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陰極射線管裝置的光柵失真校正裝置的制作方法

文檔序號:2963290閱讀:178來源:國知局
專利名稱:陰極射線管裝置的光柵失真校正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電視接收機(jī)或計算機(jī)顯示器等所使用的陰極射線管裝置的光柵失真校正裝置。
在最近的陰極射線管顯示裝置中,迫切期待使畫面更接近平面。隨著畫面平面化而產(chǎn)生的一個技術(shù)課題是存在光柵失真。本來,在陰極射線管的畫面上顯出的光柵應(yīng)該為長方形,然而,將其畸變成梯形狀,或畸變成枕形狀的現(xiàn)象就是光柵失真。這樣的光柵失真的校正,例如,象特開平3-6176號公報或?qū)嶉_平6-31272號公報中所示出的那樣,一般是在顯示裝置側(cè)的偏轉(zhuǎn)電路里設(shè)置校正電路,通過控制流到偏轉(zhuǎn)線圈里的電流來進(jìn)行控制。
校正上述這種光柵失真,即使在畫面上可得到長方形的光柵,但在光柵內(nèi)部,仍存在剩余失真的情況。例如,如圖6A和圖6B所示,光柵20的左右邊和上下邊為直線狀態(tài),而光柵內(nèi)部的中央?yún)^(qū)域20′或20″,卻畸變成枕形。下面,把這種失真稱為「內(nèi)光柵枕形失真」。圖6A表示中央垂直軸12的左右區(qū)域,畸變成枕形的左右內(nèi)光柵枕形失真;圖6B表示中央水平軸11的上下區(qū)域,畸變成枕形的上下內(nèi)光柵枕形失真。有關(guān)這種內(nèi)光柵枕形失真的試驗方法,刊載于例如日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)ED-2101B的「帶偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管試驗方法」,1995年2月修訂,第7、8項里。
作為校正上述這種內(nèi)光柵枕形失真的方法,例如有刊載于特開平4-188543號公報或?qū)嶉_昭63-108151號公報里的方法。就該方法來說,對設(shè)置于陰極射線管的玻璃真空管內(nèi)的內(nèi)部磁屏蔽的電子槍側(cè)矩形開口部的上下邊或左右邊進(jìn)行圓弧狀切口,以便中央部后退。因此,使垂直或水平磁場變形,從而校正內(nèi)光柵枕形失真。
但是,上述的內(nèi)光柵枕形失真校正方法,隨著內(nèi)部磁屏蔽形狀的改變,作為內(nèi)部磁屏蔽原來作用的地磁屏蔽效果,存在削弱了的缺陷。由于設(shè)置圓弧狀切口,還降低了內(nèi)部磁屏蔽的機(jī)械強(qiáng)度。
并且,通過各自的裝置,進(jìn)行梯形失真等的光柵失真校正和內(nèi)光柵枕形失真校正,則失真校正需要的成本變高。特別是,設(shè)置于顯示裝置側(cè)的梯形失真等的光柵失真校正電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,價格又高。
本發(fā)明是為了解決上述這種已有的課題,其目的是提供一種能以低成本又簡單地對包括內(nèi)光柵枕形失真的光柵失真進(jìn)行校正的光柵失真校正裝置。
根據(jù)本發(fā)明的光柵失真校正裝置,其特征是,在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍配備在作為電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的上邊、下邊、左邊和右邊的至少一邊的中央部配置,并沿上述邊的方向產(chǎn)生磁極的電磁鐵;上述電磁鐵的激磁裝置;以及在上述邊的兩端外側(cè)配置,并且大致與上述電磁鐵的磁極在一直線上形成磁極的一對永久磁鐵。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu),通過電磁鐵產(chǎn)生的磁場和永久磁鐵產(chǎn)生的磁場,在電磁鐵和永久磁鐵之間形成復(fù)合磁場,洛倫茲力作用于該復(fù)合磁場中的電子束上,因而能夠校正光柵失真。
最好,把上述電磁鐵配備在作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的上邊和下邊的至少一邊的中央部,并且,上述激磁裝置把與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述電磁鐵。當(dāng)電磁鐵的激磁電流為直流時,電磁鐵產(chǎn)生的磁場是穩(wěn)定的,例如,當(dāng)上邊配備電磁鐵時,則電磁鐵附近的上邊的電子束本身受強(qiáng)的洛倫茲力作用。當(dāng)電磁鐵的激磁電流與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步時,例如,垂直偏轉(zhuǎn)角越增加,激磁電流也增加時,上邊的電子束本身受更強(qiáng)洛倫茲力作用,所以能更有效地校正光柵失真。
