專利名稱：用于監(jiān)控等離子體的方法、用于實施該方法的裝置、該方法用于將薄膜淀積到pet中空體 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過等離子淀積在至少一個面上涂有薄層的聚合物制品 技術(shù)領(lǐng)域。
本發(fā)明可特別應(yīng)用于(但不是唯一的)由聚合物材料制成的容器例如由 PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)制成的瓶子中的等離子淀積。
背景技術(shù)：
用于制造瓶子或容器的常規(guī)的聚合物材料，例如PET，都對氧和二氧 化碳具有相對滲透性。而且， 一些有助于芳香的分子可吸附在容器壁上并 最終擴散通過這些壁。
最近，已有建議使用等離子體將阻障層淀積在必須包含對氧化(啤酒、 果汁、汽水)敏感的產(chǎn)品的聚合物容器例如瓶子上，以便增強這些容器對某 些氣體例如氧和二氧化碳的不滲透性，并因此延長它們的保質(zhì)期。
這些等離子體-淀積在聚合物容器中的阻障層例如是有機(碳)或無機 (二氧化硅)型。
不管其化學(xué)性質(zhì)，能夠檢查這些阻障層的質(zhì)量在工業(yè)上非常重要。
已經(jīng)提及將發(fā)射光譜學(xué)應(yīng)用于研究等離子體內(nèi)的反應(yīng)以及用于檢查 通過CVD淀積的薄膜(US 6117243，第1欄，28至37行)。文獻US 5521351 闡明(圖7)并提及(第7欄，38至45行)在等離子淀積期間瓶子內(nèi)安裝光纖， 所述光纖連接至發(fā)射光譜儀上。然而，該文獻US 5521351沒有體積測定 參數(shù)。另外，將光纖安裝在包含等離子體的容器中不可避免地導(dǎo)致淀積在 光纖本身上并最終導(dǎo)致所述光纖被污染。
本申請人的任務(wù)是開發(fā)用于監(jiān)控等離子體成分的技術(shù)，該技術(shù)允許由 這些等離子體淀積的薄膜的質(zhì)量得以預(yù)先確定。
本申請人的任務(wù)是確定所述監(jiān)控技術(shù)是否可以允許樣品被獲取且提供連續(xù)控制，并以高生產(chǎn)率在機臺上這樣做。
文獻EP 0299752公開了一種用于將薄膜等離子淀積到基板表面上的 方法，其中監(jiān)控并控制等離子體的光發(fā)射。根據(jù)該發(fā)明，檢測相應(yīng)于在該 等離子體中存在的兩種物種的不同波帶之內(nèi)的兩條發(fā)射線的強度，將所述 強度標(biāo)準(zhǔn)化然后將所述比值與一參考值比較。然而，所述物種選自包含于 前體的物種，因此，該物種不可避免地存在于被監(jiān)控的等離子體中。根據(jù) 該比值，其允許一種或另一種物種的優(yōu)勢并因此確定淀積薄膜的質(zhì)量，然 后改變注入到產(chǎn)生等離子體的容積中的前體流速。
然而，為了在容器的內(nèi)容積中形成內(nèi)層，在產(chǎn)生等離子體期間必須將 容器的內(nèi)容積設(shè)置在相對低的壓力下。這種需要在容器和等離子體產(chǎn)生機 之間形成密封接觸的內(nèi)壓可以導(dǎo)致泄漏發(fā)生，導(dǎo)致空氣進入容器的內(nèi)容 積，由于不良物種的引入，這種泄漏易于削弱內(nèi)層淀積的良好質(zhì)量和均勻 性。
文獻EP 0299752中的方法不允許要檢査的等離子體中存在外來元素 (如果該等離子體形成于容器內(nèi)部)，也不允許檢測容器的內(nèi)容積和周圍空 氣之間的泄漏和不良密封，因為僅監(jiān)控了特意注入到該等離子體的化學(xué)物 種，這種泄漏易于導(dǎo)致非均勻內(nèi)層或具有裂紋的層的形成。

發(fā)明內(nèi)容
更具體地，本發(fā)明的目的是在產(chǎn)生等離子體期間檢測容器內(nèi)容積中泄 漏的存在。
為此目的，第一方面，本發(fā)明涉及監(jiān)控等離子體成分的方法，所述等 離子體從所確定的前體產(chǎn)生，用于將薄膜淀積到聚合物材料上，所述方法
包括由該等離子體發(fā)射的光強度的測量，該方法的特征在于其包括
