專利名稱：一種晶圓載臺結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體薄膜沉積設備，具體地說是一種晶圓載臺結構。
背景技術：
薄膜沉積技術的原理是將晶圓置于真空環(huán)境中，通入適量的反應氣體，利用氣體的物理變化和化學反應，在晶圓表面形成固態(tài)薄膜。與晶圓載臺相關的中國專利
公開日為2010年8月25日、公開號為CN201562672U的中國專利，
公開日為2003年6月25日、公開號為CN2558077Y的中國專利，
公開日為1999年4月28日、公開號為CN1215226A的中國專利，
公開日為2010年I月6日、公開號為 CN101621020A，
公開日為2009年9月16日、公開號為CN201311921Y的中國專利等。以上專利適用于機械手自動傳送晶圓的沉積設備，但不適用于手動加載晶圓的小型沉積設備。目前，小尺寸晶圓(載臺上放置的晶圓超過I個即為小尺寸晶圓)批量生產(chǎn)，采用如圖1所示的晶圓載臺，在晶圓載臺上加工出至少一個與晶圓直徑匹配的放置凹槽，將晶圓分別放在凹槽內(nèi)，沉積工藝完成后，待晶圓冷卻，使用鑷子夾取晶圓。采用上述載臺，晶圓的冷卻時間長，晶圓拾取不方便。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種晶圓載臺結構。該晶圓載臺結構利用外置底座上的頂針和晶圓載臺上的頂針孔，將晶圓頂起，可以減少晶圓冷卻時間，并便于用真空吸盤或懾子拾取晶圓。本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的本實用新型包括晶圓載臺及外置底座，其中晶圓載臺上開有多個頂針孔，在晶圓載臺的邊緣沿圓周方向均布有多個夾取口 ；所述外置底座包括底板，在底板上設有與所述頂針孔相對應的頂針；所述晶圓載臺落在外置底座的底板上，頂針由頂針孔穿出、支撐晶圓。其中所述晶圓載臺的上表面設有至少一個凹槽，晶圓放置在該凹槽內(nèi)，所述頂針孔均開在凹槽內(nèi)；每個凹槽內(nèi)均開有三個呈三角形布置的頂針孔，每個凹槽內(nèi)的頂針孔所對應的底板上的頂針也呈三角形布置；所述頂針孔為通孔，其下部的孔壁為圓錐面；所述晶圓載臺的邊緣均布有多個缺口，該缺口與所述夾取口間隔設置；所述底板上設有與所述缺口相對應的銷子；所述缺口為半圓柱狀，沿軸向設置，即缺口的高度與晶圓載臺的高度相同；所述銷子為圓柱狀，晶圓載臺落在外置底座上，該銷子靠在缺口的半圓柱面上；所述銷子的內(nèi)切圓直徑大于缺口的內(nèi)切圓直徑；所述銷子位于頂針的外圍，靠近底板的邊緣；所述銷子的高度大于頂針的高度與底板的厚度之和；所述頂針的直徑小于頂針孔的直徑，頂針的高度大于晶圓載臺的厚度。本實用新型的優(yōu)點與積極效果為1.本實用新型可以在未冷卻狀態(tài)下，將晶圓和熱態(tài)下的晶圓載臺分離，減少冷卻時間，增加沉積設備的使用率。2.本實用新型便于使用真空吸盤或鑷子拾取晶圓。3.本實用新型通過缺口與銷子可以準確定位。4.本實用新型結構簡單，成本低廉。

圖1為現(xiàn)有晶圓載臺的結構不意圖；圖2為本實用新型晶圓載臺的結構示意圖(以一個晶圓為例)； 圖3為圖2中頂針孔的剖面示意圖；圖4為本實用新型外置底座的結構示意圖；圖5為向外置底座上放置晶圓載臺的不意圖；其中1為晶圓載臺，11為晶圓凹槽，12為頂針孔，13為缺口，14為夾取口，2為外置底座，21為頂針,22為銷子,23為底板,3為取放晶圓載臺的工具,4為晶圓(顯示為透明)。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步詳述。如圖2 4所示,本實用新型包括晶圓載臺I及外置底座2，晶圓載臺I為金屬圓盤，材質(zhì)可為6061鋁合金；晶圓載臺I的上表面設有至少一個凹槽11 (本實施例的凹槽為一個)，晶圓4放置在該凹槽11內(nèi)；晶圓載臺I上開有多個頂針孔12，所有頂針孔12均開在凹槽11內(nèi)，每個凹槽11內(nèi)的頂針孔12均為三個、呈三角形布置；頂針孔12為通孔，其下部的孔壁為圓錐面，即頂針孔12軸向載面的上部為長方形，下部為等腰梯形。在晶圓載臺I的邊緣沿圓周方向均布有多個夾取口 14和多個缺口 13，缺口 13與夾取口 14間隔布置，本實施例的夾取口 14及缺口 13各三個。缺口 13為半圓柱狀，沿軸向設置，即缺口 13的高度與晶圓載臺I的高度相同。