使等離子體暗區(qū)具有同心度的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】在一些實(shí)施例中，基板處理設(shè)備可包括：腔室主體；設(shè)置在腔室主體頂部的蓋；耦接至蓋的靶組件，該靶組件包括待沉積在基板上的材料靶；具有繞靶的外邊緣設(shè)置的內(nèi)壁的環(huán)形暗區(qū)屏蔽；鄰近暗區(qū)屏蔽的外邊緣設(shè)置的密封環(huán)；以及支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件耦接至貼近支撐構(gòu)件的外端的蓋并徑向向內(nèi)延伸，以使支撐構(gòu)件支撐密封環(huán)和環(huán)形暗區(qū)屏蔽，其中支撐構(gòu)件在耦接至蓋時(shí)提供充分的壓縮以在支撐構(gòu)件與密封環(huán)和密封環(huán)與靶組件之間形成密封。
【專利說明】使等離子體暗區(qū)具有同心度的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施例大體而言涉及物理氣相沉積處理設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在物理氣相沉積(PVD)腔室中，暗區(qū)(dark space)區(qū)域存在于諸如濺鍍靶之類的供電電極與貼近靶邊緣設(shè)置的接地屏蔽(被稱為暗區(qū)屏蔽)之間。在現(xiàn)有PVD腔室中，通常將暗區(qū)屏蔽安裝到PVD腔室的主體，與靶分開。靶通常安裝在PVD腔室的可移除蓋上并隨后為了處理而降低至腔室主體上。然而，本
【發(fā)明者】已發(fā)現(xiàn)此配置可能不合期望地造成暗區(qū)屏蔽與靶不準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)。
[0003]本
【發(fā)明者】已進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，隨著施加至靶的射頻(RF)能量的頻率增大，暗區(qū)區(qū)域?qū)刂迫魏蔚入x子體不規(guī)則性和電弧事件(可能負(fù)面影響PVD腔室中的沉積品質(zhì))變得更加關(guān)鍵。
[0004]因此，本
【發(fā)明者】已提供用于PVD處理的改良設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]提供用于物理氣相沉積的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施例中，該設(shè)備包括:腔室主體；設(shè)置在腔室主體頂部的蓋；耦接至蓋的靶組件，靶組件包括待沉積在基板上的材料靶；具有繞靶的外邊緣 設(shè)置的內(nèi)壁的環(huán)形暗區(qū)屏蔽；鄰近暗區(qū)屏蔽的外邊緣設(shè)置的密封環(huán)；以及支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件耦接至貼近支撐構(gòu)件的外端的蓋并徑向向內(nèi)延伸，以使支撐構(gòu)件支撐密封環(huán)和環(huán)形暗區(qū)屏蔽，其中支撐構(gòu)件在耦接至蓋時(shí)提供充分的壓縮以在支撐構(gòu)件與密封環(huán)和密封環(huán)與靶組件之間形成密封。
[0006]在一些實(shí)施例中，用于物理氣相沉積的設(shè)備可包括:配置成可移除地耦接至基板處理腔室的蓋；耦接至蓋的靶組件，靶組件包括待沉積在基板上的材料靶；具有繞靶的外邊緣設(shè)置的內(nèi)壁的環(huán)形暗區(qū)屏蔽；支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件耦接至貼近支撐構(gòu)件的外端的蓋并徑向向內(nèi)延伸，該支撐構(gòu)件包括在支撐構(gòu)件耦接至蓋時(shí)偏置環(huán)形暗區(qū)屏蔽抵靠靶組件的特征結(jié)構(gòu)；以及鄰近暗區(qū)屏蔽的外邊緣并在支撐構(gòu)件與靶組件之間設(shè)置的密封環(huán)，其中支撐構(gòu)件在耦接至蓋時(shí)提供充分的壓縮以在支撐構(gòu)件與密封環(huán)和密封環(huán)與靶組件之間形成密封。
[0007]下文描述本發(fā)明的其他和進(jìn)一步實(shí)施例。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]可通過參照附圖中圖示的本發(fā)明的說明性實(shí)施例理解上文簡(jiǎn)要概述且下文更詳細(xì)論述的本發(fā)明的實(shí)施例。然而應(yīng)注意的是，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施例并因此不被視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他等效實(shí)施例。
