專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在處理容器內(nèi)對例如FPD(平板顯示器)用的玻璃基板、半導(dǎo)體晶片等 被處理體供給處理氣體，并利用該處理氣體對上述被處理體進(jìn)行規(guī)定處理的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在LCD(Liquid Crystal Display :液晶顯示器)的制造工序中，具有對形成在玻 璃基板上的鋁(Al)膜實施蝕刻處理的工序?；趫D9對進(jìn)行該工序的蝕刻處理裝置的一 例進(jìn)行說明，圖中1是真空腔室，在該真空腔室1的內(nèi)部，設(shè)置有作為下部電極的、用于載置 作為被處理體的例如FPD基板S(以下簡稱"基板S")的載置臺ll，并且設(shè)置有作為上部電 極的、與該載置臺11相對的處理氣體供給部12。然后，從處理氣體供給部12對真空腔室1 內(nèi)供給由例如氯(Cl2)氣體構(gòu)成的蝕刻氣體，利用未圖示的真空泵通過排氣通路13對真空 腔室l內(nèi)進(jìn)行抽真空，另一方面，從高頻電源14對上述載置臺ll施加高頻電力，由此在基 板S的上方的空間形成蝕刻氣體的等離子體，由此，對基板S進(jìn)行蝕刻處理。
但是，在Al膜的蝕刻中，因為存在供給速率(supply rate controlling)，即蝕刻 氣體的供給量與蝕刻量成比例關(guān)系，由于負(fù)載效應(yīng)(loading effect)，會發(fā)生基板S周緣 部的蝕刻速度變得極快、蝕刻量變多的現(xiàn)象。即，從作為蝕刻劑的C1自由基來看，圖10中 以符號15表示的基板S的周緣部與以符號16表示的相同面積的中央?yún)^(qū)域相比，蝕刻面積 大約為一半，因此，以與供給至中央?yún)^(qū)域16的流量相同的流量進(jìn)行蝕刻氣體的供給時，周 緣部15的蝕刻量為中央?yún)^(qū)域16的大約2倍。 因此，在現(xiàn)有技術(shù)中采用了以下對策通過例如圖9和圖ll(a)所示在載置臺11 上設(shè)置包圍基板S、高度為10mm 150mm左右的整流壁17，使用整流壁17遮擋基板S周緣 部附近的蝕刻氣體的流動，在基板S的周圍形成氣體滯留。由此降低該區(qū)域的蝕刻氣體的 流速，能夠提高基板面內(nèi)蝕刻速度的均勻性。 這時，在例如與從設(shè)置在真空腔室1的側(cè)壁部的搬入搬出口 10到載置臺11的上 方側(cè)為止的基板S的搬送高度相比，整流壁17上端的位置較高的情況下，搬送中的基板S 與整流壁17會發(fā)生干涉。因此在具有這樣的整流壁17的蝕刻處理裝置中，例如，如圖9所 示，使整流壁17可自由升降，可從基板S的搬送路退避。在本例中，例如在整流壁17的側(cè) 面設(shè)置有向載置臺11的外部伸出的突出部171，各個突出部171的下表面上連接有升降用 支承棒181，通過利用升降機(jī)18使這些各個支承棒181進(jìn)行升降，而能夠使整流壁17進(jìn)行 升降。 在整流壁17可自由升降的蝕刻處理裝置中，例如，如圖ll(b)所示，在基板S的搬 入時，在使整流壁17從載置臺ll上升的狀態(tài)下，介于載置臺11與整流壁17之間的間隙進(jìn) 行基板S的搬入，將基板S載置在載置臺11上后使該整流壁17下降，另一方面，在搬出時 使整流壁17從載置面11上升后介于上述間隙進(jìn)行搬出基板S的動作。
但是，在A1膜的利用氯氣的蝕刻處理中，會產(chǎn)生A1的氯化物，它也會附著在整流 壁17、載置臺11上(以下稱附著物)。特別是如圖12(a)所示的在被載置臺11的上表面
3與整流壁17的內(nèi)表面夾著成為凹狀的區(qū)域(以下稱為凹部500)中，與平坦的整流壁17的 壁面等相比，附著物D容易逐漸堆積。 但是，在現(xiàn)有的蝕刻處理裝置中，使作為形成這種容易堆積附著物D的區(qū)域的一
側(cè)的部件的整流壁17進(jìn)行升降來進(jìn)行基板S的搬入搬出動作，因此在該升降動作時堆積在
