專利名稱：半導體背散射電子探測器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種半導體背散射電子探測器，應用于掃描電子顯微鏡。
背景技術：
現(xiàn)有技術中，習慣將能量高于50電子伏的稱為背散射的一次電子(即背散射電子)，而能量低于50電子伏的稱為真正的二次電子(即二次電子)。能接收背散射一次電子的探測器有羅賓遜探測器和半導體探測器等。電子束轟擊樣品表面產(chǎn)生的背散射電子(一次電子)，由半導體探測器接收、傳遞。半導體探測器接收背散射電子從位置上講，包容角大、距離近，這樣接收能量信息最多。半導體探測器(半導體背散射電子探測器簡稱)是掃描電子顯微鏡中接受樣品電子信息的第一単位器件，是第一個位于參加形貌成像關鍵元件。半導體探測器從形態(tài)分為二分割和四分割。現(xiàn)有的半導體背散射電子探測器，大多采用四分割環(huán)形結(jié)構，這種四象限環(huán)形結(jié)構都是由ー個完整的圓形硅片加工而成，將一整塊圓形硅片分為四個単元，并在所述圓形硅片中間加工一個圓形的孔用于通過電子束。一方面，由于硅片十分脆弱，加工圓孔時特別容易破碎，導致上述加工過程十分困難，エ藝復雜，成品率低；另一方面，將整個圓形硅片分為四個單元，光刻分區(qū)也存在困難之處。故，需要一種新的半導體背散射電子探測器以解決上述問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術存在的不足，提供ー種結(jié)構簡單，成本低廉，カロエ效率高，報廢率低并且不影響成像的半導體背散射電子探測器。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實用新型半導體背散射電子探測器可采用如下技術方案—種半導體背散射電子探測器，包括襯板、設置在所述襯板上的四個長方形硅片和電子束孔，四個長方形硅片內(nèi)分別設置有導線并形成四個獨立的単元，四個長方形硅片首尾相接圍成ー個正方形區(qū)域，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域內(nèi)。與背景技術相比，本實用新型半導體背散射電子探測器通過四個長方形硅片首尾相接形成一個電子探測區(qū)域，克服現(xiàn)有技術中將一整塊圓形硅片分為四個單元以及在所述圓形硅片上打孔加工困難，エ藝復雜，成品率低的缺陷，本實用新型的半導體背散射電子探測器結(jié)構簡單，加工效率高，成本低廉，報廢率低并且不影響成像。本實用新型中，優(yōu)選的，所述四個長方形硅片的大小形狀相同，且所述四個長方形硅片的長邊大于所述正方形區(qū)域的邊長。此結(jié)構能夠保證所述半導體背散射電子探測器的対稱性，且相鄰長方形硅片之間間隙盡可能小，能夠有效利用襯板空間，降低成本。所述電子束孔的形狀為正方形，所述電子束孔的四個邊與所述正方形區(qū)域的四個邊分別平行。此結(jié)構可以最大限度的利用所述長方形硅片圍成的正方形區(qū)域，有利于電子穿過同時可以增大襯板利用率。[0011]本實用新型中，優(yōu)選的，所述襯板的形狀為正方形，同時所述所述電子束孔的形狀為正方形，所述電子束孔的四個邊與所述正方形區(qū)域的四個邊分別平行，所述電子束孔的四個邊與所述襯板的四個邊分別平行。此結(jié)構可以最大限度的利用所述長方形硅片圍成的正方形區(qū)域，有利于電子穿過同時可以增大襯板利用率。同時可以提高長方形硅片外部區(qū)域的襯板使用效率，降低成本。本實用新型中，優(yōu)選的，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域中部。此結(jié)構有利于電子穿過同時可以保證 所述探測器的高對稱。本實用新型中，優(yōu)選的，所述導線位于所述長方形硅片的短邊上。此結(jié)構可以有效降低導線所占襯板空間，降低成本。

