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鍺區(qū)熔提純設(shè)備的制作方法

文檔序號:3408762閱讀:834來源:國知局
專利名稱:鍺區(qū)熔提純設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種金屬材料加工裝置,尤其是一種用于金屬提純的鍺區(qū)熔提純設(shè)備。
背景技術(shù)
鍺具有半導(dǎo)體性質(zhì),高純度的鍺最常用在半導(dǎo)體之中,用來制造晶體管,對固體物理和固體電子學(xué)的發(fā)展有重要作用。區(qū)熔法是現(xiàn)在比較常用的金屬提純法。目前較常使用的鍺區(qū)熔提純設(shè)備是GP30-CW7型高頻感應(yīng)加熱爐,功率為30kw, 能同時滿足5個工作工位的負(fù)載要求,其工作原理是利用電磁感應(yīng)加熱原理對鍺錠進(jìn)行局部感應(yīng)加熱,通過變化的電場產(chǎn)生磁場,磁場通過石墨容器后產(chǎn)生電流,由于石墨的電阻較大,電流通過石墨時產(chǎn)生大量熱量,熱量對容器中的鍺金屬加熱,當(dāng)溫度到達(dá)937°C時,鍺金屬被熔化,通過控制加熱線圈的移動方向與速度,由于鍺金屬中的微量雜質(zhì)在液態(tài)鍺中的分配系數(shù)不同,在區(qū)域熔煉過程中,分配系數(shù)大的會富集在鍺錠的頭部;分配系數(shù)小的會富集在鍺錠的尾部,經(jīng)過多次的定向區(qū)域熔煉后,實現(xiàn)了鍺的提純,經(jīng)過對區(qū)熔完成后的鍺產(chǎn)品檢驗電阻率合格后,可得到合格的區(qū)熔鍺錠,不合格部分可返回繼續(xù)區(qū)熔?,F(xiàn)有的高頻區(qū)熔提純設(shè)備是為達(dá)到以上目的而設(shè)計的,但由于此設(shè)備采用的是 60^70年代的技術(shù),關(guān)鍵部分技術(shù)落后,存在以下缺陷(1)設(shè)備運行中效率低,有效功率僅有50%左右,損耗大,輸入的視載功率 53 60KVA,功率因數(shù)低,COS Φ =0.67 0.77。輸出功率18-20KW,高次諧波量相對較大,高次諧波量大,對供電系統(tǒng)造成污染,升壓整流變壓器運行溫度過高,易損壞;(2)高頻電子管壽命短,隨著運行時間增加電子管發(fā)射功率隨之下降從而使高頻感應(yīng)加熱設(shè)備輸出功率不足,每批產(chǎn)品的生產(chǎn)時間延長,產(chǎn)品的單位耗電量增加;高頻電子管壽命縮短,更換快,平均使用壽命為1500小時,維護(hù)成本大;(3)高頻電子管壽命短,隨著運行時間增加電子管發(fā)射功率隨之下降從而使高頻感應(yīng)加熱設(shè)備輸出功率不足,每批產(chǎn)品的生產(chǎn)時間延長,產(chǎn)品的單位耗電量增加。高頻電子管壽命縮短,更換快,平均使用壽命為1500小時,維護(hù)成本大(電子管單價3200元);(4)高次諧波量大,5次諧波占基波的20%左右,功率因數(shù)低約為0. 7左右;隨著連續(xù)還原爐取代原有還原爐,全廠功率因數(shù)高的用電設(shè)備負(fù)荷減少,總的功率因數(shù)將會下降, 而達(dá)不到電力部門要求功率因數(shù)COSO彡0.9水平。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的就是現(xiàn)在使用的鍺區(qū)熔提純設(shè)備的缺陷,提供一種效率高、壽命長的鍺區(qū)熔提純設(shè)備。本實用新型的鍺區(qū)熔提純設(shè)備,包括相互連接的固態(tài)高頻設(shè)備和加熱提純設(shè)備, 以及用于控制的PLC控制器,其特征在于所述的加熱提純設(shè)備由進(jìn)氣裝置、數(shù)個工作工位以及高頻區(qū)柵欄組成,工作工位與進(jìn)氣裝置連接后放置在高頻區(qū)柵欄上;工作工位包括石英管、加熱線圈、石墨舟與傳動裝置,石英管兩端固定在高頻區(qū)柵欄的工作臺上;加熱線圈與固態(tài)高頻設(shè)備連接,套在石英管上;石墨舟嵌在石英管內(nèi);傳動裝置與加熱線圈連接,帶動加熱線圈沿石英管移動。所述的工作工位為十三個,分成上、下兩排放置,石英管管口用膠塞封閉。