根據(jù)同樣的理由,把上述電磁鐵配備在作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的左邊和右邊的至少一邊的中央部,并且上述激磁裝置把與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述電磁鐵的結(jié)構(gòu),也是可行的。
并且,借助于改變上述激磁裝置供給上述電磁鐵的電流極性,使上述電磁鐵產(chǎn)生的磁極極性反轉(zhuǎn)也是可以的。進(jìn)而,上述永久磁鐵的磁極能自由反轉(zhuǎn),也是可以的。這樣以來,如果各個電磁鐵和永久磁鐵的極性都可改變,則光柵失真校正裝置容易與所配置的上下左右的任何一邊的各種失真,例如,與右上、右下的失真類型相對應(yīng)。
在根據(jù)本發(fā)明的光柵失真校正裝置的另一種結(jié)構(gòu)中,在上述的結(jié)構(gòu)里增加在上述邊的中央部所配置的電磁鐵和上述永久磁鐵之間,且在上述邊的兩端內(nèi)側(cè),進(jìn)而配置多個電磁鐵,并且上述電磁鐵和永久磁鐵的磁極大致排列在一直線上。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),在中央電磁鐵及其兩側(cè)的電磁鐵之間也形成復(fù)合磁場,洛倫茲力則作用于該復(fù)合磁場中的電子束上,因而可適當(dāng)校正內(nèi)光柵枕形失真。
在本結(jié)構(gòu)的情況下,當(dāng)沿電子束偏轉(zhuǎn)范圍的上邊和下邊配置光柵失真校正裝置時,最好激磁裝置把與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給各電磁鐵;當(dāng)沿右邊或左邊配置光柵失真校正裝置時,則最好供給與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的激磁電流。另外,最好各電磁鐵和永久磁鐵的極性是可變的。
配備了本發(fā)明的光柵失真校正裝置的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置于水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈,以及設(shè)置于垂直偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)的磁心,而磁心外側(cè)安裝光柵失真校正裝置。
并且,配備了本發(fā)明的光柵失真校正裝置的陰極射線管裝置包括容納電子槍的管頸部、從管頸部呈喇叭狀擴(kuò)大的漏斗形部、封閉并連接漏斗形部的開口部且在里面形成熒光面的熒光屏部,以及安裝于漏斗形部和管頸部的邊界周圍的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)。在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的周圍安裝光柵失真校正裝置。
圖1是表示配備本發(fā)明的光柵失真校正裝置的陰極射線管裝置的一例;圖2是說明有關(guān)本發(fā)明的第1實施例光柵失真校正裝置結(jié)構(gòu)及其動作原理的典型圖;圖3是說明有關(guān)本發(fā)明的第2實施例光柵失真校正裝置結(jié)構(gòu)及其動作原理的典型圖;圖4是說明有關(guān)本發(fā)明的第3實施例光柵失真校正裝置結(jié)構(gòu)及其動作原理的典型圖;圖5是說明有關(guān)本發(fā)明的第4實施例光柵失真校正裝置結(jié)構(gòu)及其動作原理的典型圖;圖6A表示左右內(nèi)光柵枕形失真;圖6B表示上下內(nèi)光柵枕形失真。
下面,根據(jù)


本發(fā)明的實施例。
圖1是表示配備本發(fā)明的光柵失真校正裝置的陰極射線管裝置30的一例的側(cè)面圖。在圖1中,陰極射線管1配備具有里面涂布熒光體的屏蔽面的熒光屏部2、漏斗形部3及管頸部4。在管頸部4的內(nèi)部,設(shè)有產(chǎn)生3條電子束的電子槍(圖未示出)。在陰極射線管1的漏斗形部3和管頸部4的邊界部周圍,安裝著偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5;在其偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5的上側(cè),安裝光柵失真校正裝置6。安裝光柵失真校正裝置6的位置,不限于圖1示出的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5的上側(cè)。根據(jù)應(yīng)校正的光柵失真處,把光柵失真校正裝置6安裝在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5的上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)(圖1的手邊側(cè))及右側(cè)(圖1的里側(cè))的至少一個地方。
