專利名稱：顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示板，特別涉及具有電子源的顯示板。
背景技術(shù)：
在日本特開平10-334832號公報(專利文獻(xiàn)1)和日本特開平9-73869號公報(專利文獻(xiàn)2)中，公開了用于場致發(fā)射顯示裝置(FieldEmission Display)的顯示板(FED板)。這些FED板為具有利用電子線的照射而發(fā)光的熒光體的陽極基板和具有場致發(fā)射型的電子源的陰極基板相對設(shè)置的結(jié)構(gòu)。在FED板的內(nèi)部，為了維持真空、抵抗外壓而配置有間隔物。
專利文獻(xiàn)1...日本特開平10-334832號公報專利文獻(xiàn)2...日本特開平9-73869號公報發(fā)明內(nèi)容但是，在FED中沒有校正電子束軌道的電極或線圈，由于電子束軌道由發(fā)射時的初始能量的矢量和整體施加的加速電場的加速矢量決定，因此，在電子束軌道的附近存在間隔物的情況下，當(dāng)間隔物不在加速電場的等電位面上時，電子束會發(fā)生彎曲，不能正確地入射到目標(biāo)熒光體。為了對其進(jìn)行校正而另外準(zhǔn)備額外的電位控制電極在成本上、控制上都是不現(xiàn)實(shí)的。
關(guān)于這一點(diǎn)，可以考慮使用不容易帶電的間隔物，并對其施加二次電子發(fā)射效率接近于1的表面處理。但是，所謂“不容易帶電的間隔物”，意味著使用電導(dǎo)率高的間隔物，在這種情況下，由加速電壓引起的漏電流變大，因此難以獲得很大的效果。另外，作為使二次電子發(fā)射效率接近于1的表面處理，可以考慮氧化鉻的敷層(coating)。但是，就顯示器的動作電位而言，一般來講二次電子發(fā)射效率超過1，因此由二次電子發(fā)射造成的帶電不能完全避免。
在上述專利文獻(xiàn)1和2中，配置有導(dǎo)電性的間隔物。但是，在這種情況下，如上所述，難以避免電子束的偏轉(zhuǎn)。
本發(fā)明的目的在于提供一種在具有電子源的顯示板中，減輕由所配置的間隔物部件造成的電子束偏轉(zhuǎn)的技術(shù)。
為了解決上述課題，在本發(fā)明中，使間隔物部件與上下的電極(陽極電極和陰極電極)的電導(dǎo)率保持為適當(dāng)?shù)谋嚷?。具體而言，使間隔物部件的電位從周圍的等電位面向陰極側(cè)偏移。
例如，本發(fā)明的顯示板包括具有利用電子束的照射而發(fā)光的發(fā)光部件的第1基板；具有電子源的第2基板；以及配置在上述第1基板和上述第2基板之間的間隔物部件；上述第1基板與上述間隔物部件的連接電阻，比上述第2基板與上述間隔物部件的連接電阻大。
另外，本發(fā)明的顯示板，也可以使上述第1基板與上述間隔物部件之間的第1粘接層的電導(dǎo)率比上述第2基板與上述間隔物部件之間的第2粘接層的電導(dǎo)率小。
本發(fā)明可以應(yīng)用于具有電子源(電子發(fā)射元件)、并且在顯示板內(nèi)部具有間隔物的顯示板。也可以應(yīng)用于例如以下這樣的熒光顯示裝置(Vacuum Fluorescent Display)，即，從陰極發(fā)出的熱電子，由位于陰極和陽極之間的柵極控制、加速，并撞擊陽極上的熒光體(顯示元件)而發(fā)光的熒光顯示裝置。


圖1是第1實(shí)施方式的顯示板的剖視圖(點(diǎn)亮前)。
圖2是第1實(shí)施方式的顯示板的剖視圖(剛剛點(diǎn)亮之后)。
圖3是第1實(shí)施方式的顯示板的剖視圖(穩(wěn)定后)。
圖4是說明第1實(shí)施方式的顯示板的制造工序的圖。
圖5是用于說明電子束的偏轉(zhuǎn)的顯示板的剖視圖(點(diǎn)亮前)。
