放射線靶及其生產(chǎn)方法
【專利摘要】提供了一種放射線發(fā)射靶和放射線產(chǎn)生設(shè)備，其通過保持層狀放射線靶的穩(wěn)定粘合降低了由于操作和溫度歷史導(dǎo)致的輸出變化，并且實現(xiàn)了穩(wěn)定放射線發(fā)射特性。放射線靶包括支撐基板、當(dāng)被電子束照射時發(fā)射放射線的靶層以及位于支撐基板和靶層之間的中間層。中間層具有1μm或更小的厚度，并且包含鈦作為主要成分。鈦的至少一部分在400℃或更低顯現(xiàn)β相。
【專利說明】放射線靶及其生產(chǎn)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及適合于醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域中的診斷應(yīng)用、非破壞性放射線照相等的 透射型放射線靶，以及透射型放射線靶的生產(chǎn)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 放射線靶的公知示例是透射型靶。由于透射性靶具有電子發(fā)射源、靶和放射線提 取窗口可排成一行對齊的優(yōu)點，因此期望透射型靶應(yīng)用于最小化的、高分辨率的放射線產(chǎn) 生設(shè)備中。
[0003] PTL1公開了一種陽極，包含鎢設(shè)置在其上的鈹基板。PTL1還公開了如下一種方 法，該方法通過在鎢與鈹基板之間設(shè)置由銅、鉻、鐵、鈦等構(gòu)成的中間層來防止由于鎢與鈹 基板之間的線性膨脹量的差產(chǎn)生的應(yīng)力而導(dǎo)致鎢與鈹基板分離。PTL2公開了如下一種方 法，該方法通過在由銅合金或者銀合金構(gòu)成的金屬基材與由諸如鑰、鉻、鎢、金、銀、銅或者 鐵的金屬材料構(gòu)成的靶層之間設(shè)置作為熱擴散層的中間層，提高用于發(fā)散在靶層中產(chǎn)生的 熱的冷卻效率。中間層由銅或銀與金剛石粉末或鈦的混合物構(gòu)成。
[0004] PTL1 :日本專利特開 No. 2000-306533
[0005] PTL2:日本專利特開 No. 2002-93355


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 技術(shù)問題
[0007] 現(xiàn)有的具有中間層的透射型靶在測試運行中有時顯現(xiàn)輸出放射線強度逐漸減小。 盡管導(dǎo)致輸出變化的機理還未被清楚確定，但是推測起來其與中間層的粘合性的改變有 關(guān)。
[0008] 本發(fā)明的一個目的是通過在延長的時間段上保持靶層粘合性來減小輸出放射線 強度變化，并且獲得在強度方面穩(wěn)定的輸出放射線。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的放射線靶包括支撐基板、在被電子束照射時發(fā)射放射線的靶層、以 及位于支撐基板和靶層之間的中間層。中間層的厚度為lym或更小，并且包含鈦作為主要 成分。鈦的至少一部分在400°C或更小顯現(xiàn)β相。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的放射線靶的生產(chǎn)方法包括以下步驟：在基板上形成包含鈦和選自 V、Nb和Ta中的至少一種金屬的第一層；在第一層上形成包含靶金屬的第二層；以及執(zhí)行 β相穩(wěn)定化處理，在該處理中第一層被保持為600°C或更大且1600°C或更小。
[0011] 發(fā)明的有利效果
[0012] 根據(jù)本發(fā)明，即使在延長的操作時間段上仍可保持支撐基板和靶層之間的穩(wěn)定的 粘合，這導(dǎo)致由靶層的溫度升高導(dǎo)致的輸出放射線強度的變化減小。因此，可提供具有高度 可靠的放射線發(fā)射特性的放射線靶。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的放射線靶的截面圖。
[0014] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的放射線產(chǎn)生設(shè)備的截面圖。
[0015] 圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明的另一放射線靶的截面圖。
[0016] 圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明的另一放射線靶的截面圖。