圖I是本實用新型半導體背散射電子探測器示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例，進ー步闡明本實用新型，應理解這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍，在閱讀了本實用新型之后，本領域技術人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。請參閱圖I所示，本實用新型半導體背散射電子探測器，該半導體背散射電子探測器ー種半導體背散射電子探測器，包括襯板I、設置在所述襯板I上的四個長方形硅片2，3，4，5和電子束孔6，四個長方形硅片2，3，4，5內(nèi)分別設置有導線8，9，10，11并形成四個獨立的単元，四個長方形硅片2，3，4，5首尾相接圍成ー個正方形區(qū)域7，所述電子束孔6位于所述正方形區(qū)域7內(nèi)。此結(jié)構簡單，加工方便，成本低廉，可以有效減少報廢率并且不影響成像效果。所述四個長方形硅片2，3，4，5的大小形狀相同，且所述四個長方形硅片2，3，4，5的長邊大于所述正方形區(qū)域7的邊長。此結(jié)構能夠保證所述半導體背散射電子探測器的対稱性，且相鄰長方形硅片之間間隙盡可能小，能夠有效利用襯板空間，降低成本。所述電子束孔6的形狀為正方形。所述電子束孔6的四個邊與所述正方形區(qū)域7的四個邊分別平行。所述襯板I的形狀為正方形。所述電子束孔6的四個邊與所述襯板I的四個邊分別平行。所述電子束孔6位于所述正方形區(qū)域7中部。所述導線8，9，10，11分別位于所述長方形硅片2，3，4，5的短邊上。上述改進能更有效的提高襯板利用率，降低成本，提高對稱度。如上所述，本實用新型半導體背散射電子探測器采用一個襯板和設置在所述襯板上的四個長方形硅片，四個長方形硅片上分別設置有導線形成四個獨立的単元，四個長方形硅片首尾相接圍成ー個正方形區(qū)域。此結(jié)構簡單，方便加工，降低探測器成本和報廢率的同時不影響成像。
權利要求1.一種半導體背散射電子探測器，其特征在于包括襯板(I)、設置在所述襯板(I)上的四個長方形硅片(2，3，4，5)和電子束孔(6)，四個長方形硅片(2，3，4，5)內(nèi)分別設置有導線(8，9，10,11)并形成四個獨立的単元，四個長方形硅片(2，3，4，5)首尾相接圍成ー個正方形區(qū)域(7)，所述電子束孔(6)位于所述正方形區(qū)域(7)內(nèi)。
2.如權利要求I所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述四個長方形硅片(2，3，4，5)的大小形狀相同，且所述四個長方形硅片(2，3，4，5)的長邊大于所述正方形區(qū)域(7)的邊長。
3.如權利要求2所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述電子束孔(6)的形狀為正方形。
4.如權利要求3所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述電子束孔(6)的四個邊與所述正方形區(qū)域(7)的四個邊分別平行。
5.如權利要求4所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述襯板(I)的形狀為正方形。
6.如權利要求5所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述電子束孔(6)的四個邊與所述襯板(I)的四個邊分別平行。
7.如權利要求1-6任一項所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述電子束孔(6)位于所述正方形區(qū)域(7)中部。
8.如權利要求1-6任一項所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述導線(8,9, 10，11)位于所述長方形硅片(2，3,4,5)的短邊上。
9.如權利要求7所述的半導體背散射電子探測器，其特征在于，所述導線(8，9，10，11)位于所述長方形硅片(2，3,4,5)的短邊上。
專利摘要一種半導體背散射電子探測器，包括襯板、設置在所述襯板上的四個長方形硅片和電子束孔，四個長方形硅片內(nèi)分別設置有導線并形成四個獨立的單元，四個長方形硅片首尾相接圍成一個正方形區(qū)域，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域內(nèi)。所述的半導體背散射電子探測器結(jié)構簡單，加工效率高，成本低廉，報廢率低并且不影響成像。
文檔編號H01J37/28GK202434463SQ20122005621
公開日2012年9月12日 申請日期2012年2月21日 優(yōu)先權日2012年2月21日
發(fā)明者陳芹純 申請人:南京特能電子有限公司