-選擇第一波長范圍的步驟，所述第一波長范圍稱為參考范圍，其選自 等離子體發(fā)射光譜區(qū)域，在該區(qū)域中不存在所謂寄生化學(xué)物種的明顯信號 特性也就是說，該寄生化學(xué)物種不成為所確定前體的一部分并因此通常不 存在于該等離子體中，而且其在該等離子體中的存在影響淀積的薄膜的性 質(zhì)的物種存在；
-選擇第二波長范圍的步驟，所述第二波長范圍選自該等離子體的發(fā)射光譜區(qū)域，在該區(qū)域中可能存在寄生化學(xué)物種的明顯信號特性；
-同時在兩個選定的波長范圍的每一個中獲得由等離子體發(fā)射的光強 度的步驟；和
-由所述光強度計算至少一個監(jiān)控系數(shù)的步驟。
在第一實施方式中，所述兩個波長范圍具有非常小的譜寬，且基本上
對應(yīng)于兩個波長、和入2。
至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一波長和第二波長的發(fā)射強度之差的函數(shù)。
更具體地，至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一波長和第二波長的發(fā)射強度 之差的函數(shù)，所述差值用第一波長或第二波長的發(fā)射強度值標(biāo)準(zhǔn)化。
在第二實施方式中，所述兩個波長范圍每個具有一譜寬且對應(yīng)于兩個 帶寬。
至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一帶寬和第二帶寬的發(fā)射強度之差的函數(shù)。
更具體地，至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一和第二帶寬的發(fā)射強度之差 的函數(shù)，所述差值被標(biāo)準(zhǔn)化至第一帶寬或第二帶寬的發(fā)射強度。
例如，在第二波長范圍中可能產(chǎn)生明顯信號的所選寄生化學(xué)物種是等 離子體淀積到聚合物材料上的薄膜中不希望有的。
在某些實施方式中，該氣態(tài)前體選自垸烴、烯烴、炔烴和芳烴，在第 二波長范圍中可能產(chǎn)生明顯信號的所述寄生化學(xué)物種是空氣組分之一。
在一個具體的實施方式中，該前體基于乙炔，該寄生化學(xué)物種是氮。 因此，例如該監(jiān)測方法可以檢測漏入等離子淀積裝置的空氣。
有利地，該波長范圍選自該發(fā)射光譜處于約800納米至約1000納米 的部分。
第二方面，本發(fā)明涉及監(jiān)控等離子體成分(例如上述的那些)的方法的 應(yīng)用，該等離子體是用于將薄膜淀積到由PET制成的中空體上的微波等離子體。
第三方面，本發(fā)明涉及用于實現(xiàn)監(jiān)控等離子體成分(例如上述的那些) 的方法的裝置，該裝置包括至少一個檢測器，用于檢測由該等離子體發(fā)射 的光強度，和微波電磁激發(fā)裝置，用于在微波諧振腔中產(chǎn)生等離子體，該諧振腔包括一真空室，該真空室用于容置由聚合物材料制成的容器，用于 將薄膜淀積到該容器內(nèi)部。
有利地，該檢測器靠著諧振腔放置，該光強度通過容器和真空室的壁


通過以下實施方式的描述，本發(fā)明的其他方面、目的和優(yōu)勢將清楚， 這種描述結(jié)合附圖給出，其中
圖l是本申請人以商品名Actis⑧出售的機器的部分橫截面圖，該圖1
還顯示用于實現(xiàn)本發(fā)明方法的裝置，該裝置連接至該八(^3@機器。
圖2顯示從根據(jù)本申請人的Actis⑧方法處理的瓶子得到的若干發(fā)射光
譜，選定兩個具體波長，用于計算本發(fā)明的一個實施方式的監(jiān)控系數(shù)。
圖3顯示從根據(jù)本申請人的Actis⑧方法處理的瓶子得到的若干發(fā)射光
譜，選定兩個具體波長，用于計算本發(fā)明的第二個實施方式的監(jiān)控系數(shù)。
具體實施例方式
以下將參考通過本申請人技術(shù)的無定形碳薄層的等離子沉積進行詳
細說明，該技術(shù)的名字是Actis 。
然而，應(yīng)理解，這僅僅是如何實施本發(fā)明方法的一個例子。 以下將參考將薄膜淀積到瓶子或瓶子預(yù)制件進行詳細說明。 然而，應(yīng)理解，本方法可在等離子淀積到用于制造除瓶子以外的容器
的聚合物材料上的過程中實施，，即澆鑄成型、注模成型、拉伸成型、吹
