是：使催化劑僅附著在導(dǎo)通孔5和溝道6內(nèi)，并防止催化劑附著在第二樹脂層4的表面4a上。如果保護(hù)層8的厚度大于10μm，形成在保護(hù)層8上的溝道6的深度就會(huì)變深，因此而會(huì)出現(xiàn)難以在溝道寬度較窄的印制線路板1上形成溝道6這樣的情況。<導(dǎo)通孔和溝道形成工序>接著，如圖3(d)所示，在形成在第二樹脂層4上的保護(hù)層8上形成通孔9，并且經(jīng)該通孔9在層疊有保護(hù)層8的第二樹脂層4上形成導(dǎo)通孔5和溝道6。形成該導(dǎo)通孔5、溝道6以及通孔9的方法并無特別的限定，該方法例如有蝕刻處理法、激光處理法等。從以下三個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選利用激光處理法形成導(dǎo)通孔5等。以上三個(gè)觀點(diǎn)是：要迅速地形成具有細(xì)微形狀的導(dǎo)通孔5等；要防止在蝕刻處理中出現(xiàn)曝光、顯影導(dǎo)致位置偏移，顯影不良等這些不良現(xiàn)象；為滿足線路板的小型化與薄型化以及細(xì)微化的要求而要形成高可靠性的導(dǎo)電圖形。在利用該激光處理法形成導(dǎo)通孔5等的情況下，可以使用的激光例如有：CO2激光、YAG激光、準(zhǔn)分子激光等普通激光。還可以使用氬激光、氦氖激光等氣體激光；藍(lán)寶石激光等固體激光；染料激光；半導(dǎo)體激光；自由電子激光等。其中，特別是從形成具有更細(xì)微的形狀(更細(xì)微)的導(dǎo)通孔5等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用YAG激光、準(zhǔn)分子激光等。導(dǎo)通孔5或溝道6的縱橫比、直徑的大小以及深度等都可以根據(jù)印制線路板1的種類等進(jìn)行適當(dāng)?shù)母淖?。例如?dǎo)通孔5的直徑為10μm-200μm；導(dǎo)通孔5的深度為2μm-20μm；溝道6的寬度為1μm-500μm；溝道6的深度為2μm-20μm。<鍍覆前處理工序>接著，對(duì)已形成有上述導(dǎo)通孔5和溝道6的基板進(jìn)行規(guī)定的鍍覆前處理。更具體而言，例如在65℃的溫度下將基板浸漬在清洗溶液(酸性溶液或中性溶液)中5分鐘，除去基板表面、導(dǎo)通孔5和溝道6內(nèi)的塵埃等。通過該清洗處理對(duì)導(dǎo)通孔5、溝道6的內(nèi)部進(jìn)行清洗，而使在后工序中形成的鍍層膜的結(jié)合力等提高。需要說明的是，可以對(duì)在導(dǎo)通孔5的底部露出來的導(dǎo)體電路3的表面進(jìn)行活化處理。使用由例如硫酸、鹽酸濃度為10％的硫酸、鹽酸溶液形成的酸性溶液等，將基板浸漬在該酸性溶液中5到10秒鐘，這樣來進(jìn)行該活化處理。通過這樣將基板浸漬在該酸性溶液中，就能夠?qū)埩粼诨罨瘏^(qū)域即導(dǎo)體電路3表面的堿性物質(zhì)進(jìn)行中和，而使較薄的氧化膜溶解。<催化劑供給工序>接著，如圖4(a)所示，將催化劑22供向第二樹脂層4，并使催化劑22附著在形成在第二樹脂層4上的導(dǎo)通孔5和溝道6內(nèi)。本工序能夠使用例如含二價(jià)鈀離子(Pd2+)的催化劑溶液進(jìn)行。此時(shí)的催化劑溶液，可以使用例如含Pd濃度為100-300mg/l的氯化鈀(PdCl2·2H2O)、Sn濃度為10-20g/l的二氯化錫(SnCl2·2H2O)以及150-250ml/l的鹽酸(HCl)的混合液。按以下所述供給催化劑22。首先，例如在30-40℃的溫度條件下將圖3(d)所示的基板浸漬在催化劑溶液中1到3分鐘，讓基板的表面吸附Pd-Sn膠體。接著，在常溫條件下讓基板浸漬在由50-100ml/l的硫酸或鹽酸形成的促進(jìn)劑中來將催化劑活化。通過該活化處理，除去絡(luò)合物中的錫，Pd-Sn膠體變成鈀吸附微粒，最終作為鈀催化劑來促進(jìn)化學(xué)鍍處理的鍍層金屬析出。需要說明的是，催化劑22可以使用含銅離子(Cu2+)的催化劑溶液。而且，催化劑22還可以使用不含錫的酸性膠體型或堿性離子型催化劑溶液。上述促進(jìn)劑可以使用氫氧化鈉溶液、氨水溶液。還可以使用調(diào)和液、預(yù)浸液進(jìn)行前處理來強(qiáng)化第二樹脂層4與金屬層7導(dǎo)通孔5和溝道6的結(jié)合力。例如還可以采用噴霧方式朝著基板噴射催化劑溶液并讓該催化劑溶液與基板接觸而將催化劑供向基板。<保護(hù)層剝離工序>接著，如圖4(b)所示，使用剝離液對(duì)形成在第二樹脂層4的表面4a上的保護(hù)層8進(jìn)行剝離。