圖6是用于說明電子束的偏轉(zhuǎn)的顯示板的剖視圖(剛剛點(diǎn)亮之后)。
圖7是用于說明電子束的偏轉(zhuǎn)的顯示板的剖視圖(穩(wěn)定后)。
圖8是部件與二次電子發(fā)射效率的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式
以下，對應(yīng)用了本發(fā)明的FED(Field Emission Display)板進(jìn)行說明。
首先，對FED板的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式的FED板，如圖4所示，為陽極基板100和陰極基板200夾著框玻璃116和間隔物部件40而相對配置的結(jié)構(gòu)。
在陰極基板200的玻璃等絕緣性基板10上，交叉地配置有信號線11和掃描線27。
圖1是FED板的剖視圖。為了易于理解，對陽極基板100和陰極基板200在厚度方向進(jìn)行了放大描繪，另一方面，對陽極基板100和陰極基板200的間隔進(jìn)行了縮小描繪。
如圖1所示，信號線11和掃描線27交叉的部分為在基板10上按信號線(下部電極)11、保護(hù)絕緣層14、掃描線(上部總線電極)27、上部電極13的順序?qū)盈B了信號線11、保護(hù)絕緣層14、掃描線27、上部電極13的結(jié)構(gòu)。
信號線11由Al或Al合金等構(gòu)成。此處，由摻雜了2原子量％的Nd的Al-Nd合金構(gòu)成。
保護(hù)絕緣層14起到限制電子發(fā)射部，防止電場向下部電極邊緣集中的作用。此處，保護(hù)絕緣層14由Al氧化物構(gòu)成。
掃描線27為用于給上部電極13供電的布線。掃描線27形成按Cr、Al、Cr的順序?qū)盈B了Cr、Al、Cr的結(jié)構(gòu)。
上部電極13為電子源的電極。上部電極13，構(gòu)成為例如按Ir、Pt、Au的順序?qū)盈B了Ir、Pt、Au的結(jié)構(gòu)。
電子源(冷陰極電子源)配置在每個信號線11與掃描線27交叉的位置，成矩陣狀。冷陰極電子源大致分為Spindt型電子源、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子源(Surface-conduction Electron-emitter)、碳納米管型電子源等場致發(fā)射型電子源；層疊了金屬-絕緣體-金屬的MIM(Metal-Insulator-Metal)型電子源、層疊了金屬-絕緣體-半導(dǎo)體電極的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型電子源等熱電子型電子源。但也可以設(shè)置任意的電子源。關(guān)于MIM型電子源，已由日本特開平10-153979號公報、日本特開2004-111053號公報等公開。
在本實(shí)施方式的FED板中，配置有由下部電極(信號線)11、絕緣膜(電子加速層)12、以及上部電極13構(gòu)成的MIM型電子源。電子加速層12由Al氧化物構(gòu)成。
對MIM型電子源的動作進(jìn)行簡單說明。當(dāng)在上部電極13與下部電極11之間施加驅(qū)動電壓Vd，使電子加速層12內(nèi)的電場達(dá)到1～10MV/cm左右時，下部電極11中的費(fèi)米能級附近的電子因隧道現(xiàn)象而穿過勢壘，注入電子加速層12而成為熱電子。這些熱電子在電子加速層12中、上部電極13中散射而損失能量，但上部電極13的具有大于或等于功函數(shù)ф的能量的一部分熱電子，被發(fā)射到真空中。
陽極基板100由透明的玻璃板等構(gòu)成。在陽極基板100的一個面上，形成有黑矩陣120、熒光體111、以及陽極電極114。形成面被配置成與陰極基板200的布線形成面相對。
