Sip高壓高顯led光源模組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種SIP高壓高顯光源模組,包括熒光膠層、發(fā)光芯片、圍壩點(diǎn)膠層、LED陶瓷底板、將交流電轉(zhuǎn)換成恒壓直流電的整流及恒流組件以及晶片電極焊盤;發(fā)光芯片固定在LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域上,圍壩點(diǎn)膠層固定在發(fā)光芯片的四周,熒光膠層涂覆在發(fā)光芯片的上表面,晶片電極焊盤固定在LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域,整流及恒流組件固定在陶瓷底板發(fā)光區(qū)域的外側(cè),整流及恒流組件一端通入交流電,另一端將轉(zhuǎn)換為恒流的直流電輸送入晶片電極焊盤中。本發(fā)明提供的SIP高壓高顯LED光源模組,可使用高壓交流電220V直接驅(qū)動,安裝極其方便、使用簡單。本發(fā)明利用晶圓二極管作為整流橋,同時也用晶圓級IC對整流出來的電流作恒流處理,這樣保證了LED發(fā)光所需的電流。
【專利說明】SIP局壓局顯LED光源模組
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及LED照明光源模組【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種SIP高壓高顯LED光源模 組。
【背景技術(shù)】
[0002] 如今的LED光源模組技術(shù),使用時都要外加一個驅(qū)動電源,這也就使得成品制作 時外觀設(shè)計(jì)和整體的觀覺效果大打折扣。
[0003] 目前產(chǎn)品中,依靠藍(lán)色光與YAG/TAG/氮化物等等系列熒光粉激發(fā)出的白光顯 色性指數(shù)相對較低,雖然有用氮化物的紅粉或綠粉相互補(bǔ)償,但是450-460nm的藍(lán)光在 620-650nm紅粉或518-540nm綠粉的發(fā)光峰值波長激發(fā)值(穿透率或中和率)很小,以致產(chǎn) 品亮度較低,同時使用過程中也會有較大的光衰。采用藍(lán)光LED同時激發(fā)黃色和紅色兩種 熒光粉,通過提高紅色熒光粉的含量,可以獲得低色溫和高顯色性白光LED。這種方法的優(yōu) 點(diǎn)在于兩種熒光粉混合均勻,使得LED器件產(chǎn)生的藍(lán)光、黃光和紅光在整個空間比較容易 均勻混色,可以預(yù)期器件的空間色度均勻性較好。但其缺點(diǎn)在于,目前,紅色熒光粉的量子 效率較低,致使整個器件的發(fā)光效率不高,加入紅色熒光粉后,器件的發(fā)光效率幾乎降低了 一半。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 針對上述技術(shù)中存在的不足之處,本發(fā)明提供一種采用交直流轉(zhuǎn)變技術(shù),融合了 LED晶片集成技術(shù)、圖像還原技術(shù),整套模組具有高穩(wěn)定性、高亮度、高顯色、低炫光等特點(diǎn) 的SIP高壓高顯LED光源模組。
[0005] 為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明一種SIP高壓高顯LED光源模組包括熒光膠層、發(fā)光 芯片、圍壩點(diǎn)膠層、LED陶瓷底板、將交流電轉(zhuǎn)換成恒壓直流電的整流及恒流組件以及晶片 電極焊盤;所述的發(fā)光芯片固定在LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域上,所述的圍壩點(diǎn)膠層固定 在發(fā)光芯片的四周,所述熒光膠層涂覆在發(fā)光芯片的上表面,所述晶片電極焊盤固定在LED 陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域,所述的整流及恒流組件固定在陶瓷底板發(fā)光區(qū)域的外側(cè),整流及 恒流組件一端通入交流電,另一端將轉(zhuǎn)換為恒流的直流電輸送入晶片電極焊盤中。
[0006] 其中,所述的熒光膠層部分包括鋁酸鹽-YAG、硅酸鹽-TAG熒光粉以及硅膠,硅膠 和熒光粉混合覆蓋在發(fā)光芯片上,形成熒光膠層。
[0007] 其中,所述的發(fā)光芯片包括WD450-460nmLED藍(lán)光芯片和WD620-630nmLED紅光芯 片,所述的LED藍(lán)光芯片和LED紅光芯片通過連接導(dǎo)線,交錯排布串聯(lián)成一條直線,固定在 LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域。
[0008] 其中,所述的整流及恒流組件包括整流晶圓固焊塊、將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的整 流晶圓以及將整流出來的電流做橫流處理的整流晶圓1C,所述的整流晶圓固焊塊連接整流 晶圓,整流晶圓連接整流晶圓1C。
[0009] 其中,所述的SIP高壓高顯光源模組還包括AC輸入端,所述的AC輸入端設(shè)置在 LED陶瓷底板的發(fā)光區(qū)域的外側(cè),AC輸入端連接著外部交流電和整流晶圓。
