專利名稱:一種增強電子束流均勻性的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種增強電子束流均勻性的裝置,具體地說,涉及一種增強散射型低 能電子流發(fā)生裝置發(fā)射的電子束流均勻性的裝置,屬于空間應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
隨著我國空間應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,對空間材料的可靠性提出了更高的要求。在 地面上鑒定空間材料性能最有效的方法就是模擬空間環(huán)境,在所述模擬空間環(huán)境進行模擬 試驗對空間材料的性能進行評價。由于空間等離子體帶電環(huán)境會對飛行器、衛(wèi)星等在空間 中運行的儀器表面的材料充電從而引起空間靜電放電(SESD),對敏感電子系統(tǒng)造成干擾以 及非指令性開關(guān)等事件,所以對空間等離子體帶電環(huán)境中材料性能的評價是確保我國飛行 器、衛(wèi)星等在空間中運行的儀器在軌安全、正常工作的重要環(huán)節(jié)。由于空間環(huán)境中存在低能電子,所以在地面上模擬空間環(huán)境的試驗中需要有能夠 產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備,所述設(shè)備應(yīng)當(dāng)在真空中提供束流密度較低并均勻的電子?,F(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備在電子束流均勻性方面只可以達到在 所述設(shè)備發(fā)射口正對的直徑為200mm的圓形區(qū)域內(nèi)束流均勻性差值為50%,且產(chǎn)生散射型 低能電子流的電子槍中燈絲易發(fā)生形變使提供的電子束流均勻性變差。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備在電子束流均勻性方面性能較差 且產(chǎn)生散射型低能電子流的電子槍中燈絲易發(fā)生形變使電子束流均勻性變差的缺陷,本發(fā) 明的目的是提供一種增強電子束流均勻性的裝置,具體地說,涉及一種增強散射型低能電 子流發(fā)生裝置發(fā)射的電子束流均勻性的裝置。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供下述技術(shù)方案—種增強電子束流均勻性的裝置,所述裝置為電子散射網(wǎng),所述電子散射網(wǎng)設(shè)置 在距離產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備的發(fā)射口 30 70mm處,電子散射網(wǎng)中孔隙的直徑為 0. 1 0. 5mm,電子散射網(wǎng)采用金屬材料制成。所述散射型低能電子流的設(shè)備為散射型低能電子槍時,所述電子散射網(wǎng)設(shè)置在距 離所述電子槍發(fā)射孔30 70mm處,電子散射網(wǎng)中孔隙的直徑為0. 1 0. 5mm,電子散射網(wǎng) 采用金屬材料制成。所述產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備為散射型低能電子槍時,在所述電子槍內(nèi)加一 個石棉座,石棉座上固定有固定架,將電子槍中的燈絲通過固定架固定在石棉座上,所述電 子散射網(wǎng)設(shè)置在距離所述電子槍發(fā)射孔30 70mm處,電子散射網(wǎng)中孔隙的直徑為0. 1 0. 5mm,電子散射網(wǎng)采用金屬材料制成。有益效果1.本發(fā)明所述增強電子束流均勻性的裝置使電子束流散射面積大,散射均勻,可 以達到在產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備發(fā)射口正對的直徑為200mm的圓形區(qū)域內(nèi)束流均勻性差值為20% ;2.本發(fā)明所述增強電子束流均勻性的裝置通過將散射型低能電子槍中的燈絲固 定在石棉座上,可以使燈絲不易形變,提高電子槍發(fā)射出的電子束流均勻性。
圖1為本發(fā)明一種增強電子束流均勻性的裝置示意圖。圖2為石棉座與固定架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1-電子散射網(wǎng),2-電子槍,3-燈絲,4-石棉座,5-固定架。
