專利名稱:改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷及制作硅基液晶顯示器的方法
技術領域:
本發(fā)明涉及硅基液晶(LCOS)顯示器的制作方法,特別涉及改善微反射 鏡間介質(zhì)層缺陷的方法。
背景技術:
近幾年來,在液晶(LCD)業(yè)界出現(xiàn)了許多新技術,其中較熱門的技術 是珪基液晶顯示器(LCOS, Liquid Crystal on Silicon)技術。LCOS (Liquid Crystal on Silicon)屬于新型的反射式micro LCD投影技術,其結(jié)構是在硅基 片上長電晶體,利用半導體工藝制作驅(qū)動面板(又稱為CMOS-LCD),然后 在電晶體上透過研磨技術磨平,并鍍上鋁當作微反射鏡,形成CMOS基板, 然后將CMOS基板與含有透明電極之上玻璃基板貼合,再抽入液晶,進行封 裝測試。
與傳統(tǒng)的LCD及數(shù)字光學工藝(DLP, Digital Light Processing)技術相 比,LCOS具有下列技術優(yōu)勢a.光利用效率高LCOS與LCD技術類似,主 要的差別就是LCOS屬反射式成像,所以光利用效率可達40%以上,與DLP 相當,而穿透式LCD^f叉有3%左右;b.體積小LCOS可將驅(qū)動IC等外圍線 路完全整合至CMOS基板上,減少外圍IC的數(shù)目及封裝成本,并使體積縮??; c.分辨率高由于LCOS的晶體管及驅(qū)動線路都制作于硅基片內(nèi),位于反射面 之下,不占表面面積,所以僅有像素間隙占用開口面積,不像穿透式LCD的 薄膜晶體管(TFT, Thin Film Transistor)及導線皆占用開口面積,故LCOS 不論分辨率或開口率都會比穿透式LCD高;d.制造技術較成熟LCOS的制 作可分為前道的半導體CMOS制造及后道的液晶面板貼合封裝制造。前道的半導體CMOS制造已有成熟的設計、仿真、制作及測試技術,所以目前良率 已可達90%以上,成本極為低廉;至于后道的液晶面板貼合封裝制造,雖然 目前的良率只有30%,但由于液晶面板制造已發(fā)展得相當成熟,理論上其良 率提升速率應遠高于數(shù)字微鏡芯片(DMD, Digital Micromirror Device ),所 以LCOS應比DLP更有機會成為技術的主流。因此LCOS技術在數(shù)碼相機、 數(shù)碼攝像機、投影機外、監(jiān)視器、大尺寸電視、移動電話等應用市場,都深 具發(fā)展?jié)摿Α?br>
現(xiàn)有硅基液晶顯示器微反射鏡的制作方法,如圖l所示,在包含驅(qū)動電路 等結(jié)構的硅基底101上用濺射方法形成金屬層102,其中金屬層的材料為鋁銅 合金(銅含量為0.5%);在金屬層102上涂覆光阻層104,對光阻層104進行曝 光及顯影處理,形成開口圖形107。
如圖2所示,以光阻層104為掩膜,蝕刻金屬層102,形成溝槽105。
如圖3所示,先對光阻層104進行灰化處理;再用堿性溶液進一步去除灰 化后殘留的光阻層104;用高密度等離子體化學氣相沉積法在金屬層102上形 成介質(zhì)層106,用于器件間的隔離,并且將介質(zhì)層106填滿溝槽105,由于介質(zhì) 層106沉積于金屬層102上和填滿溝槽105后的高度不一致,因此介質(zhì)層106在 溝槽105處有開口 110,由于高密度等離子體化學氣相沉積法的偏壓強為 2200W 2800W,使開口 IIO的高寬比也不夠大,即開口110寬度不夠大,為 10000埃 13000埃,同時;用旋涂法在介質(zhì)層106上形成光阻層111,由于光阻 層111的流動性能要比介質(zhì)層106好,從而在溝槽105內(nèi)形成光阻層要比介質(zhì)層 上形成的厚,同時由于蝕刻介質(zhì)層106和蝕刻光阻層111的選擇比不同,這樣 在后續(xù)蝕刻工藝中,溝槽105與介質(zhì)層106界面處,不會因為被完全蝕刻而造 成凹陷。如圖4所示,對光阻層111和介質(zhì)層106進行等離子體化學蝕刻,形成微反 射鏡108陣列,由于蝕刻介質(zhì)層106速率和蝕刻光阻層111的蝕刻速率不同,同 時開口 IIO寬度不夠大,蝕刻后使與溝槽105相鄰的金屬層102上殘留介質(zhì)層側(cè) 墻109。
在如下中國專利申請200310122960還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術方案相關 的信息,用高密度等離子體化學氣相沉積絕緣介層填充滿溝槽。
如圖5所示,用電子掃描顯微鏡(SEM)在放大倍數(shù)為100000倍時觀察微 反射鏡面,由于蝕刻介質(zhì)層的速率和蝕刻光阻層的速率不同,同時沉積介質(zhì) 層時,溝槽內(nèi)的介質(zhì)層比金屬層上的介質(zhì)層低,因此在溝槽上出現(xiàn)開口,由 于高密度等離子體化學氣相沉積法的偏壓為2200W 2800W時,在溝槽內(nèi)沉積 介質(zhì)層形成的開口高寬比不夠大,即開口寬度不夠大,蝕刻后使與溝槽相接 的金屬層上殘留介質(zhì)層側(cè)墻(橢圓內(nèi)所示)。
現(xiàn)有技術由于與溝槽相接的金屬層上殘留介質(zhì)層側(cè)墻,使微反射鏡面產(chǎn) 生漫反射,降低了微反射鏡的反射率,進而影響微反射鏡的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,防止 與溝槽相接的金屬層上產(chǎn)生殘留絕介質(zhì)層側(cè)墻。