更具體而言，將圖4(a)所示的已得到了催化劑22的基板浸漬在剝離液中，讓保護(hù)層8溶解于剝離液，由此對(duì)形成在第二樹脂層4的表面4a上的保護(hù)層8進(jìn)行剝離。所使用的剝離液能夠根據(jù)形成被剝離的保護(hù)層8的樹脂種類做適當(dāng)?shù)母淖?。例如，在用可溶于上述聚酰亞胺樹脂、硅樹脂等堿性水溶液的樹脂形成保護(hù)層8的情況下，能夠使用氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液等堿金屬氫氧化物水溶液作剝離液；在用上述丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等可溶于醇溶液的樹脂形成保護(hù)層8的情況下，能夠使用異丙醇等醇溶液作剝離液。從防止將附著在導(dǎo)通孔5和溝道6上的催化劑22除去，從而防止在后述鍍覆處理中不析出鍍層金屬的觀點(diǎn)出發(fā)，在本工序中采用讓基板(即保護(hù)層8)浸漬在剝離液中來對(duì)保護(hù)層8進(jìn)行剝離的方法。需要說明的是，保護(hù)層8在剝離液中的浸漬時(shí)間能夠根據(jù)形成保護(hù)層8的樹脂、剝離液的濃度等做適當(dāng)?shù)母淖?。例如，在使用濃度?.4mol/l的氫氧化鈉水溶液對(duì)由聚酰亞胺樹脂形成的保護(hù)層8進(jìn)行剝離的情況下，能夠?qū)⒔n時(shí)間設(shè)定在30秒以上120秒以下。就這樣通過根據(jù)所使用的剝離液的濃度設(shè)定浸漬時(shí)間，便能夠可靠地防止將附著在導(dǎo)通孔5和溝道6上的催化劑22除去，并對(duì)保護(hù)層8進(jìn)行剝離。需要說明的是，為了使催化劑22僅附著在導(dǎo)通孔5和溝道6內(nèi)，并防止催化劑22附著在導(dǎo)通孔5外和溝道6外，還可以采用以下方法來取代形成保護(hù)層8。即：將遮蔽膠帶(maskingtape)貼在第二樹脂層4上，在催化劑供給工序之后再對(duì)該遮蔽膠帶進(jìn)行剝離。<鍍覆處理工序>接著，對(duì)圖4(b)所示的已得到了催化劑22的基板(即被處理基板30)進(jìn)行鍍覆處理(化學(xué)鍍處理)，將鍍層金屬埋入已附著有催化劑22的導(dǎo)通孔5內(nèi)和已附著有催化劑22的溝道6內(nèi)，由此來形成構(gòu)成印制線路板1的電路的金屬層7。這里，本工序中使用的化學(xué)鍍液以水溶性二價(jià)銅(合金)鹽、水溶性鎳(合金)鹽等水溶性金屬鹽為主要成分，還含有一種以上的以下還原劑、以下絡(luò)合劑以及作為整平劑的至少一種硫系有機(jī)化合物。上述還原劑為甲醛、多聚甲醛、乙醛酸或乙醛酸鹽、次磷酸或次磷酸鹽、二甲胺硼烷等；上述絡(luò)合劑為乙二胺四乙酸四鈉、酒石酸鉀鈉等。該化學(xué)鍍液含有作為主要成分的水溶性二價(jià)銅鹽或水溶性鎳鹽等水溶性金屬鹽。使該化學(xué)鍍液含有水溶性二價(jià)銅鹽來生成化學(xué)鍍銅溶液；使該化學(xué)鍍液含有水溶性鎳鹽來生成化學(xué)鍍鎳溶液。水溶性二價(jià)銅鹽，例如可以使用硫酸銅、氯化銅、硝酸銅、醋酸銅、EDTA銅等。既可以在該化學(xué)鍍液中含有至少一種上述水溶性二價(jià)銅鹽，還可以在該化學(xué)鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述水溶性二價(jià)銅鹽。優(yōu)選，該水溶性二價(jià)銅的濃度為0.001mol/L-0.2mol/L。需要說明的是，在作為金屬離子源而含有銅的情況下，便不限于含有水溶性二價(jià)銅鹽，可以含有其他金屬鹽來生成化學(xué)鍍銅合金的鍍液。水溶性鎳鹽，例如可以使用氯化鎳、硫酸鎳、硝酸鎳、酢酸鎳、次磷酸鎳等有機(jī)鎳鹽等。既可以在該化學(xué)鍍液中含有至少一種上述水溶性鎳鹽，還可以在該化學(xué)鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述水溶性鎳鹽。優(yōu)選該水溶性鎳鹽的濃度為0.001mol/L-0.2mol/L。需要說明的是，在作為金屬離子源而含有鎳的情況下，便不限于含有水溶性鎳鹽，可以含有其他金屬鹽來生成化學(xué)鍍鎳合金的鍍液。還原劑，可以使用甲醛、多聚甲醛、乙醛酸或乙醛酸鹽、次磷酸或次磷酸鹽、二甲胺硼烷等公知還原劑。既可以在該化學(xué)鍍液中含有至少一種上述還原劑，還可以在該化學(xué)鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述還原劑。