外置底座2包括底板23，底板23上分別設有數(shù)量與缺口 13相等的銷子22以及數(shù)量與頂針孔12相等的頂針21，銷子22位于頂針21的外圍，靠近底板23的邊緣，每個銷子22均對應一個缺口 13 ;為了定位晶圓載臺1，在看不見頂針21的情況下(視線被晶圓載臺遮擋)，使頂針21能夠順利地通過頂針孔12，銷子22的高度大于頂針21的高度與底板23的厚度之和。每個凹槽11內(nèi)的頂針孔12所對應的底板23上的頂針21也呈三角形布置，頂針21的直徑小于頂針孔12的直徑；頂針21的高度大于晶圓載臺I的厚度，以便頂起晶圓4。本實施例的頂針21、銷子22各三個，銷子22為圓柱狀，當晶圓載臺I落在外置底座2上時，頂針21由頂針孔12穿出、將晶圓4頂起，銷子22則靠在缺口 13的半圓柱面上，銷子22的內(nèi)切圓直徑大于缺口 13的內(nèi)切圓直徑。如圖5所示，使用時，用取放晶圓載臺的工具3夾持在夾取口 14中，將晶圓載臺I從工藝腔室中提出到外置底座2的上方，對準載臺I的三個缺口 13與外置底座2的三個銷子22的位置，輕輕將晶圓載臺I放到外置底座2上，底座2上的頂針21穿過晶圓載臺I上的頂針孔12，將晶圓4頂起。待晶圓4冷卻，用真空吸盤或懾子拾取晶圓4。
權利要求1.一種晶圓載臺結構，其特征在于包括晶圓載臺(I)及外置底座(2)，其中晶圓載臺(I)上開有多個頂針孔(12)，在晶圓載臺(I)的邊緣沿圓周方向均布有多個夾取口(14);所述外置底座(2 )包括底板(23 )，在底板(23 )上設有與所述頂針孔(12 )相對應的頂針(21);所述晶圓載臺(I)落在外置底座(2)的底板(23)上，頂針(21)由頂針孔(12)穿出、支撐晶圓⑷。
2.按權利要求1所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述晶圓載臺(I)的上表面設有至少一個凹槽(11 )，晶圓(4)放置在該凹槽(11)內(nèi)，所述頂針孔(12)均開在凹槽(11)內(nèi)。
3.按權利要求2所述的晶圓載臺結構，其特征在于每個凹槽(11)內(nèi)均開有三個呈三角形布置的頂針孔(12)，每個凹槽(11)內(nèi)的頂針孔所對應的底板(23)上的頂針(21)也呈三角形布置。
4.按權利要求1、2或3所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述頂針孔(12)為通孔，其下部的孔壁為圓錐面。
5.按權利要求1、2或3所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述晶圓載臺(I)的邊緣均布有多個缺口(13)，該缺口(13)與所述夾取口(14)間隔設置；所述底板(23)上設有與所述缺口(13)相對應的銷子(22)。
6.按權利要求5所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述缺口(13)為半圓柱狀，沿軸向設置，即缺口(13)的高度與晶圓載臺(I)的高度相同；所述銷子(22)為圓柱狀，晶圓載臺(I)落在外置底座(2)上，該銷子(22)靠在缺口(13)的半圓柱面上。
7.按權利要求6所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述銷子(22)的內(nèi)切圓直徑大于缺口(13)的內(nèi)切圓直徑。
8.按權利要求5所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述銷子(22)位于頂針(21)的外圍，靠近底板(23)的邊緣。
9.按權利要求5所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述銷子(22)的高度大于頂針(21)的高度與底板(23)的厚度之和。
10.按權利要求1、2或3所述的晶圓載臺結構，其特征在于所述頂針(21)的直徑小于頂針孔(12)的直徑，頂針(21)的高度大于晶圓載臺(I)的厚度。
專利摘要本實用新型涉及半導體薄膜沉積設備，具體地說是一種晶圓載臺結構，包括晶圓載臺及外置底座，其中晶圓載臺上開有多個頂針孔，在晶圓載臺的邊緣沿圓周方向均布有多個夾取口；所述外置底座包括底板，在底板上設有與所述頂針孔相對應的頂針；所述晶圓載臺落在外置底座的底板上，頂針由頂針孔穿出、支撐晶圓。本實用新型可以在未冷卻狀態(tài)下，將晶圓和熱態(tài)下的晶圓載臺分離，減少冷卻時間，增加沉積設備的使用率，并便于拾取晶圓。
文檔編號C23C14/50GK202830162SQ20122043514
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權日2012年8月29日
發(fā)明者凌復華, 王麗丹, 吳鳳麗 申請人:沈陽拓荊科技有限公司