專利名稱：真空包封和使用該真空包封的電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空包封和使用該真空包封的電子發(fā)射顯示器，且更具體而言涉及設(shè)置于該真空包封中的間隔物以對(duì)于真空包封提供抵抗外力的支撐力。
背景技術(shù)：
常規(guī)的電子發(fā)射顯示器包括設(shè)置于第一基板上的電子發(fā)射元件和設(shè)置于第二基板上的光發(fā)射單元。光發(fā)射單元包括磷光層和陽極電極。
第一和第二基板在其周邊利用側(cè)構(gòu)件密封在一起，且在基板之間的內(nèi)部空間被排氣以形成真空包封，使得電子發(fā)射和遷移可以在其中順利地進(jìn)行。
多個(gè)間隔物安裝于真空包封中以對(duì)抗由真空包封的內(nèi)外之間的壓差產(chǎn)生的壓縮力。
間隔物可以被分為設(shè)置于真空包封的有效區(qū)中的第一間隔物和設(shè)置于真空包封的非有效區(qū)中的第二間隔物。有效區(qū)用于顯示圖像，且非有效區(qū)不用于顯示圖像。一般而言，第一間隔物設(shè)置以對(duì)應(yīng)于設(shè)置于磷光層之間的黑色層，且第二間隔物沿有效區(qū)的外周在第一和第二基板之間設(shè)置。
根據(jù)制造電子發(fā)射顯示器的常規(guī)工藝，第一間隔物設(shè)置于第一基板處的真空包封的有效區(qū)上，且第二間隔物設(shè)置于有效區(qū)的外周上。然后，側(cè)構(gòu)件設(shè)置于第一基板的邊緣。然后第二基板(其上設(shè)置了磷光層、黑色層和陽極電極)貼附到第一基板上。接下來，第一和第二基板之間的界定的內(nèi)部空間被排氣。由此完成電子發(fā)射顯示器的制造。
施加到真空包封的第一和第二基板的壓縮力逐漸從基板的外部到基板的中心部逐漸增加。因此，第一和第二基板可以被導(dǎo)致在它們的中心部具有凹形。即，基板的中心部可以被導(dǎo)致向真空包封的內(nèi)部向內(nèi)倒圓，使得每個(gè)基板具有凹透鏡的形狀。
結(jié)果，在有效區(qū)的最外部分的第一和第二基板之間的距離可能大于在真空包封的其他部分的第一和第二基板之間的距離。因此，接近有效區(qū)的最外部分設(shè)置的第一間隔物可能與黑色層不穩(wěn)定地接觸。第一間隔物與黑色層的不穩(wěn)定的接觸扭曲了在不穩(wěn)定接觸的附近發(fā)射的電子束。由此惡化了光發(fā)射的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供了一種真空包封，其具有設(shè)置以減小或最小化第一和第二基板的變形的高度的間隔物，該變形由施加到真空包封的壓縮力導(dǎo)致，且間隔物能夠穩(wěn)定地設(shè)置于真空包封內(nèi)。本發(fā)明的另一方面提供了具有真空包封的電子發(fā)射顯示器。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，真空包封包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。側(cè)構(gòu)件設(shè)置于第一基板和第二基板的周邊。第一間隔物在真空包封的有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，且第二間隔物在真空包封的非有效區(qū)設(shè)置于第一和第二基板之間，非有效區(qū)圍繞有效區(qū)。第一間隔物的高度大于第二間隔物的高度。
側(cè)構(gòu)件的高度可以小于第一間隔物的高度。側(cè)構(gòu)件的高度可以小于第二間隔物的高度。第一間隔物的高度和第二間隔物的高度之間的差可以小于50μm。第一間隔物的高度和側(cè)構(gòu)件的高度之間的差可以小于50μm。
在本發(fā)明的另一示范性實(shí)施方式中，電子發(fā)射顯示器包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。側(cè)構(gòu)件設(shè)置于第一基板和第二基板的周邊。電子發(fā)射單元設(shè)置于真空包封的有效區(qū)的第一基板上。光發(fā)射單元設(shè)置于有效區(qū)的第二基板上。第一間隔物在有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，且第二間隔物在真空包封的非有效區(qū)設(shè)置于第一和第二基板之間，非有效區(qū)圍繞有效區(qū)。第一間隔物的高度大于第二間隔物的高度。
第一間隔物和第二間隔物可以均具有矩形柱的形狀和圓柱形柱的形狀。
電子發(fā)射單元可以包括陰極電極和與陰極電極交叉的柵極電極。陰極電極和柵極電極通過設(shè)置于陰極電極和柵極電極之間的絕緣層從彼此絕緣。電子發(fā)射區(qū)在陰極電極之一和柵極電極的對(duì)應(yīng)之一的交叉處設(shè)置于陰極電極之一上。
電子發(fā)射顯示器還可以包括設(shè)置于陰極電極和柵極電極上方的聚焦電極。
電子發(fā)射區(qū)可以包括選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線和其組合構(gòu)成的組的材料。


