專利名稱：用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種用于增加導(dǎo)電 及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖l所示，其為公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。由上述 圖中可知，公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括 一發(fā)光本體1，兩個分別設(shè)置于 該發(fā)光本體1上的正極導(dǎo)電層P及負極導(dǎo)電層N、 一設(shè)置于該發(fā)光本體1的
底部的反射層2、及一用于包覆該發(fā)光本體l的透明封裝膠體3。
再者，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于一電路板p上，并且通過兩條導(dǎo)線
w以分別將該正極導(dǎo)電層P及該負極導(dǎo)電層N電性連接于該電路板。此外，
該發(fā)光本體1產(chǎn)生的一部分光束直接產(chǎn)生向上投射的效果，并且該發(fā)光本體 1所產(chǎn)生的另一部分光束L通過該反射層2的反射以產(chǎn)生向上投射的效果。 然而，上述公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有下列缺點存在
1、 上述該正極導(dǎo)電層P及該負極導(dǎo)電層N只裸露出一部分的面積，因 此該正極導(dǎo)電層P及該負極導(dǎo)電層N無法提供較大的導(dǎo)電面積(無法提供較 大的電源功率)及散熱面積(無法提供較佳的散熱效率)。
2、 由于該透明封裝膠體3將該發(fā)光本體1包覆住，所以該發(fā)光本體1 所產(chǎn)生的熱因受到該透明封裝膠體3的阻礙而無法進行散熱，因此公知發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果非常不好。
3、 該反射層2、該透明封裝膠體3、及上述兩條導(dǎo)線w皆為公知發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)在制作時必要的結(jié)構(gòu)特征，因此公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在制 作時不僅較費時，也產(chǎn)生較高的制作成本。
是以，由上可知，上述公知的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，在實際使用上，顯 然具有不便與技術(shù)缺陷存在。
因此，本發(fā)明人有感于上述技術(shù)缺陷的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗，悉心觀察且研究，并配合學(xué)理的運用，而提出一種設(shè)計合理 且有效改善上述技術(shù)缺陷的本實用新型。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種用于增加導(dǎo)電及散熱面 積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型通過大面積的一第二正極導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)及一第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的使用，以提供較大的導(dǎo)電面積(能提供較大的 電源功率)及散熱面積(能提供較佳的散熱效率)。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本實用新型的其中一種方案，提供一種用 于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一發(fā)光單元、 一第一導(dǎo)電單元、 一第二導(dǎo)電單元及一絕緣單元。其中，該發(fā)光單元具有一 發(fā)光本體、 一成形于該發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層、 一成形于該發(fā)光本體上的 負極導(dǎo)電層、 一成形于該正極導(dǎo)電層及該負極導(dǎo)電層之間的第一絕緣層、及 一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域。該第一導(dǎo)電單元具有一成形于該正極導(dǎo) 電層上的第一正極導(dǎo)電層及一成形于該負極導(dǎo)電層上的第一負極導(dǎo)電層。該 第二導(dǎo)電單元具有一成形于該第一正極導(dǎo)電層上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一 成形于該第一負極導(dǎo)電層上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。該絕緣單元具有一成形在 該第一絕緣層上并且位于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間 的第二絕緣層。
再者，本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)還進一步包括 一成形于該發(fā)光單元底部的熒光層或一成形于該發(fā)光單元 底部及周圍的熒光層。
因此，本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)的特點在于
