專利名稱：圖像顯示裝置的制造方法及圖像顯示裝置的制造設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及制造圖像顯示裝置的方法以及用于制造圖像顯示裝置的設備，尤其涉及能夠改進圖像顯示裝置的耐壓特性的制造方法和制造設備。
背景技術：
近年來，作為下一代圖像顯示裝置，開發(fā)了平面圖像顯示裝置，將大量的電子發(fā)射元件設置為與圖像顯示表面相對。有各種類型的電子發(fā)射元件。基本上，電子發(fā)射元件利用了借助電場的電子發(fā)射。使用電子發(fā)射元件的圖像顯示裝置一般被稱為“場致發(fā)射顯示器(FED)”。在FED中，一種使用表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射元件的圖像顯示裝置被稱為“表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(SED)”。“FED”是覆蓋了“SED”的一般術語。
一般而言，F(xiàn)ED包括前基板和后基板，它們以預定的間隔彼此相對放置。這些基板的外圍部分通過框架形狀的側壁彼此連接，且由此構造了真空密封外殼。真空密封外殼的內(nèi)部被保持在大約10-4pa或更少的高真空。在基板之間設置了多個支撐件，以承載作用于后基板和前基板的大氣壓力負載。
在前基板的內(nèi)表面上形成包括熒光層的熒光屏，該熒光層發(fā)射紅、藍和綠光。另外，為獲得實際的顯示特性，在熒光屏上形成稱為“金屬殼”的鋁箔。此外，為吸附真空密封外殼內(nèi)剩余的氣體或從每一基板發(fā)射的氣體，在金屬殼上通過蒸鍍(“吸氣劑濺射”)沉積了稱為“吸氣劑膜”的具有氣體吸附特性的金屬膜。
在后基板的內(nèi)表面上設置了大量的電子發(fā)射元件，它們發(fā)射電子用于激勵熒光層發(fā)光。另外，以矩陣形式形成大量掃描線和信號線，且這些線連接到電子發(fā)射元件。
在FED中，將陽極電壓施加于包括熒光屏和金屬殼的圖像顯示設備表面。從電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束由陽極電壓加速，并導致撞擊在熒光層上。由此，熒光層發(fā)光。因此，在圖像顯示表面上顯示圖像。在這一情況下，期望可將陽極電壓設置在至少幾KV，且如有可能，設置在10kV或更高。
在FED中，前基板和后基板之間的間隙可被設為大約1到3mm。與當前用作TV和計算機的顯示器的陰極射線管(CRT)相比，可實現(xiàn)重量和厚度的顯著減少。
然而，從分辯率和電子發(fā)射效率的角度來看，不能很大地增加前基板和后基板之間的間隙，且間隙需要被設置在大約1到3mm。因此，在FED中，在前基板和后基板之間的小間隙中不可避免地產(chǎn)生強電場，且引發(fā)了兩個基板之間的放電(介質擊穿)問題。
如果發(fā)生放電，則瞬間有100A或更高的電流流動，且可導致對電子發(fā)射元件或圖像顯示表面的損壞或老化。另外，由于放電可能會損壞驅動電路。這些問題一般被稱為放電引起的損壞。這一損壞對于產(chǎn)品而言是不容許的。為使FED能夠得到實際的使用，必須抑制由于放電引起的損壞。然而，很難完全抑制該放電。
另一方面，有一種可能的措施能夠減少放電的大小，而非防止放電的發(fā)生，因此即使發(fā)生了這樣的放電，放電對電子發(fā)射元件的影響也可被忽略(減少)。涉及這一概念的一種技術在例如日本專利申請KOKAI公開號2000-311642中有公開。該文獻公開了這樣一種技術，其中在設置在圖像顯示表面上的金屬殼中切開槽口，并形成例如鋸齒形圖案。由此，增加了熒光表面的有效電感/電阻。另外，日本專利申請KOKAI公開號10-326583公開了這樣一種技術，其中劃分了金屬殼。此外，日本專利申請KOKAI公開號2000-251797公開了這樣一種技術，其中所劃分的部分用導電材料來涂層，以抑制劃分部分處的表面沿面放電。
然而，即使使用這些技術，仍難以完全抑制由于放電引起的損壞。
一般而言，發(fā)生放電的電壓在各種情況中有所不同。另外，存在這樣一種情況，即放電在經(jīng)過了很長一段時間之后才發(fā)生。抑制放電意味著在施加陽極電壓時完全防止放電發(fā)生，或將放電的概率降低到實際可容許的等級。在以下描述中，抑制放電時可在陽極和陰極之間施加的電勢差被稱為“耐受電壓”。
