專利名稱：發(fā)光器件封裝件及照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種發(fā)光模塊。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)可以通過(guò)使用GaAs、AlGaAs、GaN, InGaN和InGaAIP基化合物半導(dǎo)體材料來(lái)構(gòu)成發(fā)光源。將這種LED封裝以用作發(fā)出具有各種顏色的光的發(fā)光器件封裝件。發(fā)光器件封裝件作為光源用于各種產(chǎn)品如表現(xiàn)出顏色的照明指示器、字符指示器和圖像指示器中。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方案提供了一種具有新結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件封裝件。實(shí)施方案提供了一種能夠確保樹脂構(gòu)件與本體之間的粘附強(qiáng)度的發(fā)光器件封裝件。根據(jù)實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件封裝件，包括包括腔的本體、在腔中的至少一個(gè)發(fā)光器件、填充在腔中同時(shí)覆蓋發(fā)光器件的樹脂構(gòu)件、以及在腔的側(cè)面上的反射層。形成反射層同時(shí)使腔的上部區(qū)域開放。如上所述，根據(jù)本公開的發(fā)光器件封裝件，反射層選擇性地僅形成在本體中的腔的側(cè)面的下部區(qū)域中，并且填充在腔的上部中的樹脂構(gòu)件直接粘附到本體。因此，可以改善樹脂構(gòu)件與本體之間的氣密性。此外，可以通過(guò)腔的側(cè)面上的反射層來(lái)改善發(fā)光效率。


圖I是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；圖2是沿著圖I中示出的發(fā)光器件封裝件的線I-Γ截取的截面圖；圖3是示出圖I的發(fā)光二極管的截面圖；圖4是示出根據(jù)本公開第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖；圖5是示出根據(jù)本公開第三實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖；圖6是示出根據(jù)本公開第四實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；圖7是沿著圖6中示出的發(fā)光器件封裝件的線I-Γ截取的截面圖；圖8是示出根據(jù)本公開第五實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；圖9是示出根據(jù)本公開第五實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；圖10是示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的分解立體圖；以及圖11是示出根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置的立體圖。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，將詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方案到本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠容易地實(shí)現(xiàn)實(shí)施方案的程度。但是，本公開可以具有各種變化，并且不限于以下實(shí)施方案。在整個(gè)說(shuō)明書中，在預(yù)定部分“包括”預(yù)定部件的情況下，這不表示排除其它部件，而是表示還包括其它部件。為了方便或清楚的目的，可以將附圖中示出的各層的厚度和尺寸進(jìn)行放大、省略或示意性地示出。此外，元件的尺寸不完全反映實(shí)際尺寸。利用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)理解，在層(或者膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)稱為位于另一襯底、另一層(或者膜)、另一區(qū)域、另一焊盤或者另一圖案“上”或者“下”時(shí)，其可以“直接地”或者“間接地”在該另一襯底、層(或者膜)、區(qū)域、焊盤或者圖案上，或者也可以有一個(gè)或更多個(gè)中間層。層的這種位置已經(jīng)參照附圖進(jìn)行了描述。在下文中，將參考圖I至3描述根據(jù)本公開第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100?！?br> 圖I是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100的立體圖，圖2是沿著圖I中示出的發(fā)光器件封裝件100的線I-Γ截取的立體圖，圖3是示出圖I的發(fā)光二極管的截面圖。參考圖I至3，發(fā)光器件封裝件100包括本體110、設(shè)置在本體110上的至少一個(gè)發(fā)光器件120、以及設(shè)置在本體110上的第一電極131和第二電極132使得第一電極131和第二電極132與發(fā)光器件120電連接。此外，發(fā)光器件封裝件100包括用于保護(hù)發(fā)光器件120的樹脂構(gòu)件170。本體110可以包括樹脂材料如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金屬材料、光敏玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al2O3)和印刷電路板(PCB)中的至少一種。優(yōu)選地，本體110可以包括樹脂材料如PPA。本體110可以包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體。如果本體110包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體，則可以在本體110的表面上形成絕緣層(未示出)以防止本體110與第一電極131和第二電極132短路。在俯視圖中觀察時(shí)，根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的用途和設(shè)計(jì)，本體110的周邊可以具有各種形狀如三角形、矩形、多邊形和圓形?？梢栽诒倔w110中形成腔115以使本體110的上部112開放。例如，腔115可以通過(guò)注?；蛲ㄟ^(guò)蝕刻來(lái)形成。腔115可以具有杯形或凹陷的容器形。腔115的內(nèi)側(cè)面可以垂直于腔115的底表面或者可以是傾斜的。如果腔115通過(guò)相對(duì)于本體110進(jìn)行濕蝕刻而傾斜，則腔115可以具有約50°至約60°的傾斜角。此外，在俯視圖中觀察時(shí)，腔115可以具有圓形、矩形、多邊形或橢圓形?？梢栽诒倔w110上形成第一電極131和第二電極132。第一電極131和第二電極132可以被電分開為陽(yáng)極和陰極以給發(fā)光器件120供電。同時(shí)，除了第一電極131和第二電極132以外，根據(jù)發(fā)光器件120的設(shè)計(jì)，可以在本體110上形成多個(gè)電極，但是實(shí)施方案不限于此。