優(yōu)選，該還原劑的濃度為0.01mol/L-0.5mol/L。絡(luò)合劑可以使用多胺、多烷醇胺、多氨基多羧酸或多氨基多羧酸鹽、羧酸或羧酸鹽、羥基羧酸或羥基羧酸鹽、氨基酸或氨基酸鹽等。既可以在該化學(xué)鍍液中含有至少一種上述絡(luò)合物，還可以在該化學(xué)鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述絡(luò)合物。通過讓化學(xué)鍍液中含有該絡(luò)合劑，即使是堿性鍍液，也能夠使上述銅離子、鎳離子等金屬離子穩(wěn)定地存在于該堿性鍍液中。更具體而言，多胺例如有：乙二胺、三亞乙基四胺、六亞甲基四胺、五亞乙基六胺等。多烷醇胺例如有：三乙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇等。多氨基多羧酸例如有：乙二胺四乙酸(EDTA)、三乙酸乙基三胺五乙酸等或它們的鹽。羧酸例如有：檸檬酸、酒石酸、葡糖酸、蘋果酸等或它們的鹽。氨基酸例如有：甘氨酸、谷氨酸等或它們的鹽。非常適合作本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中所含有的絡(luò)合劑用的有：乙二胺四乙酸四鈉(EDTA-4Na)、酒石酸鈉鉀(羅謝爾鹽)、羥乙基亞乙基二胺三乙酸三鈉(HEDTA)。優(yōu)選讓所含有的該絡(luò)合劑的濃度為0.01mol/L-1mol/L；優(yōu)選讓所含有的絡(luò)合劑的合計(jì)濃度達(dá)到水溶性金屬鹽的摩爾量的1-5倍。本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液的特征在于：整平劑至少含有一種硫系有機(jī)化合物。本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中所含有的硫系有機(jī)化合物是至少含有以下基團(tuán)中的一種基團(tuán)的化合物，該基團(tuán)為脂族環(huán)狀基或芳香族環(huán)狀基，其含有任意個(gè)數(shù)的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子彼此獨(dú)立。該基團(tuán)或者為任意一種以上的取代基有一個(gè)以上與該環(huán)狀基鍵合而形成的環(huán)狀基。具體而言，本實(shí)施方式中含有的硫系有機(jī)化合物，是用以下通式(I)到(V)中的任一個(gè)通式表示的至少一種化合物。R1－(S)n－R2(I)R1－L1－(S)n－R2(II)R1－L1－(S)n－L2－R2(III)R1－(S)n－L3(IV)R1－L1－(S)n－L3(V)這里，在通式(I)到(V)中，n表示1以上的整數(shù)；R1、R2表示脂族環(huán)狀基或芳香族環(huán)狀基，其含有任意個(gè)數(shù)的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，且所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子互相獨(dú)立，R1、R2或者表示任意一種以上的取代基有一個(gè)以上與該環(huán)狀基鍵合而形成的環(huán)狀基；L1、L2表示由分別獨(dú)立的直鏈或支鏈烷基、烷基氨基、亞烷基、烷氧基組成的基團(tuán)組中的任一種基團(tuán)；L3表示烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基氨基、羥基、烷基羥基、亞烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基氨基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、酰胺基、烷基酰胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺?；?、硫代羰基組成的基團(tuán)組中的任一種基團(tuán)。通式(I)到(V)中的R1、R2的取代基例如有：烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基、羥基、烷基羥基、烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、酰胺基、烷基酰胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺酰基、硫代羰基等。上述環(huán)狀基例如有：苯基、萘基、糠基、吡啶基、噻唑基、苯并噻唑基、嘧啶基、咪唑基、噻吩基等。