1、因為第二導(dǎo)電單元具有一成形于該相對應(yīng)第一正極導(dǎo)電層上的第二 正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一成形于該相對應(yīng)第一負極導(dǎo)電層上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)， 并且每一個第二絕緣層成形于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 之間，所以該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)能提供較大的面積以 提供導(dǎo)電及散熱。借此，本實用新型所制作的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)能 提供較大的導(dǎo)電面積(能提供較大的電源功率)及散熱面積(能提供較佳的散熱效率)。
2、 以上述第一實施例而言，該熒光層可成形于該發(fā)光單元的氧化鋁基 板的底部，以配合該發(fā)光區(qū)域所產(chǎn)生的光束來提供白色光源。以上述第二實 施例而言，該熒光層成形于該發(fā)光單元的底部及周圍，以配合該發(fā)光區(qū)域所 產(chǎn)生的光束來提供白色光源。
3、 本實用新型不需要使用像上述公知一樣的導(dǎo)線、反射層及封裝膠體， 因此本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在 制作時可大大降低制作時間及成本。
為了能更進一步了解本實用新型為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及 功效，請參閱以下有關(guān)本實用新型的詳細說明與附圖，相信本實用新型的目 的、特征與特點，當(dāng)可由此得一深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與 說明用，并非用來對本實用新型加以限制。


圖1為公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖2A至圖2K分別為本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實施例的制作流程示意圖2L為本發(fā)明第一實施例的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上；
圖3A至圖3C分別為本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實施例的部分制作流程示意圖；以及
圖3D為本發(fā)明第二實施例的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上。
其中，附圖標記說明如下
1 發(fā)光本體
P 正極導(dǎo)電層 N 負極導(dǎo)電層
2 反射層
3 透明封裝膠體
6W
L 光束 W 晶片
1 a 發(fā)光單元
M a R a R a
2 a
S a
3 8
4 a
S P
第一導(dǎo)電層 光致抗蝕劑 光致抗蝕劑 第一導(dǎo)電單元
絕緣材料層 第二絕緣層 第二導(dǎo)電單元
熒光層 熒光層 高分子基板 電路板
Z a 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
10 a 發(fā)光本體
A a 發(fā)光區(qū)域 100 a 氧化鋁基板 101a 氮化鎵負電極層 102 a 氮化鎵正電極層 11a 第一絕緣層 P a 正極導(dǎo)電層 PI a 正極導(dǎo)電區(qū)域 N a 負極導(dǎo)電層
Nla 負極導(dǎo)電區(qū)域
Ma' 第一導(dǎo)電層
Rla 盲孔
2P a 第一正極導(dǎo)電層
2Na 第一負極導(dǎo)電層
4P a 第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 4Na 第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu) Cu 銅層 Ni
Au/ SnB a 錫球 B a ' 錫膏 La 光束 W 晶片
5b 熒光層
5 b ' 熒光層
S 高分子基板
P 電路板
B b 錫球
B b ' 錫膏
Lb 光束
具體實施方式
請參閱圖2A至圖2K所示，本實用新型第一實施例提供一種用于增加 導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步 驟
步驟S100為請配合圖2A所示，提供一具有多個發(fā)光單元la的晶片 W (圖式中只顯示出該晶片W上的其中一個發(fā)光單元la)，其中每一個發(fā) 光單元1 a具有一發(fā)光本體10 a 、 一成形于該發(fā)光本體10 a上的正極導(dǎo)電層 P a (例如P型半導(dǎo)體材料層)、 一成形于該發(fā)光本體10a上的負極導(dǎo)電層 Na (例如N型半導(dǎo)體材料層)、 一成形于該正極導(dǎo)電層P a及該負極導(dǎo)電 層Na之間的第一絕緣層11 a 、及一成形于該發(fā)光本體lOa內(nèi)的發(fā)光區(qū)域 A a ，其中該第一絕緣層11 a可為一高分子材料層(polymer layer)或一陶 瓷材茅斗層(ceramic layer)。
此外，該發(fā)光本體10 a具有一氧化鋁基板100 a 、 一成形于該氧化鋁基 板100 a上的氮化鎵負電極層101 a 、及一成形于該氮化鎵負電極層101 a上
Z b 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
1 b 發(fā)光單元
A b 發(fā)光區(qū)域
C 凹槽的氮化鎵正電極層102 a ，此外該正極導(dǎo)電層P a成形于該氮化鎵正電極層 102 a上，該負極導(dǎo)電層N a成形于該氮化鎵負電極層101 a上，另外該第一 絕緣層11 a成形于該氮化鎵負電極層101 a上并且位于該正極導(dǎo)電層P a 、 該負極導(dǎo)電層N a及該氮化鎵正電極層102a之間。另外，該正極導(dǎo)電層P a的上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域Pl a ，該負極導(dǎo)電層N a的上表面具有一 負極導(dǎo)電區(qū)域Nl a ,并且該第一絕緣層11 a覆蓋于該正極導(dǎo)電層P a的一 部分正極導(dǎo)電區(qū)域P1 a上及覆蓋于該負極導(dǎo)電層N a的一部分負極導(dǎo)電區(qū) 域N1 a上。