在框玻璃116與陰極基板200及陽極基板100之間，用玻璃料等粘接劑密封，使得基板內(nèi)部的壓力能維持在10-5Pa左右。
此外，為了防止被外壓壓碎，在陽極基板100與陰極基板200之間，以預(yù)定的間隔配置有間隔物部件40。間隔物部件40中間隔著粘接層115a和115b與各基板(陽極基板100和陰極基板200)上的電極(陽極電極114、上部電極113)進(jìn)行粘接固定。對于這些粘接層115a和115b的詳細(xì)情況，在后面描述。
間隔物部件40的材料為玻璃、陶瓷、氧化物類天然礦物的薄片等，但是從為了實(shí)施在高真空中施加高壓的使用方法而要避免含有雜質(zhì)的角度出發(fā)，優(yōu)選由高純度的玻璃、精細(xì)陶瓷等高純度工業(yè)材料構(gòu)成的絕緣物質(zhì)。
在本實(shí)施方式中，作為間隔物部件40，使用了板狀的間隔物。但也可以使用棒狀、圓筒狀、十字型的板材等其它形狀的間隔物。
在FED板進(jìn)行動作時，信號線11的末端與作為外部電路的信號線驅(qū)動電路連接。掃描線27的末端，與作為外部電路的掃描線驅(qū)動電路連接。對陽極電極114總是施加3～6kV左右的加速電壓。并且，F(xiàn)ED板通過例如行依次驅(qū)動方式，作為顯示裝置進(jìn)行動作。
本實(shí)施方式的FED板具有以上的結(jié)構(gòu)，并且，其特征還在于間隔物部件40與各基板(陽極基板100和陰極基板200)之間的電導(dǎo)率。以下，進(jìn)行詳細(xì)說明。
如上所述，在陰極基板200上配置有多個電子源。從這里射出的電子束，被施加于陰極電極(上部電極13)和陽極電極114的高電壓加速，作為高能量的電子束射入熒光體111。此時，加速電壓在整體上是大致均勻的，通過調(diào)整來自電子源的電子束發(fā)射量，能增強(qiáng)或減弱每一像素的顯示。
為了將電子束的通過空間保持為真空，在顯示板的周圍存在框玻璃116，陽極基板100和陰極基板200被真空密封。而且，為了獲得足夠大的顯示面，在顯示面的各處配置有間隔物部件40，防止大氣壓將顯示板壓碎。
此處，可以考慮將間隔物部件40按所有像素均等地進(jìn)行配置的方法。但是，在大型顯示器的情況下，由于像素數(shù)達(dá)數(shù)百萬個以上，因此，將間隔物按所有像素均等地安裝是不現(xiàn)實(shí)的。因此，通常不是按所有像素均等地配置間隔物部件40，而是每隔預(yù)定數(shù)量的像素配置間隔物部件40。
此時，從配置于遠(yuǎn)離間隔物部件40的位置的電子源發(fā)射的電子束筆直地前進(jìn)，射入與之相對的陽極電極114的熒光體111。另一方面，間隔物40附近的電子源，則產(chǎn)生電子束軌道的彎曲。
以下，使用圖5～圖7，對電子束軌道彎曲的情形進(jìn)行說明。
圖5～圖7，是用于說明在間隔物部件40的上下進(jìn)行了均勻的電連接時的電子束軌道的彎曲的圖。另外，將間隔物部件40的陽極基板100側(cè)作為“上”，陰極基板200側(cè)作為“下”。而且，在圖5～圖7中，為了易于理解，對陽極基板100和陰極基板200在厚度方向進(jìn)行了放大描繪，相反，對真空空間的厚度進(jìn)行了縮小描繪，等電位面的波動也進(jìn)行了放大表示。
圖5是示意地示出了在間隔物部件40的上下的電連接均等的情況下，點(diǎn)亮前(電子源發(fā)射電子前)的陽極基板100和陰極基板200之間的電位狀況的剖視圖。該狀態(tài)表示在開始點(diǎn)亮前，已經(jīng)施加了加速電壓，但電子源尚未動作，未射出電子束的狀態(tài)。該狀態(tài)為顯示裝置已經(jīng)接入了電源，但尚未輸入圖像而顯示黑色的畫面的狀態(tài)。