附圖與說明書一起示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，且與所述描述一起用于解釋本發(fā)明的原理圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空包封的部分剖面圖；圖2是示出了圖1中所繪的第一和第二間隔物和側(cè)構(gòu)件的高度的放大的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子發(fā)射顯示器的部分剖面圖；圖4是圖3的電子發(fā)射顯示器的俯視圖；圖5是示出了圖3中所繪的第一和第二間隔物和側(cè)構(gòu)件的高度的放大的剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)元件的陣列的電子發(fā)射顯示器的分解透視圖；和圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有表面導(dǎo)電發(fā)射器(SCE)元件的陣列的電子發(fā)射顯示器的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的詳細(xì)描述中，通過圖示的方式，僅顯示和描述了本發(fā)明的特定本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)的，所述的示范性實(shí)施方式可以以各種方式修改，所有均不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，圖示和描述被認(rèn)為在本質(zhì)上是說明性的而非限制性的。
首先參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空包封(或室)包括彼此面對(duì)且通過一定(或預(yù)定)距離彼此分開的第一和第二基板2和4。側(cè)構(gòu)件6設(shè)置于第一和第二基板2和4的周邊以將它們密封在一起。真空包封的內(nèi)部(在第一和第二基板2和4之間)被排氣(或抽真空)，從而保持約10-6torr的真空壓力。即，第一和第二基板2和4以及側(cè)構(gòu)件6形成了真空包封。
對(duì)抗施加到真空包封的壓縮力的多個(gè)間隔物設(shè)置于真空包封中，如圖1所示，間隔物8包括設(shè)置于真空包封的有效區(qū)A的第一間隔物81和設(shè)置于真空包封的非有效區(qū)NA的第二間隔物82，有效區(qū)A對(duì)應(yīng)于第一和第二基板2和4的有效區(qū)，非有效區(qū)NA位于有效區(qū)A的外周(或周邊)。
在一個(gè)實(shí)施方式中，僅當(dāng)從第一間隔物81的每個(gè)到側(cè)構(gòu)件6的距離大于25mm時(shí)提供第二間隔物82。
當(dāng)真空包封被應(yīng)用于電子發(fā)射顯示器時(shí)，有效區(qū)A和非有效區(qū)NA可以分別為電子發(fā)射顯示器的顯示區(qū)和非顯示區(qū)。
參考圖2，第一間隔物81的每個(gè)的高度H1和第二間隔物82的每個(gè)的高度H2被配置以滿足以下的條件(1)。
H1＞H2……(1)即，第一間隔物81的高度H1大于第二間隔物82的高度H2。
另外，側(cè)構(gòu)件6的高度H3被配置以滿足以下的條件(2)。
H1＞H3……(2)即，第一間隔物81的高度H1大于側(cè)構(gòu)件6的高度H3。
此外，高度H2和高度H3被配置以滿足以下的條件(3)。
H2＞H3……(3)即，第二間隔物82的高度H2大于側(cè)構(gòu)件6的高度H3。
考慮到以上的條件(1)、(2)和(3)，第一間隔物81的最接近真空包封的中心部的第一間隔物高度最高，且距真空包封的中心部最遠(yuǎn)的側(cè)構(gòu)件6高度最短。
現(xiàn)將解釋如上所述設(shè)定第一和第二間隔物81和82與側(cè)構(gòu)件6的原因。
施加到真空包封的第一和第二基板2的壓縮力從基板的外部到基板的中心部逐漸增加。因此，基板可能被導(dǎo)致以在它們的中心部具有凹形。即，基板的中心部可以被導(dǎo)致向真空包封的內(nèi)部向內(nèi)倒圓，從而每個(gè)基板具有凹透鏡的形狀。因此，第一和第二基板2和4之間的距離從基板的中心部到基板的外部長度逐漸增加。因此，設(shè)置于基板的外部的第二間隔物82由于第一和第二基板2和4之間增加的距離而可能被導(dǎo)致與第一基板2和/或第二基板4不穩(wěn)定接觸。這可能導(dǎo)致第二間隔物82的接觸誤差。因此，設(shè)置得接近(或處于)真空包封的中心部的第一間隔物81被配置得在高度上更高，以更有效地對(duì)抗真空包封的中心部的增加的壓縮力。因此，第一和第二基板2和4之間的距離可以被更均勻地保持。因此，第一和第二間隔物81和82以及側(cè)構(gòu)件6被配置從而滿足以上的條件(1)、(2)和(3)。
分別對(duì)應(yīng)于第一和第二間隔物81和82之間的高度差、第二間隔物82和側(cè)構(gòu)件6之間的高度差、和第一間隔物81和側(cè)構(gòu)件6的高度差(例如，見圖2)的高度差ΔH1、ΔH2和ΔH3均小于50μm。