存在導致放電的各種因素。首先，放電可由來自陰極一側上的極微小突出部分或雜質的電子發(fā)射觸發(fā)。其次，放電可由粘附于陰極或陽極的微?；蚱洳糠直环珠_并導致撞擊在相對的表面上時觸發(fā)。具體地，在FED中，在熒光屏上形成金屬殼和吸氣劑膜，它們是具有較低強度的薄膜。這些薄膜的一部分可能被分開而觸發(fā)放電。
通過將諸如Ba或Ti等具有高氣體吸附特性的金屬固定在擔當用于吸氣劑的底版的金屬底版上并加熱該金屬底版，可在金屬殼上形成吸氣劑膜作為蒸鍍沉積膜。此時，可以有這樣的情況，其中金屬底版的一部分和吸氣劑電極的一部分在加熱金屬底版的蒸鍍步驟中融化，且融化的部分可能掉落在前基板和后基板上。該部分可能成為放電源，且可能成為增加放電的一個主要因素。
通常已知一種被稱為“調節(jié)”的改進耐受電壓的方法。該方法的細節(jié)例如在“Handbook of Discharge(放電手冊)”(Ohmsha，1998)的第302頁有描述。在該方法中，在相對的基板之間引起電勢差，且提高了耐受電壓。在進行調節(jié)時，可在某些情況下引起放電，而在其它情況下不引起放電。在某種狹窄意義上，火花調節(jié)(spark conditioning)(其中引起放電(火花))在某些情況下可被稱為“調節(jié)”。通過火花調節(jié)對耐受電壓的改進機制尚不清楚。可能的原因可包括由于火花而引起的諸如極微小突出部分或雜質等放電源的融化和去除，以及由于電場而引起的粘附微粒的去除。
例如，在CRT中，這一過程被廣泛地執(zhí)行，使得在電子槍的電極之間施加大約為工作電壓四倍的脈沖電壓，并且引起幾千次放電。這對應于火花調節(jié)。
不引起任何火花的調節(jié)也具有提高耐受電壓的效果。即使在這一情況下，也期望在相對的基板之間產(chǎn)生盡可能高的電勢差。然而，這一高電勢差可能會無意地引起火花，且由于火花引起的損壞是不可避免的。無法從不引起火花的調節(jié)中期望與火花調節(jié)相同的效果。
然而，在FED的情況下，如果執(zhí)行了火花調節(jié)，則可能會損壞或老化圖像顯示表面或電子發(fā)射元件。由此，簡單地使用這一方法是不可以的。
考慮到以上原因，為防止會導致放電的雜質進入FED，進行吹風或超聲波干洗，或在凈室中進行制造。然而，盡管沉積于基板上的雜質可通過吹風來去除，但是不可能去除粘附(牢固地粘附)于基板的雜質。即使通過吹風成功地去除了雜質，然而空氣中漂浮的細微雜質也可能在將前基板和后基板置于真空密封設備中之前重新粘附于基板，且不能防止雜質的進入。
由于吸氣劑濺射只能在真空中進行，因此前基板和后基板被此時出現(xiàn)的微粒污染。由此，有必要在真空密封設備內(nèi)去除粘附于前基板和后基板的雜質。
除調節(jié)之外，用于提高耐受電壓的可能的方法可包括材料、結構和制造過程的優(yōu)化、制造環(huán)境清潔、清洗、以及吹風。然而，單獨采用這些方法，很難將耐受電壓提高到期望的值，且對于具有更高效果的耐受電壓改進方法的出現(xiàn)存在需求。此外，從成本降低的觀點來看，如極端地增加清潔程度或完全去除微粒等這些方法是不合需要的。
如上所述，在FED中，對抗放電的措施是重要的。然而，如果作為工作電壓的陽極電壓或前基板和后基板之間的間隙以抑制放電為目的而提高，則諸如亮度或分辯率等顯示性能會惡化且變得難以對產(chǎn)品獲得足夠的顯示性能。除此之外，沒有用于去除在基板被輸入到真空密封設備時粘附于前基板和后基板的雜質，或者在吸氣劑濺射時出現(xiàn)的微粒的手段。
發(fā)明公開本發(fā)明正是考慮到上述問題而作出的，且本發(fā)明的一個目的是提供一種制造圖像顯示裝置的方法以及用于制造圖像顯示裝置的設備，該方法和設備能夠實現(xiàn)極好的耐壓特性，并改進顯示性能和可靠性。
