在使用多個(gè)光譜的化學(xué)機(jī)械拋光中的終點(diǎn)檢測的制作方法
【專利摘要】一種計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法包括：用實(shí)地光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)獲得至少一個(gè)當(dāng)前光譜，將所述當(dāng)前光譜與多個(gè)不同的參考光譜進(jìn)行比較，和基于所述比較來確定對于具有經(jīng)受拋光的最外層的基板來說是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)。所述當(dāng)前光譜是從基板反射的光的光譜，所述基板具有經(jīng)受拋光的最外層和至少一個(gè)下面層。所述多個(gè)參考光譜代表從基板反射的光的光譜，所述基板具有厚度相同的最外層和厚度不同的下面層。
【專利說明】在使用多個(gè)光譜的化學(xué)機(jī)械拋光中的終點(diǎn)檢測
[0001]本發(fā)明專利申請是國際申請?zhí)枮镻CT/US2009/042085，國際申請日為2009年4月29日，進(jìn)入中國國家階段的申請?zhí)枮椤?00980116558.3”，名稱為“在使用多個(gè)光譜的化學(xué)機(jī)械拋光中的終點(diǎn)檢測”的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明通常涉及在化學(xué)機(jī)械拋光期間基板的光譜監(jiān)測。
【背景技術(shù)】
[0003]通常是通過在硅晶片上順序沉積導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層或絕緣層來在基板上形成集成電路。一個(gè)制造步驟涉及在非平面的表面上沉積填料層并且使所述填料層平坦化。對于某些應(yīng)用來說，使填料層平坦化，直到圖案化層的頂表面暴露為止。例如，可在圖案化絕緣層上沉積導(dǎo)電的填料層，以填充在絕緣層中的溝槽或孔。在平坦化之后，殘留在絕緣層的升高的圖案之間的導(dǎo)體層的部分形成在基板上的薄膜電路之間提供導(dǎo)電通路的通孔、插頭和線路。對于諸如氧化物拋光的其他應(yīng)用來說，使填料層平坦化，直到在非平面的表面上留下預(yù)定厚度為止。另外，基板表面的平坦化通常是光刻法所需要的。
[0004]化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種所接受的平坦化方法。這種平坦化方法通常需要將基板安裝在載具頭或拋光頭上?；宓谋┞侗砻嫱ǔ５挚啃D(zhuǎn)拋光盤狀襯墊或帶狀襯墊放置。拋光墊可以是標(biāo)準(zhǔn)襯墊或固定研磨襯墊。標(biāo)準(zhǔn)襯墊具有耐久粗糙表面，而固定研磨襯墊具有保持在包含介質(zhì)中的研磨粒子。該載具頭在基板上提供可控的負(fù)載以將其推至拋光墊。通常向拋光墊的表面供應(yīng)拋光液體，諸如具有研磨粒子的漿液。
[0005]CMP中的一個(gè)問題在于確定該拋光處理是否完成，即，是否已將基板層平坦化到所要的平整度或厚度，或確定何時(shí)移除了所要量的材料。過度拋光(移除過多)導(dǎo)體層或薄膜導(dǎo)致電路電阻增加。另一方面，拋光不足(移除太少)導(dǎo)體層導(dǎo)致電氣短路?；鍖拥某跏己穸鹊淖兓?、漿液成分的變化、拋光墊狀態(tài)的變化、拋光墊與基板之間相對速度的變化和基板上負(fù)載的變化可導(dǎo)致材料移除速率的變化。這些變化導(dǎo)致達(dá)到拋光終點(diǎn)所需要的時(shí)間的變化。因此，不能將拋光終點(diǎn)僅確定為拋光時(shí)間的函數(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在一個(gè)通用的方面，一種計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法包括:用實(shí)地光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)獲得至少一個(gè)當(dāng)前光譜，比較所述當(dāng)前光譜與多個(gè)不同的參考光譜，和基于該比較來確定對于具有經(jīng)受拋光的最外層的基板來說是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)。該當(dāng)前光譜是由基板反射的光的光譜，該基板具有經(jīng)受拋光的最外層和至少一個(gè)下面層。該多個(gè)參考光譜表示由基板反射的光的光譜，這些基板具有厚度相同的最外層和厚度不同的下面層。
