本實(shí)用新型涉及一種四輥壓延機(jī)，特別涉及金鍺焊片生產(chǎn)過程中的熱壓延機(jī)。

背景技術(shù)：

金鍺焊片是常用的微電子封裝材料，焊片厚度是決定封裝質(zhì)量的重要參數(shù)。如果焊片太厚，影響封裝效果，無法滿足微電子封裝的技術(shù)要求。

在金鍺焊片的制造過程中，需要采用壓延機(jī)對(duì)金鍺焊帶進(jìn)行壓延處理，以壓制成滿足工藝要求規(guī)格尺寸的焊帶，提供給后續(xù)工序。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，常溫下壓延金鍺焊帶，容易出現(xiàn)焊帶翹曲變形，金鍺焊帶的厚度只能達(dá)到50微米左右，難以得到封裝效果良好的25微米厚度的金鍺焊帶。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可實(shí)現(xiàn)熱壓功能的四輥壓延機(jī)裝置，可以得到厚度為25微米的金鍺焊帶，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)難題，滿足微電子封裝技術(shù)的要求。

本實(shí)用新型解決問題采用的技術(shù)方案是：

四輥壓延機(jī)，包括壓延機(jī)主體，所述壓延機(jī)主體上設(shè)有壓延機(jī)構(gòu)及中頻加熱裝置；

壓延機(jī)構(gòu)，所述壓延機(jī)構(gòu)包括基座、設(shè)置在所述基座上的兩支撐架，兩所述支撐架沿橫向相對(duì)設(shè)置，且兩支撐架之間設(shè)有可相對(duì)于支撐架轉(zhuǎn)動(dòng)的上壓輥、一對(duì)中壓輥和下壓輥，所述上壓輥、中壓輥及下壓輥在豎向依次排列，相鄰的所述上壓輥與中壓輥之間、所述一對(duì)中壓輥之間及所述中壓輥與下壓輥之間分別具有壓延間隙；

中頻加熱裝置，所述中頻加熱裝置包括中頻加熱電源、繼電器、中頻加熱線圈、采集模塊和處理器，中頻加熱電源、繼電器和中頻加熱線圈串聯(lián)在一起，沿中頻加熱線圈周圍分布四個(gè)溫度傳感器，每個(gè)溫度傳感器分別通過電纜與采集模塊的信號(hào)輸入端連接，采集模塊的信號(hào)輸出端通過電纜與處理器的信號(hào)輸入端連接，處理器的指令輸入端通過電纜與繼電器的控制端連接。

優(yōu)選地，所述四輥壓延機(jī)上壓輥與下壓輥的長度均為150毫米，直徑均為80毫米，一對(duì)中壓輥長度為150毫米，直徑為30毫米；

優(yōu)選地，上述中頻加熱線圈分別連接在上壓輥、一對(duì)中壓輥及下壓輥兩端；

優(yōu)選地，上述溫度傳感器為紅外溫度傳感器；

優(yōu)選地，兩所述支撐架上設(shè)有高度調(diào)節(jié)裝置，所述一對(duì)中壓輥的兩端可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)上，已通過所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)上壓輥與中壓輥、一對(duì)中壓輥及中壓輥與下壓輥之間的壓延間隙。

與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)和積極效果：

1.四輥壓延機(jī)，可用于壓制25微米厚度金鍺焊片；

2. 四輥壓延機(jī)，帶有加熱裝置，在壓延過程中對(duì)焊帶進(jìn)行加熱，可使金鍺焊帶易于壓制成型，可實(shí)現(xiàn)多次壓延，制得的金鍺焊帶厚度均勻規(guī)整。

3. 結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，操作方便。

附圖說明

圖1為四輥壓延機(jī)主視圖。

圖2為四輥壓延機(jī)左視圖。

圖3為中頻加熱電源、繼電器和中頻加熱線圈的連接電路圖。

其中，1-機(jī)架，2-支撐架，11-上壓輥，12-中上壓輥，13-中下壓輥，14-下壓輥，6-高度調(diào)節(jié)器，21-中頻加熱溫度控制模塊，22-中頻加熱電源，23-中頻加熱線圈，24-溫度傳感器，25-電纜，26-采集模塊，27-處理器，28-繼電器。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型具體實(shí)施方式，四輥熱壓延機(jī)包括機(jī)架1，包括兩個(gè)相對(duì)橫向設(shè)置的支撐架2、高度調(diào)節(jié)裝置6及中頻加熱裝置。