同時(shí)，第一電極131和第二電極132彼此分離并且暴露在腔115中。如圖2中所示，第一電極131和第二電極132可以延伸到本體110的背表面同時(shí)包圍本體110的側(cè)面，但是實(shí)施方案不限于此。第一電極131和第二電極132可以形成為單層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極131和第二電極132可以包括包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一種的金屬或其合金。此外，第一電極131和第二電極132可以形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極131和第二電極132可以包括通過(guò)依次堆疊鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)和金(Au)形成的Ti/Cu/Ni/Au層，但是實(shí)施方案不限于此。換言之，在第一電極131和第二電極132的最下層中堆疊表現(xiàn)出與本體具有優(yōu)異粘附強(qiáng)度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一電極131和第二電極132的最上層上堆疊容易附接到導(dǎo)線等并且表現(xiàn)出優(yōu)異導(dǎo)電性的材料如Au，在第一電極131和第二電極132的最上層和最下層之間堆疊包括鉬(Pt)、鎳(Ni)或銅(Cu)的擴(kuò)散阻擋層。但是，實(shí)施方案不限于此。第一電極131和第二電極132可以通過(guò)鍍覆方案、沉積方案或光刻法選擇性地形成，但是實(shí)施方案不限于此。此外，第一電極131和第二電極132附接到用作導(dǎo)電連接構(gòu)件的導(dǎo)線122，使得第·一電極131和第二電極132與發(fā)光器件120電連接。同時(shí)，如圖I和2中所示，可以在本體110上形成陰極標(biāo)記以區(qū)分第一電極131和第二電極132。但是，實(shí)施方案不限于此?？梢栽诒倔w110中的腔115的側(cè)面上形成反射層180。反射層180可以由包括Al、Ti、Cu、Ni或Au的合金制成。形成反射層180，同時(shí)與設(shè)置在腔115的底表面上的第一電極131和第二電極132間隔開，并且不形成在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113處。如圖I和2中所示，由于反射層180不形成在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113上，所以樹脂構(gòu)件170可以在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113處直接粘附到本體110。如上所述，如果反射層180形成在腔115的側(cè)面上，則可以防止由于構(gòu)成本體110的樹脂構(gòu)件170的降解而引起的顏色變化所導(dǎo)致的光效率的降低。此外，反射層180形成在除了上部區(qū)域113之外的區(qū)域處，由此使得包括相似材料以表現(xiàn)出優(yōu)異粘附性能的本體110和樹脂構(gòu)件170能夠在上部區(qū)域113處彼此直接粘附，使得可以確保本體110與樹脂構(gòu)件170之間的氣密性。發(fā)光器件120可以安裝在本體110上。如果本體110包括腔115，則發(fā)光器件120可以安裝在腔115中。根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的設(shè)計(jì)，可以在本體110上設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光器件120。如果在本體120上安裝有多個(gè)發(fā)光器件120，則可以形成多個(gè)電極以給發(fā)光器件封裝件100供電，但是實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件120可以直接安裝在本體110上，或者在第一電極131和第二電極132上與第一電極131和第二電極132電連接?？梢酝ㄟ^(guò)選擇性地使用弓丨線接合方案、晶粒接合方案或倒裝接合方案來(lái)安裝發(fā)光器件120。接合方案可以根據(jù)芯片的類型和芯片的電極的位置變化。發(fā)光器件120可以選擇性地包括通過(guò)使用包括III-V族元素的化合物半導(dǎo)體如AlInGaN> InGaN、GaN、GaAs、InGaP、AlInGaP、InP 和 InGaAs 制造的半導(dǎo)體發(fā)光器件。如圖2中所示，可以通過(guò)使用導(dǎo)電粘合劑將發(fā)光器件120附接到第二電極132，并且可以通過(guò)使用導(dǎo)線122附接到第一電極131。發(fā)光器件120指定為垂直發(fā)光器件，并且包括導(dǎo)電支撐襯底21、接合層23、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25、有源層27和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29，如圖3中所示。導(dǎo)電支撐襯底21可以包括金屬或?qū)щ姲雽?dǎo)體襯底。在導(dǎo)電支撐襯底21上形成III-V族氮化物半導(dǎo)體層，用于半導(dǎo)體的生長(zhǎng)設(shè)備包括電子束蒸發(fā)器、PVD (物理氣相沉積)設(shè)備、CVD (化學(xué)氣相沉積)設(shè)備、PLD (等離子體激光沉積)設(shè)備、雙型熱蒸發(fā)器、濺射設(shè)備或MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備，但是實(shí)施方案不限于此。接合層23可以形成在導(dǎo)電支撐襯底21上。接合層23將導(dǎo)電支撐襯底21與氮化物半導(dǎo)體層接合。此外，導(dǎo)電支撐襯底21可以通過(guò)鍍覆方案而不是接合方案來(lái)形成。在這種情況下，可以不形成接合層23。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以形成在接合層23上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以與第一電極31電連接?！さ诙?dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括選自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。第二導(dǎo)電摻雜劑包括P型摻雜劑如Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括通過(guò)提供包括P型摻雜劑的氣體如NH3、TMGa (或TEGa)或Mg以預(yù)定厚度形成的P型GaN層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25在預(yù)定區(qū)域處包括電流擴(kuò)展結(jié)構(gòu)。電流擴(kuò)展結(jié)構(gòu)包括表現(xiàn)出在水平方向上的電流擴(kuò)展速度大于在垂直方向上的電流擴(kuò)展速度的半導(dǎo)體層。