所述的進(jìn)氣裝置包括氣體分配器、氣體流量計以及進(jìn)氣管,進(jìn)氣管穿過膠塞固定在石英管管口 ;氣體流量計安裝在進(jìn)氣管上,統(tǒng)計進(jìn)入石英管的氣體量;氣體分配器與進(jìn)氣管連接,把成分為氫氣75%、氮氣25%的保護(hù)氣體充入石英管。本設(shè)備采用PLC精確控制,設(shè)備啟動后,通過固態(tài)高頻設(shè)備將三相工頻交流電轉(zhuǎn)變?yōu)轭l率為300-400kHZ高頻電流,高頻電流通過加熱線圈,令加熱線圈產(chǎn)生高強度磁場, 使石墨舟產(chǎn)生大量熱量將鍺金屬加熱,當(dāng)其溫度達(dá)到937°C后,鍺金屬熔化,控制加熱線圈移動速度與方向,鍺錠中含有的雜質(zhì)與液態(tài)鍺的分配系數(shù)不同,雜質(zhì)富集在鍺錠頭部,從而達(dá)到區(qū)熔提純鍺金屬;進(jìn)氣裝置將保護(hù)氣體充入石英管中,提高區(qū)熔過程中的安全性。反復(fù)熔拉7-10次,關(guān)閉電源,通入氫氣15-60min,即可出料,送質(zhì)量檢驗。本實用新型的鍺區(qū)熔提純設(shè)備具有以下優(yōu)點(1)、與原有鍺區(qū)熔提純設(shè)備相比,采用新的提純設(shè)備,負(fù)載功率因數(shù)可接近于1, 可減少輸入功率22%—30%,減少配電容量方面投資;(2)、半導(dǎo)體器件使用壽命長,一般可達(dá)10年以上,正常維護(hù)費用低;(3)、產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,提純效果及表面質(zhì)量較好,因直流電壓供電平穩(wěn)、輸出功率穩(wěn)定,能穩(wěn)定產(chǎn)品的質(zhì)量;(4)、采用恒功率控制,控制精確靈活,效率高;( 5 )、采用PLC控制,控制精確靈活,效率高;(6)、設(shè)備網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)高,可達(dá)0. 92以上,諧波含量小,減少了對電網(wǎng)的影響;(7)、使用安全,設(shè)計有完善的保護(hù)功能,具有高/低失鎖保護(hù)、頻率上/下限保護(hù)、 逆變過流保護(hù)、槽路過壓保護(hù)等先進(jìn)的功能,對感應(yīng)器開路、短路、打火等故障的保護(hù)更加有效,能保證設(shè)備的安全、穩(wěn)定運行。本設(shè)備還具有良好的經(jīng)濟效益,按年產(chǎn)量15t計算,可節(jié)約直接成本費用234862 元/年,具體效益如下1、可減少150kVA設(shè)備容量,金屬加工車間減少負(fù)荷有功功率lOOkw,年可節(jié)約基本電費44400元;2、每臺高頻設(shè)備節(jié)電按30%計算,金屬加工車間耗電量節(jié)電30%計算 1003080kwhX 30%=300924kwh,電費按 0. 5 元 /kwh 計算,300924kwhX0. 5 元 /kwh=150462 元;3、每年可節(jié)省維護(hù)修理費約40000元左右;4、該設(shè)備共13個工作工位,每臺可替代原用設(shè)備2. 5臺。其使用4臺就能完全替代現(xiàn)有的10臺GP3(TCW7型30kw鍺區(qū)熔高頻提純設(shè)備,年度產(chǎn)量可以達(dá)到20 25t ;并且改善廠房的空間操作環(huán)境;該設(shè)備采用高電流低電壓,所以安全隱患大大降低;采用PLC中央控制,其自動化程度大幅度提高,人力資源投入減少一半以上。
圖1是本實用新型加熱提純設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖圖2是本實用新型加熱提純設(shè)備側(cè)面示意圖其中,高頻區(qū)柵欄1,傳動裝置2,工作臺3,石英管托環(huán)4,膠塞5,氣體流量計6,氣體分配器7,加熱線圈8,石英管9,石墨舟10,鍺金屬11。
具體實施方式