[0007]實(shí)施方式可包括一或多個(gè)以下步驟。確定是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)可以包括計(jì)算當(dāng)前光譜與參考光譜之間的差值。確定是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)可以包括確定這些差值中的至少一個(gè)差值是否已達(dá)到閾值。這些差值中的該至少一個(gè)差值可以為最小差值。確定是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)可以包括當(dāng)這些差值中的至少一個(gè)差值已達(dá)到閾值時(shí)激活終點(diǎn)檢測算法。確定是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)可以包括產(chǎn)生差值跡線，該差值跡線包括多個(gè)點(diǎn)，每個(gè)點(diǎn)代表為壓板的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行計(jì)算的差值中的最小差值。該終點(diǎn)檢測算法可以包括確定該差值跡線是否已達(dá)到最小值。確定所述差值跡線是否已達(dá)到最小值可以包括計(jì)算該差值跡線的斜率，或確定該差值跡線是否已升至最小值以上的閾值。該參考光譜可以憑經(jīng)驗(yàn)來產(chǎn)生或根據(jù)理論來產(chǎn)生。
[0008]在另一方面，一種編碼在有形的載體程序上的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可操作以使數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行包含上述方法的步驟的操作。
[0009]如在本說明書中所用，術(shù)語基板可包括，例如，產(chǎn)品基板(例如，其包括多個(gè)存儲器或處理器模具)、測試基板、裸露基板和閘基板。基板可以處在集成電路制造的各個(gè)階段，例如，基板可以是裸露晶片，或其可以包括一或多個(gè)沉積層和/或圖案化層。術(shù)語基板可以包括圓形的盤和長方形的板。
[0010]本發(fā)明實(shí)施方式可能存在的優(yōu)點(diǎn)可以包括一或多個(gè)以下優(yōu)點(diǎn)。終點(diǎn)檢測系統(tǒng)對下面層或圖案中基板之間變化可能較不敏感，從而可以改善終點(diǎn)系統(tǒng)的可靠性。通過提供比使用單個(gè)參考光譜技術(shù)所產(chǎn)生的跡線通常更平滑的差值或終點(diǎn)跡線，多個(gè)參考光譜(如與單個(gè)參考光譜相對)的使用改善終點(diǎn)確定的準(zhǔn)確性。
[0011]本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)闡述于附圖和以下描述中。本發(fā)明的其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將由描述、附圖和權(quán)利要求書而變得顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1示出基板。
[0013]圖2示出化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備。
[0014]圖3是拋光墊的頂視圖并且示出采取實(shí)地測量的位置。
[0015]圖4是確定拋光終點(diǎn)的程序框圖。
[0016]圖5圖示來自光譜監(jiān)測系統(tǒng)的差值跡線。
[0017]圖6是確定拋光終點(diǎn)的另一個(gè)實(shí)施方式的程序框圖。
[0018]在各個(gè)圖式中相同的元件符號和名稱指示相同的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0019]參見圖1，基板10可以包括晶片12、將經(jīng)受拋光的最外層14和在最外層16與晶片12之間的一或多個(gè)下面層16，下面層16中的一些通常經(jīng)圖案化。在化學(xué)機(jī)械拋光期間光譜終點(diǎn)檢測的一個(gè)潛在問題在于下面層的厚度可能從基板到基板變化。因此，取決于下面層，其中最外層具有相同厚度的基板實(shí)際上可以反射不同的光譜。因而，用于觸發(fā)一些基板的拋光終點(diǎn)的靶光譜可能不對其他基板起到適當(dāng)?shù)淖饔?，例如，如果下面層具有不同的厚度的話。然而，通過將在拋光期間獲得的光譜與多個(gè)光譜進(jìn)行比較，可以補(bǔ)償該影響，其中該多個(gè)光譜代表在下面層中的變化。