圖2表示有關(guān)本發(fā)明的第1實施例的光柵失真校正裝置的結(jié)構(gòu)和動作原理。圖2是從熒光屏部2側(cè)看到的圖,下面示出的圖3~5也同樣。
光柵失真校正裝置配備電磁鐵10及其激磁電路(激磁用電源)7,和一對永久磁鐵14。電磁鐵10,是把電線8纏繞在磁心9上而制成,并且在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍,如圖2所示,被配置在作為電子束13偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面31上邊中央部(中央垂直軸12上),產(chǎn)生沿上邊方向的磁極。該電子束偏轉(zhuǎn)范圍31的形狀,與畫面上的光柵形狀相似,在圖2的例子中,偏轉(zhuǎn)范圍31的左邊,畸變成為倒向內(nèi)側(cè)的梯形。從而,在畫面上的光柵內(nèi)也發(fā)生同形狀的梯形失真。
電磁鐵10的電線8與激磁電路7連接,與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流由激磁電路7供給電磁鐵10。也就是,隨著垂直偏轉(zhuǎn)角增大,向電磁鐵10供給與增大的垂直偏轉(zhuǎn)電流同樣的鋸齒狀波形的電流。不一定需要把激磁電路7與電磁鐵10一起,設(shè)置在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍,也可以配置在離開電磁鐵10的位置。
就圖2來說,在電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍31的上半部,以這樣的方向供給激磁電流,使電磁鐵10右側(cè)成為S極,而左側(cè)成為N極。而且,把一對永久磁鐵14配置在電子束偏轉(zhuǎn)范圍31的上邊兩端部的外側(cè)。這一對永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,大致與電磁鐵10的磁極排列在一直線上,兩個永久磁鐵14與電磁鐵10的磁極相對的內(nèi)側(cè)磁極都是N極,而外側(cè)都是S極。
在上述這樣的位置和方向配置的電磁鐵10和一對永久磁鐵14的垂直方向的復(fù)合磁場,如圖2所示的磁通15,電磁鐵10的左側(cè)被增強(qiáng),而右側(cè)被減弱。然而,在電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍31的上半部,向左的(往外側(cè)的)洛倫茲力16作用于左上方的電子束13上,而這種洛倫茲力幾乎不作用于右上方的電子束上。但是,如上述那樣,隨著垂直偏轉(zhuǎn)角增大,由激磁電路7供給電磁鐵10的激磁電流也增大,因而,偏轉(zhuǎn)范圍31左邊附近的電子束受到的與上邊附近差不多大的洛倫茲力。其結(jié)果,校正了電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31左邊的傾斜,從而能夠校正畫面上的光柵梯形失真。
但是,激磁電路7供給電磁鐵10的激磁電流,不一定需要隨著垂直偏轉(zhuǎn)角增大而增加的鋸齒狀波形的電流,也可以是例如直流電流。這時,梯形失真校正能力降低,然而偏轉(zhuǎn)范圍31上邊附近的電子束幾乎靠近電磁鐵10,所以變得受洛倫茲力較大,依然可校正圖2的梯形失真。任何場合下,根據(jù)梯形失真的失真量,通過調(diào)節(jié)供給電磁鐵10的激磁電流的有效值,可在長方形內(nèi)校正電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31,甚至于可校正畫面上的光柵。例如,把可變電阻器與電磁鐵10進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)連接,借助于該可變電阻器的調(diào)節(jié),可調(diào)節(jié)供給電磁鐵10的激磁電流的有效值。
在圖2中,一旦改變供給電磁鐵10的激磁電流的方向,就可使電磁鐵10的極性反轉(zhuǎn),右側(cè)變成N極,而左側(cè)變成S極。這時,電磁鐵10和永久磁鐵14的垂直方向的復(fù)合磁場,與圖2的情況相反,電磁鐵10的左側(cè)被減弱,而右側(cè)被增強(qiáng)。其結(jié)果,向左的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力作用于電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31的右上方的電子束上,可見,對右邊倒向外側(cè)的梯形失真的校正是有效的。
并且,在圖2中,如果使一對永久磁鐵14的極性同時反轉(zhuǎn),使內(nèi)側(cè)為S極,外側(cè)為N極,根據(jù)電磁鐵10的極性,在電磁鐵10的右側(cè)或左側(cè),增強(qiáng)的垂直方向的復(fù)合磁場,與圖2相反變成向上的磁場。其結(jié)果,作用于電子束的洛倫茲力與圖2相反變成向右。從而,可以知道,對左邊倒向外側(cè)的梯形失真或右邊倒向內(nèi)側(cè)的梯形失真的校正都是有效的。作為改變永久磁鐵14極性的最簡便的方法,可以改變方向180度固定并矯正永久磁鐵14,然而,如果把永久磁鐵14固定在與圖2紙面相垂直方向的心軸周圍,旋轉(zhuǎn)自如的軸承保持架上,就很容易改變永久磁鐵14的極性。