為解決上述問題,本發(fā)明提供 一 種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法, 包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底,所述金屬層中包含貫穿金屬 層的溝槽;在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為 3000W 3500W;在介質(zhì)層上形成光阻層;蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層, 形成微反射鏡陣列。
實施例中,所述沉積法為高密度等離子體化學氣相沉積法。所述高密度 等離子體化學氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar。所述沉積時間為50秒 70秒。所述沉積溫度為320°C 380°C。所述光阻層的厚度為800埃~1000 埃。
本發(fā)明提供一種制作硅基液晶顯示器的方法,包括下列步驟首先提供 包含晶體管和電容器的硅基底,在硅基底上依次形成有像素開關電路層、導 電層、絕緣層及金屬層,所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽;在金屬層上 及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為3000W 3500W;在介質(zhì)層上形 成光阻層;蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。
與現(xiàn)有技術相比,以上方案具有以下優(yōu)點在微反射鏡上及溝槽內(nèi)沉積 介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為3000W 3500W。沉積法的偏壓強在為 3000W 3500W時,等離子體產(chǎn)生的濺射率較高,使介質(zhì)層在溝槽處的開口高 寬比增大,即開口寬度較大,開口寬度為20000埃 25000埃,在后續(xù)蝕刻工 藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻,進而減少了微反射鏡漫 反射,提高微反射鏡反射率。
圖1至圖4是現(xiàn)有制作硅基液晶顯示器微反射鏡的示意圖5是現(xiàn)有制作的硅基液晶顯示器微反射鏡的電鏡圖6是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實施例流程圖7是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器的實施例流程圖8至圖ll是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實施例示意圖12是本發(fā)明實施例改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷后的電鏡圖13至圖20是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器過程中改善微反射鏡間介質(zhì) 層缺陷的實施例示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明在微反射鏡上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為
3000W 3500W。沉積法的偏壓強在為3000W 3500W時,等離子體產(chǎn)生的濺 射率較高,使介質(zhì)層在溝槽處的開口高寬比較大,即開口寬度較大,開口寬 度為20000埃 25000埃,在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生 絕介質(zhì)層側(cè)墻,進而減少了微反射鏡反射率。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實方式做詳細的說明。
圖6是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實施例流程圖。如圖6所示, 執(zhí)行步驟SIOI,首先提供帶有金屬層的硅基底,所述金屬層中包含貫穿金屬 層的溝槽;執(zhí)行步驟S102,在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的 偏壓強為3000W 3500W;執(zhí)行步驟S103,在介質(zhì)層上形成光阻層;執(zhí)行步 驟S104,蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。
圖7是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器的實施例流程圖。如圖7所示,執(zhí)行 步驟S201,首先提供包含晶體管和電容器的硅基底,在硅基底上依次形成有 像素開關電路層、導電層、絕緣層及金屬層,所述金屬層中包含貫穿金屬層 的溝槽;執(zhí)行步驟S202,在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏 壓強為3000W 3500W;執(zhí)行步驟S203,在介質(zhì)層上形成光阻層;執(zhí)行步驟 S204,蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。