例如，電流擴(kuò)展結(jié)構(gòu)可以包括使摻雜劑的濃度或摻雜劑的導(dǎo)電性不同的半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25給在其上的另一層例如有源層27提供以均一分布擴(kuò)展的載流子。有源層27形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25上。有源層27具有單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW)或多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)。有源層27的一種堆疊結(jié)構(gòu)可以選擇性地包括InGaN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)、AlGaN/InGaN堆疊結(jié)構(gòu)、InGaN/InGaN堆疊結(jié)構(gòu)或AlGaN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)。可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25與有源層27之間形成第二導(dǎo)電覆層(未示出)。第二導(dǎo)電覆層可以包括P型GaN半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電覆層可以包括能帶隙高于阱層的能帶隙的材料。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29形成在有源層27上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29可以包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以包括化合物半導(dǎo)體如GaN、InN、AlN、InGaN, AlGaN, InAlGaN和AlInN中的一種。第一導(dǎo)電摻雜劑是N型摻雜劑，并且可以包括Si、Ge、Sn、Se和Te中的至少一種。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29可以包括通過(guò)提供包括N型摻雜劑的氣體如NH3、TMGa (或TEGa)或Si以預(yù)定厚度形成的N型GaN層。此外，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括P型半導(dǎo)體層，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29可以包括N型半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)和P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。在下文中，出于示意性的目的，將描述半導(dǎo)體層的最上層是第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29的情況。
第一電極131和/或電極層(未不出)可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層29上。電極層可以包括氧化物基透射層或氮化物基透射層。例如，電極層可以包括選自ΙΤ0(銦錫氧化物)、ITON (銦錫氮氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ΑΤ0(銻錫氧化物)、GZ0(鎵鋅氧化物)、Ir0x、Ru0x和NiO中的一種。電極層可以用作能夠擴(kuò)展電流的電流擴(kuò)展層。此外，電極層可以包括反射電極層。反射電極層可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其選擇性組合中的材料。第一電極可以包括在單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)中的金屬層。例如，金屬層可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf或其合金中的至少一種材料?？梢栽诒倔w110上安裝多個(gè)發(fā)光器件120。
此外，在腔115中形成樹脂構(gòu)件170，使得腔115填充有樹脂構(gòu)件170。樹脂構(gòu)件170包括表現(xiàn)出透射性的材料，并且形成到本體110的上部。樹脂構(gòu)件170具有其中熒光物質(zhì)分布在透射樹脂中的結(jié)構(gòu)。熒光物質(zhì)改變從發(fā)光器件120發(fā)出的光的波長(zhǎng)并且發(fā)出具有不同波長(zhǎng)的光。如上所述，樹脂構(gòu)件170在腔115的上部區(qū)域113處直接粘附到本體110，使得可以確保本體Iio與樹脂構(gòu)件170之間的氣密性，以阻止外部濕氣和外部空氣的流入。例如，在發(fā)光器件120是藍(lán)光發(fā)光二極管并且突光物質(zhì)表現(xiàn)出黃色時(shí),藍(lán)光激發(fā)黃色熒光物質(zhì)以生成白光。在發(fā)光器件120輻射紫外線時(shí)，添加表現(xiàn)出紅色、綠色和藍(lán)色三種顏色的熒光物質(zhì)以實(shí)現(xiàn)白光。在下文中，將參考圖4和5描述本公開的另一實(shí)施方案。參考圖4，發(fā)光器件封裝件100A包括本體110、設(shè)置在本體110上的至少一個(gè)發(fā)光器件120、以及設(shè)置在本體110上的第一電極131和第二電極132使得第一電極131和第二電極132與發(fā)光器件120電連接。此外，發(fā)光器件封裝件100A包括樹脂構(gòu)件170以保護(hù)發(fā)光器件120。本體110可以包括樹脂材料如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金屬材料、光敏玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al2O3)和印刷電路板(PCB)中的至少一種。優(yōu)選地，本體110可以包括樹脂材料如PPA。本體110可以包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體。如果本體110包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體，則可以在本體110的表面上形成絕緣層(未示出)以防止本體110與第一電極131和第二電極132短路。在俯視圖中觀察時(shí)，根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的用途和設(shè)計(jì)，本體110的周邊可以具有各種形狀如三角形、矩形、多邊形和圓形?？梢栽诒倔w110中形成腔115以使本體110的上部112開放。例如，腔115可以通過(guò)注?；蛲ㄟ^(guò)蝕刻來(lái)形成。腔115可以具有杯形或凹陷的容器形狀。腔115的內(nèi)側(cè)面可以垂直于腔115的底表面或者可以是傾斜的。如果腔115通過(guò)相對(duì)于本體110進(jìn)行濕蝕刻而傾斜，則腔115可以具有約50°至約60°的傾斜角。此外，在俯視圖中觀察時(shí)，腔115可以具有圓形、矩形、多邊形或橢圓形。第一電極131和第二電極132可以形成在本體110上。第一電極131和第二電極132可以被電分開為陽(yáng)極和陰極以給發(fā)光器件120供電。