依照本發(fā)明的第一方面，提供了一種圖像顯示裝置的制造方法，該圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及包括向圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，該方法的特征包括導電性提供處理步驟，該步驟在真空環(huán)境中向待處理的基板提供導電性，該待處理的基板是前基板和后基板的至少一個；電場處理步驟，該步驟將具有導電性的待處理基板的主表面置于與處理電極相對，并在待處理基板和處理電極之間施加電場；以及密封步驟，該步驟在電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中前基板和后基板被彼此相對地放置的狀態(tài)將前基板和后基板密封在一起。
依照本發(fā)明的第二方面，提供了一種圖像顯示裝置的制造設備，該圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，該設備的特征包括能夠容納待處理基板的真空腔，該待處理基板是前基板和后基板的至少一個；抽空真空腔的內(nèi)部的抽空機構；在真空腔中置于與待處理基板相對的處理電極；向待處理基板提供導電性的導電性提供處理機構；以及向由導電性提供處理機構提供導電性的待處理基板與處理電極之間施加電場的電場施加機構。
依照具有上述結構的圖像顯示裝置的制造方法和該圖像顯示裝置的制造設備，在真空環(huán)境中向待處理基板提供導電性，并且通過向具有導電性的待處理基板和處理電極之間施加電場來執(zhí)行電場處理。由此，基板可去除放電產(chǎn)生因素，而不管諸如待處理基板主表面上的雜質或突起等放電產(chǎn)生因素是否導電。通過使用經(jīng)受電場處理的待處理基板，可能制造具有極好耐壓特性以及改進的顯示性能和可靠性的圖像顯示裝置。
附圖簡述

圖1是示意性地示出由依照本發(fā)明的一個實施例的制造方法和制造設備制造的FED的一個示例的立體圖；圖2是示意性地示出沿圖1中的線A-A所取的FED的橫截面結構的視圖；圖3是示意性地示出依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的制造設備的橫截面圖；圖4是示意性地示出依照本發(fā)明的另一實施例的圖像顯示裝置的制造設備的橫截面圖；圖5是用于描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的第一制造方法的流程圖；圖6是用于描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的第二制造方法的流程圖；圖7是用于描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的第三制造方法的流程圖；圖8是用于描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的第四制造方法的流程圖；以及圖9是用于描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置的第五制造方法的流程圖。
實現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式現(xiàn)在將參考附圖來描述依照本發(fā)明的一個實施例的圖像顯示裝置制造方法和圖像顯示裝置制造設備。描述了具有表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器的FED，作為由本制造方法和制造設備制造的圖像顯示裝置。
如圖1和圖2所示，F(xiàn)ED包括前基板11和后基板12，它們彼此對置，且具有1到2mm的間隙。前基板11和后基板12各由厚1至3mm的矩形玻璃板構成。前基板11和后基板12的周圍部分通過矩形框架形的側壁13連接。由此，構造了平面矩形真空密封外殼10，其內(nèi)部保持大約10-4Pa的高真空。
真空密封外殼10包括多個隔離件14，它們被設置在其內(nèi)部并承載施加在前基板11和后基板12上的大氣壓力負載。每一隔離件14可具有板形、柱形等等。
前基板11包括其內(nèi)表面上的圖像顯示表面。具體地，圖像顯示表面由熒光屏15、設置在熒光屏15上的金屬殼20、以及設置在金屬殼20上的吸氣劑膜22構成。