[0020]圖2示出可操作以拋光基板10的拋光設(shè)備20。拋光設(shè)備20包括可旋轉(zhuǎn)的盤狀壓板24，拋光墊30位于該盤狀壓板24上。該壓板可操作以繞軸25旋轉(zhuǎn)。例如，電動機(jī)可以轉(zhuǎn)動主動軸22以使壓板24旋轉(zhuǎn)。[0021]通過包括孔隙(即，貫穿該襯墊的孔)或?qū)嵭拇翱?，提供了穿過拋光墊的光學(xué)通路36。雖然在一些實(shí)施方式中該實(shí)心窗口可以被支撐在壓板24上并且投入拋光墊中的孔隙中，但可以將實(shí)心窗口固定到拋光墊。通常將拋光墊30放置在壓板24上，以便孔隙或窗口覆蓋位于壓板24的凹槽26中的光學(xué)頭53。因而，光學(xué)頭53具有穿過孔隙或窗口到正被拋光的基板的光學(xué)通路。該光學(xué)頭在下文進(jìn)一步描述。
[0022]拋光設(shè)備20包括組合漿液/清洗臂39。在拋光期間，臂39可操作以分配諸如漿液的拋光液體38?；蛘?，該拋光設(shè)備包括可操作以將漿液分配到拋光墊30上的漿液端口。
[0023]拋光設(shè)備20包括可操作以將基板10固持到拋光墊30上的載具頭70。載具頭70是懸掛于例如圓盤傳送帶的支撐結(jié)構(gòu)72上，并且通過載具主動軸74連接到載具頭旋轉(zhuǎn)電動機(jī)76’以便載具頭可以繞軸71旋轉(zhuǎn)。另外，載具頭70可以在形成于支撐結(jié)構(gòu)72中的徑向槽中橫向地?cái)[動。在操作中，使壓板繞其中心軸25旋轉(zhuǎn)，并且使載具頭繞其中心軸71旋轉(zhuǎn)并且橫跨拋光墊的頂表面橫向地平移。
[0024]拋光設(shè)備還包括光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)，其可以如下文論述用于確定拋光終點(diǎn)。光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)包括光源51和光檢測器52。光從光源51傳出，穿過拋光墊30中的光學(xué)通路36，撞擊基板10并且從基板10反射回穿過光學(xué)通路36，并且行進(jìn)到光檢測器52。
[0025]分叉光纜54可以用于將光從光源51傳輸?shù)焦鈱W(xué)通路36，并且從光學(xué)通路36傳回到光檢測器52。分叉光纜54可以包括“主干”55和兩個(gè)“分支”56和58。
[0026]如上文提及,壓板24包括凹槽26,光學(xué)頭53位于凹槽26中。光學(xué)頭53固持分叉光纖電纜54的主干55的一個(gè)末端,光纖電纜54經(jīng)配置以向和從正被拋光的基板表面?zhèn)魉凸?。光學(xué)頭53可以包括覆蓋分叉光纖電纜54的末端的一或多個(gè)透鏡或窗口?；蛘?光學(xué)頭53可以僅固持主干55的相鄰于拋光墊中實(shí)心窗口的末端。光學(xué)頭53可以固持沖水系統(tǒng)的上述噴嘴。光學(xué)頭53可以根據(jù)需要從凹槽26移除，例如，以實(shí)現(xiàn)預(yù)防性或校正性維護(hù)。
[0027]該壓板包括可移除的實(shí)地監(jiān)測模塊50。實(shí)地監(jiān)測模塊50可以包括以下的一或多個(gè):光源51、光檢測器52和用于向光源51和光檢測器52發(fā)送信號和從其接收信號的電路。例如，檢測器52的輸出可以是經(jīng)過主動軸22中的旋轉(zhuǎn)耦合器(例如，集電環(huán))到用于光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)的控制器的數(shù)字電子信號。類似地，可以響應(yīng)從控制器經(jīng)由旋轉(zhuǎn)耦合器到模塊50的數(shù)字電子信號中的控制命令來開啟或關(guān)閉光源。
[0028]實(shí)地監(jiān)測模塊還可以固持分叉光纖54的分支部分56和58的各自末端。光源可操作以傳輸光，該光是經(jīng)由分支56傳送并且從位于光學(xué)頭53中的主干55的末端傳出，并且撞擊在正被拋光的基板上。從基板反射的光是在位于光學(xué)頭53中的主干55的末端處接收，并且經(jīng)由分支58傳送到光檢測器52。