當(dāng)高度差ΔH1、ΔH2和ΔH3的任何大于50μm時(shí)，第一和第二基板2和4可能在密封第一和第二基板2和4的密封工藝期間有裂紋。
第一間隔物81和第二間隔物82可以具有任何各種適當(dāng)?shù)男螤?，比如矩形柱的形?具有矩形剖面)或圓柱形柱的形狀(具有圓形的剖面)。
上述的真空包封可以被應(yīng)用于電子發(fā)射顯示器。
圖3到圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子發(fā)射顯示器。
首先參考圖3和4，電子發(fā)射顯示器包括具有彼此面對(duì)且分開一定(預(yù)定)距離的第一和第二基板12和14的真空包封。設(shè)置于第一和第二基板12和14周邊的側(cè)構(gòu)件將它們密封在一起。
其上排列電子發(fā)射元件的電子發(fā)射單元18位于面對(duì)第二基板14的第一基板12的表面上，由此形成電子發(fā)射裝置。其上設(shè)置電子發(fā)射單元18的第一基板12與其上設(shè)置光發(fā)射單元20的第二基板14組裝以形成電子發(fā)射顯示器。
電子發(fā)射單元18設(shè)置于顯示圖像的有效區(qū)A的第一基板12上，且光發(fā)射單元20設(shè)置于有效區(qū)A的第二基板14上。
用于對(duì)抗施加到真空包封的壓縮力的多個(gè)間隔物22設(shè)置于真空包封中。間隔物22包括設(shè)置于有效區(qū)A的電子發(fā)射單元18和光發(fā)射單元20之間的第一間隔物221和設(shè)置于圍繞有效區(qū)A的非有效區(qū)NA的第二間隔物222。
參考圖5，第一間隔物221的高度P1大于第二間隔物222的高度P2(即P1＞P2)。
第一間隔物221的高度P1可以包括電子發(fā)射單元18的厚度。即使當(dāng)?shù)谝婚g隔物221的高度P1包括電子發(fā)射單元18的厚度時(shí)，因?yàn)殡娮影l(fā)射單元18的厚度通常小于5μm，其在本發(fā)明的實(shí)施方式的誤差范圍內(nèi)，且由于電子發(fā)射單元18的厚度引起的第一間隔物221的高度變化可以被忽略。
另外，第一間隔物221的高度P1大于側(cè)構(gòu)件16的高度P3(即P1＞P3)。
另外，第二間隔物222的高度P2大于側(cè)構(gòu)件16的高度P3(即P2＞P3)。
分別對(duì)應(yīng)于第一和第二間隔物221和222之間的高度差、第二間隔物222和側(cè)構(gòu)件16之間的高度差、和第一間隔物221和側(cè)構(gòu)件16的高度差的高度差ΔP1、ΔP2和ΔP3均小于50μm。
因?yàn)樵O(shè)定間隔物221和222以及側(cè)構(gòu)件16的高度的原因與參考圖2在以上解釋的原因相似，所以在以下將省略其詳細(xì)解釋。
第一間隔物221和第二間隔物222可以具有任何各種適當(dāng)?shù)男螤?，比如矩形柱的形?具有矩形剖面)或圓柱形柱的形狀(具有圓形的剖面)。
舉例而言，當(dāng)?shù)谝婚g隔物221和第二間隔物222具有矩形柱的形狀時(shí)，第一間隔物221的高度對(duì)寬度的比例可以為1∶0.042，且第二間隔物222的高度對(duì)寬度的比例可以為1∶1。
圖6顯示了具有場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)元件、電子發(fā)射單元和光發(fā)射單元的電子發(fā)射顯示器。電子發(fā)射顯示器可以被應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施方式中。
參考圖6，多個(gè)陰極電極36以條圖案設(shè)置于第一基板32上，從而沿第一方向(圖6中的y軸方向)延伸。第一絕緣層38設(shè)置于第一基板32上以覆蓋陰極電極36。多個(gè)柵極電極40以條圖案設(shè)置于第一絕緣層38上以沿第二方向(圖6中的x軸方向)延伸，從而以直角與陰極電極36相交。
其中陰極電極36與柵極電極40交叉的區(qū)域界定了單元像素。電子發(fā)射區(qū)42設(shè)置于陰極電極36上以對(duì)應(yīng)于單元像素。另外，對(duì)應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)42的第一和第二開口382和402分別設(shè)置于第一絕緣層38和柵極電極40上以暴露電子發(fā)射區(qū)42。
電子發(fā)射區(qū)42可以由當(dāng)在真空環(huán)境中對(duì)其施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料組成。舉例而言，材料可以為碳材料和/或納米尺度的材料。例如，電子發(fā)射區(qū)42可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線和或其組合形成。
或者，電子發(fā)射區(qū)42可以由鉬基材料和/或硅基材料形成。在該備選的情形，電子發(fā)射區(qū)42可以具有尖端的形狀。