[0017] 圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明的另一放射線靶的截面圖。
[0018] 圖3D是示出根據(jù)本發(fā)明的另一放射線靶的截面圖。
[0019] 圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的放射線產(chǎn)生管的截面圖。
[0020] 圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的放射線產(chǎn)生管的截面圖。
[0021] 圖5是用于測量放射線產(chǎn)生管的輸出放射線強度的測量系統(tǒng)的框圖。
[0022] 圖6是Ti-V系統(tǒng)的平衡狀態(tài)圖。
[0023] 圖7A是示出本發(fā)明的放射線靶的制造過程的框圖。
[0024] 圖7B是示出本發(fā)明的放射線靶的制造過程的框圖。
[0025] 圖7C是示出本發(fā)明的放射線靶的制造過程的框圖。
[0026] 圖7D是示出本發(fā)明的放射線靶的制造過程的框圖。
[0027] 圖7E是示出本發(fā)明的放射線靶的制造過程的框圖。
[0028] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的放射線照相系統(tǒng)的框圖。

【具體實施方式】
[0029] 現(xiàn)在將描述放射線產(chǎn)生管1。圖4A和4B是示出根據(jù)本發(fā)明的放射線產(chǎn)生管1的 截面圖，該放射線產(chǎn)生管1包括放射線靶（下文被簡稱為靶）8。放射線產(chǎn)生管1至少包括 具有被保持真空的內(nèi)部空間12的外封殼（envelope)6、設(shè)置在外封殼6內(nèi)的電子發(fā)射源3、 以及靶8。靶8設(shè)置在外封殼6中并且被布置成面對電子發(fā)射源3,以便被從電子發(fā)射源3 發(fā)射的電子束5照射。
[0030] 內(nèi)部空間12中的真空度可以是任何這樣的真空度，通過該真空度可保持平均自 由程以使得電子可至少在電子發(fā)射源3和靶8之間飛行?？蓱?yīng)用的真空度是lE-4Pa或更 小。內(nèi)部空間12中的真空度可在考慮了使用的電子發(fā)射源3的類型的情況下被相應(yīng)地選 擇。在使用冷陰極電子發(fā)射源等的情況下，真空度更優(yōu)選地為lE_6Pa或更小?？蛇x地，為 了在內(nèi)部空間12中保持該真空度，可在內(nèi)部空間12中或者在與內(nèi)部空間12連通的額外空 間中安裝吸氣器。
[0031] 設(shè)置在外封殼6內(nèi)電子發(fā)射源3可以是任何電子發(fā)射源，只要電子發(fā)射量從外封 殼6的外部可控即可。熱陰極電子發(fā)射源或冷陰極電子發(fā)射源可相應(yīng)地被使用。電子發(fā)射 源3可與安裝在外封殼6外部的驅(qū)動電路14電氣連接，使得電子發(fā)射量與電子發(fā)射的通斷 狀態(tài)可經(jīng)由穿透外封殼6的電流引入端子4被控制。電子發(fā)射源3包括電子發(fā)射部2。電 子發(fā)射部2可被設(shè)置在任何位置，只要從電子發(fā)射部2發(fā)射的電子撞擊下面描述的靶8即 可。如圖4A和4B所示，電子發(fā)射部2可布置為面對靶8。電子發(fā)射部2相對于靶8被保持 為-10到-200kV的負(fù)電位。這使得從電子發(fā)射部2發(fā)射的電子束5加速至預(yù)定動能并且 撞擊靶8?？蛇x地，連接到校正電路（未示出）的校正電極可被設(shè)置以便校正靶8上的被電 子束照射的位置或像散像差。
[0032] 現(xiàn)在將描述放射線產(chǎn)生設(shè)備13。圖2是示出容納放射線產(chǎn)生管1的放射線產(chǎn)生設(shè) 備13的截面圖。放射線產(chǎn)生設(shè)備13包括封裝（package) 11、設(shè)置在封裝11內(nèi)的放射線產(chǎn) 生管1以及驅(qū)動放射線產(chǎn)生管1的驅(qū)動電路14?？蛇x地，封裝11可包括從靶8發(fā)射的放射 線通過的由玻璃、鈹?shù)葮?gòu)成的放射線提取窗口 10。當(dāng)放射線提取窗口 10被設(shè)置時，從放射 線產(chǎn)生管1發(fā)射的放射線通過放射線提取窗口 10發(fā)射到外部。為了促進從放射線產(chǎn)生管 1散熱，放射線產(chǎn)生管13可通過用絕緣液體18 (諸如硅油）填充封裝11的內(nèi)部空間17而 被提供。