根據(jù)同樣的原理,左側(cè)的永久磁鐵14保持原狀,只要改變右側(cè)永久磁鐵14的極性,可以看到,左邊和右邊同時對在內(nèi)側(cè)的倒梯形失真的校正是有效的。進(jìn)而,如果從該狀態(tài),同時改變電磁鐵10和永久磁鐵14的極性,就可以看到,左邊和右邊對同時倒向外側(cè)的梯形失真的校正是有效的。
在上述的實施例中,把電磁鐵10和一對永久磁鐵14配置在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31的上邊附近,然而,配置在下邊附近也可獲得同樣的效果,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是很清楚的,也就是,通過把洛倫茲力作用于電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31的左下或右下的電子束,可校正倒向左邊或右邊的梯形失真。這時,在圖1中,是在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5的下側(cè)安裝光柵失真校正裝置6。
接著,圖3表示本發(fā)明的第2實施例。在本實施例中,在圖1偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)5的內(nèi)側(cè),就是朝向陰極射線管1的熒光屏部2,把具有同上述實施例同樣結(jié)構(gòu)的光柵失真校正裝置安裝在右側(cè)。在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍,如圖3所示,在作為電子束13偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面32的右邊中央部(中央水平軸11上)配置電磁鐵10,并產(chǎn)生沿右邊方向的磁極。該電子束偏轉(zhuǎn)范圍32的形狀與畫面上的光柵形狀相似,在圖3的實例中,偏轉(zhuǎn)范圍32的下邊,畸變?yōu)閮A向右上方的梯形狀。從而,在畫面上的光柵也發(fā)生同樣形狀的梯形失真。
電磁鐵10的電線8與激磁電路7連接,與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的電流由激磁電路7供給電磁鐵10。即隨著水平偏轉(zhuǎn)角增大,向電磁鐵10供給與增大的水平偏轉(zhuǎn)電流同樣的鋸齒狀波形的電流。不一定需要把激磁電路7與電磁鐵10一起,設(shè)置在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍,也可以設(shè)置在離開電磁鐵10的位置。
在圖3中,在電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍32的右半部,以這樣的方向供給激磁電流,使電磁鐵10下側(cè)成為S極,上側(cè)成為N極。而且,把一對永久磁鐵14設(shè)置在偏轉(zhuǎn)范圍32的右邊兩端外側(cè)。這一對永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,大致與電磁鐵10的磁極排列在一直線上,兩個永久磁鐵14與電磁鐵10的磁極相對的內(nèi)側(cè)磁極都是S極,而外側(cè)都是N極。
在上述這樣的位置和方向配置的電磁鐵10和一對永久磁鐵14的水平方向的復(fù)合磁場,如圖3所示的磁通15,電磁鐵10的下側(cè)被增強(qiáng),而上側(cè)被減弱。然而,在電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍32的右半部,向下的(往外側(cè)的)洛倫茲力16作用于右下方的電子束13,而這樣的洛倫茲力幾乎不作用于右上方的電子束。但是,如上述那樣,隨著水平偏轉(zhuǎn)角的增大,由激磁電路7供給電磁鐵10的激磁電流也增大,因而,偏轉(zhuǎn)范圍32下邊附近的電子束受到與右邊附近差不多大的洛倫茲力。其結(jié)果,校正了電子束的偏轉(zhuǎn)范圍32下邊的傾斜,從而能夠校正畫面上的光柵梯形失真。
但是,激磁電路7供給電磁鐵10的激磁電流,不一定需要隨著水平偏轉(zhuǎn)角增大而增加的鋸齒狀波形的電流,也可以是例如直流電流。這時,梯形失真校正能力降低,然而偏轉(zhuǎn)范圍32右邊附近的電子束幾乎靠近電磁鐵10,所以變得受洛倫茲力較大,依然可校正圖3的梯形失真。任何情況下,根據(jù)梯形失真的失真量,通過調(diào)節(jié)供給電磁鐵10的激磁電流的有效值,可在長方形內(nèi)校正電子束的偏轉(zhuǎn)范圍32,甚至于可校正畫面上的光柵。例如,把可變電阻器與電磁鐵10進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)連接,并借助于該可變電阻器的調(diào)節(jié),就可調(diào)節(jié)供給電磁鐵10的激磁電流的有效值。