塑成型及熱成型的中空體。 首先參考圖1進行說明。
如申請人的文獻WO 99/49991所描述，機臺(Actis②型)包括由壁限定 的至少一個真空室l，所述壁由對微波透明的材料，例如石英制成。
該真空室l由一可移動機構(gòu)關(guān)閉，該可移動機構(gòu)用于安裝要處理的物 體，這里是瓶子或瓶子預(yù)制件2，以及用于在處理后移走。
該真空室1連接至抽吸裝置(未示出)。
提供注射器3用于將至少一種氣態(tài)前體注入瓶子2，所述注射器連接至貯存器、攪拌器或鼓泡器(這些未顯示)。
該真空室1置于腔4中，該腔4具有引導(dǎo)壁，例如金屬壁，所述腔通 過波導(dǎo)連接到微波發(fā)生器上。
需要將碳淀積至瓶子或瓶子預(yù)制件的內(nèi)表面，該氣態(tài)前體可以選自烷 烴(例如甲烷)、烯烴、炔烴(例如乙炔)和芳烴。
由瓶子或瓶子預(yù)制件2構(gòu)成的反應(yīng)室內(nèi)的壓力必須是低的，優(yōu)選低于 10mbar，特別為0.01至0.5mbar。
為防止瓶子或瓶子預(yù)制件變形，瓶子(或預(yù)制件)的內(nèi)外壓差是低的， 真空室內(nèi)部形成真空。
在瓶子或預(yù)制件的頸部提供密封，不良密封可能導(dǎo)致出現(xiàn)瓶子內(nèi)容積 和外界空氣之間的漏氣。
借助于這些裝置，本身構(gòu)成反應(yīng)室的預(yù)制件(或瓶子)中產(chǎn)生等離子體， 因此減少了在瓶子(或預(yù)制件)外表面形成等離子體的風(fēng)險，因此真空室的 透明壁不被污染。
舉例來說，對于在2.45GHz和180W的微波功率下的超高頻(UHF) 激發(fā)，碳膜可以在生長率每秒約250埃(Sngstr6ms)、乙炔流速80sccm、 壓力0.25mbar下淀積，瓶子(或預(yù)制件)內(nèi)部保持0.2mbar的殘壓，真空室 和瓶子(或預(yù)制件)外部的50mbar的殘壓足以防止所述瓶子(或所述預(yù)制件) 在碳淀積期間變形。
對于390ml(13oz; 26.5g)PET瓶子，例如時間T"大約1.5秒)后注射該 前體，時間^稱為沖洗時間，在此期間，瓶子或瓶子預(yù)制件用乙炔流沖洗， 壓力逐漸降低到約0.25mbar。然后，在整個淀積時間丁2(約1.2秒)，在瓶 子或預(yù)制件中施加電磁場，該前體物是乙炔，以約100sccm的流速注入， 對于2.45GHz的頻率該微波功率為約200W，得到的碳厚度為約40納米。
現(xiàn)在參考圖2進行說明。
本發(fā)明總地涉及監(jiān)控等離子體成分的方法，該等離子體從用于將薄膜 淀積到聚合物材料上的所確定的前體產(chǎn)生，該方法包括測量由等離子體發(fā) 射的光強度。
在本方法的第一實施方式中，兩個波長入,和^是固定的，第一波長、 是參考波長，選自一個波長范圍，在該波長范圍中對于要淀積的薄膜沒有寄生化學(xué)物種的明顯特征峰存在。該術(shù)語"寄生物種，，應(yīng)理解為指一化學(xué)物 種，其不成為前體的一部分，其通常不存在于等離子體中，且其在等離子 體中的存在影響淀積的膜性質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，該寄生化學(xué) 物種是不希望存在于要等離子體-沉積在聚合物材料上的薄膜中的。
在圖2所示的實施例中，波長、是902.5納米。 一般而言，如將在圖 3中解釋的，本發(fā)明方法提供選擇稱為參考范圍的第一波長范圍的步驟， 其選自等離子體發(fā)射光譜區(qū)域，在該區(qū)域沒有寄生化學(xué)物種的明顯信號特 征存在。根據(jù)圖2所示的實施方式，該參考波長范圍具有非常小的譜寬， 約相應(yīng)于波長、。
因此，第一波長范圍選自部分等離子體發(fā)射光譜，其特征在參考物種 和寄生物種存在的情況下基本上保持恒定和均勻，也就是說，在可能影響 所淀積材料層的性質(zhì)的物種存在的情況下，部分光譜基本上不改變。