步驟S102為請配合圖2B所示，成形一第一導(dǎo)電層Ma于每一個發(fā)光 單元1 a的該正極導(dǎo)電層P a 、該負極導(dǎo)電層N a及該第一絕緣層11 a上， 其中該第一導(dǎo)電層Ma為一層通過無電鍍的方式(例如物理蒸鍍、化學(xué)蒸 鍍或濺鍍等方法)以成形于每一個發(fā)光單元1 a的該正極導(dǎo)電層P a 、該負 極導(dǎo)電層N a及該第一絕緣層11 a上的導(dǎo)電金屬層。
步驟S104為請配合圖2C所示，成形一光致抗蝕劑R a于該第一導(dǎo)電 層M a上。
步驟S106為請配合圖2D所示，移除一部分的光致抗蝕劑R a以形成 多個盲孔R1 a ，其中每一個盲孔R1 a用以暴露出位于每一個發(fā)光單元1 a 的第一絕緣層11 a上的部分第一導(dǎo)電層M a ，其中上述一部分的光致抗蝕劑 R a通過曝光與顯影相互配搭的方式來移除，以形成一被移除后的光致抗蝕 劑R a '。
步驟S108為請配合圖2E所示，移除位于所述多個盲孔Rla內(nèi)的部 分第一導(dǎo)電層M a ，其中上述部分第一導(dǎo)電層M a通過蝕刻的方式來移除， 以形成一被移除后的第一導(dǎo)電層Ma '。
步驟S110為請配合圖2F所示，移除圖2E中其余的光致抗蝕劑Ra '，以形成位于每一個發(fā)光單元la上的一第一正極導(dǎo)電層2P a及一第一 負極導(dǎo)電層2N a 。此外，該第一正極導(dǎo)電層2P a及該第一負極導(dǎo)電層2 N a可由任何導(dǎo)電金屬所制成，例如鈦鎢(TiW)合金或鎳釩(NiV)合 金等。
換言之，由上述步驟S102至步驟S110可知，于步驟S100之后，則分 別成形多個第一導(dǎo)電單元2a (第一導(dǎo)電層Ma ')于所述多個發(fā)光單元1a上，其中每一個第一導(dǎo)電單元2a (第一導(dǎo)電層Ma')具有一成形于該 相對應(yīng)正極導(dǎo)電層P a上的第一正極導(dǎo)電層2P a及一成形于該相對應(yīng)負極 導(dǎo)電層N a上的第一負極導(dǎo)電層2N a 。此外，該第一正極導(dǎo)電層2P a與 該第一負極導(dǎo)電層2N a彼此絕緣，并且該第一正極導(dǎo)電層2P a成形于其 余的正極導(dǎo)電區(qū)域Pla上及一部分第一絕緣層lla上，該第一負極導(dǎo)電層 2N a成形于其余的負極導(dǎo)電區(qū)域N1 a及一部分第一絕緣層11 a上。
步驟S112為請配合圖2G所示，成形一絕緣材料層S a于每一個發(fā)光 單元1 a的一部分第一絕緣層11 a上及位于每一個發(fā)光單元1 a上端的第一 正極導(dǎo)電層2P a及第一負極導(dǎo)電層2N a上。
步驟S114為請配合圖2H所示，移除上述位于所述多個第一正極導(dǎo)電 層2P a及所述多個第一負極導(dǎo)電層2N a上端的部分絕緣材料層S a ，以 分別成形多個第二絕緣層3 a于所述多個第一絕緣層11 a上，其中該第二絕 緣層3a可為一高分子材料層(polymer layer)或一陶瓷材料層(ceramic layer)。
步驟S116為請配合圖2I所示，分別成形多個第二導(dǎo)電單元4a于所 述多個第一導(dǎo)電單元2a上，其中每一個第二導(dǎo)電單元4a具有一成形于該 相對應(yīng)第一正極導(dǎo)電層2P a上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及一成形于該相 對應(yīng)第一負極導(dǎo)電層2N a上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a ，并且每一個第二 絕緣層3 a成形于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a之 間，此外每一個第二絕緣層3a與該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4Na分別分離一預(yù)定距離。另外，以第一實施例而言，該第二正 極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a由至少三層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成， 并且該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a由至少三層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互 堆疊所組成，其中上述至少三層導(dǎo)電金屬層為一銅層Cu、 一鎳層Ni及一金 層或錫層Au/Sn，該鎳層Ni成形于該銅層Cu上，并且該金層或錫層Au/ Sn成形于該鎳層Ni上。
另外，依據(jù)不同的設(shè)計設(shè)求，該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a也可由至少兩 層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成，并且該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4 N a也可由至少兩層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成，其中上述 至少兩層導(dǎo)電金屬層為一鎳層Ni及一金層或錫層Au / Sn，并且該金層或錫
10層Au/Sn成形于該鎳層Ni上。換言之，只要是由兩層以上的導(dǎo)電金屬層相 互堆疊的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及由兩層以上的導(dǎo)電金屬層相互堆疊的第 二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a ，皆為本實用新型所保護的范疇。