上述硫系有機(jī)化合物并沒有特別的限定，但例如有：2,2’-二吡啶二硫化物、二硫化2,2’-二苯并噻唑基二硫化物、3,3’，5,5’-四氯二硫醚、2,2’-二硫代雙(5-硝基吡啶)、2,2’-二硫代二苯甲酸、2,2’-二硫代雙苯胺、5,5’-二硫代雙(2-硝基苯甲酸)、4,4’-雙(2-氨基-6-甲基嘧啶基)二硫化物、4,4’-二吡啶基硫醚、6,6’-二硫代二煙酸、2,2’-二硫代二水楊酸、二糠基硫醚、雙(6-羥基-2-萘基)二硫化物、糠基甲基二硫化物、雙(2-苯甲酰胺基苯基)二硫化物、雙(3-羥基苯基)二硫化物、二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑、5,5’-硫代二水楊酸、5,5’-二硫代二水楊酸、(4-吡啶基硫代)乙酸、3-(2-苯并噻唑基硫基)丙酸、以及4-(2-苯并噻唑硫基)嗎啉等。特別是，從能夠更好地將金屬埋入溝道或?qū)椎葍?nèi)，可使用的濃度范圍寬，難以隨時(shí)間的變化，分解物的影響較小等觀點(diǎn)出發(fā)，非常合適的硫系有機(jī)化合物是其中的2,2’-二吡啶二硫化物、6,6’-二硫化二煙酸、2,2’-二硫代二水楊酸以及雙(6-羥基-2-萘基)二硫化物,。優(yōu)選，所含有的該硫系有機(jī)化合物的濃度范圍為0.001mg/L-500mg/L；更優(yōu)選為0.05mg/-50mg/L。如果濃度較低，就不能作為整平劑充分地發(fā)揮作用；如果濃度過高，則作為整平劑顯現(xiàn)出來的效果就會(huì)過強(qiáng)，而會(huì)阻止鍍層金屬的析出，而且無論是在基板表面上，還是在溝道或?qū)變?nèi)，鍍膜的厚度都會(huì)非常薄，而無法將足夠的鍍層金屬埋入溝道或?qū)變?nèi)。其結(jié)果是，所形成的印制線路板的缺陷就多。因此，在本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中，所含有的硫系有機(jī)化合物的優(yōu)選濃度范圍為0.05mg/L-50mg/L，通過使其所含有硫系有機(jī)化合物在該范圍內(nèi)，就能夠充分地發(fā)揮整平劑的效果，并且能夠?qū)㈠儗咏饘倭己玫芈袢霚系阑驅(qū)變?nèi)。上述硫系有機(jī)化合物中的硫分子與金屬之間具有較強(qiáng)的相互作用，而具有以下性質(zhì)：如果硫分子與金屬表面接觸，金屬表面就會(huì)強(qiáng)烈地吸附硫分子。該硫系有機(jī)化合物與金屬離子一起在鍍液中擴(kuò)散并被供向催化劑中，但是，供向鍍液流動(dòng)較弱的溝道或?qū)椎葍?nèi)的硫系有機(jī)化合物的量比供向該基板表面的硫系有機(jī)化合物的量少。因此，因?yàn)樵娇拷鼫系赖鹊牡撞浚蛳涤袡C(jī)化合物的供給量就越少，所以對(duì)化學(xué)鍍反應(yīng)的抑制作用變小。其結(jié)果是，會(huì)有鍍層金屬不斷地沉積在底部(底部強(qiáng)化沉積：bottomupdeposition)，能夠埋入鍍層金屬，且在溝道等的內(nèi)部不會(huì)產(chǎn)生孔隙等缺陷。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的含有具有環(huán)狀基的硫系有機(jī)化合物的化學(xué)鍍液，能夠長時(shí)間地抑制孔隙、接縫等缺陷的產(chǎn)生，能夠良好地將鍍層金屬埋入溝道等內(nèi)。具體說明的話，例如，在進(jìn)行化學(xué)鍍銅等的過程中，鍍液中所含的還原劑的還原能力隨著pH值上升而升高，故優(yōu)選將所使用的化學(xué)鍍液的pH值設(shè)定得較高，pH值為10-14，以使該化學(xué)鍍液具有較強(qiáng)的堿性。如果使用強(qiáng)堿性鍍液時(shí)，硫系有機(jī)化合物是現(xiàn)有化學(xué)鍍液中所使用的硫系有機(jī)化合物，砜基、羧基等電子吸引基會(huì)被吸入，故硫醇陰離子穩(wěn)定，二硫鍵容易被切斷而變成不穩(wěn)定狀態(tài)，產(chǎn)生自我分解，不能長時(shí)間地維持穩(wěn)定狀態(tài)。其結(jié)果是，長時(shí)間都不能抑制孔隙、接縫等缺陷的產(chǎn)生。另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液，因?yàn)槭乖摶瘜W(xué)鍍液含有具有電子供給基即環(huán)狀基的硫系有機(jī)化合物，所以二硫鍵難以被切斷，在強(qiáng)堿性條件下也能夠?qū)ψ晕曳纸夥磻?yīng)進(jìn)行抑制。