與、相反，第二波長、特別有助于除了當(dāng)存在問題的時候通常不參與 薄膜淀積過程的化學(xué)物種。該化學(xué)物種例如可以是一種成分，其在淀積膜 中的濃度影響該薄膜的性質(zhì)。特別是，這種化學(xué)物種對薄膜的阻障性或其 機械或光學(xué)性質(zhì)有著有害影響。換句話說， 一般而言，如將在圖3中解釋 的，本發(fā)明方法提供選擇第二波長范圍的步驟，所述第二波長范圍選自等 離子體發(fā)射光譜的區(qū)域，其中可能存在所述寄生化學(xué)物種的明顯信號特 征，根據(jù)在研究的所述寄生物種的濃度，該信號相對明顯。根據(jù)圖2所示
的實施方式，該參考波長范圍具有非常小的光譜寬度，約相應(yīng)于波長人2。
在圖2所示的實施例中，波長、是919.5納米且由氮發(fā)出。因此，本 發(fā)明方法特別可以檢測漏入等離子淀積裝置的空氣的存在，有利地選定的 寄生化學(xué)物種選自空氣組分(氮、氧等)。
同時獲得用于這些波長、和人2的兩線強度，由這兩個同時記錄的強度 計算監(jiān)控系數(shù)N。同時發(fā)生獲得的事實不僅可以排除由于等離子體的脈沖 而引起的強度變化，而且，尤其是排除在淀積過程進行期間出現(xiàn)的變化。
在圖2所示的實施例中，所述系數(shù)N等于(R2-1、)/1 12，即、和、
的發(fā)射線強度之差除以、的強度。
因此，本發(fā)明方法還包括同時獲得由在兩個選定的波長范圍的每一個 中等離子體發(fā)射的光強度的步驟和由所述光強度計算至少一個監(jiān)控系數(shù)的步驟。
例如，使用實驗的相關(guān)性表，該比例與淀積膜的各種性質(zhì)相關(guān)，例如 涂層的瓶子的氧滲透性、涂層的瓶子的二氧化碳滲透性、膜厚度、膜顏色、 膜組成。
優(yōu)選地，所述至少一個監(jiān)控系數(shù)是第一波長、和第二波長、的發(fā)射強 度之差的函數(shù)。
有利地，所述監(jiān)控系數(shù)是第一波長、和第二波長^的發(fā)射強度之差的 函數(shù)，所述差值被標(biāo)準(zhǔn)化至第一波長或第二波長的發(fā)射強度值。
因此，根據(jù)瓶子的所需特性，可以確定監(jiān)控系數(shù)值或值的范圍，并檢 測等離子淀積過程的漂移或異常、這種異常的快速校正限制任意非一致性 瓶子的數(shù)目。
現(xiàn)參考圖3。在本方法的第二實施方式中，各自具有譜寬并相應(yīng)于兩 個帶寬的兩個波長窗或范圍、和入2是固定的，第一波長窗、是參考窗，并 選自要淀積的薄膜中沒有所關(guān)心的化學(xué)物種的明顯特征峰存在的波長范 圍，即稱為參考范圍的一波長范圍，其選自這樣一個等離子體發(fā)射光譜區(qū) 域，其中不存在寄生化學(xué)物種的明顯信號特征。
在圖3所示的實施例中，該波長窗、中心位于840或850納米，寬度 為40納米。
與、相反，第二波長窗入2特別皿￡參與薄膜淀積過程的化學(xué)物種， 即處于這樣一個波長范圍，其選自等離子體發(fā)射光譜的區(qū)域，在該區(qū)域中 可能存在所述寄生化學(xué)物種的明顯信號特征。
在圖3所示的實施例中，該波長窗人2中心位于900納米，寬度為70 納米，并允許包含870、 885和920納米的氮峰。
同時獲得所得的兩個帶寬的強度U" U2，并由這兩個同時記錄的強度 計算監(jiān)控系數(shù)N。如上述，同時進行獲得的事實不僅可以排除由于等離子 體的脈沖而引起的強度變化，而且，尤其是排除在淀積過程發(fā)生期間出現(xiàn) 的變化。
在圖3所示的實施例中，該系數(shù)N等于(U2-U,)/U2，即帶寬強度之差 除以中心位于第二波長人2的帶寬強度。
優(yōu)選地，該監(jiān)控系數(shù)是所述第一帶寬和第二帶寬的發(fā)射強度之差的函數(shù)。
更優(yōu)選地，該監(jiān)控系數(shù)是所述第一帶寬和第二帶寬的發(fā)射強度之差的 函數(shù)，所述差值被標(biāo)準(zhǔn)化至第一帶寬或第二帶寬的發(fā)射強度。
例如，使用實驗相關(guān)性表，該比例與淀積膜的各種性質(zhì)相關(guān)聯(lián)，例如 涂層的瓶子的氧滲透性、涂層的瓶子的二氧化碳滲透性、膜厚度、膜顏色、 膜組成。
因此，根據(jù)瓶子的所需特性，可以確定監(jiān)控系數(shù)值或值的范圍，并檢 測等離子淀積過程的漂移或異常，這種異常的快速校正限制任意非一致性 瓶子的數(shù)目。