同時(shí)，除了第一電極131和第二電極132以外，根據(jù)發(fā)光器件120的設(shè)計(jì)，還可以在本體110上形成多個(gè)電極，但是實(shí)施方案不限于此。同時(shí)，第一電極131和第二電極132彼此分離并且暴露在腔115中。如圖2中所示，第一電極131和第二電極132可以延伸到本體110的背表面同時(shí)包圍本體110的側(cè)面，但是實(shí)施方案不限于此。第一電極131和第二電極132可以形成為單層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極131和第二電極132可以包括包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一種的金屬或其合金。此外，第一電極131和第二電極132可以形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極131和第二電極132可以包括通過(guò)依次堆疊Ti、Cu、Ni和Au形成的Ti/Cu/Ni/Au層，但是實(shí)施方案不限于此。 換言之，在第一電極131和第二電極132的最下層中堆疊表現(xiàn)出與本體具有優(yōu)異粘附強(qiáng)度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一電極131和第二電極132的最上層中堆疊容易附接到導(dǎo)線等并且表現(xiàn)出優(yōu)異導(dǎo)電性的材料如Au，在第一電極131和第二電極132的最上層和最下層之間堆疊包括Pt、Ni或Cu的擴(kuò)散阻擋層。但是，實(shí)施方案不限于此。第一電極131和第二電極132可以通過(guò)鍍覆方案、沉積方案或光刻法選擇性地形成，但是實(shí)施方案不限于此。此外，第一電極131和第二電極132附接到用作導(dǎo)電連接構(gòu)件的導(dǎo)線122，使得第一電極131和第二電極132與發(fā)光器件120電連接。同時(shí)，如圖I和2中所示，可以在本體110上形成陰極標(biāo)記以區(qū)分第一電極131和第二電極132。但是，實(shí)施方案不限于此?？梢栽诒倔w110中的腔115的側(cè)面上形成反射層180。反射層180可以包括籽層182和銀鍍層181。籽層182包括表現(xiàn)出對(duì)于本體110的優(yōu)異粘附性能的金屬材料。籽層182可以包括 Al、Ti、Cu、Ni、Au、Pt 或 Rh 的合金。銀鍍層181形成在籽層182上。在形成銀鍍層181時(shí)，可以通過(guò)使用籽層182作為籽進(jìn)行鍍覆工藝來(lái)形成銀鍍層181。在形成銀鍍層181時(shí)，可以在銀鍍層181的表面上形成預(yù)定的圖案，或者可以在銀鍍層181的表面上不規(guī)則地形成圖案。但是，實(shí)施方案不限于此。此外，由于圖案引起的光散射，所以可以改善光發(fā)射效率。圖案可以具有凸起的形狀如突出部或凹陷的形狀，但是實(shí)施方案不限于此。圖案可以具有半圓形或者多邊形如三角形或矩形中的一種，但是實(shí)施方案不限于此。形成反射層180，同時(shí)與設(shè)置在腔115的底表面上的第一電極131和第二電極132間隔開，并且不形成在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113處。如圖I和2中所示，由于反射層180不形成在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113上，所以樹脂構(gòu)件170可以在腔115的側(cè)面的上部區(qū)域113處直接粘附到本體110。如上所述，如果反射層180形成在腔115的側(cè)面上，則可以防止由于構(gòu)成本體110的樹脂構(gòu)件的降解而引起的顏色變化所導(dǎo)致的光效率的降低。此外，反射層180形成在除了上部區(qū)域113之外的區(qū)域處，由此使得包括相似材料以表現(xiàn)出優(yōu)異的粘附性能的本體110和樹脂構(gòu)件170在上部區(qū)域113處彼此直接粘附，使得可以確保本體110與樹脂構(gòu)件170之間的氣密性。發(fā)光器件120可以安裝在本體110上。如果本體110包括腔115，則發(fā)光器件120可以安裝在腔115中。根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的設(shè)計(jì)，可以在本體110上安裝至少一個(gè)發(fā)光器件120。如果在本體120上安裝有多個(gè)發(fā)光器件120，則可以形成多個(gè)電極以給發(fā)光器件封裝件100供電，但是實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件120可以直接安裝在本體110上，或者在第一電極131和第二電極132上與第一電極131和第二電極132電連接。可以通過(guò)選擇性地使用弓丨線接合方案、晶粒接合方案或倒裝接合方案來(lái)安裝發(fā)光器件120。接合方案可以根據(jù)芯片的類型和芯片的電極的位置變化?？梢栽诒倔w110上安裝多個(gè)發(fā)光器件120。在腔115中形成樹脂構(gòu)件170，使得腔115填充有樹脂構(gòu)件170。樹脂構(gòu)件170包括表現(xiàn)出透射性的材料，并且形成到本體110的上部。樹脂構(gòu)件170具有熒光物質(zhì)分布在透射樹脂中的結(jié)構(gòu)。熒光物質(zhì)改變從發(fā)光器件120發(fā)出的光的波長(zhǎng)，并且發(fā)出具有不同波長(zhǎng)的光。如上所述，樹脂構(gòu)件170在腔115的上部區(qū)域113處直接粘附到本體110，使得可以確保本體Iio與樹脂構(gòu)件170之間的氣密性，以阻止外部濕氣和外部空氣的流入。例如，在發(fā)光器件120是藍(lán)光發(fā)光二極管并且突光物質(zhì)表現(xiàn)出黃色時(shí),藍(lán)光激發(fā)黃色熒光物質(zhì)以生成白光。在發(fā)光器件120輻射紫外線時(shí)，添加表現(xiàn)出紅色、綠色和藍(lán)色三種顏色的熒光物質(zhì)以實(shí)現(xiàn)白光。同時(shí)，由于圖5中不出的本體110、發(fā)光器件120和反射層180具有與之前的實(shí)施方案中相同的結(jié)構(gòu)，因此將省略其細(xì)節(jié)。如圖5中所示，第一電極133包括容納部以容納發(fā)光器件120。容納部向本體110的底表面凹陷，容納部的頂表面可以具有圓形、矩形或橢圓形。如圖5中所示，可以通過(guò)反射層180來(lái)改善發(fā)光效率，其中反射層180形成在包括具有容納部的第一電極133的發(fā)光器件封裝件100B中，同時(shí)與第一電極133和第二電極134間隔開。在下文中，將參考圖6和7描述本發(fā)明的另一實(shí)施方案。參考圖6和7，發(fā)光器件封裝件200包括本體210、具有腔240的第一引線框231和第二引線框232、多個(gè)發(fā)光器件220以及導(dǎo)線222。本體210可以包括樹脂材料如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金屬材料、光敏玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al2O3)和印刷電路板(PCB)中的至少一種。優(yōu)選地，本體210可以包括樹脂材料如PPA。本體210可以包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體。如果本體210包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體，則可以在本體210的表面上形成絕緣層(未示出)以防止本體210與第一引線框231和第二引線框232短路。在俯視圖中觀察時(shí)，根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的用途和設(shè)計(jì)，本體210的周邊可以具有各種形狀如三角形、矩形、多邊形和圓形。