其結(jié)果是，能夠長時(shí)間地維持穩(wěn)定的狀態(tài)和性能，并且能夠在不發(fā)生孔隙、接縫等缺陷的情況下形成良好的鍍膜。通過讓化學(xué)鍍液含有具有吸附性較高的環(huán)狀基的硫系有機(jī)化合物，鍍液的流速很大程度地取決于整平劑對(duì)金屬的析出速率的影響程度，能夠提高作為整平劑的效果。其結(jié)果是，就是針對(duì)較大的溝道或?qū)祝材軌蛄己玫芈袢脲儗咏饘?，并且不?huì)產(chǎn)生缺陷；還有，就是針對(duì)較大的溝道或?qū)祝材軌蛟诓划a(chǎn)生缺陷的情況下形成具有無凹凸的平滑表面的鍍膜。在本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中，除了能夠含有上述水溶性二價(jià)銅鹽或水溶性鎳鹽等金屬離子源、該金屬離子的還原劑、穩(wěn)定地維持著金屬離子源存在的絡(luò)合劑、作為整平劑使用的硫系有機(jī)化合物以外，還能夠含有表面活性劑、促進(jìn)鍍層金屬析出的促進(jìn)劑等，又能夠含有穩(wěn)定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。下面，對(duì)上述化合物做詳細(xì)的說明，本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中所含有的化合物并不限于下述列舉出的化合物。表面活性劑可以使用聚氧化烯二醇、烷基醚、聚氧化烯二醇共聚物、聚氧化烯二醇烷基醚共聚物等。需要說明的是，既可以含有至少一種上述表面活性劑，又可以以任意的比例含有兩種以上的上述表面活性劑。優(yōu)選該表面活性劑的濃度為0.1mg/L-10000mg/L。表面活性劑不僅具有使反應(yīng)產(chǎn)生的氫氣易于脫離溝道或?qū)椎男Ч?，還具有以下效果。也就是說，本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍液中所含有的硫系有機(jī)化合物在鍍液中具有分子彼此集聚的傾向，在通過鍍覆處理形成的鍍膜的表面上會(huì)產(chǎn)生凹凸等不均勻現(xiàn)象，會(huì)在溝道或?qū)椎葍?nèi)形成孔隙等空隙，而會(huì)導(dǎo)致埋入不良。于是，通過讓鍍液中含有上述列舉出的表面活性劑等，就能夠促進(jìn)硫系有機(jī)化合物分子的分散，從而能夠抑制在溝道等的內(nèi)部產(chǎn)生孔隙、接縫等缺陷。促進(jìn)鍍層金屬析出的促進(jìn)劑，可以使用多胺、多烷醇胺、聚氨基多羧酸或聚氨基多羧酸鹽、氯化物離子、硝酸離子、8-羥基-7-碘-5-喹啉磺酸等。既可以在化學(xué)鍍液中含有一種上述促進(jìn)劑，又可以在化學(xué)鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述促進(jìn)劑。更具體而言，多胺例如有：乙二胺、三亞乙基四胺、六亞甲基四胺、五亞乙基六胺等。多烷醇胺例如有：三乙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇等。多氨基多羧酸例如有：乙二胺四乙酸(EDTA)、三乙酸乙基三胺五乙酸等。通過在鍍液中含有上述促進(jìn)鍍層金屬析出的促進(jìn)劑，就能夠促進(jìn)從溝道或?qū)椎鹊牡撞块_始往上好好地沉積鍍層金屬的鍍層金屬生長效果(底部強(qiáng)化沉積效果)，從而能夠以足夠的鍍覆速率有效地形成不存在孔隙、接縫等缺陷的鍍膜。在進(jìn)行本實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍時(shí)，能夠讓鍍液20含有穩(wěn)定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。該穩(wěn)定劑、鍍膜物性改善劑，既能夠至少含有2,2'-聯(lián)吡啶、1,10-菲咯啉等公知化合物中的一種，又能夠以任意的比例含有2,2’-雙吡啶基-1,10-菲咯啉等公知化合物中的兩種以上?？梢愿鶕?jù)需要讓鍍液20含有表面活化劑、促進(jìn)鍍層金屬析出的促進(jìn)劑等；還可以讓鍍液20中含有2,2'-聯(lián)吡啶、1,10-菲咯啉等公知穩(wěn)定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。對(duì)鍍覆處理時(shí)間并沒有特別的限定，鍍覆處理時(shí)間能夠根據(jù)導(dǎo)通孔5和溝道6的大小等做適當(dāng)?shù)母淖?。例如，讓已得到了催化劑的基板浸漬在鍍液20中30-600分鐘。