申請人發(fā)現(xiàn)，通過在約800納米至約1000納米的光譜范圍工作，可 以消除無定形碳層(例如通過Actis @法淀積)的顏色和瓶子的顏色的影響， 因此，該檢測器能靠著具有引導(dǎo)壁的腔4放置，通過該瓶子壁和通過該真 空室1的壁看到該等離子體。
在一個有利的實施方式中，將分光計固定到生產(chǎn)機臺的每個腔上，光 或電子多路技術(shù)能使若干等離子體被控制。
在一個實施方式中，光纖置于前體氣體注射器中并因此免受污染，這 種實施方式可以消除由于瓶子壁和真空室1的壁引起的濾波，因此，線或 帶寬的波長^和人2能在近紫外區(qū)域中選擇。
根據(jù)監(jiān)控等離子體成分的本方法的優(yōu)選應(yīng)用，該等離子體是用于將薄 膜淀積到由PET制成的中空體上的微波等離子體。
本發(fā)明還涉及用于實現(xiàn)本發(fā)明的監(jiān)控等離子體成分的方法的裝置，所 述裝置包括至少一個檢測器，用于檢測由該等離子體發(fā)射的光強度，和微 波電磁激發(fā)裝置，用于在微波諧振腔中產(chǎn)生等離子體，該腔包括真空室， 所述真空室用于容置由聚合物材料制成的容器，用于將薄膜淀積至該容器 內(nèi)。
優(yōu)選地，該檢測器靠著該腔放置，通過該容器和通過該真空室的壁測 定該光強度。
本發(fā)明方法具有許多優(yōu)點。
本發(fā)明可以盡快檢測生產(chǎn)機臺工作中的異常，例如漏氣。 如果該機臺可以在高生產(chǎn)率下操作，如同本申請人的機臺的情況，本發(fā)明方法可以檢測生產(chǎn)參數(shù)的任何失調(diào)并限制報廢。
因此，基于根據(jù)本發(fā)明計算的比例值，決定容器內(nèi)層是否已經(jīng)正確形 成以及形成的容器是否需要報廢并從生產(chǎn)線中移走。
本發(fā)明方法的目的主要是監(jiān)控形成的等離子體的質(zhì)量，并不因此基于 一個一個的情形而改變調(diào)節(jié)該等離子體的參數(shù)。
然而，當(dāng)發(fā)現(xiàn)大量容器連續(xù)廢棄時，就想到停止該等離子體-發(fā)生機 臺的工作并因此改變該等離子體產(chǎn)生參數(shù)。
本發(fā)明還確定了根據(jù)容器的性質(zhì)和其特性，相對于參考值的何種蔓 延，內(nèi)層性質(zhì)可被認為是可接受的。
根據(jù)本發(fā)明如果檢測到了泄漏，將該容器從生產(chǎn)線中移走，或者，可 以考慮根據(jù)比例值和可接受的蔓延只略微改變泄漏對內(nèi)層的等離子淀積 的影響。
最后，本發(fā)明方法是廉價的。其實施不必包括改變現(xiàn)有生產(chǎn)機臺的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.等離子體成分的監(jiān)控方法，所述等離子體產(chǎn)生自確定的前體，用于將薄膜淀積到聚合物材料上，所述方法包括測量由該等離子體發(fā)射的光強度，該方法的特征在于其包括選擇第一波長范圍的步驟，所述第一波長范圍稱為參考范圍，其選自該等離子體的發(fā)射光譜區(qū)域，在該光譜區(qū)域中不存在所謂寄生化學(xué)物種的明顯信號特征，也就是說，該寄生化學(xué)物種不成為所確定前體的一部分并因此通常不存在于該等離子體中，且其在該等離子體中的存在影響淀積的薄膜性質(zhì)；選擇第二波長范圍的步驟，所述第二波長范圍選自該等離子體的發(fā)射光譜區(qū)域，其中可能存在寄生化學(xué)物種的明顯信號特征；同時在兩個選定的波長范圍的每一個中獲得由該等離子體發(fā)射的光強度的步驟；和由所述光強度計算至少一個監(jiān)控系數(shù)的步驟。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，該兩 個波長范圍具有非常小的譜寬，基本上對應(yīng)于兩個波長、和入2。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一波長、和第二波長入2的發(fā)射強度之差的函數(shù)。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一波長、和第二波長入2的發(fā)射強度之差的函數(shù)，所述差值用第一波長或第二波長的發(fā)射強度值標(biāo)準(zhǔn)化。