熒光屏15包括發(fā)射紅、綠和藍光的熒光層16，以及以矩陣排列的背光吸收層17。熒光層16可以按條或點形成。金屬殼20由鋁膜等形成，且起到陽極電極的作用。吸氣劑膜22由具有氣體吸附特性的金屬膜構成，且吸附真空密封外殼10中剩余的氣體以及從每一基板釋放的氣體。
后基板12包括其內(nèi)表面上的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件18。電子發(fā)射元件18起到激勵熒光屏15的熒光層16的電子源的作用。具體地，在后基板12上以與各個像素相關聯(lián)的多列和多行排列多個電子發(fā)射元件18，且這些電子發(fā)射元件向相關聯(lián)的熒光層16發(fā)射電子束。每一電子發(fā)射元件18包括電子發(fā)射部分(未示出)以及一對元件電極，該元件電極向電子發(fā)射部分施加電壓。在后基板12的內(nèi)表面上按矩陣設置了大量的布線21，用于向電子發(fā)射元件18施加電勢，且布線21的末端部分被引向真空密封外殼10的外部。
在這一FED中，在顯示圖像的工作的時候，向包括熒光屏15和金屬殼20的圖像顯示表面施加陽極電壓。從電子發(fā)射元件18發(fā)射的電子束由陽極電壓加速，并導致在熒光屏15上碰撞。由此，激勵熒光屏15的熒光層16發(fā)出相關聯(lián)顏色的光。以此方式，在圖像顯示表面上顯示彩色圖像。
接著，描述制造具有上述結構的FED的制造設備。
如圖3所示，該制造設備包括真空腔30、抽空機構32、處理電極34、電場施加機構35以及導電性提供處理機構40。真空腔30由真空處理容器形成，該容器能夠容納待處理基板33。待處理基板33是其主表面上具有圖像顯示表面的前基板11和其主表面上有電子發(fā)射元件18的后基板12中的至少一個。
在真空腔30內(nèi)設置了基板傳送結構50，它傳送待處理的基板33?；鍌魉蜋C構50在一范圍內(nèi)傳送待處理基板33，該范圍包括用于使待處理基板33經(jīng)受電場處理的電場處理位置PS1、以及用于使待處理基板33經(jīng)受導電性提供處理的導電性提供處理位置PS2。電場處理位置PS1被設置在面向處理電極34的位置之處。導電性提供處理位置PS2被設置在面向導電性提供處理機構40的位置之處。
抽空機構32抽空真空腔30的內(nèi)部，且由例如連接到真空腔30的抽空泵組成。在真空腔30內(nèi)設置了處理電極34，并且該處理電極設置成基本上平行于待處理基板33的主表面33A，且能夠以預定間隙面向主表面33A。此處所采用的處理電極34是例如以細長的矩形形狀形成的，且具有基本上等于待處理基板33的寬度的寬度，以及小于待處理基板33的長度的長度。
在真空腔30中設置了電極移動機構60。電極移動機構60支撐處理電極34，并在處理電極34與待處理基板33相對時在其長度方向上移動處理電極34。處理電極移動機構60在第一等待位置PE1和第二等待位置PE2之間來回移動處理電極34，這兩個等待位置位于待處理基板33所處的電場處理位置PS1外部，且不與待處理基板33相對。
電場施加機構35向真空腔30內(nèi)的待處理基板33和處理電極34之間施加電場。具體地，電場施加機構35將處理電極34接地，且包括向待處理基板33施加預定電壓的電源36。真空腔30連接到等于處理電極34的電勢的接地電勢。
導電性提供處理機構40向待處理基板33提供導電性。具體地，導電性提供處理機構40包括殼體41、導電膜材料42、吸氣劑膜材料43以及加熱機構44。殼體41包括開口41A，形成該開口以面向被設置在導電性提供處理位置PS2處的待處理基板33。導電膜材料42和吸氣劑膜材料43被設置在面向殼體41內(nèi)的開口41A的位置之處。加熱機構44可采用射頻加熱法或電阻加熱法。加熱機構44加熱導電膜材料42和吸氣劑膜43。
更具體而言，導電膜材料42和加熱機構44起到導電膜形成裝置的作用，該裝置在真空環(huán)境中向待處理基板33的主表面33A蒸鍍導電膜材料，并形成導電膜。另一方面，吸氣劑膜材料43和加熱機構44起到吸氣劑膜形成裝置的作用，該裝置在真空環(huán)境中向待處理基板33的主表面33A蒸鍍吸氣劑膜材料，并形成吸氣劑膜。