鍍覆處理溫度只要能夠保證銅離子等金屬離子發(fā)生還原反應(yīng)即可，并無特別的限定。但從效率良好地發(fā)生還原反應(yīng)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將鍍液20的溫度設(shè)定在20-90℃，更優(yōu)選設(shè)定在50-70℃。鍍液20的pH并無特別的限定，優(yōu)選將pH設(shè)定為10-14。通過這樣將鍍液20的pH設(shè)定在高堿性條件的范圍內(nèi)，銅離子等金屬離子的還原反應(yīng)就會(huì)有效地進(jìn)行下去，金屬鍍膜的析出速率就會(huì)提高。需要說明的是，為將pH維持在10-14這一范圍內(nèi)，能夠讓鍍液中含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨等pH調(diào)節(jié)劑。這些pH調(diào)節(jié)劑用水稀釋后適當(dāng)?shù)靥砑釉阱円?0中。在進(jìn)行化學(xué)鍍處理之際，優(yōu)選充分地對(duì)鍍液20進(jìn)行攪拌，將離子充分地供向?qū)?和溝道6。鍍液20能夠采用空氣攪拌、泵循環(huán)攪拌等攪拌方法。在本實(shí)施方式中，通過使用上述化學(xué)鍍裝置10進(jìn)行上述化學(xué)鍍處理，形成在導(dǎo)通孔5內(nèi)的金屬層7就會(huì)經(jīng)該導(dǎo)通孔5與導(dǎo)體電路3連接，并且由形成在溝道6內(nèi)的金屬層7形成導(dǎo)電圖形，而制造出圖1所示的印制線路板1。此時(shí)，在本實(shí)施方式中，如上所述，從結(jié)構(gòu)上保證做到：用供液部件12將鍍液20供向被處理基板30的下方，用擴(kuò)散部件13讓含氧氣體往已供到被處理基板30的下方的鍍液20內(nèi)擴(kuò)散；將溢流槽14設(shè)置在鍍槽11的上端部，讓鍍槽11內(nèi)的鍍液20從被處理基板30的上方溢出來。因此，在鍍槽11的內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生鍍液20的更強(qiáng)的上升液流，故鍍液20中的氣泡(即含氧氣體)會(huì)遍布被處理基板30的整個(gè)表面，被處理基板30表面上的溶解氧量會(huì)增多。其結(jié)果是，因?yàn)殄儾?1內(nèi)部(即鍍浴)變成氧化環(huán)境，所以能夠防止鍍層金屬異常地析出在被處理基板30上的溝道6外和導(dǎo)通孔5外。結(jié)果是，能夠防止由于鍍層金屬的異常析出而引起的斷線或?qū)w電路3短路等不良現(xiàn)象。因?yàn)闅馀蓦y以進(jìn)入溝道6內(nèi)和導(dǎo)通孔5內(nèi)，所以氣泡量少(即，溶解氧量少)，鍍槽11內(nèi)部(即鍍浴)根據(jù)上端就會(huì)變成還原環(huán)境。因此，因?yàn)榇龠M(jìn)了鍍覆反應(yīng)，所以將鍍層金屬埋入溝道6內(nèi)和導(dǎo)通孔5內(nèi)的鍍層金屬埋入性良好。(第二實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。需要說明的是，用同一符號(hào)表示與上述第一實(shí)施方式一樣的構(gòu)成部分，省略說明。因?yàn)榫€路板的制造方法與上述第一實(shí)施方式相同，所以這里省略詳細(xì)說明。圖5示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的化學(xué)鍍裝置。如圖5所示，本實(shí)施方式中的化學(xué)鍍裝置40的特征在于：設(shè)置有用于對(duì)鍍槽11內(nèi)的鍍液20的流動(dòng)情況進(jìn)行調(diào)節(jié)的整流部件41。如圖5所示，該整流部件41設(shè)置在鍍槽11內(nèi)擴(kuò)散部件13和供液部件12之間，該擴(kuò)散部件13設(shè)置在被處理基板30的下方；該供液部件12設(shè)置在鍍槽11的底部。即，在本實(shí)施方式中，按從鍍槽11的下方朝向上方的順序依次布置有供液部件12、整流部件41、擴(kuò)散部件13以及被處理基板30。而且，供液部件12由水平布置的一根管狀部件構(gòu)成。該整流部件41例如可以使用形成有供鍍液20通過的很多孔的板狀體。在本實(shí)施方式中，設(shè)定整流部件41的水平面41a的大小，以保證利用該整流部件41就能夠毫無間隙地將鍍槽11的內(nèi)部空間隔開。