在本實(shí)用新型中，為了便于描述，各部件的相對(duì)位置關(guān)系的描述均是根據(jù)說明書附圖的布局方式來進(jìn)行描述的，如：前、后、左、右、上、下等的位置關(guān)系是依據(jù)說明書附圖的布局方向來確定的。

具體的，所述壓延機(jī)機(jī)身1上表面的兩支撐架2，兩所述支撐架2沿橫向相對(duì)設(shè)置，且兩所述支撐架2之間設(shè)有可相對(duì)于支撐架2轉(zhuǎn)動(dòng)的上壓輥3、一對(duì)中壓輥41、42及下壓輥5，所述上壓輥、一對(duì)中壓輥及下壓輥在豎向上依次排列，相鄰的所述上壓輥11和中上壓輥12之間、中上壓輥12和中下壓輥13之間及中下壓輥14和下壓輥15之間分別具有壓延間隙，一般的，壓延間隙小于金鍺焊帶的厚度。

兩所述支撐架2上設(shè)有高度調(diào)節(jié)器6，所述中上壓輥12與中下壓輥13的兩端可轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在所述高度調(diào)節(jié)器6上，以通過所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)6調(diào)節(jié)上壓輥3與中上壓輥12、中上壓輥12與中下壓輥13、中下壓輥13與下壓輥14之間的壓延間隙。也就是說，高度調(diào)節(jié)器6是調(diào)節(jié)中上壓輥12與中下壓輥13在豎向上的高度位置的，通過調(diào)整中上壓輥12與中下壓輥13的高度而使上壓輥3與中上壓輥12之間、中上壓輥12與中下壓輥13之間或中下壓輥13與下壓輥14之間的壓延間隙變大或減小。如此，通過調(diào)節(jié)高度調(diào)節(jié)器6，可使得壓延間隙減小到一定的值，通過一次上料、3次壓延即可將金鍺焊帶壓延成符合尺寸要求的帶狀焊片。

所述中頻加熱裝置位于壓延機(jī)機(jī)身1底部，所述中頻加熱裝置包括中頻加熱電源22、中頻加熱線圈23、溫度傳感器24、電纜25、采集模塊26、處理器27和繼電器28，中頻加熱電源22、中頻加熱線圈23和繼電器28串聯(lián)在一起，沿中頻加熱線圈周圍分布四個(gè)溫度傳感器24，每個(gè)溫度傳感器24分別通過電纜25與采集模塊26的信號(hào)輸入端連接，采集模塊26的信號(hào)輸出端通過電纜與處理器27的信號(hào)輸入端連接，處理器27的指令輸入端通過電纜與繼電器28的控制端連接。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，溫度傳感器24固定在中頻加熱線圈的四周，溫度傳感器24用于采集上壓輥11、中上壓輥12、中下壓輥13及下壓輥5被加熱過程中的實(shí)時(shí)溫度，并輸出模擬溫度信號(hào)。溫度傳感器24將模擬信號(hào)傳輸給采集模塊26，采集模塊26將模擬信號(hào)成倍放大后傳遞給處理器27。處理器27用于輸入和選擇所需控制參數(shù)，控制參數(shù)包括壓輥加熱工藝要求溫度和控制方式，控制方式包括選取采集到的溫度的最大值、最小值或平均值，處理器27可將采集到的壓輥的實(shí)時(shí)溫度值與選擇的控制方式、輸入的工藝溫度值進(jìn)行對(duì)比，生成確定的控制信號(hào)來控制繼電器28的開合，即自動(dòng)控制中頻加熱電源22的開關(guān)。

綜上所述，本實(shí)用新型提供的四輥熱壓延機(jī)，可用于壓制延展金鍺焊帶，具體的，100微米厚的金鍺焊帶通過導(dǎo)入至壓延機(jī)構(gòu)后，中頻加熱裝置使金鍺焊帶溫度升高后變軟，以便于上壓輥、中壓輥及下壓輥之間的焊帶間隙進(jìn)行3次壓延，壓延后的金鍺焊帶厚度為25微米左右，其工作效率高，同時(shí)，操作方便，成本低廉。

當(dāng)然，上述說明并非是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也并不限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在本實(shí)用新型的市值范圍內(nèi)，所作出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。