兩個(gè)或以上的電子發(fā)射區(qū)42可以設(shè)置于每個(gè)單元像素(例如，見圖6)。這里，兩個(gè)或以上的電子發(fā)射區(qū)42可以成行設(shè)置，該行沿陰極電極和柵極電極36和40之一的長度延伸。電子發(fā)射區(qū)42可以具有圓形的頂表面。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于如上所述的電子發(fā)射區(qū)42的位置和形狀。
雖然描述了柵極電極40設(shè)置于陰極電極36上方且第一絕緣層38夾置于其之間的情形，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于該情形。舉例而言，陰極電極36可以設(shè)置于柵極電極40上方，且第一絕緣層38夾置于其之間。這里，電子發(fā)射區(qū)42可以設(shè)置于第一絕緣層38上，從而電子發(fā)射區(qū)42接觸陰極電極36的一個(gè)側(cè)表面。
第二絕緣層46和聚焦電極44連續(xù)設(shè)置于柵極電極40和第一絕緣層38上。第二絕緣層46設(shè)置于聚焦電極44下，從而使得柵極電極40與聚焦電極44絕緣。用于允許電子束通過第二絕緣層46和聚焦電極44的開口462和442分別設(shè)置于第二絕緣層46和聚焦電極44上。
這里，聚焦電極44的開口442的每個(gè)對(duì)應(yīng)于單元像素之一，用于聚焦從單元像素之一發(fā)射的電子?；蛘撸劢闺姌O44的開口442的每個(gè)對(duì)應(yīng)于柵極電極40的開口402的相應(yīng)之一，用于聚焦從電子發(fā)射區(qū)42之一發(fā)射的電子。前者在圖6中顯示。
在面對(duì)第一基板32的第二基板34的表面上，磷光層48(例如，紅、綠和藍(lán)磷光層48R、48G和48B)被設(shè)置且以一定(預(yù)定)的間距從彼此分開。黑色層50形成于磷光層48之間以改善屏幕(或圖像)的對(duì)比度。
由比如鋁的導(dǎo)電材料形成的陽極電極52設(shè)置于磷光層和黑色層48和50上。陽極電極52通過接收用于加速電子束的高電壓和將從磷光層48發(fā)射到第一基板32的可見光線反射回朝向第二基板34從而提高了屏幕亮度。
或者，陽極電極52可以由比如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，而不是金屬材料。這里，陽極電極52設(shè)置于第二基板34上，且磷光層和黑色層48和50設(shè)置于陽極電極52上。
圖7顯示了具有表面導(dǎo)電發(fā)射區(qū)(SCE)元件、電子發(fā)射單元和光發(fā)射單元的電子發(fā)射顯示器。電子發(fā)射顯示器可以應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施方式中。
參考圖7，電子發(fā)射顯示器基本與圖6所繪的電子發(fā)射顯示器相同，除了設(shè)置于第一基板上的電子發(fā)射單元之外。
即，第一和第二電極64和66設(shè)置于第一基板62上，且第一和第二導(dǎo)電層68和70設(shè)置以分別部分覆蓋第一和第二電極的部分。電子發(fā)射區(qū)72設(shè)置于第一和第二導(dǎo)電層68和70之間且電連接到第一和第二導(dǎo)電層68和70。電子發(fā)射區(qū)72分別通過第一和第二導(dǎo)電層68和70電連接到第一和第二電極64和66。
第一和第二電極64和66可以由任何各種適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料形成，且第一和第二導(dǎo)電層68和70可以由比如Ni、Au、Pt或Pd的導(dǎo)電材料形成。
電子發(fā)射區(qū)72可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線或其組合形成。
在所述的實(shí)施方式中，本發(fā)明的實(shí)施方式的真空包封被應(yīng)用于具有FEA元件或SCE元件的陣列的電子發(fā)射顯示器中。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于這些示例。即，本發(fā)明的實(shí)施方式的真空包封還可以應(yīng)用于具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件和/或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件的陣列的電子發(fā)射顯示器中。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，間隔物的高度被優(yōu)化或設(shè)定以減小或最小化由壓縮力導(dǎo)致的基板的變形。另外，因?yàn)殚g隔物可以牢固地設(shè)置于基板上，可以防止間隔物的接觸誤差，由此防止不正常的光發(fā)射。結(jié)果，可以顯示高品質(zhì)的圖像。
雖然結(jié)合一定的示范性實(shí)施方式已經(jīng)描述了本發(fā)明，可以理解本發(fā)明不限于所披露的實(shí)施方式，而是相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求和其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同配置。