凹部500的附著物D會被揚起，污染基板S的可能性較高(圖12 (b))。 此處，專利文獻(xiàn)1中雖然記載有具有用于使對基板的蝕刻處理均勻的整流壁的蝕
刻處理裝置，但沒有涉及在載置臺上載置基板、整流壁的動作，也沒有著眼到上述凹部的附
著物揚起的問題。 另外，專利文獻(xiàn)2中記載有下述方法在用于進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的干式蝕刻的蝕刻
處理裝置中，通過從兼用作載置臺的下部電極的半導(dǎo)體晶片的載置面使筒狀環(huán)伸出或退
回，在半導(dǎo)體晶片的周圍配置整流壁控制處理氣體和反應(yīng)生成物的流動，使蝕刻處理均勻
化。但是，在該蝕刻處理裝置中，半導(dǎo)體晶片的載置面與筒狀環(huán)的相交區(qū)域也存在凹部，因
此，在從載置面使環(huán)進(jìn)行伸出退回的動作時，附著物從該凹部揚起的可能性較高。 再者，專利文獻(xiàn)3中記載有下述處理裝置為了調(diào)整等離子體處理時在電極間形
成的電場的分布，具有與圖9所示的整流壁17幾乎相同的結(jié)構(gòu)、利用升降機(jī)構(gòu)可從下部電
極(基板的載置臺)進(jìn)行升降的整流壁，但是，也沒有著眼到使整流壁升降時堆積在凹部的
附著物揚起的問題。 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2003-243364號公報，第0041段第1行 第11行，第0046 段第1行 第4行，圖1，圖3 專利文獻(xiàn)2 :日本特開平7-74155號公報，第0010段第6行 第19行，第0011段 第8行 第11行，圖l，圖3 專利文獻(xiàn)3 :日本特開2007-42744號公報，第0032段，第0034段

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這些情況完成，其目的在于提供一種控制等離子體處理時生成的附著 物的揚起，能夠降低被處理體的污染的等離子體處理裝置。 本發(fā)所明涉及的等離子體處理裝置，對互相相對設(shè)置在處理容器內(nèi)的陽極電極與 陰極電極之間施加高頻電力從而使處理氣體等離子體化，對被處理體進(jìn)行等離子體處理， 該等離子體處理裝置的特征在于，包括設(shè)置在上述處理容器內(nèi)部、作為陽極電極與陰極電 極中的一方并且用于載置被處理體的載置臺；沿著載置在該載置臺上的被處理體的周緣、 以包圍該被處理體的方式設(shè)置在該載置臺上的下側(cè)整流壁；和載置在該下側(cè)整流壁之上、 與該下側(cè)整流壁一起包圍上述載置臺上的被處理體的上側(cè)整流壁，該上側(cè)整流壁構(gòu)成為能 夠在從下側(cè)整流壁上包圍被處理體的位置退避。 優(yōu)選等離子體處理裝置包括使上述上側(cè)整流壁升降的升降機(jī)構(gòu)，利用該升降機(jī)構(gòu) 使上述上側(cè)整流壁從上述下側(cè)整流壁向離開至上方側(cè)的位置上升，由此能夠從包圍被處理 體的位置退避。此時，優(yōu)選通過上述下側(cè)整流壁與從上述下側(cè)整流壁上升至向上方側(cè)離開 的位置的上側(cè)整流壁之間的間隙，在上述處理容器與其外部間搬送被處理體。另外，上述下 側(cè)整流壁優(yōu)選距離載置臺上的被處理體的載置面的高度為10mm以上且50mm以下較合適， 優(yōu)選上述下側(cè)整流壁的被處理體側(cè)的壁面與上側(cè)整流壁的被處理體側(cè)的壁面跨過兩整流
而且，上述載置臺還具有構(gòu)成該載置臺的一部分、以位于載置在該載置臺上的被 處理體的周緣部的方式設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的聚焦環(huán)，上述下側(cè)整流壁與該聚焦環(huán)形成為 一體，從該聚焦環(huán)的上表面向上方突出也可以。 根據(jù)本發(fā)明，能夠從包圍被處理體的位置退避的上側(cè)整流壁被配置在從載置臺的 上表面離開的位置，因此，與移動直接載置在載置臺上的整流壁的情況相比，能夠在附著物 少的位置進(jìn)行上側(cè)整流壁的退避動作，能夠抑制附著物伴隨該動作而產(chǎn)生的揚起，能夠降 低被處理體的污染。