[0009]圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的處理腔室的示意性橫截面視圖。
[0010]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的支撐構(gòu)件和周圍結(jié)構(gòu)的截面圖。[0011]圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的支撐構(gòu)件和周圍結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0012]圖4圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的支撐構(gòu)件的俯視圖。
[0013]為了促進(jìn)理解，在可能的地方使用相同的附圖標(biāo)記指示附圖所共有的相同元件。附圖并非按比例繪制，且可能為了清晰而簡(jiǎn)化?？梢灶A(yù)期，一個(gè)實(shí)施例的元件和特征結(jié)構(gòu)可有利地并入其他實(shí)施例而無(wú)需進(jìn)一步詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0014]本文提供用于改良的物理氣相沉積處理裝備的方法和設(shè)備。圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的物理氣相沉積腔室或處理腔室100的示意性橫截面圖。適合的PVD腔室的實(shí)例包括可購(gòu)自美國(guó)加州圣大克勞拉市(Santa Clara, California)的AppliedMaterials, Inc.的ENDURA班 PVD 處理腔室。Applied Materials, Inc.或其他制造商的其他處理腔室亦可受益于本文所揭示的發(fā)明設(shè)備。
[0015]在一些實(shí)施例中，處理腔室100具有設(shè)置在腔室主體136頂部上的腔室蓋134。腔室蓋134可從腔室主體136移除，，例如以便安裝或替換靶或用于執(zhí)行對(duì)處理腔室100的維護(hù)。在一些實(shí)施例中，腔室蓋包括靶組件138、暗區(qū)屏蔽178、密封環(huán)182和用于支撐暗區(qū)屏蔽178和密封環(huán)182的支撐構(gòu)件184。在一些實(shí)施例中，饋入結(jié)構(gòu)110可耦接至腔室蓋134，以使RF電源和任選的的DC電源耦接至靶。
[0016]在一些實(shí)施例中，靶組件138包含靶106和靶背板146。靶106包含在濺鍍期間待沉積在基板104上的材料，例如，金屬或金屬氧化物。在一些實(shí)施例中，背板146可包含導(dǎo)電材料，例如，銅鋅、銅鉻或與靶相同的材料，以使RF電源和DC電源可經(jīng)由背板146耦接至靶106?；蛘?，背板146可為不導(dǎo)電的并可包括諸如電饋通等的導(dǎo)電元件(未圖示)。
[0017]支撐構(gòu)件184可耦接至腔室蓋134以支撐腔室的一個(gè)或多個(gè)組件，例如，密封環(huán)182和暗區(qū)屏蔽178。支撐構(gòu)件184可為大體平坦的構(gòu)件，該構(gòu)件具有中心開口以容納暗區(qū)屏蔽178和靶106。在一些實(shí)施例中，支撐構(gòu)件184的形狀可為圓形或碟狀，然而該形狀可根據(jù)腔室蓋的相應(yīng)形狀和/或在處理腔室100中待處理的基板的形狀而改變。在使用中，在打開或關(guān)閉腔室蓋134時(shí)，支撐構(gòu)件184使暗區(qū)屏蔽178相對(duì)于靶106維持正確對(duì)準(zhǔn)，由此最小化由于腔室組件或打開和關(guān)閉腔室蓋134之故的未對(duì)準(zhǔn)的風(fēng)險(xiǎn)。
[0018]在一些實(shí)施例中，支撐構(gòu)件184可耦接至貼近支撐構(gòu)件184的外周邊邊緣的腔室蓋134，且支撐構(gòu)件184徑向向內(nèi)延伸以支撐密封環(huán)182和暗區(qū)屏蔽178。密封環(huán)182可為具有期望橫截面的環(huán)或其他環(huán)形形狀。密封環(huán)可包括兩個(gè)相對(duì)的平坦且大體平行的表面以促進(jìn)與密封環(huán)182—側(cè)上的支撐構(gòu)件184和密封環(huán)182另一側(cè)上的靶背板146的界面連接。密封環(huán)182可由諸如陶瓷之類的介電材料制成。