并且,在圖3中,一旦改變供給電磁鐵10的激磁電流的方向,就可使電磁鐵10的極性反轉(zhuǎn),下側(cè)變成N極,而上側(cè)變成S極。這時,電磁鐵10和永久磁鐵14的水平方向的復(fù)合磁場,與圖3的情況相反,電磁鐵10的下側(cè)減弱,而上側(cè)增強(qiáng)。其結(jié)果,向下的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力作用于電子束的偏轉(zhuǎn)范圍32的右上方的電子束上,所以可見,對上邊傾向右上方的梯形失真的校正是有效的。
并且,在圖3中,如果使一對永久磁鐵14的極性同時反轉(zhuǎn),使內(nèi)側(cè)為N極,使外側(cè)為S極,根據(jù)電磁鐵10的極性,在電磁鐵10的上側(cè)或下側(cè),增強(qiáng)的水平方向的復(fù)合磁場,就與圖3相反變成向左的磁場。其結(jié)果,作用于電子束的洛倫茲力與圖3相反變成向上。從而,可以知道,對上邊傾向右下方的梯形失真或?qū)ο逻厓A向右下方的梯形失真的校正都是有效的。作為改變永久磁鐵14極性的最簡便的方法,可以改變方向180度固定并矯正永久磁鐵14,然而,如果把永久磁鐵14固定在與圖3紙面相垂直方向的心軸周圍,旋轉(zhuǎn)自如的軸承保持架上,就很容易改變永久磁鐵14的極性。
根據(jù)同樣的原理,下側(cè)的永久磁鐵14保持原狀,只要改變上側(cè)永久磁鐵14的極性,就可以知道,下邊對右上方,上邊對右下方傾斜的梯形失真的校正都是有效的。進(jìn)而,如果同時改變該狀態(tài)的電磁鐵10和永久磁鐵14的極性,就可以知道,上邊對右上方,下邊對右下方傾斜的梯形失真的校正都是有效的。
在上述的實施例中,把電磁鐵10和一對永久磁鐵14配置在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍32的右邊附近,然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說很清楚,配置在左邊附近也可獲得同樣的效果。也就是說,通過把洛倫茲力作用于電子束的偏轉(zhuǎn)范圍32的左上或左下的電子束,從而可校正上邊或下邊傾斜的梯形失真。
接著,圖4表示本發(fā)明的第3實施例。本實施例的光柵失真校正裝置,是在圖2示出的結(jié)構(gòu)里進(jìn)一步增加配備一對電磁鐵10′。這一對電磁鐵10′,在配置在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍33的上邊中央部的電磁鐵10和配置在上邊的兩端外側(cè)的永久磁鐵14之間,并且分別配置在上邊兩端內(nèi)側(cè)。各電磁鐵10、10′和永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,大致沿上邊排列在一直線上。電子束的偏轉(zhuǎn)范圍33的形狀與畫面上的光柵形狀相似。在圖4實例中,偏轉(zhuǎn)范圍33的輪廓為長方形,然而,光柵內(nèi)部中央垂直軸12的左右區(qū)域33′畸變?yōu)檎硇螤睢L貏e是,從中央水平軸11的上側(cè)部分,畸變左右擴(kuò)大。從而,在畫面上的光柵也產(chǎn)生同樣形狀的失真,即產(chǎn)生內(nèi)光柵枕形失真。
把分別纏繞中央的電磁鐵10和其左右的電磁鐵10′的電線8和8′與對應(yīng)的激磁電路7和7′相連接,并由激磁電路7、7′把與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給各電磁鐵10、10′。也就是,隨著垂直偏轉(zhuǎn)角的增大,把與增大的垂直偏轉(zhuǎn)電流同樣的鋸齒狀波形的電流供給電磁鐵10、10′。
就圖4來說,在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍33的上半部,供給各自的激磁電流,以便使中央的電磁鐵10,右側(cè)為N極而左側(cè)為S極,使兩側(cè)的電磁鐵10′,兩右側(cè)都為S極,而左側(cè)都為N極。而且,偏轉(zhuǎn)范圍33上邊兩端外側(cè)所配備的一對永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,右側(cè)都為S極,而左側(cè)都為N極。
