本實(shí)用新型涉及燈具技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型LED照明燈。

背景技術(shù)：

作為第四代照明源，LED發(fā)光二極管在人們的日常生活中越來越多的受到關(guān)注。相比傳統(tǒng)白熾燈，發(fā)光二極管表現(xiàn)出一些優(yōu)點(diǎn)，如長壽命，提高能效，寬顏色齊全，堅(jiān)固耐用，設(shè)計(jì)靈活，易于調(diào)光，低壓電源和環(huán)境相容。

以LED陣列為基礎(chǔ)的高功率LED照明燈具有三主要特點(diǎn)是：1)與其他LED系統(tǒng)相比，其穩(wěn)定性超過93％；2)在單個(gè)LED系統(tǒng)高達(dá)100倍的光輸出；和3)以百萬計(jì)的光譜輸出的可能的組合。然而，該高功率LED照明燈的光電轉(zhuǎn)換效率不夠好，輸入功率僅有15％至25％可以變換成光，輸入功率的其余部分消散作為熱。特別是，緊湊的大功率LED陣列需要產(chǎn)品的高光輸出，而不是誘導(dǎo)高結(jié)溫。設(shè)備效率強(qiáng)烈地依賴于其散熱能力。因此，合格的高功率LED照明可以散熱到環(huán)境中的數(shù)量是常規(guī)的照明設(shè)備的幾倍，以確?？煽啃院偷偷墓馑p。因此，熱分散性能是大功率LED照明技術(shù)的一個(gè)急需解決的問題。

為了提高大功率LED照明燈的性能，可以考慮兩種方法作用于LED照明燈的散熱系統(tǒng)，一種是增加空氣的流動(dòng)，另一種是提高LED芯片封裝的散熱性能，而本實(shí)用新型是采用第一種方式提高大功率LED照明燈的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型的大功率LED照明燈，形成一種用于大功率LED照明燈的蒸汽室PCB基板，該基板比傳統(tǒng)的絕緣金屬PCB基板導(dǎo)電性更好，并且具有良好的熱性能。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種大功率LED照明燈，其包括：蒸汽室PCB基板、金屬層、介電層和LED芯片陣列。

所述蒸汽室PCB基板與介電層相接，所述介電層與所述金屬層相接，所述金屬層與所述LED芯片陣列相接。

所述蒸汽室PCB基板進(jìn)一步具體由金屬鋁中空管制成，該中空管通過燒結(jié)形成一個(gè)具有若干蒸汽空間的槽狀基板，在基板的一邊連接有鋁材料制成的鋁翅，進(jìn)一步優(yōu)選蒸汽室PCB基板的尺寸為50mm×47mm×4mm。

在中空管中流有散熱液體，優(yōu)選為丙酮。

本實(shí)用新型提供的具有若干蒸汽空間的槽狀基板通過軸向的槽和重力協(xié)助作用產(chǎn)生毛細(xì)管驅(qū)動(dòng)力從而傳輸中空管中的流體。

本實(shí)用新型采用濺射的方式在蒸汽室PCB基板上形成AIN材料的介電層，其厚度優(yōu)選為33-35μm，進(jìn)一步優(yōu)選介電層的尺寸為35mm×35mm×30μm。

金屬層進(jìn)一步由導(dǎo)電層和焊接層構(gòu)成，采用濺射技術(shù)形成，導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為2μm，材料選擇為鎳。

所述LED芯片的尺寸優(yōu)選為1mm×1mm×0.25mm。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型提供的大功率LED照明燈，其擁有蒸汽室PCB基板，該基板比傳統(tǒng)的絕緣金屬PCB基板導(dǎo)電性更好，并且具有良好的熱性能。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型提供的一種LED照明燈的整體結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本實(shí)用新型LED照明燈的局部放大層疊結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型提供了一種大功率LED照明燈，其包括：蒸汽室PCB基板、金屬層、介電層和LED芯片陣列。

所述蒸汽室PCB基板與介電層相接，所述介電層與所述金屬層相接，所述金屬層與所述LED芯片陣列相接。

所述蒸汽室PCB基板進(jìn)一步具體由金屬鋁中空管制成，該中空管通過燒結(jié)形成一個(gè)具有若干蒸汽空間的槽狀基板，在基板的一邊連接有鋁材料制成的鋁翅，進(jìn)一步優(yōu)選蒸汽室PCB基板的尺寸為50mm×47mm×4mm。

在中空管中流有散熱液體，優(yōu)選為丙酮。

本實(shí)用新型提供的具有若干蒸汽空間的槽狀基板通過軸向的槽和重力協(xié)助作用產(chǎn)生毛細(xì)管驅(qū)動(dòng)力從而傳輸中空管中的流體。

本實(shí)用新型采用濺射的方式在蒸汽室PCB基板上形成AIN材料的介電層，其厚度優(yōu)選為33-35μm，進(jìn)一步優(yōu)選介電層的尺寸為35mm×35mm×30μm。

金屬層進(jìn)一步由導(dǎo)電層和焊接層構(gòu)成，采用濺射技術(shù)形成，導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為2μm，材料選擇為鎳。

所述LED芯片的尺寸優(yōu)選為1mm×1mm×0.25mm。

以下采用實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，借此對(duì)本實(shí)用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。

結(jié)合圖1至圖2所示，一種大功率LED照明燈，其包括：蒸汽室PCB基板1、金屬層2、介電層3和LED芯片陣列4。所述蒸汽室PCB基板1與介電層3相接，所述介電層3與所述金屬層2相接，所述金屬層2與所述LED芯片陣列4相接。所述蒸汽室PCB基板1進(jìn)一步具體由金屬鋁中空管制成，該中空管通過燒結(jié)形成一個(gè)具有若干蒸汽空間的槽狀基板，在基板的一邊連接有鋁材料制成的鋁翅5，蒸汽室PCB基板的尺寸為50mm×47mm×4mm，在中空管中流有散熱液體丙酮。介電層3的材料為AIN材料，介電層的3尺寸為35mm×35mm×30μm，金屬層由導(dǎo)電層和焊接層構(gòu)成，采用濺射技術(shù)形成，導(dǎo)電層的厚度為2μm，材料為鎳。所述LED芯片的尺寸為1mm×1mm×0.25mm。

所有上述的首要實(shí)施這一知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并沒有設(shè)定限制其他形式的實(shí)施這種新產(chǎn)品和/或新方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員將利用這一重要信息，上述內(nèi)容修改，以實(shí)現(xiàn)類似的執(zhí)行情況。但是，所有修改或改造基于本實(shí)用新型新產(chǎn)品屬于保留的權(quán)利。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非是對(duì)本實(shí)用新型作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。