此時，間隔物部件40的電位分布，與陽極基板100和陰極基板200之間的等電位面大致平衡。除了由陽極基板100的表面結(jié)構(gòu)、陰極基板200的表面結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的細(xì)微波動之外，等電位面是均等的。
圖6表示剛剛點(diǎn)亮后的狀態(tài)。從電子源發(fā)射出的電子束大致直線前進(jìn)，射入熒光體111。但是，一定量的電子束隨機(jī)地射入間隔物部件40。此時，依照射入電子束的能量，發(fā)射二次電子。其比率為二次電子發(fā)射效率。
圖8舉例示出一般的部件的二次電子發(fā)射效率。
在加速電壓為幾千伏到1萬伏左右時，一般的材料的二次電子發(fā)射效率超過1。為此，射入1個電子，會擊出1個以上的電子，從而使間隔物部件40帶正電。雖然其電位會因間隔物部件40具有導(dǎo)電性而與漏電流一起消失，但是，如果間隔物部件40的電導(dǎo)率過高，高壓的加速電壓將導(dǎo)致過大的漏電流流過間隔物部件40，從而顯示板的發(fā)光效率變差。因此，將間隔物部件40的電導(dǎo)率提高到能夠忽略由二次電子發(fā)射造成的帶電的程度，在一般的設(shè)計中無法實(shí)現(xiàn)。
此處，可以考慮對間隔物部件40的表面，用二次電子發(fā)射效率低的材料施以敷層的方法、或在間隔物部件40的表面用其它材料形成覆膜的方法。但是，在這種情況下，雖然二次電子發(fā)射效率接近于1，但還是超過1。因此，通過這些方法都無法避免因間隔物部件40的影響而導(dǎo)致的等電位面的畸變。
由此，電子束的軌道被間隔物部件40一點(diǎn)點(diǎn)地吸引過去。而且，射入間隔物部件40的電子數(shù)不斷增加，進(jìn)一步加劇間隔物部件40的帶電。
該狀態(tài)持續(xù)下去，在顯示達(dá)到穩(wěn)定的狀態(tài)時，則如圖7所示，變成電子束呈現(xiàn)大幅度向存在間隔物部件40的方向彎曲的軌道。而且，甚至在電子束密度高的區(qū)域，一部分電子束也落到間隔物部件40上。此外，在熒光體111上，將產(chǎn)生電子束不照射的部分，從而顯示變暗。在極端的情況下，圖中雖然省略了圖示，但是電子束會射入相鄰像素的熒光體，使圖像產(chǎn)生畸變、或者產(chǎn)生混色。
鑒于這樣的情況，本實(shí)施方式的FED板，如下這樣構(gòu)成。
對于本實(shí)施方式的FED板，使用圖1～圖3進(jìn)行說明。
圖1是表示點(diǎn)亮前的電位狀態(tài)的剖視圖。
在本實(shí)施方式的FED板中，使間隔物部件40的上下的電導(dǎo)率不同。具體而言，使間隔物部件40中間隔著粘接層115a和115b固定在作為陽極側(cè)電極的電極114和作為陰極側(cè)電極的上部電極11上。此時，使陽極基板100側(cè)的粘接層115a的電導(dǎo)率比陰極基板200側(cè)的粘接層115b的電導(dǎo)率小。
例如，在將間隔物部件40的電阻率設(shè)為10GΩ·cm左右的情況下，使陽極側(cè)的粘接層115a的電阻率在5～1000MΩ·cm的范圍，陰極側(cè)的粘接層115b的電阻率在2～500MΩ·cm的范圍。其中，使陰極側(cè)的粘接層115b的電阻率，比陽極側(cè)的粘接層115a的電阻率小。
具體而言，優(yōu)選陽極側(cè)的粘接層115a的電阻率為10MΩ·cm左右，陰極側(cè)的粘接層115b的電阻率為前者的一半，在5MΩ·cm左右。
粘接層115a、115b的電阻率，可以通過改變用于粘接的玻璃料所包含的金屬的種類及其比例來進(jìn)行調(diào)整。
例如，間隔物部件40與陽極基板100的粘接，使用在玻璃料中添加了少量的銀顆粒、鎳顆粒的高電阻的粘接劑(例如，按重量計，鉛玻璃∶Ag＝1∶4)。另一方面，間隔物部件40與陰極基板200的粘接，使用在玻璃料中添加了大量的金顆粒的低電阻的粘接劑(例如，按重量計，鉛玻璃∶Ag＝1∶1)。