在本體210中的上部區(qū)域處設(shè)置開口區(qū)域215以放出光。第一引線框231包括腔240。腔240具有從第一引線框231的頂表面凹陷的形狀，例如杯結(jié)構(gòu)或凹陷形狀。腔240的側(cè)面可以相對(duì)于腔240的底表面傾斜的或者可以相對(duì)于腔240的底表面垂直地彎曲的。
第二引線框232包括腔240，并且與第一引線框231具有相同的結(jié)構(gòu)。第一引線框231和第二引線框232的腔240設(shè)置在開口區(qū)域215下。至少一個(gè)發(fā)光器件220設(shè)置在腔240中，并且附接到腔240的底表面。發(fā)光器件220通過(guò)導(dǎo)線222分別與第一引線框231和第二引線框232連接。發(fā)光器件220可以選擇性地發(fā)出從紫外線波段到可見光波段的光。發(fā)光器件220可以發(fā)出表現(xiàn)出相同峰值波長(zhǎng)的光、或者表現(xiàn)出不同峰值波長(zhǎng)的光。發(fā)光器件220可以包括基于III-V族化合物半導(dǎo)體的LED芯片例如紫外(UV)LED芯片、藍(lán)光LED芯片、綠光LED芯片、白光LED芯片和紅光LED芯片中的至少一種。第一引線框231和第二引線框232的底表面設(shè)置在本體210的底表面上。第一引線框231和第二引線框232的底表面通過(guò)連接構(gòu)件如釬料與板上的焊盤連接以用作散熱板。可以在本體210中的開口區(qū)域215的側(cè)面上形成反射層280。反射層280可以由包括Al、Ti、Cu、Ni、Au、Pt或Rh的合金制成。反射層280形成同時(shí)與設(shè)置在開口區(qū)域215的底表面上的第一引線框231和第二引線框232間隔開，并且不形成在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部區(qū)域213處。如圖6和7中所示，由于反射層280不形成在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部區(qū)域213上，因此樹脂構(gòu)件270在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部區(qū)域213處與本體210粘附。如上所述，如果反射層280形成在開口區(qū)域215的側(cè)面上，則可以防止由于構(gòu)成本體210的樹脂構(gòu)件的降解而引起的顏色變化所導(dǎo)致光效率的降低。此外，反射層280形成在除了上部區(qū)域213之外的區(qū)域處，由此使得由相似材料制成以表現(xiàn)出優(yōu)異粘附性能的本體210和樹脂構(gòu)件270在上部區(qū)域213處彼此直接粘附，使得可以確保本體210與樹脂構(gòu)件270之間的氣密性。如圖6和圖7中所示，樹脂構(gòu)件270形成為覆蓋腔240。樹脂構(gòu)件270可以通過(guò)分散透射材料來(lái)形成，但是實(shí)施方案不限于此。在下文中，將參考圖8描述本發(fā)明的又一實(shí)施方案。發(fā)光器件封裝件200A包括本體210、具有腔240的第一引線框231和第二引線框232、多個(gè)發(fā)光器件220和導(dǎo)線222。本體210可以包括樹脂材料如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金屬材料、光敏玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al2O3)和印刷電路板(PCB)中的至少一種。優(yōu)選地，本體210可以包括樹脂材料如PPA。本體210可以包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體。如果本體210包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體，則可以在本體210的表面上形成絕緣層(未示出)以防止本體210與第一引線框231和第二引線框232短路。在俯視圖中觀察時(shí)，根據(jù)發(fā)光器件封裝件100的用途和設(shè)計(jì)，本體210的周邊可以具有各種形狀如三角形、矩形、多邊形和圓形。在本體210中的上部部分處設(shè)置開口區(qū)域215以放出光。
第一引線框231包括腔240。腔240具有從第一引線框231的頂表面凹陷的形狀，例如杯結(jié)構(gòu)或凹陷形狀。腔240的側(cè)面可以是相對(duì)于腔240的底表面傾斜的或者可以是相對(duì)于腔240的底表面垂直地彎曲的。第二引線框232包括腔240，并且與第一引線框231具有相同的結(jié)構(gòu)。第一引線框231和第二引線框232的腔240設(shè)置在開口區(qū)域215下。至少一個(gè)發(fā)光器件220設(shè)置在腔240中并且附接到腔240的底表面。發(fā)光器件220通過(guò)導(dǎo)線222與第一引線框231和第二引線框232連接。發(fā)光器件220可以選擇性地發(fā)出從UV波段到可見光波段的光。發(fā)光器件220可以發(fā)出表現(xiàn)出相同峰值波長(zhǎng)的光或者表現(xiàn)出不同峰值波長(zhǎng)的光。發(fā)光器件220可以包括基于III-V族化合物半導(dǎo)體的LED芯片例如紫外LED芯片、藍(lán)光LED芯片、綠光LED芯片、白光LED芯片和紅光LED芯片中的至少一種。
第一引線框231和第二引線框232的底表面設(shè)置在本體210的底表面上。第一引線框231和第二引線框232的底表面通過(guò)連接構(gòu)件如釬料與板上的焊盤連接以用作散熱板?？梢栽诒倔w210中的開口區(qū)域215的側(cè)面上形成反射層280A。如圖8中所示，在開口區(qū)域215的頂表面具有矩形形狀時(shí)，開口區(qū)域215具有彼此面對(duì)的兩個(gè)較長(zhǎng)的面以及與較長(zhǎng)的面相鄰的兩個(gè)較短的面。各較長(zhǎng)的面沿著其中兩個(gè)發(fā)光器件220彼此平行布置的方向延伸。反射層280A僅形成在上部區(qū)域215的一部分上，優(yōu)選形成在較長(zhǎng)的面上。形成在較長(zhǎng)的面上的反射層280A形成同時(shí)與設(shè)置在開口區(qū)域215的底表面上的第一電極231和第二電極232間隔開，并且不形成在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部部分213處。反射層280A高于發(fā)光器件220。如圖8中所示，由于反射層280A不形成在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部區(qū)域213上，因此樹脂構(gòu)件270在開口區(qū)域215的側(cè)面的上部部分213處與本體210粘附。