在本實(shí)施方式中，通過設(shè)置上述整流部件41，能夠使鍍槽11內(nèi)部各處鍍液20的流量、流速一致。因此，鍍液20中的氣泡會(huì)更好地遍布被處理基板30的整個(gè)表面，被處理基板30表面的溶解氧量會(huì)進(jìn)一步增多。其結(jié)果是，能夠可靠地防止鍍層金屬異常地析出在被處理基板30的溝道6外和導(dǎo)通孔5外。通過設(shè)置整流部件41就能夠使鍍槽11內(nèi)部各處鍍液20的流量、流速都一致，故能夠使鍍液20的壓力均勻化。結(jié)果是，能夠防止被處理基板30在鍍液20的壓力較高的區(qū)域擺動(dòng)而損壞。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，與鍍槽11一樣，溢流槽14是近似長方體的容器，在其上表面具有近似矩形的開口14a，整個(gè)鍍槽11裝在溢流槽14的內(nèi)部。而且，在本實(shí)施方式中，在鍍槽11上未形成有在上述第一實(shí)施方式中說明的流出口11b，鍍液20經(jīng)鍍槽11的開口朝著溢流槽14溢出來，并貯存在溢流槽14內(nèi)。如圖5所示，擴(kuò)散部件13由四根管狀部件構(gòu)成。其中，每根管狀部件都由多孔陶瓷材料形成。該四根管狀部件位于同一高度的水平面上且彼此平行，能夠?qū)⒆銐虻暮鯕怏w供到多個(gè)被處理基板30的表面。在本實(shí)施方式中，設(shè)置有支承部件42來取代上述夾具21，多個(gè)被處理基板30以被該支承部件42支承著的狀態(tài)裝在該支承部件42內(nèi)。如圖5所示，例如該支承部件42是近似長方體的容器，其具有內(nèi)部空間，能夠?qū)⑽鍌€(gè)被處理基板30以近似垂直的狀態(tài)裝在該內(nèi)部空間內(nèi)。該支承部件42具有供各被處理基板30插入其中的導(dǎo)槽(未圖示)。各被處理基板30以彼此大致平行的狀態(tài)由支承部件42支承。需要說明的是，支承部件42連接在運(yùn)送裝置(未圖示)上，在鍍槽11內(nèi)外能夠沿上下方向和水平方向移動(dòng)。實(shí)施例下面，根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明。需要說明的是，本發(fā)明并不限于下述實(shí)施例，能夠根據(jù)本發(fā)明的主旨讓下述實(shí)施例變形或者改變下述實(shí)施例，這些變形和改變都落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。(實(shí)施例1)將普通的絕緣樹脂(AjinomotoFine-TechnoCo.,Inc.制造，商品名：ABF－GX13)層疊在基板上，并用抗蝕劑(保護(hù)層)覆蓋已層疊有該絕緣樹脂的基板的表面，之后用形成導(dǎo)通孔時(shí)使用的激光加工機(jī)(HitachiViaMechanics,Ltd.制造，商品名：LC－L)連同抗蝕劑一起加工，而形成了寬度10μm、深度10μm的溝道(電路)。接下來，利用催化劑供給工序(Uyemura&Co.,Ltd.制造，through-cupprocess用清潔劑調(diào)節(jié)器ACL-009、預(yù)浸漬PED-104、催化劑AT-105、加速器AL-106)供給催化劑(種子層)，用氫氧化鈉水溶液將抗蝕劑剝離了下來。之后，用第一實(shí)施方式中的化學(xué)鍍裝置和調(diào)制好的具有以下組分的化學(xué)鍍銅液，用供液部件供給鍍液，并且邊讓含氧氣體擴(kuò)散邊在70℃的溫度條件下進(jìn)行了2小時(shí)的化學(xué)鍍處理。需要說明的是，一分鐘內(nèi)將0.2L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.2L/分的供給速率進(jìn)行了擴(kuò)散。在開始化學(xué)鍍以前的2分鐘內(nèi)，讓含氧氣體停止了擴(kuò)散。進(jìn)行完鍍覆處理后，用金屬顯微鏡觀察了溝道的斷面，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內(nèi)的填充性(埋入性)。需要說明的是，針對(duì)金屬層在溝道內(nèi)的填充性而言，將在所觀察的斷面上沒有確認(rèn)到孔隙、接縫的情況定為良好。以上結(jié)果示于表1，并且所得到的金屬顯微鏡照片示于圖6。＜化學(xué)鍍銅液組成(實(shí)施例1)＞硫酸銅：0.04mol/LEDTA：0.1mol/L氫氧化鈉：4g/L甲醛：4g/L2,2’-聯(lián)吡啶：2mg/l聚乙二醇(分子量1000)：1000mg/l2,2’-二吡啶基二硫化物：5mg/l(實(shí)施例2)將普通的絕緣樹脂(AjinomotoFine-TechnoCo.,Inc.