[0019] 暗區(qū)屏蔽178大體繞靶106的外邊緣設(shè)置。在一些實(shí)施例中，鄰近暗區(qū)屏蔽178的外邊緣(即，從暗區(qū)屏蔽178徑向向外)設(shè)置密封環(huán)182。在一些實(shí)施例中，暗區(qū)屏蔽178由諸如陶瓷之類的介電材料制成。通過提供介電暗區(qū)屏蔽178，可避免或最小化暗區(qū)屏蔽與RF加熱型鄰近組件之間的電弧?；蛘?，在一些實(shí)施例中，暗區(qū)屏蔽178由諸如不銹鋼、鋁等之類的導(dǎo)電材料制成。通過提供導(dǎo)電暗區(qū)屏蔽178，可在處理腔室100內(nèi)維持更均勻的電場(chǎng)，由此促進(jìn)處理腔室100中基板的更均勻處理。在一些實(shí)施例中，暗區(qū)屏蔽178的下部可由導(dǎo)電材料制成且暗區(qū)屏蔽178的上部可由介電材料制成。[0020]圖2圖示圖1的處理腔室100的支撐構(gòu)件184與周圍結(jié)構(gòu)的更詳細(xì)視圖。在一些實(shí)施例中，支撐構(gòu)件184耦接至貼近支撐構(gòu)件184的外周邊的腔室蓋134。在一些實(shí)施例中，通過多個(gè)諸如螺釘?shù)戎惖木o固件202將支撐構(gòu)件184耦接至腔室蓋134。舉例而言，圖4圖示支撐構(gòu)件184的俯視圖，該支撐構(gòu)件184具有繞外周邊分布的多個(gè)開口 402以便利于圖2中圖示的螺釘202。盡管圖示了八個(gè)開口 402，但是可取決于腔室蓋和支撐構(gòu)件的配置使用更多或更少的緊固件。
[0021]在耦接至腔室蓋134時(shí)，支撐構(gòu)件184促進(jìn)處理腔室100的不保持在真空下的部分(諸如，在蓋內(nèi))與處理腔室100的可保持在真空下的部分(諸如，在處理腔室100的內(nèi)部)之間形成密封。舉例而言，密封件204可設(shè)置在密封環(huán)182與靶背板146之間，且密封件206可設(shè)置在密封環(huán)182與支撐構(gòu)件184之間，使得在安裝支撐構(gòu)件184時(shí)，足夠的力被施加以壓縮密封件204、206來(lái)形成在這些位置處的真空密封。密封件204、206以及本文論述的其他密封件可為任何適合的密封件，例如O形環(huán)、墊圈等。舉例而言，可在支撐構(gòu)件184與上腔室配接器142之間提供密封件220，以當(dāng)腔室蓋134在上腔室配接器142頂部上處于關(guān)閉位置時(shí)在腔室蓋134與上腔室配接器142之間提供密封。
[0022]在一些實(shí)施例中，可提供對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)以維持暗區(qū)屏蔽178的內(nèi)壁與靶106的外邊緣之間的間隙208。對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)可促進(jìn)維持更均勻的間隙并可防止暗區(qū)屏蔽178與靶106的接觸或近接觸(near contact),該接觸或近接觸可能不合期望地導(dǎo)致電弧。在一些實(shí)施例中，徑向間隙在0.003英寸至0.030英寸的范圍內(nèi)。舉例而言，在一些實(shí)施例中，多個(gè)銷210可從靶背板146的底表面延伸。舉例而言，銷可壓入配合于或以其他方式緊固于形成在靶背板146中的相應(yīng)孔。銷210包括沿實(shí)質(zhì)上垂直方向從靶背板146的底表面延伸的部分以與設(shè)置在暗區(qū)屏蔽178的頂表面內(nèi)的相應(yīng)多個(gè)狹縫212界面連接(interface)或配合(fit)。在一些實(shí)施例中，存在防止暗區(qū)屏蔽178的側(cè)向(side-to-side)運(yùn)動(dòng)并維持暗區(qū)屏蔽178的內(nèi)壁與靶106的外邊 緣之間的間隙208的至少三組對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)(例如，三個(gè)銷210和三個(gè)狹縫212)。狹縫212可徑向?qū)?zhǔn)，以使狹縫212的徑向長(zhǎng)度大于銷210的直徑，以促進(jìn)暗區(qū)屏蔽178與靶背板146由于熱膨脹和熱收縮的速率差異導(dǎo)致的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，同時(shí)維持暗區(qū)屏蔽178與靶背板146之間的對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，每一銷210可具有軸向穿過銷210地設(shè)置的中空通路214以允許截留在對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣體的抽空。