另外，該制造設備還可如圖4所示地構造。具體地，與圖3中的設備一樣，該制造設備包括真空腔30、抽空機構32、電場施加機構35以及導電性提供處理機構40，并且還包括第一處理電極34A和第二處理電極34B。對與圖3中所示的那些制造設備相同的結構部件由相同的標號來表示，且省略對其的詳細描述。
設置在真空腔30內(nèi)的基板傳送機構50在一范圍上傳送待處理基板33，該范圍包括使待處理基板33經(jīng)受電場處理的第一電場處理位置PS1、使待處理基板33經(jīng)受導電性提供處理的導電性提供處理位置PS2、以及使待處理基板33經(jīng)受電場處理的第二電場處理位置PS3。第一電場處理位置PS1設置在面向第一處理電極34A的位置之處。導電性提供處理位置PS2設置在面向導電性提供處理機構40的位置之處。第二電場處理位置PS3設置在面向第二處理電極34B的位置之處。
第一處理電極34A和第二處理電極34B都被設置成基本上平行于待處理基板33的主表面33A，且能夠以預定的間隙面向主表面33A。此處所采用的第一處理電極34A和第二處理電極34B的每一個是以例如細長的矩形形成的，且具有基本上等于待處理基板33的寬度的寬度，以及小于待處理基板33的長度的長度。
第一處理電極34A和第二處理電極34B分別由電極移動機構60支撐。每一電極移動機構60在第一等待位置PE1和第二等待位置PE2之間來回移動第一處理電極34A和第二處理電極34B中相關聯(lián)的一個，這兩個等待位置位于待處理基板33所處的第一和第二電場處理位置PS1、PS3外部，且不與待處理基板33相對。
設置在第一和第二電場處理位置PS1和PS3之間的導電性提供處理機構40向待處理基板33提供導電性。該導電性提供處理機構40與圖3所示的導電性提供處理機構一樣，具有導電膜形成裝置和吸氣劑膜形成裝置的功能。
接著，參考圖5的流程圖來描述制造具有上述結構的FED的第一制造方法。
作為開始，準備具有包括熒光屏15和金屬殼20的圖像顯示表面的前基板11，以及具有電子發(fā)射元件18的后基板12。在真空環(huán)境中，執(zhí)行導電性提供處理以向待處理基板33提供導電性，該待處理基板33是前基板11和后基板12中的至少一個(ST11)。
現(xiàn)在假定通過使用圖3所示的制造設備至少執(zhí)行導電性提供處理(ST11)和后續(xù)的電場處理(ST12)。具體地，操作抽空機構32以將真空腔30抽空到期望的真空度。由此，在真空腔30內(nèi)創(chuàng)建了真空環(huán)境。
待處理基板33由基板傳送機構50傳送到真空腔30中，且設置在導電性提供處理位置PS2處。此時，待處理基板33被設置在導電性提供處理位置PS2處，使得其主表面33A與導電性提供機構40的殼體41的開口41A相對。在待處理基板是前基板11的情況下，其具有圖像顯示表面的主表面設置成與導電性提供機構40相對。在待處理基板33是后基板12的情況下，其具有電子發(fā)射元件18的主表面設置成與導電性提供機構40相對。
由導電性提供機構40向待處理基板33提供導電性。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍導電膜材料42，并在待處理基板33的主表面33A上形成導電膜。由此，向待處理基板33提供了導電性?；蛘?，加熱機構44加熱并蒸鍍吸氣劑膜材料43，并在待處理基板33的主表面33A上形成吸氣劑膜。由此，向待處理基板33提供了導電性。如果至少向待處理基板33的主表面提供導電性，則可使用任何其它方法。因此，可使諸如殘留在待處理基板33的主表面33A上的不導電雜質、灰塵等放電產(chǎn)生因素變得導電。
隨后，具有導電性的待處理基板33的主表面33A經(jīng)受電場處理(ST12)。具體地，在真空腔30內(nèi)，由基板傳送機構50傳送待處理基板33，并將其設置在電場處理位置PS1。此時，待處理基板33被置于電場處理位置PS1，使得其主表面33A與處理電極34相對，且與處理電極34有預定的間隙。另外，此時，處理電極34被設置在第一等待位置PE1處，且不與被設置在電場處理位置PS1的待處理基板33相對。