而且，也可以使用相同種類的金屬，使其含量發(fā)生變化，從而使粘接層115a、115b的電阻率發(fā)生變化。
此外，還可以利用添加的顆粒的形狀使電阻率發(fā)生變化，例如，也可以添加薄片狀、粒狀的顆粒使電阻率發(fā)生變化。
如果這樣構(gòu)成，則在非點(diǎn)亮狀態(tài)下，間隔物部件40的電位狀態(tài)，與周圍的等電位面相比，接近陰極基板200側(cè)的電位的部分增大，等電位面向陽極基板100側(cè)偏移稍許。而且，在該狀態(tài)下，由于未從電子源發(fā)射電子束，因此不顯示圖像，對顯示沒有影響。
接著，當(dāng)如圖2所示，從電子源開始發(fā)射電子束時，電子束的大部分射入與之相對的熒光體111，一部分射入間隔物部件40。但是，由于最初的等電位面偏移了，因此電子對間隔物部件40的射入概率，與上述圖6的情況相比要少。因此，熒光體111的發(fā)光強(qiáng)度幾乎未降低。
其結(jié)果是，即使進(jìn)行間隔物部件40的帶電，等電位面的畸變也如圖3所示，處于輕微的范圍內(nèi)。因此，電子束密度高的區(qū)域持續(xù)射入熒光體111，熒光體的發(fā)光強(qiáng)度與附近沒有間隔物的顯示像素相比并不遜色。即，保持顯示畫面的均勻性，成為高質(zhì)量的圖像顯示板。
此時，最好選擇消除在顯示中等程度的亮度的圖像時產(chǎn)生的間隔物帶電程度的電導(dǎo)率。顯示亮的圖像容易產(chǎn)生電子軌道的彎曲，顯示暗的圖像，電子軌道的彎曲輕微。
另外，間隔物部件40也可以利用能使表面的二次電子發(fā)射效率接近于1的氧化鉻、或氧化鉻與SiO2的混合物進(jìn)行表面處理。表面處理的材料及其程度可以根據(jù)來自電子源的電子發(fā)射量、以及所預(yù)估的間隔物部件40的帶電量適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。即，需要在目標(biāo)電子發(fā)射量、根據(jù)該電子發(fā)射量預(yù)估的間隔物部件40的帶電量以及通過預(yù)先改變電導(dǎo)率來消除帶電的效果之間平衡地選擇。不言而喻，使用二次電子發(fā)射效率接近于1、不容易產(chǎn)生電子軌道的彎曲的間隔物，將使得由顯示圖像的明暗引起的電子軌道的彎曲的變動變得很輕微，由此能夠進(jìn)行高質(zhì)量的顯示。
即使在使用實(shí)施了表面處理的間隔物部件40的情況下，粘接層115a和115b的電導(dǎo)率，也可以根據(jù)該間隔物部件40的二次電子發(fā)射效率，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
接著，使用圖4對上述那樣構(gòu)成的FED板的制造工序進(jìn)行說明。
在陽極基板100上，形成有黑矩陣120、熒光體111、陽極電極114等。在陰極基板200上，使用照相制版、印刷等技術(shù)形成了所要的電子源、電路。并且，假設(shè)間隔物部件40、框玻璃116、以及其它的排氣用部件等也已被組裝、清洗完畢而準(zhǔn)備好。
如圖4(步驟(a))所示，在陽極基板100的在陽極電極114上設(shè)立間隔物部件40的位置，利用印刷或者分配器(dispenser)涂敷玻璃料漿料115ap。此時的玻璃料漿料115ap是例如在玻璃料中混入總體積為幾％～25％的銀顆粒，并與溶劑、粘合劑混合而形成漿料的。
之后，將間隔物部件40按壓在其上，固定后進(jìn)行預(yù)燒制。
另一方面，在陰極基板200的配置間隔物部件40的位置，另用印刷或者分配器涂敷玻璃料漿料115bp。此時的玻璃料漿料115bp是例如在玻璃料中混入總體積為20％～100％的金顆粒，并與溶劑、粘合劑混合而形成漿料的。然后，在涂敷漿料后，干燥并預(yù)燒制。