在上述這樣的位置和方向配置的電磁鐵10、10′和永久磁鐵14的垂直方向的復(fù)合磁場,如圖4所示的磁通15,在中央電磁鐵10和兩側(cè)電磁鐵10′之間被增強(qiáng),而在兩電磁鐵10′和其外側(cè)的永久磁鐵14之間被減弱。而且,形成在中央電磁鐵10左側(cè)向上,而在右側(cè)向下的磁場。然而,如圖4所示,在電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍33的上半部,向右的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力16作用于中央垂直軸12和左邊之間的電子束13上,向左的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力16′作用于中央垂直軸12和左邊之間的電子束13′上。但是,如上述那樣,隨著垂直偏轉(zhuǎn)角的增大,由激磁電路7、7′供給電磁鐵10、10′的激磁電流也增大,因而,使在偏轉(zhuǎn)范圍33上邊附近的電子束受到差不多大的洛倫茲力。其結(jié)果,如圖4的領(lǐng)域33′所示的那樣,能夠校正畫面光柵里產(chǎn)生的同樣的左右內(nèi)光柵枕形失真。
激磁電路7、7′供給電磁鐵10、10′的激磁電流,不一定必須是隨著垂直偏轉(zhuǎn)角的增大而增加的鋸齒狀波形電流,例如,與上述的實施例同樣,也可以是直流電流。根據(jù)這時的失真量,通過調(diào)節(jié)供給電磁鐵10、10′的激磁電流的有效值,就可適當(dāng)校正內(nèi)光柵枕形失真。例如,把可變電阻器與各電磁鐵10、10′進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)連接,借助于該可變電阻器的調(diào)節(jié),就能調(diào)節(jié)供給電磁鐵10、10′的激磁電流有效值。
并且,不一定需要設(shè)置3個激磁電路,以便分別與3個電磁鐵10、10′相對應(yīng),也可以集中成為一個激磁電路。而且,也可以把串聯(lián)或并聯(lián)連接的3個電磁鐵10、10′再與一個激磁電路連接。
在圖4中,若改變左側(cè)永久磁鐵14的極性,使內(nèi)側(cè)成為N極,根據(jù)用圖2已說明的原理,可校正左邊倒向內(nèi)側(cè)的梯形失真。此時,當(dāng)內(nèi)光柵枕形失真不存在的情況下,若改變中央電磁鐵10的激磁電流方向,則可形成與兩側(cè)電磁鐵10′同方向的磁極。由于這種狀態(tài),若同時改變3個電磁鐵的極性,就可校正右邊倒向外側(cè)的梯形失真。進(jìn)而,若使一對永久磁鐵14的極性同時反轉(zhuǎn),使內(nèi)側(cè)為S極,而外側(cè)為N極,則與上述實施例的變形例說明同樣,可有效地進(jìn)行對左邊倒向外側(cè)的梯形失真或右邊倒向內(nèi)側(cè)的梯形失真的校正。
這樣,使用3個電磁鐵和一對永久磁鐵的圖4的光柵失真校正裝置,通過改變各電磁鐵和永久磁鐵的極性,可使用于內(nèi)光柵枕形失真和梯形失真兩者的校正。也就是,由于使中央電磁鐵10和兩側(cè)的電磁鐵10′的極性方向不同,從而,校正內(nèi)光柵枕形失真,而通過兩側(cè)的電磁鐵10′和其外側(cè)的永久磁鐵14的極性方向不同,從而,校正梯形失真。
接著,圖5表示本發(fā)明的第4實施例。本實施例的光柵失真校正裝置,在如圖3示出的結(jié)構(gòu)里,增加并進(jìn)一步配備一對電磁鐵10′。這一對電磁鐵10′,在配置在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍34的右邊中央部的電磁鐵10和配置在右邊的兩端外側(cè)的永久磁鐵14之間,并且,還分別配置在右邊兩端內(nèi)側(cè)。各電磁鐵10、10′和永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,大致沿右邊排列在一直線上。電子束的偏轉(zhuǎn)范圍34的形狀,與畫面上的光柵形狀相似。在圖5實例中,偏轉(zhuǎn)范圍34的輪廓為長方形,然而,光柵內(nèi)部中央水平軸11的上下區(qū)域34′畸變?yōu)檎硇螤?。特別是,中央垂直軸12的右側(cè)部分,畸變?yōu)樯舷聰U(kuò)大。從而,在畫面上的光柵也產(chǎn)生同樣形狀的失真,即產(chǎn)生所謂內(nèi)光柵枕形失真。
把分別纏繞中央的電磁鐵10及其上下的電磁鐵10′的電線8和8′,與對應(yīng)的激磁電路7和7′相連接,并由激磁電路7、7′把與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給各電磁鐵10、10′。也就是,隨著水平偏轉(zhuǎn)角的增大,把與增大的垂直偏轉(zhuǎn)電流同樣的鋸齒狀波形的電流供給電磁鐵10、10′。
就圖5來說,在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍34的右半部,供給各自的激磁電流,以便使中央的電磁鐵10,上側(cè)成為S極,而下側(cè)為N極,并使其上下側(cè)的電磁鐵,上側(cè)成為N極,而下側(cè)成為S極。而且,偏轉(zhuǎn)范圍34右邊兩端外側(cè)所配備的一對永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極,上側(cè)都為N極,而下側(cè)都為S極。