實施例1 鍺區(qū)熔提純設(shè)備,包括固態(tài)高頻設(shè)備、加熱提純設(shè)備以及PLC控制器,固態(tài)高頻設(shè)備與加熱提純設(shè)備連接,用PLC控制器控制兩個設(shè)備工作,加熱提純設(shè)備放置在高頻區(qū)柵欄1表面的工作臺3上,工作臺3長2200mm,寬1450mm,加熱提純設(shè)備由進(jìn)氣裝置以及十三個與進(jìn)氣裝置連接的工作工位組成,每個工作工位均由石英管9、石英管托環(huán)4、 加熱線圈8、石墨舟10和傳動裝置2構(gòu)成,石英管9長1500mm,兩端通過石英管托環(huán)4水平固定在工作臺3上,石英管9管口用膠塞5封閉;加熱線圈8與固態(tài)高頻設(shè)備連接后套在石英管9上,鍺金屬11放置在石墨舟10上,然后把石墨舟10嵌入石英管9內(nèi);傳動裝置2與加熱線圈8連接,帶動加熱線圈8沿石英管9管壁移動;十三個工作工位分為上下兩排放置。進(jìn)氣裝置由氣體分配器7、氣體流量計以及進(jìn)氣管組成,進(jìn)氣管穿過膠塞5把成分為氫氣75%、氮氣25%的保護(hù)氣體充入石英管9中;氣體流量計安裝在進(jìn)氣管上,統(tǒng)計進(jìn)入每個石英管9的氣體流量;石英管9管口的進(jìn)氣管與氣體分配器7連接,由氣體分配器7統(tǒng)一分配進(jìn)入每個石英管9的保護(hù)氣體的含量。設(shè)備啟動后,用PLC控制器控制,通過固態(tài)高頻設(shè)備將三相工頻交流電轉(zhuǎn)變?yōu)轭l率為300-400kHZ高頻電流,高頻電流通過加熱線圈8,在加熱線圈8內(nèi)產(chǎn)生高強度磁場, 使石墨舟10產(chǎn)生1000-1100°C的高溫,用傳動裝置2帶動加熱線圈8前后移動反復(fù)溶拉, 第一次溶拉推進(jìn)速度為20mm/min,融化區(qū)域為70mm,以后每次推進(jìn)速度為5 mm/min,融化區(qū)域為40-50mm,傳動裝置2帶動加熱線圈8反復(fù)溶拉7_10次后,關(guān)閉電源,再通入氫氣 15-60min,即可出料。
權(quán)利要求1.鍺區(qū)熔提純設(shè)備,包括相互連接的固態(tài)高頻設(shè)備和加熱提純設(shè)備,以及用于控制的 PLC控制器,其特征在于所述的加熱提純設(shè)備由進(jìn)氣裝置、數(shù)個工作工位以及高頻區(qū)柵欄 (1)組成,工作工位與進(jìn)氣裝置連接后放置在高頻區(qū)柵欄(1)上;工作工位包括石英管(9)、 加熱線圈(8)、石墨舟(10)與傳動裝置(2),石英管(9)兩端固定在高頻區(qū)柵欄(1)的工作臺(3)上;加熱線圈(8)與固態(tài)高頻設(shè)備連接,套在石英管(9)上;石墨舟(10)嵌在石英管 (9)內(nèi);傳動裝置(2)與加熱線圈(8)連接,帶動加熱線圈(8)沿石英管(9)移動。
2.如權(quán)利要求1所述的鍺區(qū)熔提純設(shè)備,其特征在于所述的工作工位為十三個,分成上、下兩排放置,石英管(9)管口用膠塞(5)封閉。
3.如權(quán)利要求1所述的鍺區(qū)熔提純設(shè)備,其特征在于所述的進(jìn)氣裝置包括氣體分配器 (7)、氣體流量計(6)以及進(jìn)氣管,進(jìn)氣管穿過膠塞(5)固定在石英管(9)管口 ;氣體流量計 (6)安裝在進(jìn)氣管上;氣體分配器(7)與進(jìn)氣管連接。
專利摘要鍺區(qū)熔提純設(shè)備,涉及一種金屬材料加工裝置,尤其是一種用于金屬提純的鍺區(qū)熔提純設(shè)備。本實用新型的鍺區(qū)熔提純設(shè)備,包括相互連接的固態(tài)高頻設(shè)備和加熱提純設(shè)備,以及用于控制的PLC控制器,其特征在于所述的加熱提純設(shè)備由進(jìn)氣裝置、數(shù)個工作工位以及高頻區(qū)柵欄組成,工作工位與進(jìn)氣裝置連接后放置在高頻區(qū)柵欄上;工作工位包括石英管、加熱線圈、石墨舟與傳動裝置,石英管兩端固定在高頻區(qū)柵欄的工作臺上;加熱線圈與固態(tài)高頻設(shè)備連接,套在石英管上;石墨舟嵌在石英管內(nèi);傳動裝置與加熱線圈連接,帶動加熱線圈沿石英管移動。本實用新型的鍺區(qū)熔提純設(shè)備產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,提純效果及表面質(zhì)量較好,使用安全,還具有良好的經(jīng)濟效益。
文檔編號C22B9/02GK201942732SQ201020619238
公開日2011年8月24日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者普世坤, 朱俊, 朱知國, 蘇炳貴 申請人:云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
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