專利名稱：一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
場致發(fā)射顯示器(FieldEmissionDisplay，F(xiàn)ED)是一種新型的平板顯示器件，具有質(zhì)量輕、耗電量低、無視角差等優(yōu)點(diǎn)，其發(fā)光原理最接近陰極射線管(CathodeRayTube， CRT)，是目前廣為研究的一種顯示器件。二極型場致發(fā)射顯示器是一種具有二極型結(jié)構(gòu)的平板顯示器件，主要由沉積在玻 璃基片上的印刷了熒光粉層的ITO條狀電極陽極板與鍍有陰極發(fā)射材料的條狀銀電極的 陰極玻璃基片對向封裝而成，其間由隔離子分隔開，由密封玻璃進(jìn)行真空密封。通過對陽 極、陰極分別施加相應(yīng)的信號，使場發(fā)射陰極發(fā)射電子轟擊陽極熒光粉發(fā)光。二極型結(jié)構(gòu)場 發(fā)射平板顯示器制備工藝簡單，制造成本低，但其中支撐體陣列(隔離子)一般都是使用玻 璃或其他絕緣體材料，導(dǎo)致一系列如電荷積累，電子發(fā)射率降低，陽極與陰極間距過大，驅(qū) 動(dòng)電壓高等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其 解決了目前二極型結(jié)構(gòu)場發(fā)射平板顯示器中玻璃或其他絕緣體材料作為隔離子存在的電 荷積累，光發(fā)射率降低，陰極和陽極間距過大，驅(qū)動(dòng)電壓高的問題。本發(fā)明一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，包括陰極基板和與 陰極基板相對應(yīng)的陽極基板，所述陰極基板與所述陽極基板之間設(shè)有熒光粉顆粒隔離子。所述場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)是二極場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)。所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間設(shè)有 熒光粉顆粒隔離子。所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間不設(shè) 有熒光粉顆粒隔離子，而所述陰極基板與所述陽極基板之間的其他空間位置設(shè)有熒光粉顆 粒隔離子。所述熒光粉顆粒隔離子設(shè)于所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基 板上的電子發(fā)射層之間，還設(shè)于所述陰極基板與所述陽極基板之間的其他空間位置。所述熒光粉顆粒隔離子的粒徑為1-100微米。所述熒光粉顆粒是低壓熒光粉顆粒。本發(fā)明的有益效果(1)熒光粉顆粒作為隔離子，增強(qiáng)了電子傳導(dǎo)能力，消除電荷 積累效應(yīng)，同時(shí)還可以起到色域補(bǔ)充作用。(2)陽極與陰極的間距大為降低，大大降低場發(fā) 射開啟電壓，從而可以大為簡化外部驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)也減小了場致發(fā)射顯示器的厚度。(3) 采用低壓熒光粉，可降低熒光粉的點(diǎn)亮電壓，降低能耗。


圖1本發(fā)明實(shí)施例1中利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。實(shí)施例1
本發(fā)明一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，包括陰極基板8和與陰 極基板相對應(yīng)的陽極基板1，所述陰極基板8與所述陽極基板1之間設(shè)有熒光粉顆粒隔離子 5。所述場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)是二極場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，所述陰極基板8上設(shè)有間距分布的條 狀陰極導(dǎo)電層7，所述條狀陰極導(dǎo)電層7上設(shè)有電子發(fā)射層6 ；所述陽極基板1與陰極基板 相對的一面上設(shè)有與所述條狀陰極導(dǎo)電層7相對的間距分布的條狀陽極導(dǎo)電層2，所述條 狀陽極導(dǎo)電層2上設(shè)有熒光粉層3，所述熒光粉層3與所述電子發(fā)射層6之間設(shè)有熒光粉顆 粒隔離子5。所述陰極基板8和所述陽極基板1之間的邊緣部設(shè)有邊封體4，該邊封體與陰 極基板和陽極基板形成密閉空間。所述熒光粉顆粒隔離子5的粒徑為1-100微米，其介于陰極基板8和與陰極基板 相對應(yīng)的陽極基板1之間，對場發(fā)射結(jié)構(gòu)起到了支撐的作用，同時(shí)其增強(qiáng)了陰極與陽極之 間的電子傳導(dǎo)能力，消除電荷積累。另外，熒光粉顆粒隔離子會因陰極所發(fā)射電子的轟擊而 發(fā)光，這可以對場致發(fā)射顯示器起到色域補(bǔ)充作用，同時(shí)也可以進(jìn)一步增大顯示器發(fā)光的亮度。所述熒光粉顆粒是低壓熒光粉顆粒，其激發(fā)熒光粉發(fā)光的電壓較低，可以有效降 低能耗。實(shí)施例2