[0033] 現(xiàn)在將描述靶8。如圖1所示，靶8具有層狀結(jié)構(gòu)，包括至少三個層，即包含靶物質(zhì) 的靶層82、中間層81以及支撐基板80,它們依此順序一個堆疊在另一個之上。
[0034] 靶層82位于靶8的一個表面上，該表面位于被電子照射的一側(cè)。靶層82包含重 金屬作為靶物質(zhì)。原子數(shù)為39或更大的金屬（諸如鑰和金）可被用作靶物質(zhì)。靶層82的 厚度是在考慮了目標(biāo)放射線能量、靶層82的密度以及入射電子的加速電壓的情況下被確 定的。靶層82的厚度可以是例如1到20 μ m。
[0035] 支撐基板80在結(jié)構(gòu)上支撐作為薄膜的靶層82。為了保持層狀體部的強度，支撐 基板優(yōu)選地具有100 μ m或更大的厚度（基板厚度）。更優(yōu)選地，支撐基板80具有500 μ m 或更大的厚度，這是由于在靶層82中局部產(chǎn)生的熱可被高效地釋放到靶8的外部。當(dāng)支撐 基板80包含輕元素（諸如鈹、石墨或金剛石）作為主要成分時，用作放射線透射部件的包 含支撐基板80的透射型靶8可被形成。透射型靶8允許前向放射線（其從靶8的位于被 電子束5照射的一側(cè)（下文被稱為后向）的相對側(cè)（下文被稱為前向）的表面發(fā)射）從放 射線產(chǎn)生管1或者放射線產(chǎn)生設(shè)備13離開。當(dāng)靶8被制成為透射型時，支撐基板80的最 大厚度在考慮了支撐基板的放射線透射率的情況下被確定。例如，當(dāng)透射型靶8包括由金 剛石構(gòu)成的支撐基板80時，從放射線透射率的觀點看，支撐基板優(yōu)選地具有2_或更小的 厚度。由于金剛石具有高熔點、低密度和高導(dǎo)熱性，金剛石是可用于透射型靶8的支撐基板 80的尤其優(yōu)選的材料。用于支撐基板80的金剛石可具有任何晶體結(jié)構(gòu)（諸如多晶體或單 晶體結(jié)構(gòu)），并且從導(dǎo)熱性的角度看，優(yōu)選地為單晶金剛石。
[0036] 現(xiàn)在將描述中間層81。如圖1所示，中間層81作為提高靶層82和支撐基板80之 間的粘合性的粘合層被設(shè)置。中間層81具有分別連接到靶層82和支撐基板80的兩個連 接界面。
[0037] 當(dāng)中間層81具有過小的厚度時，支撐基板80和祀層82之間的錨定力（anchoring force)變得不足，并且不能維持它們之間的粘合性。因此，中間層81優(yōu)選地具有至少lnm 或更大的厚度，或者為約10個原子層或更多。作為對比，當(dāng)中間層81具有過大的厚度時， 在靶8的放射線輸出期間的溫度改變由于支撐基板80與靶層82之間的線性膨脹性的差別 而在構(gòu)成靶8的層的界面中的每一個處導(dǎo)致應(yīng)力。這可能導(dǎo)致在微觀尺度上的弱粘合。因 此，中間層81優(yōu)選地具有1 μ m或更小的厚度。中間層81還用作將在靶8的放射線輸出期 間在靶層中產(chǎn)生的熱高效地傳遞至支撐基板80的熱傳遞層。因此，靶81的過大厚度導(dǎo)致 弱的導(dǎo)熱性，這使得靶8在放射線輸出期間過熱。這可導(dǎo)致輸出放射線強度變化。因此，中 間層81更優(yōu)選地具有0. 1 μ m或更小的厚度。應(yīng)指出，"在放射線輸出期間"指的是如下狀 態(tài)，即靶層82被從電子發(fā)射源3發(fā)射的電子束5照射并且發(fā)射具有預(yù)定強度的放射線。
[0038] 中間層81的材料需要是如下材料，通過該材料，可在與靶層82的連接界面以及與 支撐基板80的連接界面處實現(xiàn)足夠的粘合。另外，為了與要被加熱直至約1000°C的靶層 82保持層狀結(jié)構(gòu)，中間層81的材料需要具有耐熱性從而在靶8的操作期間不熔化。中間層 81的特征在于中間層81包含鈦作為主要成分，并且鈦的至少一部分顯現(xiàn)β相作為400°C 或更低的低溫相。具有這樣的特性的中間層81滿足上述耐熱性需求，并且即使當(dāng)靶8經(jīng)受 在操作和休息之間的循環(huán)溫度歷史時，仍可保持靶8的粘合性以及良好散熱性。結(jié)果，靶8 顯現(xiàn)在延長的時間段上保持高輸出穩(wěn)定性的效果。