圖1是表示實施方式所涉及的蝕刻處理裝置的結(jié)構(gòu)的縱截面圖。 圖2是表示上述蝕刻處理裝置的處理容器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖3是表示上述處理容器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的斜視圖。 圖4是表示上述蝕刻處理裝置的作用的縱截面圖。 圖5是表示設(shè)置在上述蝕刻處理裝置中的整流壁部的作用的放大縱截面圖。 圖6是表示上述整流壁部的其它例子的放大縱截面圖。 圖7是表示上述整流壁部的另外的其它例子的放大縱截面圖。 圖8是表示該其它的例子所涉及的整流壁部的變形例的放大縱截面圖。 圖9是表示現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的結(jié)構(gòu)的縱截面圖。 圖10是表示以上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置處理的基板的平面圖。 圖11是表示上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的處理容器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的斜視圖。 圖12量表示設(shè)置在上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置內(nèi)的整流壁的作用的放大縱截面圖。 符號說明 S :FPD基板(基板)；2 :蝕刻處理裝置；3 :載置臺；4 :上部電極；5 :整流壁；7 :控
制部；20 :處理容器；33 :聚焦環(huán)；40 :氣體噴淋頭；51 :上側(cè)整流壁；52 :下側(cè)整流壁；53 :支 承部件；54 :支承棒；61 :升降機(jī)；500 :凹部；
具體實施例方式
下面，參照圖1 圖3對本實施方式所涉及的作為等離子體處理裝置的蝕刻處理 裝置2的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1的縱截面圖所示的蝕刻處理裝置2構(gòu)成為對被處理體例如在 作為方形(矩形或四邊形)的FPD基板的基板S的表面形成的鋁(Al)膜進(jìn)行蝕刻處理的 裝置。 蝕刻處理裝置2具有作為真空腔室的處理容器20，該處理容器20用于在其內(nèi)部對 基板S實施蝕刻處理。本實施方式所涉及的蝕刻處理裝置2為了能夠處理例如至少長邊在 2m以上的大型的方形(矩形或四邊形)的基板，處理容器20形成為平面形狀例如也為方 形(矩形或四邊形)，尺寸例如為水平截面的一邊為3.5m、另一邊為3.0m左右。處理容器 20例如由鋁等導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性良好的材料構(gòu)成，并且該處理容器20被接地。另外，在處理 容器20的一個側(cè)壁21上形成有用于向處理容器20內(nèi)搬入基板S的搬入搬出口 22，該搬入
5搬出口 22構(gòu)成為為能夠利用門閥23自由開關(guān)。 在處理容器20的內(nèi)部配置有載置臺主體3，該載置臺主體3用于在其上表面載置 基板S。載置臺主體3與等離子體產(chǎn)生用的第一高頻電源部311和吸引等離子體中的離子 用的第二高頻電源部312電連接，起到以下作用在處理容器20內(nèi)產(chǎn)生等離子體，將該等離 子體中的離子吸引到基板S的表面。載置臺主體3隔著絕緣部件32配置在處理容器20的 底面上，由此，作為下部電極的載置臺主體3成為從處理容器20電浮的狀態(tài)(electrically floating condition)，起到在與后述的上部電極4之間產(chǎn)生等離子體的陰極電極的作用。