如上所述，如果反射層280A形成在開口區(qū)域215的側(cè)面上，則可以防止由于構(gòu)成本體210的樹脂構(gòu)件的降解引起的顏色變化導(dǎo)致光效率的降低。此外，反射層280A形成在除了上部區(qū)域213之外的區(qū)域處，由此使得包括相似材料以表現(xiàn)出優(yōu)異的粘附性能的本體210和樹脂構(gòu)件270在上部區(qū)域213處彼此直接粘附，使得可以確保本體210與樹脂構(gòu)件270之間的氣密性。如圖8中所示，樹脂構(gòu)件270形成為覆蓋腔240。樹脂構(gòu)件270可以通過(guò)分散透射材料來(lái)形成，但是實(shí)施方案不限于此。在下文中，將參考圖9描述本發(fā)明的又一實(shí)施方案。發(fā)光器件封裝件300包括本體310、在本體310的表面上的由硅氧化物(SixOy)制成的絕緣層312、設(shè)置在本體310上的至少一個(gè)發(fā)光器件320、以及設(shè)置在本體310上并且與發(fā)光器件320電連接的第一電極331和第二電極332。本體310可以包括以晶片級(jí)封裝(WLP)制造的硅(Si)本體，其中腔315形成在硅晶片中，發(fā)光器件320安裝在腔315中，并且發(fā)光器件320被封裝。腔315可以形成在本體310中以使本體310的上部開放。例如，腔315可以通過(guò)注模方案或蝕刻方案來(lái)形成。腔315可以具有杯形或凹陷的容器形狀。腔315的內(nèi)側(cè)面可以垂直于腔315的底表面或者可以是相對(duì)于腔315的底表面傾斜的。如果腔315通過(guò)相對(duì)于包括硅(Si)的本體310進(jìn)行濕蝕刻而傾斜，則腔315可以具有約50°至約60°的傾斜角。此外，在俯視圖中觀察時(shí)，腔315可以具有圓形、矩形、多邊形或橢圓形。絕緣層312可以形成在本體310的表面上。絕緣層312防止由于外部電源導(dǎo)致的本體310與第一電極331和第二電極332之間的短路。例如，絕緣層312可以包括選自Si02、SixOy, Si3N4, Si具、SiOxNy和Al2O3中的至少一種。優(yōu)選地，絕緣層312可以包括硅氧化物(Si02、SixOy),但是實(shí)施方案不限于此。 如果本體310由Si制成，則絕緣層312可以通過(guò)熱氧化方案以硅氧化物膜的形式來(lái)提供。此外，絕緣層312可以通過(guò)濺射方案、PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)方案或電子束沉積方案來(lái)沉積，但是實(shí)施方案不限于此。此外，絕緣層312可以形成在本體310的整個(gè)表面上，或者可以形成在至少用于第一電極331和第二電極332的區(qū)域中。但是，實(shí)施方案不限于此。第一電極331和第二電極332可以形成在絕緣層312上。第一電極331和第二電極332可以被電分開為陽(yáng)極和陰極以給發(fā)光器件120供電。同時(shí)，除了第一電極331和第二電極332以外，根據(jù)發(fā)光器件320的設(shè)計(jì)，還可以形成多個(gè)電極，但是實(shí)施方案不限于此。第一電極331和第二電極332可以形成為單層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極331和第二電極332可以包括包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一種的金屬或其合金。此外，第一電極331和第二電極332可以形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極331和第二電極332可以包括通過(guò)依次堆疊鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)和金(Au)形成的Ti/Cu/Ni/Au層，但是實(shí)施方案不限于此。換言之,在第一電極331和第二電極332的最下層中堆疊表現(xiàn)出相對(duì)于絕緣層312具有優(yōu)異粘附強(qiáng)度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一電極331和第二電極332的最上層堆疊容易附接到導(dǎo)線等并且表現(xiàn)出優(yōu)異導(dǎo)電性的材料如Au，在第一電極331和第二電極332的最上層和最下層之間堆疊包括Pt、Ni或Cu的擴(kuò)散阻擋層。但是，實(shí)施方案不限于此。第一電極331和第二電極332可以通過(guò)鍍覆方案、沉積方案或光刻法選擇性地形成，但是實(shí)施方案不限于此。此外，第一電極331和第二電極332可以包括電極本體部331a和332a以及從電極本體部331a和332a突出的延伸部331b和332b。延伸部331b和332b的寬度可以小于電極本體部331a和332a的寬度，并且僅延伸部331b和332b可以設(shè)置在本體310的腔315中。此外，延伸部331b和332b與導(dǎo)線322接合，使得第一電極331和第二電極332可以與發(fā)光器件320電連接。反射層380可以與形成在本體310的頂表面上的絕緣層312、第一電極331和第二電極332間隔開。反射層380形成在本體310的腔315的側(cè)面上。反射層380可以包括Al、Ti、Cu、Ni和Au的合金。反射層380形成同時(shí)與設(shè)置在腔315的底表面上的第一電極331和第二電極332間隔開，并且反射層380不形成在腔315的側(cè)面的上部處。由于反射層380不形成在腔315的側(cè)面的上部部分上，因此模制構(gòu)件370可以在腔315的側(cè)面的上部處直接附接到本體310。發(fā)光器件320可以安裝在本體310上。如果本體310包括腔315，則發(fā)光器件320可以安裝在腔315中。發(fā)光器件320可以直接安裝在本體310的絕緣層312上，或者可以在第一電極331或第二電極332上與第一電極331或第二電極332電連接。發(fā)光器件320可以通過(guò)選擇性地使用引線接合方案、晶粒接合方案或倒裝接合方案來(lái)安裝。接合方案可以根據(jù)芯片的類型和芯片的電極的位置而變化。·可以在本體310上安裝多個(gè)發(fā)光器件320。發(fā)光器件320可以在第一電極331的延伸部331b上與第一電極331的延伸部331b電連接，并且可以通過(guò)導(dǎo)線322與第二電極332電連接。例如，導(dǎo)線322具有與第二電極332的延伸部332b接合的一端以及與發(fā)光器件320接合的相對(duì)端。但是，實(shí)施方案不限于此。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件適用于照明單元。照明單元包括其中布置有多個(gè)發(fā)光器件封裝件的結(jié)構(gòu)。照明單元包括圖10中所示的顯示裝置和圖11中所示的照明裝置，并且適用于如照明燈、信號(hào)燈、車輛的前燈、電光板和指示器的單元。圖10是示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置1000的分解立體圖。