專利名稱：旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種鍍膜玻璃生產(chǎn)的磁控濺射設(shè)備，尤其是一種旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備。
背景技術(shù)：
鍍膜玻璃在建筑、交通等領(lǐng)域有著廣泛的用途，原有的生產(chǎn)鍍膜玻璃的磁控濺射設(shè)備，由預(yù)抽室、電解質(zhì)鍍層鍍膜室、導(dǎo)電鍍層鍍膜室組成，玻璃經(jīng)預(yù)抽室抽真空后直接進(jìn)入電解質(zhì)鍍層鍍膜室，電解質(zhì)鍍層鍍膜室內(nèi)的氣體真空度難以達(dá)到理想狀態(tài)，所生產(chǎn)的鍍膜玻璃均勻性較差，而低輻射膜玻璃、陽(yáng)光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等對(duì)均勻性要求較高，原有的生產(chǎn)鍍膜玻璃的磁控濺射設(shè)備不能滿足要求。在鍍制導(dǎo)電鍍層時(shí)，常用的平面靶的靶材利用率較低，僅為30％，由于導(dǎo)電鍍層多采用貴重金屬(常用銀)，對(duì)于電解質(zhì)鍍層鍍膜室、導(dǎo)電鍍層鍍膜室內(nèi)的空氣的壓力與成份有較高的要求，用原有設(shè)備生產(chǎn)鍍膜玻璃，生產(chǎn)成本高、質(zhì)量差。

發(fā)明內(nèi)容
為了提高靶室內(nèi)氣體的真空度和靶材的利用率，本實(shí)用新型提供一種低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)設(shè)備，該設(shè)備通過(guò)設(shè)備結(jié)構(gòu)改進(jìn)，可以提高靶室內(nèi)氣體的真空度和靶材的利用率。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，具有電解質(zhì)鍍層鍍膜室和導(dǎo)電鍍層鍍膜室，電解質(zhì)鍍層鍍膜室的一側(cè)設(shè)置有預(yù)抽室，另一側(cè)與導(dǎo)電鍍層鍍膜室連接，電解質(zhì)鍍層鍍膜室內(nèi)設(shè)置有鍍電解質(zhì)鍍層的磁控靶，導(dǎo)電鍍層鍍膜室內(nèi)設(shè)置有鍍導(dǎo)電鍍層的磁控靶鍍電解質(zhì)鍍層的磁控靶是平面式磁控靶，并與中頻交流專用電源連接，鍍導(dǎo)電鍍層的磁控靶是圓柱形旋轉(zhuǎn)式磁控靶，并與恒流式直流專用電源連接。
為提高鍍膜室內(nèi)的氣體真空度，進(jìn)一步地在電解質(zhì)鍍層鍍膜室與預(yù)抽室間設(shè)置有緩沖室，在預(yù)抽室與外界、預(yù)抽室與緩沖室間、緩沖室與電解質(zhì)鍍層鍍膜室間分別設(shè)置有隔離密封縫閥。
為了使設(shè)備能反向可逆工作，再進(jìn)一步地設(shè)備具有一個(gè)導(dǎo)電鍍層鍍膜室和二個(gè)預(yù)抽室、緩沖室、電解質(zhì)鍍層鍍膜室，連接方式為預(yù)抽室、緩沖室、電解質(zhì)鍍層鍍膜室、導(dǎo)電鍍層鍍膜室、電解質(zhì)鍍層鍍膜室、緩沖室、預(yù)抽室依次連接。
本實(shí)用新型的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，設(shè)計(jì)合理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，通過(guò)增加緩沖室以及改變磁控靶的結(jié)構(gòu)，提高了靶室內(nèi)氣體的真空度，提高了靶材的利用率，提升了低輻射鍍膜玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量，降低了生產(chǎn)成本。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的生產(chǎn)流程圖。
圖中1.預(yù)抽室，2.緩沖室，3.電解質(zhì)鍍層鍍膜室，4.導(dǎo)電鍍層鍍膜室，5.平面式磁控靶，6.圓柱型旋轉(zhuǎn)式磁控靶，7.隔離密封縫閥，8.中頻交流專用電源，9.恒流式直流專用電源。
具體實(shí)施方式
如
圖1所示的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，具有一個(gè)導(dǎo)電鍍層鍍膜室4和二個(gè)預(yù)抽室1、緩沖室2、電解質(zhì)鍍層鍍膜室3，連接方式為預(yù)抽室1、緩沖室2、電解質(zhì)鍍層鍍膜室3、導(dǎo)電鍍層鍍膜室4、電解質(zhì)鍍層鍍膜室3、緩沖室2、預(yù)抽室1依次連接。電解質(zhì)鍍層鍍膜室3內(nèi)設(shè)置有鍍電解質(zhì)鍍層的平面式磁控靶5，并與中頻交流專用電源8連接，導(dǎo)電鍍層鍍膜室4內(nèi)設(shè)置有鍍導(dǎo)電鍍層的圓柱形旋轉(zhuǎn)式磁控靶6，并與恒流式直流專用電源9連接，在預(yù)抽室1與外界、預(yù)抽室1與緩沖室2間、緩沖室2與電解質(zhì)鍍層鍍膜室3間分別設(shè)置有隔離密封縫閥7。
如圖2所示，工作時(shí)關(guān)閉所有隔離密封縫閥7，確保設(shè)備正常運(yùn)行。
打開(kāi)預(yù)抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，待外界大氣進(jìn)入預(yù)抽室1后將待鍍膜的玻璃送入預(yù)抽室1，然后關(guān)閉預(yù)抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，進(jìn)行空氣預(yù)抽達(dá)到要求的真空度。
打開(kāi)緩沖室2與預(yù)抽室1連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進(jìn)入緩沖室2，關(guān)閉緩沖室2與預(yù)抽室1連接處的隔離密封縫閥7，較好地實(shí)現(xiàn)了氣體隔離，消除玻璃進(jìn)出對(duì)鍍膜室的影響。