另外，利用例如由陶瓷材料構(gòu)成的聚焦環(huán)33覆蓋載置臺主體3的周緣部和側(cè)面， 該聚焦環(huán)33用于在載置臺主體3的上方均勻地形成等離子體。聚焦環(huán)33起到調(diào)整基板S 周緣區(qū)域的等離子體狀態(tài)的作用，例如起到使等離子體集中在基板S上從而使蝕刻速度提 高的作用。在本實施方式中，載置臺主體3與聚焦環(huán)33成為一體構(gòu)成本發(fā)明的載置臺，載 置基板S的載置區(qū)域形成為例如跨越(遍及)含有載置臺主體3的上表面及其周圍的聚 焦環(huán)33的上表面的一部分的區(qū)域，當(dāng)在載置區(qū)域載置基板S時，聚焦環(huán)33的位置是基板S 的周緣部下方側(cè)。 在載置臺主體3上還設(shè)置有升降銷34，該升降銷34用于在設(shè)置于外部的未圖示的 搬送裝置與該載置臺主體3之間進(jìn)行基板S的交接。升降銷34與用于使其從載置臺主體 3的表面自由伸出退回的升降機(jī)構(gòu)35相連接，能夠在進(jìn)行基板S的交接的位置與上述載置 區(qū)域之間使基板S進(jìn)行升降。 另一方面，在載置臺主體3的上方，以與該載置臺主體3的上表面相對的方式設(shè)置 有平板狀的上部電極4，該上部電極4由方板狀(矩形或者多邊形)的上部電極基座41支 承。上部電極4和上部電極基座41例如由鋁構(gòu)成，上部電極基座41的上表面與處理容器 20的頂部相連接。其結(jié)果為，上部電極4成為與被接地的處理容器20電導(dǎo)通的狀態(tài)，與作 為陰極電極的載置臺主體3相對從而作為產(chǎn)生等離子體的陽極電極發(fā)揮功能。另外，由這 些上部電極基座41和上部電極4包圍的空間構(gòu)成蝕刻氣體的氣體擴(kuò)散空間42。以下，將這 些上部電極4、氣體擴(kuò)散空間42統(tǒng)稱為氣體噴淋頭40。 在處理容器20的頂部，以與上述氣體擴(kuò)散空間42連接的方式設(shè)置有處理氣體供 給通路43，該處理氣體供給通路43的另一端側(cè)連接在處理氣體供給部44上。這樣，若從處 理氣體供給部44向氣體擴(kuò)散空間42供給蝕刻氣體，則能夠通過在上部電極4上設(shè)置的氣 體供給孔45對基板S上方的處理空間供給該蝕刻氣體，并使該蝕刻氣體等離子體化，以對 基板S進(jìn)行蝕刻處理。另一方面，處理容器20的底壁與構(gòu)成氣體排氣部的排氣通路24的 一端側(cè)連接，在其另一側(cè)上連接有例如未圖示的真空泵，處理容器20內(nèi)的蝕刻氣體從該排 氣通路24而被排出。 另外，本實施方式所涉及的蝕刻處理裝置2具有在背景技術(shù)中所說明的用于應(yīng)對 裝載(loading)的整流壁部5，當(dāng)該整流壁部5進(jìn)行避開與在處理容器20內(nèi)搬送的基板S 的干涉的動作時，能夠抑制伴隨等離子體處理而生成的附著物的揚起，以降低基板S的污 染。下面對該整流壁部5的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。 對于整流壁部5，例如如圖1 圖3所示，使以包圍載置于載置臺主體3上的基板 S的方式而配置的方形(矩形或者四邊形)的框架狀部件成為上下分割成上側(cè)整流壁51 和下側(cè)整流壁52的結(jié)構(gòu)。下側(cè)整流壁52連接例如4個沿著基板S的各邊伸出的細(xì)長的板