步驟S118為請配合圖2J所示，將該晶片W翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高 分子基板S上。
步驟S120為請配合圖2J所示，成形一熒光層5 a于每一個發(fā)光單元 la的底端。換言之，通過將該晶片W翻轉(zhuǎn)的方式，以將該熒光層5a成形于 該氧化鋁基板100a的底面。此外，上述的熒光層5a可依據(jù)不同的使用 需求，而選擇為由一硅膠(silicon )與 一 熒光粉(fluorescent powder) 所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin )、或由 一 環(huán)氧樹脂(epoxy) 與 一 熒光粉(fluorescent powder )所混合形成的熒光膠體 (fluorescent resin)。
步驟S122為請配合圖2K所示，沿著圖2J的X — X線以進行切割過 程，以將該晶片W切割成多個覆蓋有熒光層5a '的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z a ，并且通過至少兩個錫球B a以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z a電性連 接于一電路板P上，其中每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z a從該發(fā)光區(qū)域A a 產(chǎn)生通過該熒光層5a'的光束La，以進行照明的需求。此外，有一部分 從該發(fā)光區(qū)域Aa所產(chǎn)生的光束(圖未示)投向下方，并且所述多個投向下 方的光束受到該正極導(dǎo)電層P a及該負極導(dǎo)電層N a的反射而產(chǎn)生向上投 光效果。
借此，由上述圖2K可知，本實用新型第一實施例提供一種用于增加導(dǎo) 電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一發(fā)光單元la、 一 第一導(dǎo)電單元2a、 一第二導(dǎo)電單元4a、 一絕緣單元(一第二絕緣層3a) 及一熒光層5a'。
其中，該發(fā)光單元la具有一發(fā)光本體10a、 一成形于該發(fā)光本體10 a上的正極導(dǎo)電層P a、 一成形于該發(fā)光本體10a上的負極導(dǎo)電層Na、 一 成形于該正極導(dǎo)電層P a及該負極導(dǎo)電層N a之間的第一絕緣層11 a 、及一 成形于該發(fā)光本體10a內(nèi)的發(fā)光區(qū)域Aa。該發(fā)光本體10a具有一氧化鋁 基板100 a 、 一成形于該氧化鋁基板100 a上的氮化鎵負電極層101 a 、及一 成形于該氮化鎵負電極層101a上的氮化鎵正電極層102 a ，此外該正極導(dǎo)電層P a成形于該氮化鎵正電極層102a上，該負極導(dǎo)電層N a成形于該氮 化鎵負電極層101 a上，另外該第一絕緣層11 a成形于該氮化鎵負電極層101 a上并且位于該正極導(dǎo)電層P a 、該負極導(dǎo)電層N a及該氮化鎵正電極層 102a之間。另外，該正極導(dǎo)電層P a的上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域Pla， 該負極導(dǎo)電層N a的上表面具有一負極導(dǎo)電區(qū)域N1 a ，并且該第一絕緣層 11 a覆蓋于該正極導(dǎo)電層P a的一部分正極導(dǎo)電區(qū)域P1 a上及該負極導(dǎo)電 層N a的一部分負極導(dǎo)電區(qū)域Nl a上。
此外，該第一導(dǎo)電單元2a具有一成形于該相對應(yīng)正極導(dǎo)電層P a上的 第一正極導(dǎo)電層2P a及一成形于該相對應(yīng)負極導(dǎo)電層N a上的第一負極導(dǎo) 電層2N a 。此外，該第一正極導(dǎo)電層2P a與該第一負極導(dǎo)電層2N a彼此 絕緣，并且該第一正極導(dǎo)電層2P a成形于其余的正極導(dǎo)電區(qū)域Pl a上及一 部分第一絕緣層11 a上，該第一負極導(dǎo)電層2N a成形于其余的負極導(dǎo)電區(qū) 域N 1 a及一部分第一絕緣層11 a上。
另外，第二導(dǎo)電單元4a具有一成形于該相對應(yīng)第一正極導(dǎo)電層2P a 上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及一成形于該相對應(yīng)第一負極導(dǎo)電層2N a上 的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a ，并且每一個第二絕緣層3 a成形于該第二正極 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a之間，此外每一個第二絕緣層3 a與該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a分別分離一預(yù) 定距離。另外，以第一實施例而言，該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a由至少三層 導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成，并且該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a由至少三層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成，其中上述至少三 層導(dǎo)電金屬層為一銅層Cu、 一鎳層Ni及一金層Au或錫層Sn，該鎳層Ni 成形于該銅層Cu上，并且該金層Au或錫層Sn成形于該鎳層Ni上。
再者，該第二絕緣層3 a成形在該第一絕緣層11 a上并且位于該第二正 極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a之間。此外，該熒光層5 a ' 成形于該發(fā)光單元1 a的氧化鋁基板100 a的底部，以配合該發(fā)光區(qū)域A a 所產(chǎn)生的光束L a來提供白色光源。