圖8至圖ll是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實施例示意圖。如圖 8所示,在包含驅(qū)動電路等結(jié)構的硅基底201上用濺射方法形成厚度為1300 埃至3100埃,反射率在90%以上的金屬層202,其中金屬層202的材料為銅 鋁合金(銅含量為0.5%);在金屬層202上用旋涂法形成光阻層204,對光阻 層204進行曝光及顯影處理,形成開口圖形207。
本實施例中,金屬層202的具體厚度例如1300埃、1400埃、1500埃、 1600埃、1700埃、1800埃、1900埃、2000埃、2100埃、2200埃、2300埃、 2400埃、2500埃、2600埃、2700埃、2800埃、2900埃、3000?;?100埃等,其中優(yōu)選為3000埃。金屬層202的反射率最佳可達92%。
如圖9所示,以光阻層204為掩膜,用干法蝕刻法蝕刻金屬層202,直至 將金屬層202穿透,形成溝槽205。
如圖IO所示,用等離子體氧氣在溫度為240。C至280。C時,對光阻層204 進行灰化處理;用PH值為10至11的NEKC溶液清洗灰化后殘留的光阻層 204;用高密度等離子體化學氣相沉積法,將偏壓強設置在3000W 3500W, 以加強等離子體產(chǎn)生的'減射率,在金屬層202上形成厚度為3000埃至4000 埃的介質(zhì)層206,所述介質(zhì)層206的材料優(yōu)選氧化硅,用于器件間的隔離,并 且將介質(zhì)層206填滿溝槽205,由于介質(zhì)層206沉積于金屬層202上和填滿溝 槽205后的高度不一致,因此介質(zhì)層206在溝槽205處有開口 210,由于用高 密度等離子體化學氣相沉積法,將現(xiàn)有技術所用的偏壓強2200W 2800W增 大,設置為3000W 3500W,使開口 210的高寬比增大,即開口210的寬度從 現(xiàn)有的10000埃 13000埃增大至20000埃~25000埃;用旋涂法在介質(zhì)層206 上形成厚度為800埃 1000埃的光阻層211,由于光阻層211的流動性能要比 介質(zhì)層206好,從而在溝槽205內(nèi)形成光阻層211要比介質(zhì)層206上形成的 厚,同時由于蝕刻介質(zhì)層206和蝕刻光阻層211的選擇比不同,這樣在后續(xù) 蝕刻工藝中,溝槽205內(nèi)的介質(zhì)層206不會因為過蝕刻而造成凹陷。
本實施例中,用等離子體氧氣在溫度為240。C 280。C時對光阻層204進行 灰化處理,具體溫度例如240。C、 250。C、 260 。C、 270。C或280。C等。但是用 等離子體氧氣不能完全清除光阻層204,因此需要用堿性溶液去除殘留的光阻 層204。
本實施例中,所述高密度等離子體化學氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar;沉積所需時間為50秒 70秒,具體例如50秒、60秒或70秒等; 沉積所需溫度為320。C 380。C,具體例如320。C、 330°C、 340°C、 350°C、 360°C、 370。C或380。C等。本實施例中,介質(zhì)層206的厚度具體例如3000埃、3200埃、3400埃、 3600埃、3800埃或4000埃等。
本實施例中,光阻層211的厚度具體例如800埃、850埃、900埃、950 ?;?000埃等。
如圖ll所示,對光阻層211和介質(zhì)層206進行蝕刻至露出金屬層202,形成 微反射鏡面208陣列,由于介質(zhì)層206在溝槽205處的開口210的高寬比增大, 即開口210寬度增大。因此在后續(xù)蝕刻工藝中,在與溝槽邊緣相接的金屬層202 上不再產(chǎn)生介質(zhì)層側(cè)墻。
圖12是本發(fā)明實施例改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷后的電鏡圖。如圖12所 示,用高密度等離子體化學氣相沉積法在金屬層上形成介質(zhì)層,由于將偏壓 乂人2200W 2800W增大至3000W 3500W,使介質(zhì)層在溝槽處的開口寬度從 10000埃 13000埃增大至20000埃 25000埃。因此,在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝 槽相鄰的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻。用電子掃描顯微鏡(SEM)在放大 倍數(shù)為80000倍時觀察微反射鏡間的介質(zhì)層,可以看到與溝槽邊纟^目鄰的金屬 層上平滑,沒有介質(zhì)層側(cè)墻。