6狀部件，形成為包圍該基板的方形的框架狀，并且配置在載置臺上例如構(gòu)成載置臺的一部 分的聚焦環(huán)33上。下側(cè)整流壁52例如由氧化鋁等燒結(jié)體等電介質(zhì)構(gòu)成，該下側(cè)整流壁52 距離構(gòu)成基板S的載置面的聚焦環(huán)33的上表面為例如10mm以上且50mm以下的范圍，例如 30mm，其厚度為例如lOmrn。 另一方面，上側(cè)整流壁51例如是具有與上述下側(cè)整流壁52大致相同尺寸的平面 形狀的方形(矩形或者四邊形)的框架狀部件，上側(cè)整流壁51也與下側(cè)整流壁52相同，例 如由氧化鋁燒結(jié)體等電介質(zhì)構(gòu)成。上側(cè)整流壁51的高度為例如10mm以上且100mm以下的 范圍，例如70mm，其厚度為例如與下側(cè)整流壁52相同的10mm，通過使上側(cè)整流壁51載置在 下側(cè)整流壁52上，在載置臺主體3上的基板S的周圍形成上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52 成為一體的、整體高度為20mm 150mm的范圍(例如100mm)的整流壁(整流壁部5)。
通過這樣在下側(cè)整流壁52上載置上側(cè)整流壁51，例如如圖5 (a)所示，這些上側(cè)整 流壁51與下側(cè)整流壁52的接觸部位于比載置臺的表面(在本例中為聚焦環(huán)33的表面) 高的位置。另外，本實施方式所涉及的上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52在與基板S相對的 內(nèi)壁面?zhèn)鹊母鬟叺拈L度相同，例如以在上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52的接觸部，兩整流壁 51、52的內(nèi)壁面跨越該接觸部成為同一面的方式上下堆積。 具有該結(jié)構(gòu)的整流壁部5的上側(cè)整流壁51成為能夠以不干擾基板S搬送時的搬 送路線的方式進(jìn)行上下升降而從搬送路線退避的結(jié)構(gòu)。即，上側(cè)整流壁51例如在方形的框 架狀的四角的下部邊緣處設(shè)置有例如從搬入搬出口 22觀察向左右兩側(cè)水平突出的例如氧 化鋁燒結(jié)體等陶瓷制成的板狀的支承部件53，在這些支承部件53的前端部連接有用于通 過該支承部件53使上側(cè)整流壁51升降的支承棒54。各支承棒54貫通處理容器20的底 面，隔著升降板62與設(shè)置在處理容器20的外部的升降機(jī)61連接。然后，通過利用這些升 降機(jī)61使各支承棒54同步地進(jìn)行升降，由此，能夠在下側(cè)整流壁52的上表面(載置位置) 與其上方的位置之間升降上側(cè)整流壁51。此處，在各個支承棒54貫通處理容器20的部位， 例如設(shè)置有連接該處理容器20與升降板62、覆蓋支承棒54的波紋管63，使得能夠維持處 理容器20內(nèi)的真空度。在本例中，支承部件53、支承棒54和升降機(jī)61構(gòu)成上側(cè)整流壁51 的升降機(jī)構(gòu)。 經(jīng)由使上側(cè)整流壁51上升而形成的與下側(cè)整流壁52之間的間隙，對從搬入搬出 口 22搬入搬出的基板S進(jìn)行搬送，升降上側(cè)整流壁51的支承棒54由于支承部件53的存 在，從搬入搬出口 22觀察，從上側(cè)整流壁51向左右分離設(shè)置，由此，能夠不與這些支承棒54 發(fā)生干擾(干涉)地搬送基板S。另外，在圖1中，為了方便起見，圖中表示在與搬入搬出口 22相對的面的上側(cè)整流壁51上設(shè)置有支承部件53和支承棒54等，但是事實上，其結(jié)構(gòu)為 如圖2、圖3所示將它們設(shè)置在不與搬入搬出口 22相對的面的上側(cè)整流壁51上。
返回到蝕刻處理裝置2的整體的說明，如圖1所示，蝕刻處理裝置2與控制部7連 接?？刂撇?由例如具有未圖示的CPU與存儲部的計算機(jī)構(gòu)成，存儲部存儲有下述程序涉 及該蝕刻處理裝置2的動作，即向處理容器20內(nèi)搬入基板S、對載置在載置臺主體3上的基 板S實施蝕刻處理直至將其搬出為止的動作的控制等的步驟(命令)群組成的程序。該程 序貯存在例如硬盤、光盤、磁光盤、存儲卡等的存儲介質(zhì)中，然后安裝在計算機(jī)上。