之后，如圖4(步驟(b))所示，中間夾著涂敷了玻璃料116ap并已進(jìn)行了干燥的框玻璃116，將配置了間隔物部件40的陽極基板100、與陰極基板200組合起來。然后，進(jìn)行正式燒制，使整體固定。
進(jìn)而，如圖4(步驟(c))所示，使用安裝在陽極基板100上的排氣部件，對內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，然后，將排氣管密封，通過吸氣劑濺散(getter flash)實(shí)施防止真空劣化的措施。如此，F(xiàn)ED板制造完成。
以上，對本實(shí)施方式的FED板以及該FED板的制造工序進(jìn)行了說明。
根據(jù)上述實(shí)施方式，能將間隔物部件的上下的電導(dǎo)率保持在適當(dāng)?shù)谋嚷?。其結(jié)果是能使非點(diǎn)亮?xí)r的間隔物部件的電位，從等電位面向陰極側(cè)偏移。而且，能夠消除點(diǎn)亮中的間隔物部件的電位因二次電子發(fā)射而向陽極側(cè)偏移的傾向。由此，能夠防止伴隨著間隔物部件的帶電而產(chǎn)生的電子束軌道的偏移，這是以往的氧化物間隔物、實(shí)施了導(dǎo)電性敷層的非導(dǎo)電性間隔物所未能實(shí)現(xiàn)的。
而且，間隔物部件40中間隔著粘接層被陽極基板100和陰極基板200穩(wěn)定地支撐。因此，與只在一個端部粘接支撐間隔物部件40的情況相比，支撐強(qiáng)度增大。
而且，陽極基板100側(cè)的粘接層115a可以為低電阻，因此，可以使玻璃料中含有多的玻璃成分。在顯示板的制造工序中，不是同時將間隔物部件40與陽極基板100和陰極基板200進(jìn)行粘接，而是如圖4所示，先將其與一個基板粘接后，再粘接另一個基板，這樣實(shí)施起來更為容易。雖然只是暫時的，但在一個端部支撐間隔物部件40，仍需要足夠的粘接強(qiáng)度。本實(shí)施方式的FED板，可以使陽極基板100側(cè)的粘接層115a中含有更多的玻璃，能夠獲得足夠的粘接強(qiáng)度。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式。上述實(shí)施方式可以在本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形。
在上述實(shí)施方式中，通過金和銀的區(qū)別、以及混入量來調(diào)整用于粘接間隔物部件40的玻璃料的構(gòu)成，調(diào)整了電導(dǎo)率，但也可以兩者都添加銀顆粒，只通過混入量的差來改變電導(dǎo)率。
而且，作為添加的導(dǎo)電性物質(zhì)，可以使用銦、白金等貴金屬。
此外，也可以不是向玻璃料中添加高價的貴金屬，而是通過加入鎳顆粒等便宜金屬、或加入SiC等導(dǎo)電性無機(jī)物來實(shí)施電導(dǎo)率的調(diào)整。
并且，也可以通過在玻璃料中加入導(dǎo)電性陶瓷顆粒、導(dǎo)電性陶瓷纖維而賦予玻璃導(dǎo)電性。在分別添加例如碳化硅的微粒和碳化硅的晶須時，在添加了微粒的情況下為高電阻，在添加了晶須的情況下為低電阻，因此，也可以使用這樣的組合。這種情況與添加金屬的情況相比，能夠抑制與玻璃的反應(yīng)，因此，具有能降低由燒制溫度導(dǎo)致的低電導(dǎo)率的變動的優(yōu)點(diǎn)。
此外，可以使用玻璃以外的各種粘接部件(漿料)來替代玻璃料，也可以是以有機(jī)化合物、無機(jī)化合物(例如陶瓷)為基礎(chǔ)的物質(zhì)。
而且，還可以利用電極材料和電極表面處理來改變間隔物部件40的電位，而不只是通過改變粘接層的材質(zhì)來改變間隔物部件40的電位。