具體實施例方式為了充分說明本發(fā)明的特性以及實施本發(fā)明的方式,下面給出實施例。散射型低能電子槍2中圓形盤狀螺旋形燈絲3直徑5mm,圓形石棉座4直徑4mm, 石棉座4上固定有固定架5,所述固定架5為金屬絲,用金屬絲將電子槍2中的燈絲3固定 在石棉座4上,將所述電子散射網(wǎng)1放置于所述電子槍2發(fā)射孔外50mm處,電子散射網(wǎng)1 中孔隙的直徑為0. Imm,電子散射網(wǎng)1為金屬銅柵網(wǎng),見圖1和圖2。在所述電子槍2電子束流射出正對處選取直徑為200mm的圓形區(qū)域,選取所述圓 形區(qū)域中均勻分布的5個點作為測試點進行測試,以圓心點為基礎(chǔ)點1進行電子束流均勻 性比較,用法拉第杯收集電子束流并用微電流計測量所述電子束流。其中,對照為未使用本 發(fā)明增強電子束流均勻性的裝置的電子槍2發(fā)出的電子束流,樣本為使用本發(fā)明增強電子 束流均勻性的裝置后的電子槍2發(fā)出的電子束流,結(jié)果如表1所示。表 1
12345對照1. OnA/cm20. 5nA/cm20. 7nA/cm20.6nA/cm20. 5nA/cm2樣本1. OnA/cm20. 8nA/cm20.9nA/cm20.8nA/cm20. 8nA/cm2 電子束流差值計算如下(基礎(chǔ)點1的電子束流值-各個點的電子束流值)/基礎(chǔ)點1的電子束流 值)< 100 % =各個點的束流均勻性差值,通過表1的數(shù)據(jù)計算得到結(jié)果如表2所示,其中,對 照為未使用本發(fā)明增強電子束流均勻性的裝置的電子槍2發(fā)出的電子束流在各個測試點 的束流均勻性差值,樣本為使用本發(fā)明增強電子束流均勻性的裝置后的電子槍2發(fā)出的電 子束流在各個測試點的束流均勻性差值。表2
12345對照050%30%40%50%
權(quán)利要求
1.一種增強電子束流均勻性的裝置,其特征在于所述裝置為電子散射網(wǎng)(1),所述電 子散射網(wǎng)(1)設(shè)置在距離產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備的發(fā)射口 30 70mm處,電子散射 網(wǎng)(1)中孔隙的直徑為0. 1 0. 5mm,電子散射網(wǎng)(1)采用金屬材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強電子束流均勻性的裝置,其特征在于所述散射型 低能電子流的設(shè)備為散射型低能電子槍O),所述電子散射網(wǎng)(1)設(shè)置在距離所述電子槍 ⑵發(fā)射孔30 70mm處,電子散射網(wǎng)(1)中孔隙的直徑為0. 1 0. 5mm,電子散射網(wǎng)⑴ 采用金屬材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種增強電子束流均勻性的裝置,其特征在于在所述散射 型低能電子槍O)內(nèi)加一個石棉座G),石棉座(4)上固定有固定架(5),將所述電子槍(2) 中的燈絲(3)通過固定架(5)固定在石棉座(4)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種增強電子束流均勻性的裝置,屬于空間應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的一種增強電子束流均勻性的裝置為電子散射網(wǎng),所述電子散射網(wǎng)設(shè)置在距離產(chǎn)生散射型低能電子流的設(shè)備的發(fā)射口30~70mm處,電子散射網(wǎng)中孔隙的直徑為0.1~0.5mm,電子散射網(wǎng)采用金屬材料制成;散射型低能電子流的設(shè)備為電子槍時,將電子槍中的燈絲通過固定架固定在石棉座上。使用本發(fā)明的電子散射網(wǎng),可使散射型低能電子流的設(shè)備發(fā)射出的電子束流散射面積增大大,電子束流均勻性增強,使用本發(fā)明的石棉座固定后的電子槍的燈絲不易發(fā)生形變。
文檔編號H01J3/12GK102097265SQ201010617898
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者孔風(fēng)連, 李存惠, 柳青, 湯道坦, 秦曉剛, 陳益峰 申請人:中國航天科技集團公司第五研究院第五一○研究所