一種反應(yīng)腔室的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種反應(yīng)腔室，包括腔室、位于所述腔室內(nèi)部的靜電卡盤、內(nèi)襯以及基座，所述基座用于支撐所述靜電卡盤，所述內(nèi)襯上設(shè)置有多個通風(fēng)孔，所述基座包括支撐部分、連接部分以及安裝部分，其中：所述支撐部分位于所述靜電卡盤正下方并支撐所述靜電卡盤；所述連接部分的一側(cè)與所述支撐部分相連接，且所述連接部分在所述內(nèi)襯上的正投影是從腔室壁指向腔室中心的方向上寬度逐漸減??；所述安裝部分與所述連接部分的另一側(cè)相連接，所述安裝部分用于將所述基座固定在所述腔室的側(cè)壁上。通過連接部分的非等寬的設(shè)計，改善了對上方內(nèi)襯的遮擋，使得基座上方的內(nèi)襯上的通風(fēng)孔在徑向上的對稱性得到了提高，從而增加基座上方氣流分布的徑向均勻性，提高了工藝均勻性。
【專利說明】一種反應(yīng)腔室
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種用于等離子刻蝕設(shè)備中的反
應(yīng)腔室。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代集成電路的發(fā)展對芯片的集成度不斷提出更高的要求，包括在單一芯片上集成更多的半導(dǎo)體元器件，從而使得芯片具有更高的電路密度。為了獲得更高的電路密度，需要減小半導(dǎo)體元器件的關(guān)鍵尺寸。隨著關(guān)鍵尺寸的減少，使得半導(dǎo)體元器件的制造更為困難，為了提高成品率，對硅片上工藝均勻性提出了更高的要求。在等離子刻蝕工藝中，氣流是影響工藝均勻性的一個重要因素。
[0003]圖1示出了一種采用下抽氣方式的等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)簡圖，如圖1所示，該等離子體刻蝕機(jī)包括腔室101、進(jìn)氣口 102、靜電卡盤103、硅片104、鋁基座105、內(nèi)襯106以及出氣口 107。其中，工藝氣體從進(jìn)氣口 102進(jìn)入腔室101中，并被激發(fā)為等離子體，等離子體被內(nèi)襯106限制在硅片104附近的一定區(qū)域內(nèi)，并與硅片104發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)后的氣體通過內(nèi)襯106上的通風(fēng)孔被真空泵從腔室的出氣口 107抽走。在這個過程中，由于內(nèi)襯106對氣體的引流作用，使得等離子體在硅片104的圓周方向上形成環(huán)形氣流場，從而與硅片104充分反應(yīng)。
[0004]圖2A示出了內(nèi)襯106的俯視圖，如圖2A所示，內(nèi)襯106上開設(shè)的通風(fēng)孔呈現(xiàn)放射性均勻分布，這些通風(fēng)孔作為氣體流過的通道起到引流的作用。圖2B示出了鋁基座105的俯視圖，如圖2B所示，鋁基座105包括左邊圓環(huán)形狀的支撐部分以及右邊等寬設(shè)計的安裝部分。圖3A示出了內(nèi)襯106和鋁基座105的俯視圖，如圖3A所示，內(nèi)襯上的部分通風(fēng)孔被下方的鋁基座105遮擋。圖3B示出了在圖3A中A-A方向上內(nèi)襯106和鋁基座105的截面不意圖，其中，招基座105位于內(nèi)襯106的下方，并且由于招基座105的遮擋，使得招基座105上方內(nèi)襯106的引流變得不均勻。從圖3A和圖3B中可以看出，由于內(nèi)襯106上部分通風(fēng)孔被下方的鋁基座105遮擋，使得通過通風(fēng)孔抽出的氣流在徑向和周向上都不均勻，從而造成氣流在硅片104的徑向和周向上的不對稱，影響工藝的均勻性。
[0005]為了對由于鋁基座的遮擋所造成的氣體的不均勻進(jìn)行改善，中國專利文獻(xiàn)I (
【發(fā)明者】廖鳳英 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司