[0023]在暗區(qū)屏蔽178為介電質(zhì)的實(shí)施例中，支撐構(gòu)件184可包括偏置暗區(qū)屏蔽178抵靠靶組件138的多個(gè)偏置特征結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖3所圖示，偏置特征結(jié)構(gòu)302可包括保持在支撐構(gòu)件184中的凹槽中的球304。彈簧306可設(shè)置在球304與凹槽的底部之間以偏置球304離開凹槽的底部?？蓪⒅T如保持環(huán)308之類的保持特征結(jié)構(gòu)緊固至支撐構(gòu)件184，以使球304保持在凹槽內(nèi)。保持環(huán)308的直徑可選擇成在使球304保持在支撐構(gòu)件184的凹槽內(nèi)的同時(shí)允許球304的期望部分從凹槽延伸并接觸暗區(qū)屏蔽178。此外，通過允許經(jīng)由在球304上方移動(dòng)的徑向運(yùn)動(dòng)，可減少或消除由于組件之間摩擦導(dǎo)致的顆粒產(chǎn)生。
[0024]回到圖1，在一些實(shí)施例中，饋入結(jié)構(gòu)110使RF能量和任選的DC能量耦合至靶106。盡管下文描述了特定饋入結(jié)構(gòu)110，但是也可使用具有其他配置的其他饋入結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，饋入結(jié)構(gòu)110可包括具有第一端114的主體112，該第一端114可耦接至RF電源118和任選的DC電源120，該RF電源118和該DC電源120可分別用來(lái)為靶106提供RF能量和DC能量。饋入結(jié)構(gòu)110的與第一端114相對(duì)的第二端116耦接至腔室蓋134。在一些實(shí)施例中，主體112進(jìn)一步包括從第一端114到第二端116穿過主體112設(shè)置的中心開口 115?？捎眠m合的導(dǎo)電材料制造饋入結(jié)構(gòu)110以從RF電源118和DC電源120傳導(dǎo)RF能量和DC能量。
[0025]在一些實(shí)施例中，腔室蓋134可進(jìn)一步包括源分配板122以經(jīng)由導(dǎo)電構(gòu)件125將經(jīng)由饋入結(jié)構(gòu)Iio施加的能量分配至靶106的周邊邊緣。因而，在一些實(shí)施例中，主體112的第二端116可耦接至源分配板122。源分配板包括穿過源分配板122設(shè)置并與主體112的中心開口 115對(duì)準(zhǔn)的孔124?？捎蛇m合的導(dǎo)電材料制造源分配板122以從饋入結(jié)構(gòu)110傳導(dǎo)RF能量和DC能量。
[0026]導(dǎo)電構(gòu)件125可為具有第一端126的管狀構(gòu)件，該第一端126貼近源分配板122的周邊邊緣耦接至源分配板122的面向靶的表面128。導(dǎo)電構(gòu)件125進(jìn)一步包括第二端130，該第二端130貼近靶106的周邊邊緣耦接至靶106的面向源分配板的表面132 (或耦接至靶106的背板146)。
[0027]可提供接地屏蔽140以覆蓋腔室蓋134的外表面。接地屏蔽140可例如經(jīng)由腔室主體136的接地連接而耦接至地面。在一些實(shí)施例中，接地屏蔽140可具有中心開口以允許饋入結(jié)構(gòu)110穿過接地屏蔽140而耦接至源分配板122。接地屏蔽140可包含任何適合的導(dǎo)電材料，例如鋁、銅等。在接地屏蔽140與分配板122的外表面、導(dǎo)電構(gòu)件125的外表面和靶106 (和/或背板146)的外表面之間提供絕緣間隙139以防止將RF能量和DC能量直接導(dǎo)引至地面。絕緣間隙可填充有空氣或一些其他適合的介電材料，例如陶瓷、塑膠等。
[0028]腔室主體136含有用于在上面接收基板104的基板支撐臺(tái)座102?；逯闻_(tái)座102可位于接地的外殼壁108內(nèi)，該外殼壁108可為腔室壁(如圖示)或接地屏蔽。接地屏蔽140可覆蓋靶106上方的腔室100的至少一些部分。
[0029]在一些實(shí)施例中，腔室主體134可進(jìn)一步包括連接至上腔室配接器142的突緣(ledge) 176的接地底部屏蔽180。底部屏蔽180向下延伸并可包括具有大體恒定直徑的大體管狀部分。底部屏蔽180沿上腔室配接器142的壁和腔室壁108向下延伸至低于基板支撐臺(tái)座102的頂表面，并向上返回直到到達(dá)基板支撐臺(tái)座102的頂表面。在基板支撐臺(tái)座102處于自身的下部裝載位置時(shí)，蓋環(huán)186靜置于底部屏蔽180的向上延伸的內(nèi)部188的頂部上，但在基板支撐臺(tái)座102處于自身的上部沉積位置時(shí)，蓋環(huán)186靜置于基板支撐臺(tái)座102的外周邊以保護(hù)基板支撐臺(tái)座102免受濺鍍沉積影響。