例如，將鐵鎳等高阻抗電極材料用于陽極。作為陽極電極和間隔物部件40的粘接工序的預(yù)燒制，在氧化氣氛中實(shí)施。將鋁制的低電阻電極用于陰極基板的電極。作為這樣的連接的正式燒制，在還原性氣氛中實(shí)施。如此，可以根據(jù)電極材料和表面的氧化狀態(tài)，改變與間隔物部件40的電導(dǎo)率。在這種情況下，不改變玻璃料就能獲得同樣的效果，因而具有以廉價的玻璃料材料就可實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明可以應(yīng)用于具有電子源(電子發(fā)射元件)、并且在顯示板內(nèi)部具有間隔物的顯示板。也可以應(yīng)用于例如以下這樣的熒光顯示裝置(VFD)，即，從陰極飛出的熱電子，由位于陰極和陽極之間的柵極控制、加速，并撞擊陽極的熒光體(顯示元件)而發(fā)光的熒光顯示裝置(VFD)。
權(quán)利要求
1.一種顯示板，其特征在于包括具有利用電子束的照射而發(fā)光的發(fā)光部件的第1基板；具有電子源的第2基板；以及配置在上述第1基板和上述第2基板之間的間隔物部件；上述第1基板與上述間隔物部件的連接電阻，比上述第2基板與上述間隔物部件的連接電阻大。
2.一種顯示板，其特征在于包括具有利用電子束的照射而發(fā)光的發(fā)光部件的第1基板；具有電子源的第2基板；以及配置在上述第1基板和上述第2基板之間的間隔物部件；上述第1基板與上述間隔物部件之間的第1粘接層的電導(dǎo)率，比上述第2基板與上述間隔物部件之間的第2粘接層的電導(dǎo)率小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于上述第1粘接層和上述第2粘接層是包含非導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)電性物質(zhì)的混合物，上述第1粘接層和上述第2粘接層所包含的導(dǎo)電性物質(zhì)的比例不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于上述第1粘接層和上述第2粘接層是包含非導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)電性物質(zhì)的混合物，上述第1粘接層和上述第2粘接層所包含的導(dǎo)電性物質(zhì)的種類不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于上述第1粘接層和上述第2粘接層是包含非導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)電性物質(zhì)的混合物，上述第1粘接層和上述第2粘接層所包含的導(dǎo)電性物質(zhì)的形狀不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求3～5的任意一項所述的顯示板，其特征在于上述非導(dǎo)電性物質(zhì)為玻璃。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示板，包括具有利用電子束的照射而發(fā)光的發(fā)光部件的陽極基板、具有電子束發(fā)射元件的陰極基板、以及配置在內(nèi)部的間隔物部件。而且，使陽極基板與間隔物部件之間的電阻率，比陰極基板同間隔物部件之間的電阻率大。
文檔編號H01J29/87GK1828815SQ20061000324
公開日2006年9月6日 申請日期2006年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月1日
發(fā)明者大錄范行, 木島勇一, 井上勇一 申請人:株式會社日立顯示器