圖13至圖20是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器過程中改善微反射鏡間介質(zhì) 層缺陷的實施例示意圖。如圖13所示,首先在石圭基底301上形成像素開關電 路層302,所述內(nèi)部驅(qū)動電路為MOS晶體管304和電容器305相串聯(lián)組成的 動態(tài)隨機存儲器,形成像素開關電路層302,像素開關電路層302包括層間絕 緣層306和鑲嵌在層間絕緣層306內(nèi)的接地墊層308、信號墊層309和連接墊 層310以及連接上、下導電層的通孔,所述接地墊層308接地信號,信號墊 層309是為驅(qū)動電路的MOS晶體管304施加電壓,信號墊層309通過通孔和 下層驅(qū)動電路的MOS晶體管304的漏端電連接,則MOS晶體管304的源端 和電容器305的一端通過連接墊層310和通孔相電連接(即為上電極),第一 電容器的另一端通過通孔和接地墊層308電連接(即為下電極)。
9然后在層間絕緣層306上形成導電層312,所述導電層312為一層或者多 層導電材料構成,比較優(yōu)化的導電層312依次采用金屬鈦、氮化鈦、鋁銅合 金、金屬鈥和氮化鈦組成的多層結(jié)構,比較優(yōu)化的厚度范圍為1000埃至6000 埃。
如圖14所示,在導電層312上采用現(xiàn)有的光刻技術形成圖案化第一光阻 層(圖未示);以第一光阻層為掩膜,采用現(xiàn)有蝕刻技術在導電層312中形成 島狀的連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a,形成所述光屏蔽層312a的目的是 防止漏光進入硅基片中的電路器件,則影響電路性能以及壽命,因此需要專 門用一層金屬來遮光。所述連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a之間的間隙 313a使得連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a相互絕緣隔離,所述連接鏡面墊 層313通過連接墊層310和通孔與像素開關電路層的MOS晶體管304的源端 相電連接。
參照圖15,去除第一光阻層;在光屏蔽層312a、連接鏡面墊層313上以 及間隙313a內(nèi)采用高密度等離子體化學氣相沉積技術形成介電層314,由于 要填充滿間隙313a,在所述介電層314表面對著間隙313a處產(chǎn)生凹槽,所述 形成的介電層314的厚度范圍為200 nm至1000nm,介電層314的材料為氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他們的組合,也可以是由比如氧化鉿、氧化鋁、 氧化鋯等高k介質(zhì)組成的介電層314。
參照圖16,用化學機械拋光法研磨介電層314直至將介電層314表面的 凹槽去除,使介電層314平坦化,進而使后續(xù)沉積的膜層表面平整。
參照圖17,采用現(xiàn)有光刻技術在介電層314上形成圖案化第二光阻層(未 圖示);然后以第二光阻層為掩膜,蝕刻介電層314至露出連接鏡面墊層313, 形成開口 320,所述開口 320暴露出部分連接鏡面墊層313;用化學氣相沉積 法在介電層314上形成金屬鴒層319,且將金屬鴿層319填充滿開口 320,形 成鴒插塞與連接鏡面墊層313連通。如圖18所示,用化學機械拋光法研磨金屬鎢層319至露出介電層314; 用濺射方法在介電層314上形成厚度為1300埃至3100埃,反射率在90%以 上的金屬層322,其中金屬層322的材料為銅鋁合金(銅含量為0.5%);在金 屬層322上用旋涂法形成光阻層324,對光阻層324進行曝光及顯影處理,形 成開口圖形326,在用以定義后續(xù)溝槽。
本實施例中,金屬層322的具體厚度例如1300埃、1400埃、1500埃、 1600埃、1700埃、1800埃、1900埃、2000埃、2100埃、2200埃、2300埃、 2400埃、2500埃、2600埃、2700埃、2800埃、2900埃、3000?;?100埃 等,其中優(yōu)選為3000埃。金屬層322的反射率最佳可達92%。
如圖19所示,以光阻層324為掩膜,用干法蝕刻法蝕刻金屬層322直至 露出介電層314,形成溝槽;用等離子體氧氣在溫度為240。C至28(TC時,對 光阻層324進行灰化處理;用PH值為10至11的NEKC溶液清洗灰化后殘 留的光阻層324;用高密度等離子體化學氣相沉積法,將偏壓強設置在 3000W 3500W,以加強等離子體產(chǎn)生的濺射率,在金屬層322上形成厚度為 3000埃至4000埃的介質(zhì)層328,所述介質(zhì)層328的材料優(yōu)選氧化硅,用于器 件間的隔離,并且將介質(zhì)層328填滿溝槽,由于介質(zhì)層328沉積于金屬層322 上和填滿溝槽后的高度不一致,因此介質(zhì)層328在溝槽328處有開口 329,由 于用高密度等離子體化學氣相沉積法,將現(xiàn)有技術所用的偏壓強 2200W 2800W增大,i殳置為3000W 3500W, 4吏開口 329的高寬比增大,即 使開口 329的寬度從現(xiàn)有的10000埃 13000埃增大至20000埃 25000埃;用 旋涂法在介質(zhì)層328上形成厚度為800埃~1000埃的光阻層330,由于光阻層 330的流動性能要比介質(zhì)層328好,從而在溝槽內(nèi)形成光阻層330要比介質(zhì)層 328上形成的厚,同時由于蝕刻介質(zhì)層328和蝕刻光阻層330的選擇比不同, 這樣在后續(xù)蝕刻工藝中,溝槽內(nèi)的介質(zhì)層328不會因為過蝕刻而造成凹陷。
本實施例中,用等離子體氧氣對光阻層324進行灰化的具體溫度例如240°C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等。但是用等離子體氧氣不能完全清除 光阻層324,因此需要用堿性溶液去除殘留的光阻層324。