本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于，本實(shí)施例中，所述陽極基板上的熒光粉層與與其 相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間不設(shè)有熒光粉顆粒隔離子，而所述陰極基板與所述 陽極基板之間的其他空間位置設(shè)有熒光粉顆粒隔離子。實(shí)施例3
本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于，本實(shí)施例中，所述熒光粉顆粒隔離子設(shè)于所述陽 極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間，還設(shè)于所述陰極基板 與所述陽極基板之間的其他空間位置。需要指出的是，場致發(fā)射顯示器的電子發(fā)射基本原理是在場致發(fā)射顯示器的陽極 與陰極之間加上足夠的電壓使得電子從陰極發(fā)射出來，電子轟擊熒光粉發(fā)光。根據(jù)電場強(qiáng) 度E=U/d，本發(fā)明使用微米級的熒光粉顆粒代替常規(guī)毫米級的隔離子作為支撐陣列，在相 同的電場下，場致發(fā)射顯示器的陽極與陰極之間加上的電壓可以降低1000倍左右，從而可 以大為簡化外部驅(qū)動(dòng)電路。另外，本發(fā)明中的所述陰極基板與所述陽極基板之間設(shè)有的熒光粉顆粒隔離子可 通過印刷或噴涂的方法制作于陰極基板或陽極基板上(如實(shí)施例中所述的相對應(yīng)位置)， 再經(jīng)烘烤燒結(jié)，完成熒光粉隔離子的制作，再用低熔點(diǎn)玻璃作為邊封體將陰極基板和陽極 基板對向真空密封，完成本發(fā)明的制作。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，包括陰極基板和與陰極基板相對應(yīng)的陽極基板，其特征在于，所述陰極基板與所述陽極基板之間設(shè)有熒光粉顆粒隔離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)是二極場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間設(shè)有熒光 粉顆粒隔離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上的電子發(fā)射層之間不設(shè)有熒 光粉顆粒隔離子，而所述陰極基板與所述陽極基板之間的其他空間位置設(shè)有熒光粉顆粒隔罔子。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述熒光粉顆粒隔離子設(shè)于所述陽極基板上的熒光粉層與與其相對應(yīng)的陰極基板上 的電子發(fā)射層之間，還設(shè)于所述陰極基板與所述陽極基板之間的其他空間位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述熒光粉顆粒隔離子的粒徑為1-100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述熒光粉顆粒是低壓熒光粉顆粒。
全文摘要
本發(fā)明提供一種利用熒光粉顆粒作為隔離子的場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)，包括陰極基板和與陰極基板相對應(yīng)的陽極基板，所述陰極基板與所述陽極基板之間設(shè)有熒光粉顆粒隔離子，所述場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)是二極場致發(fā)射顯示結(jié)構(gòu)。本發(fā)明解決了目前二極型結(jié)構(gòu)場發(fā)射平板顯示器中玻璃或其他絕緣體材料作為隔離子存在的電荷積累，光發(fā)射率降低，陰極和陽極間距過大，驅(qū)動(dòng)電壓高的問題。
文檔編號H01J31/12GK101826433SQ201010183880
公開日2010年9月8日 申請日期2010年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者葉蕓, 張永愛, 林金堂, 胡利勤, 郭太良 申請人:福州大學(xué)