請參閱圖2L所示，其為本發(fā)明第一實施例的用于增加導(dǎo)電及散熱面積 的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上。由上 述圖中可知，通過至少兩層錫膏Ba'的涂布以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)
12構(gòu)Z a電性連接于一電路板P上。
請參閱圖3A至圖3C所示，本實用新型第二實施例與第一實施例最大的
差別在于在第二實施例中，于"將該晶片W翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高分子 基板S上"的步驟后，還進一步包括
步驟S200為請配合圖3A所示，進行第一次切割過程，以將該晶片W 切割成多個形成于多個發(fā)光單元1 b之間的凹槽C 。
步驟S202為請配合圖3B所示，填充熒光材料(圖未示)于所述多個
凹槽C內(nèi)。此外，上述的熒光材料可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為
由一硅膠(silicon)與一熒光粉(fluorescent powder)所混合形成 的熒光膠體(fluorescent resin)、或由一環(huán)氧^1"脂(epoxy)與一熒 光粉(fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resirO 。
步驟S204為請配合圖3B所示，固化該熒光材料，以形成一熒光層5 b于每一個發(fā)光單元1 b的底端及周圍。
步驟S206為請配合圖3C所示，沿著圖3B的Y — Y線以進行第二次 切割過程，以將該晶片W切割成多個覆蓋有熒光層5b '的發(fā)光二極管封裝 結(jié)構(gòu)Z b ，并且通過至少兩個錫球B b以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z b 電性連接于一電路板P上，其中每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z b從該發(fā)光區(qū) 域Ab產(chǎn)生通過該熒光層5b'的光束Lb，以進行照明的需求。
借此，由上述圖3C可知，本實用新型第二實施例提供一種用于增加導(dǎo) 電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，并且本實用新型第二實施例與 第一實施例最大的差別在于該熒光層5b'成形于該發(fā)光單元lb的底部 及周圍，以配合該發(fā)光區(qū)域Ab所產(chǎn)生的光束L b來提供白色光源。
請參閱圖3D所示，其為本發(fā)明第二實施例的用于增加導(dǎo)電及散熱面積 的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上。由上 述圖中可知，通過至少兩層錫膏Bb'的涂布以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)Z b電性連接于一電路板P上。
綜上所述，本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)的特點在于
1、以第一實施例而言，因為第二導(dǎo)電單元4a具有一成形于該相對應(yīng)第一正極導(dǎo)電層2P a上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及一成形于該相對應(yīng)第一 負極導(dǎo)電層2N a上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a ，并且每一個第二絕緣層3 a成形于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a之間，所 以該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4P a及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4N a能提供較大的面 積以提供導(dǎo)電及散熱。借此，本實用新型所制作的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)能提供較大的導(dǎo)電面積(能提供較大的電源功率)及散熱面積(能提供較 佳的散熱效率)。
2、 以第一實施例而言，該熒光層5 a '可成形于該發(fā)光單元1 a的氧化 鋁基板100 a的底部，以配合該發(fā)光區(qū)域A a所產(chǎn)生的光束L a來提供白色 光源。以第二實施例而言，該熒光層5b'成形于該發(fā)光單元lb的底部及 周圍，以配合該發(fā)光區(qū)域Ab所產(chǎn)生的光束L b來提供白色光源。
3、 本實用新型不需使用像上述公知一樣的導(dǎo)線、反射層及封裝膠體， 因此本實用新型用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在 制作時可大大降低制作時間及成本。
以上所述，僅為本實用新型最佳的一個具體實施例的詳細說明與附圖， 但是本實用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本實用新型，本實用新 型的所有范圍應(yīng)以下述的權(quán)利要求書為準，凡合于本實用新型權(quán)利要求書的 精神與其類似變化的實施例，皆應(yīng)包含于本實用新型的范疇中，任何本領(lǐng)域