下面，對本實施方式所涉及的蝕刻處理裝置2的動作進(jìn)行說明。首先，通過未圖示 的操作部，用戶對控制部7選擇目標(biāo)蝕刻處理的處理方案時，控制部基于該處理方案對蝕刻處理裝置2的各部輸出控制信號，這樣對基板進(jìn)行規(guī)定的蝕刻處理。另外，以下說明中使 用的圖4(a)、圖4(b)中，為方便圖示，適當(dāng)省略支承部件53、支承棒54、升降銷34的記載。
首先，如圖4(a)所示，在向處理容器20內(nèi)搬入基板S之前，使各升降機(jī)61動作從 而使支承棒54上升，當(dāng)上側(cè)整流壁51的下端提升至不與基板S的搬送路線發(fā)生干擾的高 度位置的狀態(tài)下，使該上側(cè)整流壁51待機(jī)在從下側(cè)整流壁52離開至上方側(cè)的位置。接著， 打開門閥23，利用未圖示的外部的搬送單元，向處理容器20內(nèi)搬入表面形成有Al膜的基板 S，將其搬送至載置臺主體3的載置區(qū)域的上方側(cè)的交接位置為止。 在基板S到達(dá)交接位置后，使升降銷34上升，從搬送單元將基板S交接至該升降 銷34，交接完基板S的搬送單元向處理容器20外退出，然后使升降銷34下降從而使基板S 載置在載置區(qū)域上。之后，使門閥23上升來關(guān)閉搬入搬出口 22，另一方面，如圖4(b)所示， 使各升降機(jī)61動作，使下側(cè)整流壁51下降至載置位置，在該上側(cè)整流壁51載置在下側(cè)整 流壁52上的狀態(tài)下停止。 在完成基板S的搬入后，使真空泵動作，將處理容器20的內(nèi)部空間調(diào)整至規(guī)定的 壓力，從上述處理氣體供給部44向基板S噴出蝕刻處理用的蝕刻氣體、例如氯氣。然后，從 第一、第二高頻電源部311、312向載置臺主體3供給高頻電力，在基板S的上方側(cè)的空間形 成等離子體，利用下述公式(1)所示的主要反應(yīng)對基板S實行蝕刻處理。
3C1*+A1 — A1C13......(1) 從氣體噴淋頭40供給的蝕刻氣體在處理容器20內(nèi)下降而到達(dá)基板S，并在其表面 進(jìn)行蝕刻處理。這樣，蝕刻氣體在沿著基板S的表面?zhèn)鬟f的同時向周緣部側(cè)流動，到達(dá)以包 圍基板S的方式載置的整流壁部5時流動被阻擋。通過使用整流壁部5阻擋流動，在該整 流壁部5的內(nèi)側(cè)的區(qū)域即基板S的周緣部形成蝕刻氣體的流速變慢的氣體積存區(qū)域，能夠 使基板S周緣部的蝕刻速度變慢。其結(jié)果為，與基板S的中央側(cè)的蝕刻速度之差變小，抑制 負(fù)載效應(yīng)(loading effect)。 在整流壁部5的內(nèi)側(cè)形成的氣體積存不久便會越過上下堆積的上側(cè)整流壁51和 下側(cè)整流壁52，向整流壁部5的外側(cè)溢出，通過聚焦環(huán)33與處理容器20之間的空間流入排 氣通路24，向處理容器20外排出。這樣基于處理方案進(jìn)行規(guī)定時間蝕刻處理后，停止蝕刻 氣體、高頻電力的供給，使處理容器20內(nèi)的壓力恢復(fù)為原來的狀態(tài)，之后，以與搬入時的順 序相反的順序從載置臺主體3將基板S向外部的搬送單元進(jìn)行交接，從而將其從蝕刻處理 裝置2搬出，完成一系列的蝕刻處理。 在以上說明的本實施方式所涉及的蝕刻處理裝置2的一系列動作中，通過下側(cè)整 流壁52與從該下側(cè)整流壁52上升到離開至上方側(cè)位置的上側(cè)整流壁51之間所形成的間 隙，對基板S進(jìn)行搬入搬出時，對于這些整流壁51、52的接觸部，例如如圖5(a)所示，位于 比背景技術(shù)中所說明的凹部500高出下側(cè)整流壁52的高度，例如10mm 50mm范圍(例如 30mm)的較高位置。如背景技術(shù)所述，在凹部500容易堆積附著物D。 與此相對，因為上述上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52的接觸部存在的位置比凹部 500遠(yuǎn)離載置臺主體3，所以與凹部500相比，難以堆積附著物D，例如如圖5(b)所示，在向 處理容器20內(nèi)搬入搬出基板S時，即使進(jìn)行上側(cè)整流壁51的升降動作也幾乎不會發(fā)生從 該接觸部揚起附著物D的情況，因此難以引起基板S的污染。 