參考圖10,顯不裝置1000包括導(dǎo)光板1041、用于給導(dǎo)光板1041提供光的發(fā)光模塊1031、設(shè)置在導(dǎo)光板1041下的反射構(gòu)件1022、設(shè)置在導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051、設(shè)置在光學(xué)片1051上的顯不面板1051以及用于容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射板1022的底蓋1011，但是實(shí)施方案不限于此。可以將底蓋1011、反射板1022、導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051定義為照明單元1050。導(dǎo)光板1041可以使從發(fā)光模塊1031提供的光擴(kuò)散以提供表面光。導(dǎo)光板1041包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括選自丙烯?；鶚渲鏟MMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸脂)、COC (環(huán)狀烯烴共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂中的一種。設(shè)置在導(dǎo)光板1041的至少一個(gè)側(cè)面上的發(fā)光模塊1031給導(dǎo)光板1041的至少一個(gè)側(cè)面提供光。因此，發(fā)光模塊1031用作顯示裝置1000的光源。設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光模塊1031，并且在導(dǎo)光板1041的一個(gè)側(cè)面處直接或間接地提供光。發(fā)光模塊1031包括襯底1033和根據(jù)實(shí)施方案公開的發(fā)光器件封裝件100。發(fā)光器件封裝件100可以以預(yù)定的距離布置在襯底1033上。襯底1033可以包括印刷電路板，但是實(shí)施方案不限于此。此外，襯底1033可以包括金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB (FPCB)，但是實(shí)施方案不限于此。如果發(fā)光器件封裝件100安裝在散熱板或底蓋1011的側(cè)面上，則可以移除襯底1033。散熱板的一部分可以與底蓋1011的頂表面接觸。因此，從發(fā)光器件封裝件100生成的熱量可以通過(guò)散熱板放出到底蓋1011。在發(fā)光器件封裝件100中，用于放出光的光出射表面在襯底1033上與導(dǎo)光板1041間隔開預(yù)定的距離，但是實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件封裝件100可以直接或間接地給作為導(dǎo)光板1041的一個(gè)側(cè)面的光入射部提供光，但是實(shí)施方案不限于此。
反射構(gòu)件1022可以設(shè)置在導(dǎo)光板1041下。反射板1022將從導(dǎo)光板1041的底表面入射的光向上反射以給顯示面板1061提供光，使得可以改善發(fā)照明單元1050的亮度。反射構(gòu)件1022可以包括PET樹脂、PC樹脂或PVC樹脂，但是實(shí)施方案不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面,但是實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011可以包括具有上部開放的盒形的容納部1012，但是實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)耦接，但是實(shí)施方案不限于此。底蓋101可以包括金屬材料或樹脂材料，并且可以通過(guò)壓模工藝或擠出模制工藝來(lái)制造。底蓋1011可以包括表現(xiàn)出優(yōu)異導(dǎo)熱性的金屬材料或非金屬材料，但是實(shí)施方案不限于此。顯示面板1061例如是包括彼此相對(duì)的第一透明襯底和第二透明襯底的IXD面板， 并且在第一襯底和第二襯底之間布置有液晶層?？梢越o顯示面板1061的至少一個(gè)表面附接偏光板，但是實(shí)施方案不限于此。顯示面板1061通過(guò)使得光能夠穿過(guò)發(fā)光模塊1031或阻擋光來(lái)顯示信息。顯示設(shè)備1000能夠應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本電腦的監(jiān)視器或圖像顯示裝置如電視機(jī)。光學(xué)片1051置于顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透射片。光學(xué)片1051可以包括擴(kuò)散片、水平/垂直棱鏡片和增亮膜中的至少一種。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光，水平/垂直棱鏡片將入射光匯聚到顯示面板1061上，增亮片通過(guò)重新使用損失的光來(lái)改善光的亮度。此外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但是實(shí)施方案不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以用作發(fā)光模塊1031的光學(xué)路徑上的光學(xué)構(gòu)件,但是實(shí)施方案不限于此。圖11是示出根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置1500的立體圖。參考圖11，照明裝置1500包括殼1510、安裝在殼1510中的發(fā)光模塊1530、在發(fā)光模塊1031的光學(xué)路徑上的光學(xué)構(gòu)件、以及安裝在殼1510中以從外部電源接收電力的接線端子1520。光學(xué)構(gòu)件包括定位在殼1510的端部并且包括蓋的光學(xué)片(未示出)，其中發(fā)光模塊1530形成在光學(xué)路徑上。優(yōu)選地，殼1510包括具有優(yōu)異散熱性能的材料。例如，殼1510包括金屬材料或樹脂材料。發(fā)光模塊1530可以包括襯底1532以及安裝在襯底1532上的根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100。發(fā)光器件封裝件100彼此間隔開或者以矩陣形式布置。襯底1532可以包括印刷有電路圖案的絕緣構(gòu)件。例如，襯底1532包括PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷PCB以及FR-4襯底。此外，襯底1532可以包括有效地反射光的材料?？梢栽谝r底1532的表面上形成涂覆層。此時(shí)，涂覆層具有白色或銀色以有效地反射光。在襯底1532上安裝至少一個(gè)發(fā)光器件封裝件100。各發(fā)光器件封裝件100可以包括至少一個(gè)LED(發(fā)光二極管)芯片。LED芯片可以包括發(fā)出具有紅色、綠色、藍(lán)色或白色的可見光頻帶的光的LED以及發(fā)出紫外(UV)光的UV LED?？梢詫l(fā)光模塊1530的發(fā)光器件封裝件100不同地布置以提供不同的顏色和亮度。例如，可以布置白光LED、紅光LED和綠光LED以實(shí)現(xiàn)高的顯色指數(shù)(CRI)。接線端子1520與發(fā)光模塊1530電連接以給發(fā)光模塊1530供電。接線端子1520具有與外部電源螺接的插座形狀，但是實(shí)施方案不限于此。例如，接線端子1520可以制備為插入外部電源中的管腳形式或者通過(guò)導(dǎo)線與外部電源連接。