5. 如權(quán)利要求1所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，該兩 個波長范圍M和M，每個具有譜寬且對應(yīng)于兩個帶寬。
6. 如權(quán)利要求5所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，至少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一帶寬和第二帶寬的發(fā)射強度之差的函數(shù)。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，至 少一個監(jiān)控系數(shù)是所述第一帶寬和第二帶寬的發(fā)射強度之差的函數(shù)，所述 差值被標(biāo)準(zhǔn)化至第一帶寬或第二帶寬的發(fā)射強度。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，在第二波長范圍內(nèi)可能產(chǎn)生明顯信號的所選的寄生化學(xué)物種是不希望 存在于要等離子體淀積到聚合物材料上的薄膜中的物種。
9. 如前述任一權(quán)利要求所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在 于，該氣態(tài)前體選自垸烴、烯烴、炔烴和芳烴，在第二波長范圍內(nèi)可能產(chǎn) 生明顯信號的所選的寄生化學(xué)物種是空氣的一個組分。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，該前 體基于乙炔，所選的寄生化學(xué)物種是氮。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在于，該前 體基于乙炔，所選的寄生化學(xué)物種是氧。
12. 如前述任一權(quán)利要求所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在 于，該波長范圍選自位于約800納米至約1000納米的發(fā)射光譜部分。
13. 如前述任一權(quán)利要求所述的等離子體成分的監(jiān)控方法，其特征在 于，該等離子體是微波等離子體，用于將薄膜淀積到由PET制成的中空體 上。
14. 一種裝置，用于實施權(quán)利要求1至12中任一所述的等離子體成分的 監(jiān)控方法，其特征在于，該裝置包括至少一個檢測器，用于檢測由該等離 子體發(fā)射的光強度，和微波電磁激發(fā)裝置，用于在微波諧振腔中產(chǎn)生等離 子體，該腔包含真空室，該真空室用于容置由聚合物材料制成的容器，用 于將薄膜淀積到該容器內(nèi)部。
15. 如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，該檢測器靠著該腔放置，所述光強度是通過該容器和該真空室的壁測定的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子體成分的監(jiān)控方法，所述等離子體產(chǎn)生自確定的前體，用于將薄膜淀積到聚合物材料上。所述方法包括接收由該等離子體發(fā)射的光強度以及包括選擇第一參考波長范圍的步驟，其選自其中不存在寄生化學(xué)物種的明顯信號的等離子體發(fā)射光譜區(qū)域，即，其不是所確定前體的一部分并因此通常不存在于該等離子體中，且其在該等離子體中的存在影響淀積的薄膜性質(zhì)；選擇第二波長范圍的步驟，所述第二波長范圍選自其中可能存在寄生化學(xué)物種的明顯信號的等離子體發(fā)射光譜區(qū)域；同時在兩個選定的波長范圍的每一個中獲得由等離子體發(fā)射的光強度的步驟；和基于這些光強度計算至少一個監(jiān)控系數(shù)的步驟。
文檔編號H01J37/32GK101300373SQ200680040477
公開日2008年11月5日 申請日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者局伊·弗約萊, 讓-米歇爾·里于斯 申請人:賽德爾參與公司