權(quán)利要求
1.一種真空包封，包括第一基板；面對(duì)所述第一基板的第二基板；側(cè)構(gòu)件，設(shè)置于所述第一基板和第二基板的周邊；第一間隔物，在真空包封的有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間；和第二間隔物，在真空包封的非有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，所述非有效區(qū)圍繞有效區(qū)，其中所述第一間隔物的高度大于第二間隔物的高度。
2.權(quán)利要求1的真空包封，其中所述側(cè)構(gòu)件的高度小于第一間隔物的高度。
3.權(quán)利要求2的真空包封，其中所述側(cè)構(gòu)件的高度小于第二間隔物的高度。
4.權(quán)利要求3的真空包封，其中所述第一間隔物的高度和側(cè)構(gòu)件的高度之間的差小于50μm。
5.權(quán)利要求1的真空包封，其中所述第一間隔物的高度和第二間隔物的高度之間的差小于50μm。
6.權(quán)利要求1的真空包封，其中所述第一間隔物的高度比側(cè)構(gòu)件的高度大了小于50μm的值。
7.權(quán)利要求1的真空包封，其中所述第一間隔物具有矩形柱的形狀和圓柱形柱的形狀。
8.權(quán)利要求1的真空包封，其中所述第二間隔物具有矩形柱的形狀和圓柱形柱的形狀。
9.一種電子發(fā)射顯示器，包括第一基板；面對(duì)所述第一基板的第二基板；側(cè)構(gòu)件，設(shè)置于所述第一基板和第二基板的周邊；電子發(fā)射單元，設(shè)置于真空包封的有效區(qū)的第一基板上；光發(fā)射單元，設(shè)置于所述有效區(qū)的第二基板上；第一間隔物，在所述有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間；和第二間隔物，在真空包封的非有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，所述非有效區(qū)圍繞有效區(qū)，其中所述第一間隔物的高度大于第二間隔物的高度。
10.權(quán)利要求9的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一間隔物的高度和第二間隔物的高度之間的差小于50μm。
11.權(quán)利要求9的電子發(fā)射顯示器，其中所述側(cè)構(gòu)件的高度小于第一間隔物的高度。
12.權(quán)利要求11的電子發(fā)射顯示器，其中所述側(cè)構(gòu)件的高度小于第二間隔物的高度。
13.權(quán)利要求12的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一間隔物的高度和側(cè)構(gòu)件的高度之間的差小于50μm。
14.權(quán)利要求13的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一間隔物和第二間隔物均具有矩形柱的形狀和圓柱形柱的形狀。
15.權(quán)利要求11的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射單元包括多個(gè)陰極電極；與所述陰極電極交叉的多個(gè)柵極電極，所述陰極電極和柵極電極通過設(shè)置于陰極電極和柵極電極之間的絕緣層從彼此絕緣；電子發(fā)射區(qū)，在陰極電極之一和柵極電極的對(duì)應(yīng)之一的交叉處設(shè)置于陰極電極之一上。
16.權(quán)利要求15的電子發(fā)射顯示器，還包括設(shè)置于所述陰極電極和柵極電極上方的聚焦電極。
17.權(quán)利要求16的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射區(qū)包括選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線和其組合構(gòu)成的組的材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種真空包封和具有該真空包封的電子發(fā)射顯示器。該真空包封包括第一基板和面對(duì)第一基板的第二基板。側(cè)構(gòu)件設(shè)置于第一基板和第二基板的周邊。第一間隔物在真空包封的有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，且第二間隔物在真空包封的非有效區(qū)設(shè)置于第一基板和第二基板之間，非有效區(qū)圍繞有效區(qū)。第一間隔物的高度大于第二間隔物的高度。
文檔編號(hào)H01J29/87GK101060057SQ200710100838
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月20日
發(fā)明者張東守, 李在勛, 宣亨來, 李在永 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社