本說(shuō)明書中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例實(shí)施方案”等的任意引用表示結(jié)合實(shí)施方案描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一種實(shí)施方案中。本說(shuō)明書中的各個(gè)位置處出現(xiàn)這樣的短語(yǔ)并非都涉及相同的實(shí)施方案。此外，在結(jié)合任意實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或者特性時(shí)，認(rèn)為將這種特征、結(jié)構(gòu)或者特性與實(shí)施方案的其它特征、結(jié)構(gòu)或者特性結(jié)合在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照大量示意性實(shí)施方案描述了實(shí)施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)設(shè)計(jì)出大量其它變化和實(shí)施方案。更具體地，可以在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)主題組合布置的部件和/或布置進(jìn)行各種改變和變化。除部件和/或布置方面的改變和變化以外，替選用途對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)·也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件封裝件，包括 包括腔的本體； 在所述腔中的至少一個(gè)發(fā)光器件； 填充在所述腔中同時(shí)覆蓋所述發(fā)光器件的樹脂構(gòu)件；以及 在所述腔的除了所述腔的側(cè)面的上部區(qū)域之外的所述側(cè)面上的反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層使所述本體開放為使得所述本體在所述腔的所述側(cè)面的上部區(qū)域處直接粘附到所述樹脂構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層與所述腔的底表面間隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝件，還包括在所述腔中的彼此間隔開的第一電極和第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層與所述第一電極和所述第二電極隔離開。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件封裝件包括多個(gè)發(fā)光器件，并且各發(fā)光器件設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極中的至少之一上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至3和5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層包括在所述腔的所述側(cè)面上的籽層、以及在所述籽層上的銀鍍層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述銀鍍層的表面上設(shè)置有突出部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述籽層包括選自Ti、Cu、Ni和Au中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述本體包括硅構(gòu)件以及覆蓋所述硅構(gòu)件的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述絕緣層包括選自Si02、Six0y、Si3N4, Si具、SiOxNy 和 Al2O3 中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層設(shè)置于在所述腔的所述側(cè)面處的所述絕緣層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述腔具有至少四個(gè)側(cè)面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層設(shè)置在所述腔的至少兩個(gè)側(cè)面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層設(shè)置在所述腔的四個(gè)側(cè)面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述腔具有沿著所述發(fā)光器件的布置方向延伸的兩個(gè)較長(zhǎng)的側(cè)面以及與所述兩個(gè)較長(zhǎng)的側(cè)面相鄰的兩個(gè)較短的側(cè)面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層設(shè)置在所述較長(zhǎng)的側(cè)面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層由與所述第一電極和所述第二電極相同的材料制成。
19.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一電極和所述第二電極安裝所述發(fā)光器件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一電極和所述第二電極中設(shè)置有槽以安裝所述發(fā)光器件。
21.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述本體由PPA制成。
22.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射層的高度高于所述發(fā)光器件的高度。
23.—種照明系統(tǒng),包括 根據(jù)權(quán)利要求I至5以及11至22中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝件。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件封裝件和一種照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件封裝件包括包括腔的本體、在腔中的至少一個(gè)發(fā)光器件、填充在腔中同時(shí)覆蓋發(fā)光器件的樹脂構(gòu)件、以及在腔的側(cè)面上的反射層。反射層形成同時(shí)使腔的上部區(qū)域開放。反射層選擇性地僅形成在本體中的腔的側(cè)面的下部區(qū)域中，并且填充在腔的上部中的樹脂構(gòu)件直接粘附到本體。改善了樹脂構(gòu)件與本體之間的氣密性。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK102956793SQ20121005736
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月24日
發(fā)明者金鉉珉 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司