待處理基板33被電連接到電場施加機構35的電源46，且處理電極34被電連接接地。電源36向待處理基板33施加預定電壓。這樣設置從電源36施加的電壓，以在待處理基板33和處理電極34之間產(chǎn)生正或負電勢差。由此，在待處理基板33和處理電極34之間產(chǎn)生電場。
在產(chǎn)生電場之后，電極移動機構60以固定的速度將處理電極34從第一等待位置PE1朝向第二等待位置PE2移動。此時，在處理電極34以預定間隙與待處理基板33的主表面33A相對的狀態(tài)，在待處理基板33的長度方向上移動處理電極34。以此方式，相對地移動待處理基板33和處理電極34，且處理電極34掃描待處理基板33的整個表面，同時在待處理基板33的主表面33A上執(zhí)行電場處理。
當處理電極34移至待處理基板33之外，且到達第二等待位置PE2，則處理電極的移動停止，且向待處理基板33施加的電壓關閉。
通過該電場處理，用電場處理了待處理基板33，且消除了待處理基板33上存在的放電產(chǎn)生因素。具體地，殘留在待處理基板33上并變得導電的雜質等可被吸附到處理電極34上并被去除，且在待處理基板33的制造過程中形成的具有對金屬殼的低粘附力的部分和無用突起部分等被去除。
在電場處理的末尾，當處理電極34到達其中處理電極34不與待處理基板33相對的位置時，停止施加電壓，且諸如雜質或突起等吸附在處理電極34上的放電產(chǎn)生因素可被保留在處理電極34上，且可避免重新粘附到待處理基板33。
在本示例中，僅在從第一等待位置PE1到第二等待位置PE2的一個方向上移動處理電極34，并執(zhí)行電場處理。也可能在第一等待位置PE1和第二等待位置PE2之間來回移動處理電極34的同時執(zhí)行電場處理，并在處理電極移至第一等待位置PE1之后完成電場處理。在這一情況下，當其上完成了電場處理的待處理基板33移向導電性提供處理位置PS2(越過面向第二等待位置PE2的位置)時，待處理基板33在電場處理之后不越過處理電極33。
簡言之，期望的是在電場處理之后，處理電極34應當在不面向傳送路徑的位置處等待，通過該傳送路徑移動其上完成了電場處理的待處理基板33。在其上完成了電場處理的待處理基板33被傳送到越過面向第一等待位置PE1的位置時，處理電極34應當在第二等待位置PE2處等待。在其上完成了電場處理的待處理基板33傳送到越過面向第二等待位置PE2的位置時，處理電極34應當在第一等待位置PE1等待。由此，可以更確定地阻止放電產(chǎn)生因素從處理電極34重新粘附到待處理基板33。
在電場處理之后，前基板11和后基板12在真空環(huán)境中彼此對置，且被密封在一起(ST13)。具體地，由基板傳送機構50以其中待處理基板33被保持在真空環(huán)境中而不暴露于外部空氣的狀態(tài)將待處理基板33傳送到密封位置(未示出)。被傳送到密封位置的前基板11和后基板12以其中其主表面彼此相對的狀態(tài)經(jīng)由框架形的側壁13連接。由此，形成了真空密封外殼10，并完成了FED。前基板11和后基板12的密封可在與上述電場處理相同的真空腔中進行，或者在以真空狀態(tài)與該真空腔連通的另一真空腔中進行。
依照上述第一制造方法，可能去除諸如在將前基板11和后基板12置于真空腔30之前粘附于前基板11和后基板12的雜質、以及在前基板11和后基板12的制造過程中形成的無用突起等放電產(chǎn)生因素。
在電場處理中，不能去除沒有變得導電的放電產(chǎn)生因素。由此，在電場處理之前，待處理基板(前基板11和后基板12)經(jīng)受導電性提供過程。由此，沒有變得導電的放電產(chǎn)生因素變得導電，且可由電場處理來去除。
因此，可消除放電產(chǎn)生的觸發(fā)因素，且可獲得具有增強的耐壓特性的FED。具體地，在真空腔30內(nèi)執(zhí)行對前基板11和后基板12的電場處理，然后形成真空密封外殼10，而不會將這些基板暴露于外部空氣。由此，空氣中的灰塵不可能重新粘附于基板，且可抑制初始放電以及很長一段時間內(nèi)的放電。
結果，可能防止圖像顯示表面和電子發(fā)射元件的損壞和老化，并防止由于放電引起的對驅動電路的損壞，并提高FED的可靠性及增加FED壽命。同時，可將陽極電勢設為高電平，且可獲得具有高亮度和高顯示性能的FED。