[0029]在一個(gè)實(shí)施方式中，分叉光纖電纜54是一束光纖。該束包括第一組光纖和第二組光纖。第一組中的光纖經(jīng)連接以將光從光源51傳送到正被拋光的基板表面。第二組中的光纖經(jīng)連接以接收從正被拋光的基板表面反射的光并且將所接收的光傳送到光檢測器?？梢圆贾眠@些光纖以便第二組中的光纖形成以分叉光纖54的縱軸為中心的類似X的形狀(如在分叉光纖電纜54的橫截面中所見)?；蛘撸梢詫?shí)施其他布置。例如，第二組中的光纖可以形成彼此互成鏡像的類似V的形狀。適當(dāng)?shù)姆植婀饫w可購自Carrollton, Texa的VerityInstruments, Inc.。[0030]光源51可操作以發(fā)出白光。在一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)射的白光包括波長為200-800納米的光。適當(dāng)?shù)墓庠词请療艋螂療簟?br> [0031]光檢測器52可以是光譜儀。光譜儀基本上是一種用于測量在一部分電磁光譜上的光的強(qiáng)度的光學(xué)儀器。適當(dāng)?shù)墓庾V儀是光柵光譜儀。光譜儀的典型輸出是光強(qiáng)度為波長的函數(shù)。
[0032]光源51和光檢測器52連接到可操作以控制其操作和接收其信號的計(jì)算裝置。計(jì)算裝置可以包括位于鄰近拋光設(shè)備的微處理器，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)。就控制而言，計(jì)算裝置可以，例如，用壓板24的旋轉(zhuǎn)來使光源51的激活同步。如圖3所示，計(jì)算機(jī)可以使光源51發(fā)出一系列閃光，所述閃光在基板10即將經(jīng)過實(shí)地監(jiān)測模塊以前開始，并且在基板10經(jīng)過實(shí)地監(jiān)測模塊之后立即終止。(所示的點(diǎn)301-311中的每一個(gè)點(diǎn)代表來自實(shí)地監(jiān)測模塊的光被撞擊并且反射開的位置。)或者，計(jì)算機(jī)可以使光源51連續(xù)地發(fā)出光，所述光在基板10即將經(jīng)過實(shí)地監(jiān)測模塊以前開始發(fā)出，并且在基板10經(jīng)過實(shí)地監(jiān)測模塊之后立即終止發(fā)出。在任何情況中，來自檢測器的信號可以在采樣周期上被集成以產(chǎn)生采樣頻率上的光譜測量。雖然未示出，但是每次基板10經(jīng)過監(jiān)測模塊，基板與監(jiān)測模塊的對準(zhǔn)都可以與先前的經(jīng)過不同。經(jīng)過該壓板的一次旋轉(zhuǎn)，從基板上的不同半徑獲得光譜。即，一些光譜是從距基板中心較近的位置獲得，而一些光譜是從距邊緣較近的位置獲得。另外，經(jīng)過該壓板的多次旋轉(zhuǎn)，隨著時(shí)間推移可以獲得一連串光譜。
[0033]在操作中，計(jì)算裝置可以接收，例如，承載描述關(guān)于光源的具體閃動或檢測器的時(shí)間幀的由光檢測器52接收的光的光譜的信號。從而，該光譜為在拋光期間實(shí)地測量的光
-1'TfeP曰。
[0034]不受任何具體理論限制，從基板10反射的光的光譜由于最外層的厚度的改變而在拋光進(jìn)行時(shí)演化，從而產(chǎn)生一連串時(shí)變光譜。此外，具體的光譜是由層疊的具體厚度來展
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[0035]該計(jì)算裝置可以處理該信號以確定拋光步驟的終點(diǎn)。具體地講，計(jì)算裝置可以執(zhí)行基于測量出的光譜來確定何時(shí)達(dá)到終點(diǎn)的邏輯。
[0036]簡單地說，計(jì)算裝置可以將測量出的光譜與多個(gè)參考光譜進(jìn)行比較，并且使用比較的結(jié)果來確定何時(shí)達(dá)到終點(diǎn)。
[0037]如本文所用，參考光譜是在基板的拋光之前產(chǎn)生的預(yù)定義光譜。參考光譜可以具有預(yù)定義(即，在拋光操作之前定義)的與基板特性的值(諸如最外層的厚度)的關(guān)聯(lián)。參考光譜可以是憑經(jīng)驗(yàn)產(chǎn)生，例如，通過測量來自具有已知的層厚度的測試基板的光譜，或可以根據(jù)理論來產(chǎn)生。
[0038]參考光譜可以是靶光譜，其可以是終點(diǎn)處理補(bǔ)償靶光譜或未補(bǔ)償靶光譜。未補(bǔ)償靶光譜涉及在最外層具有靶厚度時(shí)由該基板展示的光譜。舉例而言，靶厚度可以是一到三微米?；蛘?，例如，當(dāng)清理所關(guān)注的薄膜以便暴露下層薄膜時(shí)，靶厚度可以是零。然而，在系統(tǒng)接收代表靶厚度的光譜與拋光停止的時(shí)間之間可以存在滯后時(shí)間(這可能是由于終點(diǎn)檢測算法需要來自多次壓板旋轉(zhuǎn)的光譜、用于將指令從控制器傳輸?shù)教幚硐到y(tǒng)的時(shí)間和停止壓板旋轉(zhuǎn)所需要的時(shí)間)。因此，可以將拋光終點(diǎn)設(shè)置于達(dá)到靶厚度之前的時(shí)間。終點(diǎn)處理補(bǔ)償靶光譜是這樣一種光譜，當(dāng)將其用于在具體的終點(diǎn)算法和拋光控制系統(tǒng)下觸發(fā)拋光終點(diǎn)時(shí)，產(chǎn)生大體上具有靶厚度的基板，例如，與沒有對滯后時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償?shù)那闆r相比，該厚度顯著較接近于靶厚度。