在上述這樣的位置和方向配置的電磁鐵10、10′和一對永久磁鐵14的水平方向的復(fù)合磁場,如圖5所示的磁通15,在中央電磁鐵10和其上下的電磁鐵10′之間被增強(qiáng),而在上下的電磁鐵10′和其外側(cè)的永久磁鐵14之間則被減弱。而且,在中央電磁鐵10的上側(cè)成為向右的磁場,而在下側(cè)成為向左的磁場。然而,如圖5所示,在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍34的右半部,向下的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力16作用于中央水平軸11和下邊之間的電子束13上,向上的(往內(nèi)側(cè)的)洛倫茲力16′作用于中央水平軸11和下邊之間的電子束13′上。但是,如上述那樣,隨著水平偏轉(zhuǎn)角的增大,由激磁電路7、7′供給電磁鐵10、10′的激磁電流也增大,因而,使在偏轉(zhuǎn)范圍34右邊附近的電子束,受到差不多大的洛倫茲力。其結(jié)果,如圖5所示的區(qū)域34′那樣,并且能夠校正畫面光柵里產(chǎn)生的同樣的左右內(nèi)光柵枕形失真。
激磁電路7、7′供給電磁鐵10、10′的激磁電流,不一定必須是隨著水平偏轉(zhuǎn)角的增大而增加的鋸齒狀波形的電流,例如,與上述的實施例同樣,也可以是直流電流。根據(jù)這時的失真量,通過調(diào)節(jié)供給電磁鐵10、10′的激磁電流有效值,就可適當(dāng)校正內(nèi)光柵枕形失真。例如,把可變電阻器與各電磁鐵10、10′進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)連接,借助于該可變電阻器的調(diào)節(jié),就能調(diào)節(jié)供給電磁鐵10、10′的激磁電流有效值。
并且,不一定需要設(shè)置3個激磁電路,以便分別與3個電磁鐵10、10′相對應(yīng),而可以集中作為一個激磁電路。而且,也可以把串聯(lián)或并聯(lián)連接的3個電磁鐵10、10′再與一個激磁電路連接。
在圖5中,若改變下側(cè)永久磁鐵14的極性,使內(nèi)側(cè)(上側(cè))成為S極,根據(jù)用圖3已說明的原理,下邊可校正傾向右上方的梯形失真。此時,在沒有內(nèi)光柵枕形失真的情況下,若改變中央電磁鐵10的激磁電流方向,則可形成與上下的電磁鐵10′同方向的磁極。由于這種狀態(tài),若同時改變3個電磁鐵的極性,上邊可校正傾向右上方的梯形失真。進(jìn)而,若使一對永久磁鐵14的極性同時反轉(zhuǎn),使內(nèi)側(cè)成為N極,而外側(cè)成為S極,則與上述實施例的變形例說明同樣,可有效地進(jìn)行上邊或下邊對傾向右下方的梯形失真的校正。
這樣,使用著3個電磁鐵和一對永久磁鐵的圖5的光柵失真校正裝置,通過改變各電磁鐵和永久磁鐵的極性,可用于內(nèi)光柵枕形失真和梯形失真兩者的校正。也就是,由于使中央電磁鐵10和上下的電磁鐵10′的極性方向不同,從而校正內(nèi)光柵枕形失真,而通過兩側(cè)的電磁鐵10′和其外側(cè)的永久磁鐵14的極性方向不同,從而校正梯形失真。
如上述說明的那樣,根據(jù)本發(fā)明的光柵失真校正裝置,由于組裝電磁鐵和永久磁鐵價廉且結(jié)構(gòu)簡易,并能夠校正梯形失真和內(nèi)光柵枕形失真。不需要象以往那樣,為了校正內(nèi)光柵枕形失真,對玻璃真空管內(nèi)的磁屏蔽進(jìn)行切口。
還有,如在上述的實施例已說明的那樣,根據(jù)應(yīng)校正的光柵失真處,需要在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的上下左右的至少一處,安裝光柵失真校正裝置。通常,玻璃真空管和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的制造批次如果是同一批次,則產(chǎn)生光柵失真的的傾向也相同。這時,可以在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的上下左右之中的一個特定處,安裝本發(fā)明的光柵失真校正裝置,根據(jù)上述的方法,如調(diào)節(jié)電磁鐵的激磁電流,就可校正大部分的光柵失真。
權(quán)利要求
1.一種用于校正陰極射線管的光柵失真的光柵失真校正裝置,在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的周邊配備在作為電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的上邊、下邊、左邊和右邊中的至少一邊中央部配置,并沿上述邊的方向產(chǎn)生磁極的電磁鐵;上述電磁鐵的激磁裝置;在上述邊的兩端外側(cè)配置,并與上述電磁鐵的磁極大致在一直線上形成磁極的一對永久磁鐵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正裝置,其特征在于,將上述電磁鐵配備在作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的上邊和下邊的至