[0039] 純鈦以兩種相存在，該兩種相在其的1670°C或更低的熔點的溫度范圍中具有 882°C的轉(zhuǎn)變溫度。一種相是被稱為α相的低溫相，其在882°C或更低的低溫區(qū)域中被顯現(xiàn) 并且具有7K方密堆積晶體結(jié)構(gòu)。另一種相是被稱為β相的1?位相，其在882°C或更1?的1? 溫區(qū)域中被顯現(xiàn)并且具有體心立方晶體結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，純鈦指的是純度為100%的鈦， 其組成中不包含與鈦形成合金的金屬元素。根據(jù)在操作期間靶層82被加熱直至約1000°C 的溫度歷史，中間層中包含的鈦重復(fù)地經(jīng)受在加熱過程中從α相到β相的相變以及在冷 卻過程中從β相到α相的相變。
[0040] 本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)確定經(jīng)歷多個操作歷史的中間層的特性，并且獲取如下知 識：已經(jīng)經(jīng)歷了多個操作歷史的靶顯現(xiàn)放射線輸出逐漸減小，中間層為包含多個晶粒的多 晶體，以及已經(jīng)經(jīng)歷了多個操作歷史的靶的中間層具有與在冷卻過程中從β相到α相的 相變有關(guān)的粗晶粒大小。
[0041] 基于這些知識，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過將包含鈦作為主要成分的中間層81配 置為顯現(xiàn)作為低溫相的β相，可防止中間層81的晶粒為粗晶粒，由此即使靶已經(jīng)經(jīng)歷了多 個操作歷史，仍可保持靶8的粘合性。
[0042] 顯現(xiàn)作為低溫相的β相的中間層81包括如下中間層，其中不必須所有的鈦都顯 現(xiàn)β相，而部分的鈦顯現(xiàn)β相。部分鈦顯現(xiàn)β相的形式包括α相和β相作為共析體共 存的形式。應(yīng)指出，在本發(fā)明中，低溫相指的是在400°C或更低的溫度范圍中的相，但是不是 鈦的特定相U相或β相）。400°C的溫度是與靶8的操作溫度和休息溫度之間的邊界溫 度相關(guān)聯(lián)的基準(zhǔn)溫度。
[0043] 為了顯現(xiàn)作為低溫相的β相，包含鈦的中間層81可具有包含作為微量組分的β 相穩(wěn)定化金屬以及作為主要組分的鈦的組成。另外，中間層81可由鈦和β相穩(wěn)定化金屬 的合金構(gòu)成。β相穩(wěn)定化金屬是在被添加到純鈦時具有如下效果的金屬，即將鈦從處于僅 包含α相的狀態(tài)改變?yōu)榘孪嗟臓顟B(tài)的鈦的相變溫度降低為低于純鈦的相變溫度。參 照圖6,現(xiàn)在將以釩為例詳細(xì)描述β相穩(wěn)定化金屬。圖6是鈦-釩系統(tǒng)的平衡狀態(tài)圖。液 相線從釩含量為〇原子百分比（純鈦）的1670°C處的點開始，通過釩含量為31原子百分比 的1608°C處的點，并且連接到釩含量為100原子百分比（純釩）的1914°C處的點。當(dāng)在液 相線之下的溫度范圍中操作時，靶8保持層之間的粘合性，這是因為它們的中間層沒有融 化。在圖6所示的純鈦（釩含量：0原子百分比）中，兩個分支曲線在更高釩含量的方向上 從882°C的α-β相變點延伸出。根據(jù)分支曲線中的位于較低溫度側(cè)的一個分支曲線（被 稱為第一變換曲線），在釩含量小于位于第一變換曲線上的任何組成的釩含量時，鈦僅顯現(xiàn) α相。作為對比，當(dāng)釩含量大于位于第一變換曲線上的任何組成的釩含量時，鈦顯現(xiàn)α相 和β相兩者以基于釩含量的比率作為共析體共存的相。根據(jù)位于較高溫度側(cè)的另一分支 曲線（被稱為第二變換曲線），當(dāng)釩含量小于位于第二變換曲線上的任何組成的釩含量時， 鈦顯現(xiàn)α相和β相兩者以基于釩含量的比率作為共析體共存的相。作為對比，當(dāng)釩含量 大于位于第二變換曲線上的任何組成的釩含量時，鈦僅顯現(xiàn)β相。
[0044] 如上所示，向純鈦添加釩在降低α 相變溫度（相變點）以低于純鈦的相變溫 度（即882°C )方面改變了相變溫度特性。因此，釩是用于鈦的β相穩(wěn)定化金屬。
[0045] 圖6僅示出400°C或更大的溫度區(qū)域。在小于400°C的低溫區(qū)域中，與在大于400°C 的溫度區(qū)域中第一變換曲線的溫度相關(guān)性相比，沒有觀察到明顯改變。另外，為了確定中間 層81的組成，在400°C或更大的第一變換曲線的行為可足夠應(yīng)用。因此，平衡狀態(tài)圖中的小 于400°C的溫度區(qū)域被省略。
[0046] 中間層81中的β相穩(wěn)定化金屬的最大含量優(yōu)選地為50原子百分比或更小，這意 味著中間層81包含鈦作為主要成分以及包含β相穩(wěn)定化金屬作為微量兀素。中間層81 需要包含鈦作為主要成分以及包含β相穩(wěn)定化金屬作為微量元素，從而中間層81實現(xiàn)與 靶層82以及與支撐基板80的靜態(tài)粘合。靜態(tài)粘合指的是與溫度歷史無關(guān)、但是主要受各 層中分別包含的材料之間的相容性支配的層之間的粘合。