另外，在本實施方式中，如圖5(b)所示，因為作為構(gòu)成凹部500的一方側(cè)的部件的下側(cè)整流壁52保持被放置在載置臺(聚焦環(huán)33)上的狀態(tài)不進(jìn)行升降，所以即使附著物D 堆積在該凹部500內(nèi)，伴隨基板S的搬入搬出動作這些附著物D揚起的可能性變小，在這一 點上也難以引起基板S的污染。 這里，若下側(cè)整流壁52的高度比10mm低，則上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52的接 觸部的位置離凹部500變近，附著物D附著在該壁面上，此外例如在凹部500形成的附著物 D堆積至接觸部的位置到達(dá)兩整流壁51、52的接觸部，引起基板S的污染的可能性變高。另 一方面，若下側(cè)整流壁52的高度比50mm高，則下側(cè)整流壁52的上端會阻擋基板S的搬送 路線，成為基板S搬入搬出時的障礙。 根據(jù)本實施方式，有以下效果。因為構(gòu)成為能夠升降的上側(cè)整流壁51隔著下側(cè)整 流壁52配置在遠(yuǎn)離載置臺(例如本例中為聚焦環(huán)33)的上表面的位置，所以與例如使直接 載置在載置臺上的整流壁升降的情況(例如相當(dāng)于本例中使下側(cè)整流壁52升降的情況) 相比，能夠在附著物D少的位置升降上側(cè)整流壁51，能夠抑制伴隨升降動作引起的附著物 的揚起，降低被處理體的污染。 這里，上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52的接觸面并不限定為水平，也可以傾斜，也 可以為臺階狀。另外，也并不限定于上側(cè)整流壁51和下側(cè)整流壁56的厚度形成為相同厚 度的情況，例如，如圖6 (a)、圖6 (b)所示，也可以例如使下側(cè)整流壁52構(gòu)成為延伸至與載置 臺(在本例中為聚焦環(huán)33)的周緣部大致相同的位置的扁平部件，使上側(cè)整流壁51載置在 該扁平的下側(cè)整流壁52的上表面。像這樣以扁平的部件構(gòu)成下側(cè)整流壁52的情況下等， 例如如圖7所示，使下側(cè)整流壁52與聚焦環(huán)33 —體構(gòu)成，例如使下側(cè)整流壁52從聚焦環(huán) 33的上表面向上方突出，包圍基板S也可以。 另外，與基板S相對的上側(cè)整流壁51和下側(cè)整流壁52的內(nèi)壁面并不限于成為同 一面的情況，此外也可以如圖8所示，將下側(cè)整流壁52的上端的外周部切出缺口 ，使上側(cè)整 流壁51的下端嵌入在該缺口部分，使氣體較難從接合部外泄。 除此之外，為避開與基板S的搬送路線的干擾，使上側(cè)整流壁51退避的方法并不 限定于使用升降機(jī)構(gòu)使上側(cè)整流壁51進(jìn)行升降的情況。也可以構(gòu)成為例如使與搬入搬出 口 22相對的位置設(shè)置的面的上側(cè)整流壁51能夠向該搬入搬出口 22傾倒，在基板S的搬入 搬出時通過使該面的上側(cè)整流壁51傾倒來進(jìn)行退避。另外，與其相反，也可以將與搬入搬 出口 22相對的位置設(shè)置的面的上側(cè)整流壁51的上端進(jìn)行軸支承，在基板S的搬入搬出時 通過彈起(抬起)該面的上側(cè)整流壁51來進(jìn)行退避。在這些情況下，例如也可以僅使搬入 搬出口 22側(cè)的整流壁部5分割為上側(cè)整流壁51與下側(cè)整流壁52，對剩余3面的整流壁部 5不進(jìn)行上下分割。 另外，蝕刻處理裝置2并不限定于以載置臺主體3作為陰極電極的情況，也可以為 下述情況在上部電極4從被接地的處理容器20電浮起的狀態(tài)下與等離子體產(chǎn)生用的第一 高頻電源部311連接，另一方面，使載置臺主體3為接地側(cè)，由此，使上部電極4作為陰極電 極、使載置臺主體3作為陽極電極。另外，也可以不在載置臺主體3上設(shè)置聚焦環(huán)33。