[0030]底部屏蔽180可具有內(nèi)徑或與內(nèi)徑實(shí)質(zhì)上相同的中心開口或暗區(qū)屏蔽178的相應(yīng)的中心開口，由此為形成在處理腔室100中的等離子體提供更均勻的處理窗。在一些實(shí)施例中，可提供多個(gè)對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)以將底部屏蔽180維持在期望的位置。舉例而言，如圖2中所圖示，在一些實(shí)施例中，多個(gè)銷214可從上腔室配接器142的表面延伸。舉例而言，銷可壓入配合于或以其他方式緊固于形成在上腔室配接器142中的相應(yīng)孔。銷214包括在實(shí)質(zhì)上垂直方向上從上腔室配接器142的表面延伸以與設(shè)置在底部屏蔽180內(nèi)的相應(yīng)多個(gè)狹縫216界面連接或配合的部分。在一些實(shí)施例中，存在防止底部屏蔽180的側(cè)向運(yùn)動(dòng)并維持底部屏蔽180與暗區(qū)屏蔽178的對(duì)準(zhǔn)的至少三組對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)(例如，三個(gè)銷214和三個(gè)狹縫216)。狹縫216可徑向?qū)?zhǔn)，以使狹縫216的徑向長(zhǎng)度大于銷214的直徑，以在維持底部屏蔽180與暗區(qū)屏蔽178之間的對(duì)準(zhǔn)的同時(shí)促進(jìn)底部屏蔽180與上腔室配接器142由于熱膨脹和熱收縮的速率差異導(dǎo)致的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在一些實(shí)施例中，可提供穿過上腔室配接器的通路218以防止在安裝銷214時(shí)截留氣體。在一些實(shí)施例中，可提供一個(gè)或多個(gè)緊固件以將底部屏蔽180緊固至上腔室配接器142。舉例而言，圖3中所圖示，可提供穿過設(shè)置在上腔室配接器142中的相應(yīng)孔的諸如螺釘310之類的緊固件。在一些實(shí)施例中，環(huán)312可設(shè)置在上腔室配接器142中的凹槽中與螺釘310成一直線。螺釘310可旋進(jìn)環(huán)312以將底部屏蔽180夾持至上腔室配接器142。
[0031]因而，本文提供使等離子體暗區(qū)具有同心度的設(shè)備。發(fā)明的設(shè)備有利地允許暗區(qū)屏蔽與靶之間的改良間隙控制并允許等離子體暗區(qū)區(qū)域的改良同心度。
[0032]盡管上文涉及本發(fā)明的實(shí)施例，但可在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下設(shè)想出本發(fā)明的其 他與進(jìn)一步實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理設(shè)備，包括: 腔室主體； 蓋，所述蓋設(shè)置在所述腔室主體頂部； 靶組件，所述靶組件耦接至所述蓋，所述靶組件包括待沉積在基板上的材料靶； 環(huán)形暗區(qū)屏蔽，所述環(huán)形暗區(qū)屏蔽具有繞所述靶的外邊緣設(shè)置的內(nèi)壁； 密封環(huán)，所述密封環(huán)鄰近所述暗區(qū)屏蔽的外邊緣設(shè)置；以及 支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件耦接至貼近所述支撐構(gòu)件的外端的所述蓋并徑向向內(nèi)延伸，以使所述支撐構(gòu)件支撐所述密封環(huán)和所述環(huán)形暗區(qū)屏蔽，其中所述支撐構(gòu)件在耦接至所述蓋時(shí)提供充分的壓縮以在所述支撐構(gòu)件與所述密封環(huán)和所述密封環(huán)與所述靶組件之間形成密封。
2.一種用于基板處理設(shè)備的蓋和靶組件，包括: 蓋，所述蓋配置成可移除地耦接至基板處理腔室的腔室主體； 靶組件，所述靶組件耦接至所述蓋，所述靶組件包括待沉積在基板上的材料靶； 環(huán)形暗區(qū)屏蔽，所述環(huán)形暗區(qū)屏蔽具有繞所述靶的外邊緣設(shè)置的內(nèi)壁； 支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件耦接至貼近所述支撐構(gòu)件的外端的所述蓋并徑向向內(nèi)延伸，所述支撐構(gòu)件包括在所述支撐構(gòu)件耦接至所述蓋時(shí)偏置所述環(huán)形暗區(qū)屏蔽抵靠所述靶組件的特征結(jié)構(gòu)；以及 密封環(huán)，所述密封環(huán)設(shè)置成鄰近所述暗區(qū)屏蔽的外邊緣并位于所述支撐構(gòu)件與所述靶組件之間，其中所述支撐構(gòu)件在耦接至所述蓋時(shí)提供充分的壓縮以在所述支撐構(gòu)件與所述密封環(huán)和所述密封環(huán)與所述靶組件之間形成密封。