少一邊的中央部,并且上述激磁裝置把與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述電磁鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正裝置,其特征在于,將上述電磁鐵配備在作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的左邊和右邊的至少一邊的中央部,并且上述激磁裝置把與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述電磁鐵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正裝置,其特征在于,通過改變上述激磁裝置供給上述電磁鐵的電流極性,使上述電磁鐵產(chǎn)生磁極的極性反轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正裝置,其特征在于,上述永久磁鐵的磁極是反轉(zhuǎn)自如的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正裝置,其特征在于,在上述邊的中央部所配置的電磁鐵和上述永久磁鐵之間,并且在上述邊的兩端內(nèi)側(cè),還配置多個電磁鐵,上述電磁鐵和上述永久磁鐵的磁極大致排列在一直線上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正裝置,其特征在于,沿作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的上邊和下邊的至少一邊,配備上述電磁鐵,并且上述激磁裝置把與垂直偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述多個電磁鐵。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正裝置,其特征在于,沿作為上述電子束偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面的左邊和右邊的至少一邊,配備上述電磁鐵,并且上述激磁裝置把與水平偏轉(zhuǎn)電流同步的電流供給上述多個電磁鐵。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正裝置,其特征在于,通過改變上述激磁裝置供給上述電磁鐵的電流極性,使上述多個電磁鐵產(chǎn)生磁極的極性反轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正裝置,其特征在于,上述永久磁鐵的極性是反轉(zhuǎn)自如的。
11.一種偏轉(zhuǎn)系統(tǒng),它配備水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置于上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置于上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)的磁心以及設(shè)置于上述磁心外側(cè)的根據(jù)權(quán)利要求1到10任何一項所述的校正裝置。
12.一種陰極射線管裝置,它配備容納電子槍的管頸部、從上述管頸部呈喇叭狀擴(kuò)大的漏斗形部、封閉連接上述漏斗形部的開口部并在里面形成熒光面的熒光屏部、在上述漏斗形部和管頸部的邊界部周圍安裝的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)以及設(shè)置于上述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)周圍的根據(jù)權(quán)利要求1到10的任何一項所述的校正裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠以低成本并簡單校正包括內(nèi)光柵枕形失真的光柵失真的光柵失真校正裝置。光柵失真校正裝置配備電磁鐵10及其激磁電路7和一對永久磁鐵14。在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外圍,把電磁鐵10配置在作為電子束13的偏轉(zhuǎn)范圍的長方形斷面31的上邊中央部,并沿上邊的方向產(chǎn)生磁極。在電子束的偏轉(zhuǎn)范圍31的上邊兩端外側(cè)配置一對永久磁鐵14,永久磁鐵14產(chǎn)生的磁極大致與電磁鐵10的磁極排列在一直線上。
文檔編號H01J29/70GK1164121SQ9710334
公開日1997年11月5日 申請日期1997年3月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月21日
發(fā)明者石井昭次 申請人:松下電子工業(yè)株式會社
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