[0010] 其中,所述的晶片電極焊盤呈長條形,兩片晶片電極焊盤對稱固定在LED陶瓷底 板的發(fā)光區(qū)域邊緣處,所述的第一片晶片電極焊盤分別與電源正極和光源正極連接,所述 的第二片晶片電極焊盤分別與電源負(fù)極和光源負(fù)極連接。
[0011] 其中,所述的SIP高壓高顯光源模組還包括作為保護(hù)層的IC封裝層,所述的IC封 裝層呈不規(guī)則形狀的涂覆在LED陶瓷底板的整流及恒流組件上。
[0012] 其中,所述的SIP高壓高顯光源模組還包括陶瓷底板固定孔,兩固定孔呈中心對 稱的設(shè)置在LED陶瓷底板的邊緣位置。
[0013] 本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的光源模組可使用高壓交流電 220V直接驅(qū)動,安裝極其方便、使用簡單。本發(fā)明利用晶圓二極管作為整流橋,同時也 用晶圓級IC對整流出來的電流作恒流處理,這樣保證了 LED發(fā)光所需的電流。光譜由 WD450-460nmLED藍(lán)光芯片、WD620-630nmLED紅光芯片與540-570nm黃色光譜鋁酸鹽-YAG 或硅酸鹽-TAG熒光粉組成,在不使用氮化物熒光粉的情況下,同時也增加了紅色光譜,產(chǎn) 品的顯色指數(shù)得到較好提升,而且這種新型的LED集成高顯色模組,可以有效的提高光源 模組的發(fā)光效率,按2000H來講,此新型的LED集成高顯色模組光通量維掛率可達(dá)到90%以 上。本發(fā)明采用交直流轉(zhuǎn)變技術(shù),融合了 LED晶片集成技術(shù)、圖像還原技術(shù),整套模組具有 高穩(wěn)定性、高亮度、高顯色、低炫光等特點(diǎn)。
[0014] 本發(fā)明部分技術(shù)性能指標(biāo)對比:
【權(quán)利要求】
1. 一種SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,包括熒光膠層、發(fā)光芯片、圍壩點(diǎn)膠層、 LED陶瓷底板、將交流電轉(zhuǎn)換成恒壓直流電的整流及恒流組件以及晶片電極焊盤;所述的 發(fā)光芯片固定在LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域上,所述的圍壩點(diǎn)膠層固定在發(fā)光芯片的四 周,所述熒光膠層涂覆在發(fā)光芯片的上表面,所述晶片電極焊盤固定在LED陶瓷底板的發(fā) 光面區(qū)域,所述的整流及恒流組件固定在陶瓷底板發(fā)光區(qū)域的外側(cè),整流及恒流組件一端 通入交流電,另一端將轉(zhuǎn)換為恒流的直流電輸送入晶片電極焊盤中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的熒光膠層部分包 括鋁酸鹽-YAG、硅酸鹽-TAG熒光粉以及硅膠,硅膠和熒光粉混合覆蓋在發(fā)光芯片上,形成 突光膠層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的發(fā)光芯片包括 WD450-460nm LED藍(lán)光芯片和WD620-630nm LED紅光芯片,所述的LED藍(lán)光芯片和LED紅光 芯片通過連接導(dǎo)線,交錯排布串聯(lián)成一條直線,均勻的固定在LED陶瓷底板的發(fā)光面區(qū)域。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的整流及恒流組件 包括整流晶圓固焊塊、將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的整流晶圓以及將整流出來的電流做橫流處 理的整流晶圓1C,所述的整流晶圓固焊塊連接整流晶圓,整流晶圓連接整流晶圓1C。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的SIP高壓高顯光 源模組還包括AC輸入端,所述的AC輸入端設(shè)置在LED陶瓷底板的發(fā)光區(qū)域的外側(cè),AC輸 入端連接著外部交流電和整流晶圓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的晶片電極焊盤呈 長條形,兩片晶片電極焊盤對稱固定在LED陶瓷底板的發(fā)光區(qū)域邊緣處,所述的第一片晶 片電極焊盤分別與電源正極和光源正極連接,所述的第二片晶片電極焊盤分別與電源負(fù)極 和光源負(fù)極連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的SIP高壓高顯光 源模組還包括作為保護(hù)層的1C封裝層,所述的1C封裝層呈不規(guī)則形狀的涂覆在LED陶瓷 底板的整流及恒流組件上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIP高壓高顯光源模組,其特征在于,所述的SIP高壓高顯光 源模組還包括陶瓷底板固定孔,兩固定孔呈中心對稱的設(shè)置在LED陶瓷底板的邊緣位置。
【文檔編號】F21S2/00GK104500995SQ201410621811
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】鄒義明 申請人:深圳市新月光電有限公司