本實施例中,所述高密度等離子體化學氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar;沉積所需時間為50秒 70秒,具體例如50秒、60秒或70秒等; 沉積所需溫度為320。C 380。C ,具體例如320。C 、 330°C 、 340°C 、 350°C 、 360°C 、 370。C或380。C等。
本實施例中,介質(zhì)層328的厚度具體例如3000埃、3200埃、3400埃、 3600埃、3800?;?000埃等。
本實施例中,光阻層330的厚度具體例如800埃、850埃、900埃、950 ?;?000埃等。
如圖20所示,對光阻層330和介質(zhì)層328進行蝕刻至露出金屬層322,形成 微反射鏡面332陣列,由于介質(zhì)層328在溝槽處的開口329的高寬比增大,即開 口329寬度增大。因此在后續(xù)蝕刻工藝中,在與溝槽邊緣相接的金屬層322上 不再產(chǎn)生介質(zhì)層側(cè)墻。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上,任何本領域技術人員在不脫離本發(fā) 明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動和修改,因此本發(fā)明的保護范圍 應當以本發(fā)明權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于,包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底,所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽;在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為3000W~3500W;在介質(zhì)層上形成光阻層;蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。
2. 根據(jù)權利要求1所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于所 述沉積法為高密度等離子體化學氣相沉積法。
3. 根據(jù)權利要求2所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于所 述高密度等離子體化學氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar。
4. 根據(jù)權利要求3所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于所 述沉積時間為50秒 70秒。
5. 根據(jù)權利要求4所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于所 述沉積溫度為320°C 380°C。
6. 根據(jù)權利要求1所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,其特征在于所 述光阻層的厚度為800埃 1000埃。
7. —種制作硅基液晶顯示器的方法,其特征在于,包括下列步驟 首先提供包含晶體管和電容器的石圭基底,在^^圭基底上依次形成有像素開關電路層、導電層、絕緣層及金屬層,所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽; 在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為3000W 3500W; 在介質(zhì)層上形成光阻層;蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。
全文摘要
一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法,包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底,所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽;在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層,所述沉積法的偏壓強為3000W~3500W;在介質(zhì)層上形成光阻層;蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層,形成微反射鏡陣列。本發(fā)明還提供一種制作硅基液晶顯示器的方法。介質(zhì)層在溝槽處的開口高寬比及開口寬度較大,在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻,進而減少了微反射鏡漫反射,提高微反射鏡反射率。
文檔編號C23C16/448GK101315502SQ20071004135
公開日2008年12月3日 申請日期2007年5月28日 優(yōu)先權日2007年5月28日
發(fā)明者向陽輝, 曾賢成 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司