3.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其中所述密封環(huán)或所述暗區(qū)屏蔽中的至少一者由介電材料制成。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理設(shè)備，其中所述介電材料是陶瓷。
5.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其中所述暗區(qū)屏蔽由導(dǎo)電材料制成。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，其中所述導(dǎo)電材料為不銹鋼或鋁中的至少一者。
7.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)，以在所述暗區(qū)屏蔽的所述內(nèi)壁與所述靶的所述外邊緣之間維持均勻的徑向間隙。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理設(shè)備，其中所述對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)包括: 多個(gè)銷，所述多個(gè)銷耦接至所述靶的底表面并具有沿實(shí)質(zhì)上垂直方向從所述靶的所述底表面延伸的部分；和 相應(yīng)的多個(gè)狹縫，所述多個(gè)狹縫設(shè)置在所述暗區(qū)屏蔽的頂表面內(nèi)并配置成接收所述多個(gè)銷的延伸部分。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理設(shè)備，其中每一銷包括軸向地穿過所述銷設(shè)置的中空通路。
10.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其中所述支撐構(gòu)件進(jìn)一步包括偏置所述環(huán)形暗區(qū)屏蔽抵靠所述靶組件的多個(gè)偏置特征結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理設(shè)備，其中每一偏置特征結(jié)構(gòu)包括球，所述球保持在所述支撐構(gòu)件中的凹槽中并具有設(shè)置在所述球與所述凹槽的底部之間的彈簧以偏置所述球離開所述凹槽的所述底部，使得所述球的一部分從所述凹槽延伸。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理設(shè)備，其中所述支撐構(gòu)件進(jìn)一步包括環(huán)形板，所述環(huán)形板具有貼近所述環(huán)形板的內(nèi)徑向上延伸的突出部，并且其中所述偏置特征結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述突出部中。
13.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其中所述支撐構(gòu)件進(jìn)一步包括環(huán)形板，所述環(huán)形板具有貼近所述環(huán)形板的內(nèi)徑向上延伸的突出部。
14.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，進(jìn)一步包括下部對(duì)準(zhǔn)特征結(jié)構(gòu)，以將所述支撐構(gòu)件耦接至所述腔室主體的腔室主體配接器。
15.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其中所述靶組件進(jìn)一步包括設(shè)置在背板上的靶材料。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK103998644SQ201280063717
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月15日
【發(fā)明者】艾倫·里奇, 唐尼·揚(yáng), 基思·A·米勒, 穆罕默德·拉希德, 史蒂芬·桑索尼, 烏代·帕伊 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司