制造，商品名：ABF－GX13)層疊在基板上，并將遮蔽膠帶(保護(hù)層)貼在該基板上，之后用形成導(dǎo)通孔時(shí)使用的激光加工機(jī)(HitachiViaMechanics,Ltd.制造，商品名：LC－L)連同遮蔽膠帶一起加工，而形成了寬度10μm、深度10μm的溝道(電路)。接下來，利用催化劑供給工序(Uyemura&Co.,Ltd.制造，through-cupprocess用清潔劑調(diào)節(jié)器ACL-009、預(yù)浸漬PED-104、催化劑AT-105、加速器AL-106)供給催化劑(種子層)，將遮蔽膠帶剝離了下來。之后，用第二實(shí)施方式中的化學(xué)鍍裝置和在實(shí)施例1中使用的化學(xué)鍍銅液，用供液部件供給鍍液，并且邊讓含氧氣體擴(kuò)散邊在70℃的溫度條件下進(jìn)行了2小時(shí)的化學(xué)鍍處理。需要說明的是，需要說明的是，一分鐘內(nèi)將0.6L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即，讓含氧氣體以0.6/分的供給速率進(jìn)行了擴(kuò)散。在開始化學(xué)鍍以前的2分鐘內(nèi)，讓含氧氣體停止了擴(kuò)散。進(jìn)行完鍍覆處理后，用金屬顯微鏡觀察溝道的斷面，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內(nèi)的填充性(埋入性)。以上結(jié)果示于表1。(實(shí)施例3)除了在一分鐘內(nèi)將0.9L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.9L/分的供給速率進(jìn)行了擴(kuò)散以外，其它方面都與上述實(shí)施例1一樣，在這樣的條件下進(jìn)行了化學(xué)鍍處理。并且，與實(shí)施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內(nèi)的填充性(埋入性)。以上結(jié)果示于表1。(比較例1)進(jìn)行化學(xué)鍍處理之際，除了沒有讓含氧氣體擴(kuò)散以外，其它方面都與上述實(shí)施例1一樣，在這樣的條件下進(jìn)行了化學(xué)鍍處理。并且，與實(shí)施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內(nèi)的填充性(埋入性)。以上結(jié)果示于表1。(比較例2)除了使用調(diào)制好的具有以下組分的化學(xué)鍍銅液，且在一分鐘內(nèi)將0.2L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.2L/分的供給速率進(jìn)行了擴(kuò)散以外，其它方面都和上述實(shí)施例2一樣，在這樣的條件下進(jìn)行了化學(xué)鍍處理。并且，與實(shí)施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內(nèi)的填充性(埋入性)。以上結(jié)果示于表1，所得到的金屬顯微鏡照片示于圖7。＜化學(xué)鍍銅液組成(比較例2)＞硫酸銅：0.04mol/LEDTA：0.1mol/L氫氧化鈉：4g/L甲醛：4g/L聚乙二醇(分子量1000)：1000mg/l[表1]埋入性鍍層金屬有沒有析出在溝道外實(shí)施例1良好無實(shí)施例2良好無實(shí)施例3良好無比較例1良好有比較例2不良無由表1可知：與比較例1-2不同，在實(shí)施例1-實(shí)施例3中，鍍層金屬?zèng)]有析出在溝道外的表面上，金屬層良好地填充在溝道內(nèi)。由以上結(jié)果可以做出以下判斷：利用實(shí)施例1-實(shí)施例3中的方法能夠可靠地防止鍍層金屬析出在溝道外的表面上。產(chǎn)業(yè)上的可利用性綜上所述，本發(fā)明對(duì)于進(jìn)行鍍覆處理的線路板的制造方法以及用該制造方法制造出的線路板很適用附圖標(biāo)記說明1印制線路板2第一樹脂層3導(dǎo)體電路4第二樹脂層4a第二樹脂層的表面5導(dǎo)通孔6溝道7金屬層8保護(hù)層9通孔10化學(xué)鍍裝置11鍍槽12供液部件13擴(kuò)散部件14溢流槽18調(diào)溫部件20鍍液23排出通路24排出口30被處理基板40化學(xué)鍍裝置41整流部件42支承部件當(dāng)前第1頁1 2 3