打開(kāi)電解質(zhì)鍍層鍍膜室3與緩沖室2連接處的隔離密封縫閥7，玻璃在電解質(zhì)鍍層鍍膜室3氧氣濃度較高的氣氛中濺射鍍膜，該室采用了兩個(gè)平面式磁控靶5，采用中頻交流專用電源8供電，能有效防止靶的中毒現(xiàn)象，能提高膜層質(zhì)量及延長(zhǎng)靶面清理的時(shí)間，然后玻璃進(jìn)入導(dǎo)電鍍層鍍膜室4，該室具有三個(gè)圓柱形旋轉(zhuǎn)式磁控靶6，采用恒流式直流專用電源9供電，玻璃在導(dǎo)電鍍層鍍膜室4分別鍍制保護(hù)層(一般為NiCr或Ti)、導(dǎo)電鍍層(一般為Ag)、保護(hù)層(一般為NiCr或Ti)，三層膜一次鍍成，由于低輻射玻璃中起關(guān)健作用的導(dǎo)電鍍層(一般為Ag)在鍍膜前后很容易受環(huán)境影響而產(chǎn)生氧化現(xiàn)象，通過(guò)增加緩沖室2和鍍制保護(hù)層，有效防止了導(dǎo)電鍍層的氧化，然后鍍膜后的玻璃進(jìn)入后電解質(zhì)鍍層鍍膜室3，再次鍍電解質(zhì)層，之后，打開(kāi)電解質(zhì)鍍層鍍膜室3與緩沖室2連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進(jìn)入緩沖室2后，關(guān)閉電解質(zhì)鍍層鍍膜室3與緩沖室2連接處的隔離密封縫閥7，再打開(kāi)緩沖室2與預(yù)抽室1連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進(jìn)入預(yù)抽室1，充大氣，打開(kāi)預(yù)抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，玻璃送出外界。
本實(shí)用新型的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，是一種適用于大規(guī)模生產(chǎn)低輻射玻璃及陽(yáng)光控制膜玻璃的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，采用臥式可逆式結(jié)構(gòu)，具有生產(chǎn)效率高，均勻性好，可控性強(qiáng)等特點(diǎn)，能鍍制低輻射玻璃、陽(yáng)光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等產(chǎn)品，為目前磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的升級(jí)換代產(chǎn)品。
權(quán)利要求1.一種旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，具有電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)和導(dǎo)電鍍層鍍膜室(4)，電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)的一側(cè)設(shè)置有預(yù)抽室(1)，另一側(cè)與導(dǎo)電鍍層鍍膜室(4)連接，電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)內(nèi)設(shè)置有鍍電解質(zhì)鍍層的磁控靶(5)，導(dǎo)電鍍層鍍膜室(4)內(nèi)設(shè)置有鍍導(dǎo)電鍍層的磁控靶(6)，其特征是鍍電解質(zhì)鍍層的磁控靶(5)是平面式磁控靶(5)，并與中頻交流專用電源(8)連接，鍍導(dǎo)電鍍層的磁控靶(6)是圓柱形旋轉(zhuǎn)式磁控靶(6)，并與恒流式直流專用電源(9)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，其特征是在電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)與預(yù)抽室間設(shè)置有緩沖室(2)，在預(yù)抽室(1)與外界、預(yù)抽室(1)與緩沖室(2)間、緩沖室(2)與電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)間分別設(shè)置有隔離密封縫閥(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，其特征是設(shè)備具有一個(gè)導(dǎo)電鍍層鍍膜室(4)和二個(gè)預(yù)抽室(1)、緩沖室(2)、電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)，連接方式為預(yù)抽室(1)、緩沖室(2)、電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)、導(dǎo)電鍍層鍍膜室(4)、電解質(zhì)鍍層鍍膜室(3)、緩沖室(2)、預(yù)抽室(1)依次連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備，具有電解質(zhì)鍍層鍍膜室和導(dǎo)電鍍層鍍膜室，電解質(zhì)鍍層鍍膜室的一側(cè)設(shè)置有預(yù)抽室，電解質(zhì)鍍層鍍膜室內(nèi)設(shè)置有鍍電解質(zhì)鍍層的磁控靶，導(dǎo)電鍍層鍍膜室內(nèi)設(shè)置有鍍導(dǎo)電鍍層的磁控靶，在電解質(zhì)鍍層鍍膜室與預(yù)抽室間設(shè)置有緩沖室，在預(yù)抽室與外界、預(yù)抽室與緩沖室間、緩沖室與電解質(zhì)鍍層鍍膜室間分別設(shè)置有隔離密封縫閥，本實(shí)用新型的旋轉(zhuǎn)磁靶式膜玻璃磁控濺射設(shè)備具有生產(chǎn)效率高，均勻性好，可控性強(qiáng)等特點(diǎn)，能鍍制低輻射玻璃、陽(yáng)光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等產(chǎn)品，為目前磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的升級(jí)換代產(chǎn)品。
文檔編號(hào)C23C14/35GK2663431SQ200320110408
公開(kāi)日2004年12月15日 申請(qǐng)日期2003年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月24日
發(fā)明者沈琪 申請(qǐng)人:沈琪