[0039]如上所述，存在用于最外層的所關(guān)注的具體厚度的多個(gè)參考光譜。確實(shí)如此，是因?yàn)榧词棺钔鈱泳哂邢嗤穸?，用于不同基板的下面層的厚度不同仍可以產(chǎn)生不同光譜。另夕卜，用于不同集成芯片產(chǎn)品的基板將具有不同的層圖案化，這樣即使最外層具有相同厚度也可以產(chǎn)生不同光譜。從而，可以存在針對最外層的具體厚度的多個(gè)光譜，并且該多個(gè)光譜可以包括因?yàn)橄旅鎸雍穸炔煌蛴捎诨逯荚谔峁┎煌a(chǎn)品導(dǎo)致圖案不同而彼此不同的光譜
[0040]參考光譜是在拋光操作之前收集，并且存儲每個(gè)參考光譜與其關(guān)聯(lián)的基板特性的關(guān)聯(lián)。該參考光譜可以憑經(jīng)驗(yàn)來確定。
[0041]例如，為了確定靶光譜，可以在測量站上在拋光之前測量與產(chǎn)品基板具有相同圖案的“設(shè)置”基板的特性。該基板特性可以是最外層的厚度。然后，拋光該設(shè)置基板，同時(shí)收集光譜。可以周期性地從該拋光系統(tǒng)上移除該設(shè)置基板，并且在測量站測量其特性。該基板可以被過度拋光，即，拋光超過所要厚度，以便可以獲得在達(dá)到靶厚度時(shí)從該基板反射的光的光譜。
[0042]使用所測量的厚度和所收集的光譜來從所收集的光譜中選擇經(jīng)確定為當(dāng)基板具有所關(guān)注厚度時(shí)將由其展示的一或多個(gè)光譜。具體地講，可以使用所測量的拋光前薄膜厚度和拋光后基板厚度來執(zhí)行線性內(nèi)插，以確定何時(shí)達(dá)到靶厚度和此時(shí)展示的相應(yīng)光譜。將被確定為在達(dá)到靶厚度時(shí)將展示的一或多個(gè)光譜指定為一或多個(gè)靶光譜。
[0043]然后，可以對與產(chǎn)品基板具有相同圖案并具有不同的下面層厚度的一或多個(gè)額外的設(shè)置基板重復(fù)這些步驟以產(chǎn)生額外的參考光譜。從而，所收集的參考光譜包括針對相同靶厚度但因?yàn)橄旅鎸雍穸炔煌舜瞬煌陌泄庾V。
[0044]另外或替代地，然后可以針對與產(chǎn)品基板具有不同圖案的一或多個(gè)額外的設(shè)置基板重復(fù)這些步驟以產(chǎn)生額外的參考光譜。從而，所收集的參考光譜包括針對相同靶厚度但因?yàn)閳D案不同而彼此不同的靶光譜。
[0045]視需要，處理所收集的光譜以增強(qiáng)準(zhǔn)確性和/或精確性?？梢蕴幚砉庾V以，例如:將其標(biāo)準(zhǔn)化為共同參考，對其進(jìn)行平均，和/或過濾其中的干擾。
[0046]另外，可以根據(jù)理論來計(jì)算參考光譜中的一些或全部，例如，使用基板層的光學(xué)模型來計(jì)算。
[0047]圖4示出使用基于光譜的終點(diǎn)確定邏輯來確定拋光步驟的終點(diǎn)的方法200。使用上述拋光設(shè)備來拋光產(chǎn)品基板(步驟402)。在壓板的每次旋轉(zhuǎn)時(shí)，執(zhí)行以下步驟。
[0048]測量從正被拋光的基板表面反射出的光的至少一個(gè)光譜(步驟404)。視需要，可以測量多個(gè)光譜，例如，可以從壓板的單次旋轉(zhuǎn)獲得在基板上不同的半徑處測量的光譜，例如，在點(diǎn)301-311 (圖3)。如果測量了多個(gè)光譜，那么可以選擇這些光譜中的一或多個(gè)光譜的子集來用于終點(diǎn)檢測算法。例如，可以選擇在鄰近基板中心的采樣位置處測量的光譜(例如，在圖3中所示的點(diǎn)305、點(diǎn)306和點(diǎn)307處)。視需要處理在當(dāng)前壓板旋轉(zhuǎn)期間測量的光譜，以增強(qiáng)準(zhǔn)確性和/或精確性。
[0049]計(jì)算在選擇的所測光譜中的每一個(gè)與參考光譜中的每一個(gè)之間的差值(步驟406)。參考光譜可以是靶光譜。在一個(gè)實(shí)施方式中，該差值是在波長范圍上的強(qiáng)度差的總和。即，[0050]
【權(quán)利要求】