普通技術(shù)人員在本實用新型的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在 以下本實用新型的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一發(fā)光單元，其具有一正極導(dǎo)電層、一負極導(dǎo)電層、及一成形于該正極導(dǎo)電層及該負極導(dǎo)電層之間的第一絕緣層；一第一導(dǎo)電單元，其具有一成形于該正極導(dǎo)電層上的第一正極導(dǎo)電層及一成形于該負極導(dǎo)電層上的第一負極導(dǎo)電層；一第二導(dǎo)電單元，其具有一成形于該第一正極導(dǎo)電層上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一成形于該第一負極導(dǎo)電層上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及一絕緣單元，其具有一成形于該第一絕緣層上并且位于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的第二絕緣層。
2、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該正極導(dǎo)電層的上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域，該負極導(dǎo)電層的上表面具有一負極導(dǎo)電區(qū)域，并且該第一絕緣層覆蓋于該正極導(dǎo) 電層的一部分正極導(dǎo)電區(qū)域上及該負極導(dǎo)電層的一部分負極導(dǎo)電區(qū)域上。
3、 如權(quán)利要求2所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一正極導(dǎo)電層與該第一負極導(dǎo)電層彼此絕緣，并且該第一正極導(dǎo)電層成形于其余的正極導(dǎo)電區(qū)域上及一部分第一絕緣層 上，該第一負極導(dǎo)電層成形于其余的負極導(dǎo)電區(qū)域及一部分第一絕緣層上。
4、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一絕緣層及該第二絕緣層為一高分子材料層或 一陶瓷材料層。
5、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由至少兩層導(dǎo)電金屬層通過電 鍍的方式相互堆疊所組成，并且該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由至少兩層導(dǎo)電金屬層 通過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少兩層導(dǎo)電金屬層為一鎳層及一金層或錫層，并且該金層或錫層成形于該鎳層上。
6、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由至少三層導(dǎo)電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成，并且該第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由至少三層導(dǎo)電金屬層2通過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少三層導(dǎo)電金屬層為一銅層、 一鎳層及一金層或錫層，該鎳層成形于該銅層上，并且該金層或錫層成形于 該鎳層上。
7、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還進一步包括 一成形于該發(fā)光單元底部的熒光層 或一成形于該發(fā)光單元底部及周圍的熒光層。
8、 如權(quán)利要求1所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光單元具有一發(fā)光本體及一成形于該發(fā)光本體 內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，并且該正極導(dǎo)電層及該負極導(dǎo)電層皆成形于該發(fā)光本體上。
9、 如權(quán)利要求8所述的用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光本體具有一氧化鋁基板、 一成形于該氧化鋁 基板上的氮化鎵負電極層、及一成形于該氮化鎵負電極層上的氮化鎵正電極 層，此外該正極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵正電極層上，該負極導(dǎo)電層成形于該 氮化鎵負電極層上，另外該第一絕緣層成形于該氮化鎵負電極層上并且位于 該正極導(dǎo)電層、該負極導(dǎo)電層及該氮化鎵正電極層之間。
專利摘要一種用于增加導(dǎo)電及散熱面積的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包括發(fā)光單元、第一導(dǎo)電單元、第二導(dǎo)電單元及絕緣單元。發(fā)光單元具有一發(fā)光本體、兩個分別成形于發(fā)光本體上的正、負極導(dǎo)電層、及一成形于正、負極導(dǎo)電層之間的第一絕緣層。第一導(dǎo)電單元具有一成形于正極導(dǎo)電層上的第一正極導(dǎo)電層及一成形于負極導(dǎo)電層上的第一負極導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電單元具有一成形于第一正極導(dǎo)電層上的第二正極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一成形于第一負極導(dǎo)電層上的第二負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。絕緣單元具有一成形在第一絕緣層上并且位于第二正、負極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的第二絕緣層。本實用新型能夠提供較大的導(dǎo)電面積及散熱面積。
文檔編號F21V29/00GK201285001SQ20082020996
公開日2009年8月5日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月17日
發(fā)明者汪秉龍, 蕭松益, 陳政吉 申請人:宏齊科技股份有限公司