另外，本發(fā)明的處理裝置并不僅限于鋁膜的蝕刻處理，也適用于鋁合金、鈦、鈦合 金等的金屬膜或絕緣膜、半導(dǎo)體膜的蝕刻以及它們的層疊膜(層積膜)。另外，能夠適用于 蝕刻處理之外的例如灰化、CVD (Chemical Vapor D印osition (化學(xué)氣相沉積))等使用其 它處理氣體對被處理體進(jìn)行處理的處理。再者，作為被處理體并不限于方形(矩形或者四為FPD基板之外的例如圓形半導(dǎo)體晶片等。
權(quán)利要求
一種等離子體處理裝置，對互相相對設(shè)置在處理容器內(nèi)的陽極電極與陰極電極之間施加高頻電力從而使處理氣體等離子體化，對被處理體進(jìn)行等離子體處理，該等離子體處理裝置的特征在于，包括設(shè)置在所述處理容器內(nèi)部、作為陽極電極與陰極電極中的一方并且用于載置被處理體的載置臺；沿著載置在該載置臺上的被處理體的周緣、以包圍該被處理體的方式設(shè)置在該載置臺上的下側(cè)整流壁；和載置在該下側(cè)整流壁上、與該下側(cè)整流壁一起包圍所述載置臺上的被處理體的上側(cè)整流壁，該上側(cè)整流壁構(gòu)成為能夠從在下側(cè)整流壁上包圍被處理體的位置退避。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于該等離子體處理裝置包括使所述上側(cè)整流壁升降的升降機(jī)構(gòu)，利用該升降機(jī)構(gòu)使該上 側(cè)整流壁從所述下側(cè)整流壁朝著離開至上方側(cè)的位置上升，由此從包圍被處理體的位置退 避。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于通過所述下側(cè)整流壁與從所述下側(cè)整流壁上升至向上方側(cè)離開的位置的上側(cè)整流壁 之間的間隙，在所述處理容器與其外部之間搬送被處理體。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述下側(cè)整流壁距離載置臺上的被處理體的載置面的高度為10mm以上且50mm以下。
5. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述下側(cè)整流壁的被處理體側(cè)的壁面與上側(cè)整流壁的被處理體側(cè)的壁面跨越兩個整流壁的接觸部形成為同一面。
6. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述載置臺具有構(gòu)成該載置臺的一部分、以位于載置在該載置臺上的被處理體的周緣部的方式所設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的聚焦環(huán)，所述下側(cè)整流壁與該聚焦環(huán)形成為一體，從該 聚焦環(huán)的上表面向上方突出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制等離子體處理時生成的附著物的揚起，降低被處理體的污染的等離子體處理裝置。在將處理氣體在陽極電極與陰極電極間等離子體化、向被處理體S進(jìn)行處理的等離子體處理裝置中，上側(cè)整流壁(51)與下側(cè)整流壁(52)在形成一方的電極的載置臺(3)上上下堆積，包圍載置在該載置臺(3)上的被處理體(S)的周圍，升降機(jī)構(gòu)使上側(cè)整流壁(51)在下側(cè)整流壁(52)上的載置位置與在上方側(cè)離開該下側(cè)整流壁(52)的位置之間升降。
文檔編號H01J37/32GK101752172SQ20091022436
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者佐佐木芳彥, 南雅人 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社