[0047] 中間層81中的β相穩(wěn)定化金屬的最小含量可被從第一變換曲線確定。具體而言， 為了獲得動態(tài)粘合，優(yōu)選地，中間層81包含的β相穩(wěn)定化金屬的量為使得在400°C α相和 β相作為共析體共存的最小β相穩(wěn)定化金屬的量的1.5倍或更多。動態(tài)粘合指的是在發(fā) 生相變時隨著溫度歷史而改變的層之間的粘合。
[0048] 用于鈦的β相穩(wěn)定化金屬不限于上述的釩（V)，并且其的其它示例包括鈮（Nb)和 鉭（Ta)。換句話說，祀8的中間層81中包含的β相穩(wěn)定化金屬是選自V、Nb和Ta中的至 少一種金屬。中間層可包含其它元素，至少降低純鈦的β-α相變溫度的效果不被削弱即 可。
[0049] 使得在400°C α相鈦和β相鈦作為共析體共存的最小釩、鈮和鉭含量分別為2. 2 原子百分比、1. 8原子百分比和2. 0原子百分比，它們?yōu)榇笾孪嗤暮?。因此，通過包含 3. 3原子百分比或更多且50原子百分比或更少的β相穩(wěn)定化金屬，中間層81可穩(wěn)定地顯 現(xiàn)作為低溫相的β相，而不管β相穩(wěn)定化金屬的類型如何。
[0050] 當(dāng)中間層81由在中間層81的面內(nèi)方向上平均晶粒大小為0. 1 μ m或更小的多晶 體構(gòu)成時，即使在中間層81具有長的操作和溫度歷史的情況下，仍可較高程度地防止鈦的 晶粒的粗糖化。
[0051] 現(xiàn)在將參照圖7A至7E描述靶8的生產(chǎn)方法。如圖7A中所示，準(zhǔn)備基板（支撐基 板）80。然后，如圖7B所示，在基板80上形成第一層（中間層）81。作為用于形成第一層的 方法，諸如濺射、真空沉積和CVD的干式沉積技術(shù)、以及包括執(zhí)行諸如旋轉(zhuǎn)噴涂以及噴墨打 印的濕式沉積技術(shù)并隨后烘焙所得到的層的方法可被應(yīng)用。在準(zhǔn)備基板80的步驟中，在沉 積之前，優(yōu)選地，至少清潔要在其上形成第一層81的表面以去除有機物。然后，如圖7C所 示，在第一層上形成第二層（靶層）72。作為用于形成第二層的方法，濺射方法、真空沉積、 CVD方法等可被相應(yīng)地應(yīng)用。
[0052] 現(xiàn)在將描述在根據(jù)本發(fā)明的靶的生產(chǎn)方法中在形成第一層的步驟中向基板80 添加的各種金屬成分的量。中間層81中的優(yōu)選的β相穩(wěn)定化金屬濃度

【權(quán)利要求】
1. 一種放射線靶，包括支撐基板、當(dāng)被電子束照射時發(fā)射放射線的靶層以及位于支撐 基板和靶層之間的中間層， 其中，中間層具有1 μ m或更小的厚度，并且包含鈦作為主要成分，并且其中，鈦的至少 一部分在400°C或更低顯現(xiàn)β相。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線靶，其中，中間層包含β相穩(wěn)定化金屬作為微量成分， β相穩(wěn)定化金屬在被添加到純鈦時使得鈦從處于僅包含α相的狀態(tài)改變?yōu)樘幱诎孪?的狀態(tài)的鈦的相變溫度降低為小于純鈦的相變溫度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射線靶，其中，中間層由鈦和β相穩(wěn)定化金屬的合金構(gòu)成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的放射線靶，其中，β相穩(wěn)定化金屬是選自V、Nb和Ta的 至少一種金屬。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的放射線靶，其中，中間層包含的β相穩(wěn)定化金 屬的量是使得α相鈦和β相鈦在400°C作為共析體共存的最小β相穩(wěn)定化金屬含量的 1.5倍或更多。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項所述的放射線靶，其中，中間層包含3. 3原子百分比或更 大且50原子百分比或更小的β相穩(wěn)定化金屬。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項所述的放射線靶，其中，中間層由具有在中間層的面內(nèi) 方向上測量的〇. 1 μ m或更小的平均晶粒大小的多晶體構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項所述的放射線靶，其中，中間層具有l(wèi)nm或更大的厚 度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的放射線靶，其中，支撐基板用作透射從靶層發(fā)射 的放射線的至少一部分的放射線透射部件。