1.一種計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法，包含: 用實(shí)地光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)獲得至少一個(gè)當(dāng)前光譜，所述當(dāng)前光譜為從基板反射的光的光譜，所述基板具有經(jīng)受拋光的各自的最外層和至少一個(gè)各自的下面層，且從基板反射的光的光譜取決于所述最外層的厚度以及所述下面層的厚度； 將所述當(dāng)前光譜與多個(gè)不同的參考光譜進(jìn)行比較，所述多個(gè)參考光譜中的每一個(gè)代表從多個(gè)參考基板中的各自一個(gè)反射的光的光譜，每一參考基板具有各自的最外層和至少一個(gè)各自的下面層，所述多個(gè)參考基板的各自的最外層共享共同厚度同時(shí)在所述多個(gè)參考基板之中各自的至少一個(gè)下面層至少在厚度或者圖案上是不同的； 對于每一個(gè)當(dāng)前光譜，計(jì)算所述當(dāng)前光譜與所述參考光譜中的每一個(gè)之間的差值，以計(jì)算出多個(gè)差值；和 基于所述比較來確定對于具有經(jīng)受拋光的所述最外層的所述基板來說是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)，其中確定是否已到達(dá)所述拋光終點(diǎn)包括確定所述差值中的至少一個(gè)差值是否已達(dá)到閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述差值中的所述至少一個(gè)差值為所述差值中的最小差值或者為所述差值中的中等差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中確定是否已到達(dá)所述拋光終點(diǎn)包括當(dāng)所述差值中的至少一個(gè)差值已達(dá)到閾值時(shí)激活終點(diǎn)檢測算法。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中確定是否已到達(dá)所述拋光終點(diǎn)包括產(chǎn)生差值跡線，所述差值跡線包括多個(gè)點(diǎn)，每個(gè)點(diǎn)代表為壓板的旋轉(zhuǎn)計(jì)算的所述差值中的最小差值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述終點(diǎn)檢測算法包括確定所述差值跡線是否已達(dá)到最小值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中確定所述差值跡線是否已達(dá)到最小值包括計(jì)算所述差值跡線的斜率。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述終點(diǎn)檢測算法包括確定所述差值跡線是否已升至所述最小值以上的閾值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含在不同時(shí)間獲得多個(gè)當(dāng)前光譜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述多個(gè)當(dāng)前光譜包括來自橫跨所述基板的所述實(shí)地光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)的多個(gè)掃描的一連串當(dāng)前光譜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述多個(gè)當(dāng)前光譜包括來自橫跨所述基板的所述實(shí)地光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)的相同掃描的多個(gè)當(dāng)前光譜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含將來自所述相同掃描的所述多個(gè)當(dāng)前光譜與所述多個(gè)參考光譜進(jìn)行比較以產(chǎn)生所述當(dāng)前光譜與所述參考光譜之間的多個(gè)差值。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含確定所述多個(gè)差值中的最小差值并且使用所述多個(gè)差值中的所述最小差值來確定是否已到達(dá)拋光終點(diǎn)。
【文檔編號】B24B49/02GK103537975SQ201310496357
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2009年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2008年5月2日
【發(fā)明者】J·錢, S·瀚達(dá)帕尼, H·Q·李, T·H·奧斯特赫爾德, Z·朱 申請人:應(yīng)用材料公司