10. -種放射線產(chǎn)生管，包括：外封殼；發(fā)射電子束的電子發(fā)射源，電子發(fā)射源位于外 封殼內(nèi)；以及在被電子束照射時發(fā)射放射線的放射線靶，其中，所述放射線靶是根據(jù)權(quán)利要 求1-9中任一項所述的放射線靶。
11. 一種放射線產(chǎn)生設(shè)備，包括：封裝；設(shè)置在封裝內(nèi)的放射線產(chǎn)生管，以及驅(qū)動放射 線產(chǎn)生管的驅(qū)動電路，其中，所述放射線產(chǎn)生管是根據(jù)權(quán)利要求10所述的放射線產(chǎn)生管。
12. -種放射線照相系統(tǒng)，包括：根據(jù)權(quán)利要求11所述的放射線產(chǎn)生設(shè)備；檢測從放射 線產(chǎn)生設(shè)備發(fā)射的并且通過被檢體的放射線的放射線檢測器；以及執(zhí)行放射線產(chǎn)生設(shè)備和 放射線檢測器的協(xié)同控制的控制器。
13. -種用于生產(chǎn)放射線靶的方法，所述方法包括以下步驟： 在基板上形成第一層，第一層包含鈦以及選自V、Nb和Ta的至少一種金屬； 在第一層上形成包含祀金屬的第二層；以及 執(zhí)行β相穩(wěn)定化處理，在所述β相穩(wěn)定化處理中第一層被保持在60(TC或更高且 1600°C或更低。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方法，其中，β相穩(wěn)定化處理包括熔 體化處理和時效硬化處理中的至少一個，在所述熔體化處理中，第一層被保持在900°C或更 高且1600°C或更低，在所述時效硬化處理中，第一層被保持在600°C或更高且880°C或更 低。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方法，其中，所述熔體化處理或所述 時效硬化處理在形成第二層的步驟之前執(zhí)行。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方法，其中，所述熔體化處理或所述 時效硬化處理在形成第二層的步驟中執(zhí)行。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方法，其中，所述熔體化處理或所述 時效硬化處理在形成第二層的步驟之后執(zhí)行。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13至16中任一項所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方法，其中，在形成第 一層的步驟中，添加到基板的選自V、Nb和Ta的所述至少一種金屬的量相對于添加到基板 的鈦的量以原子比表示為〇. 035或更大且1或更小。
19. 一種用于生產(chǎn)放射線產(chǎn)生管的方法，所述放射線產(chǎn)生管包括外封殼；發(fā)射電子束 的電子發(fā)射源，電子發(fā)射源位于外封殼內(nèi)；以及在被電子束照射時發(fā)射放射線的放射線靶， 其中，所述放射線靶是通過根據(jù)權(quán)利要求13到17中任一項所述的用于生產(chǎn)放射線靶的方 法而生產(chǎn)的。
20. -種用于生產(chǎn)放射線產(chǎn)生設(shè)備的方法，所述放射線產(chǎn)生設(shè)備包括封裝，設(shè)置在封裝 內(nèi)的放射線產(chǎn)生管，以及驅(qū)動放射線產(chǎn)生管的驅(qū)動電路，其中，所述放射線產(chǎn)生管是通過根 據(jù)權(quán)利要求18所述的生產(chǎn)方法而生產(chǎn)的。
【文檔編號】H01J35/18GK104067367SQ201280067869
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2012年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月23日
【發(fā)明者】小倉孝夫, 伊藤靖浩 申請人:佳能株式會社