在上述第一制造方法中，待處理基板33(準備好的前基板11和后基板12中的至少一個)直接被傳送到導電性提供處理位置PS2并經(jīng)受導電性提供處理(ST11)?；蛘?，在導電性提供處理過程之前，待處理基板33可被傳送到電場處理位置PS1，并經(jīng)受電場處理。由此，在待處理基板置于真空腔30中時導電的放電產(chǎn)生因素可被去除，且可進一步提高耐壓特性。
在導電性提供處理之前另外執(zhí)行該電場處理的情況下，在圖3所示的制造設備中，待處理基板33首先在電場處理位置PS1處經(jīng)受電場處理。然后，待處理基板33在導電性提供處理位置PS2處經(jīng)受導電性提供處理。再一次，待處理基板33在電場處理位置PS1處經(jīng)受電場處理。依照圖3所示的制造時設備，如果僅提供了包括處理電極的電場處理機構的一個單元應當是足夠的。因此，可簡化并在尺寸上減小設備結構。
在圖4所示的制造設備中，待處理基板33首先在第一電場處理位置PS1處經(jīng)受第一處理電極34A的電場處理。然后，待處理基板33在導電性提供處理位置PS2處經(jīng)受導電性提供處理。隨后，待處理基板33在第二電場處理位置PS3處經(jīng)受第二處理電極34B的電場處理。依照圖4所示的制造設備，在設備中以對應于各處理步驟的次序排列各處理機構。由此，可通過在一個方向上傳送待處理基板33來進行處理。因為可能連續(xù)地處理多個待處理基板33，因此可提高制造產(chǎn)量，并可降低制造成本。
接著，將參考圖6的流程圖來描述用于制造具有上述結構的FED的第二制造方法。對與已結合第一制造方法描述的相同的步驟的詳細描述此處被省略。
作為開始，準備具有包括熒光屏15和金屬殼20的圖像顯示表面的前基板11，以及具有電子發(fā)射元件18的后基板12。在真空環(huán)境中，在前基板11的主表面上形成導電薄膜(ST21)。
具體地，操作抽空機構32以將真空腔30抽空到期望的真空度。前基板11由基板傳送機構50傳送到真空腔30。前基板11被設置在導電性提供處理位置PS2。此時，在導電性提供處理位置PS2，安置前基板11，使得其具有圖像顯示表面的主表面與導電性提供處理機構40的殼體41的開口41A相對。
在導電性提供處理機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍導電膜材料42或吸氣劑膜材料43，并在前基板11的主表面上形成由導電膜或吸氣劑膜組成的導電薄膜。由此，可使諸如殘留在前基板11的主表面上的不導電雜質灰塵等放電產(chǎn)生因素變得導電。
隨后，在真空腔30中，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其置于電場處理位置PS1。在前基板11的主表面上形成的導電薄膜被置于與處理電極34相對。此外，在前基板11和處理電極34之間施加一電勢差，并產(chǎn)生電場。由此，具有導電薄膜的前基板11的主表面經(jīng)受電場處理(ST22)。由此，當將前基板11置于真空腔30中時粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素被去除。另外，諸如在導電薄膜形成步驟(ST21)中出現(xiàn)的灰塵以及漂浮在真空腔30中的物質等粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素可被去除。
在電場處理之后，將前基板11和后基板12在真空環(huán)境中彼此對置并密封在一起(ST23)。具體地，由基板傳送機構50以前基板11保持在真空環(huán)境中而不暴露于外部空氣的狀態(tài)，將前基板11傳送到密封位置(未示出)。傳送到密封位置的前基板11和后基板12以其中它們的主表面彼此相對的狀態(tài)經(jīng)由框架形側壁13連接。由此，形成了真空密封外殼10，并完成了FED。
依照上述第二制造方法，與第一制造方法一樣，可能去除諸如在前基板11被置于真空腔30之前粘附于前基板11的雜質，以及在前基板11的制造過程中形成的無用突起等放電產(chǎn)生因素，而不管導電性的存在與否。
因此，可獲得具有增強的耐壓特性的FED?？赡芊乐箞D像顯示表面和電子發(fā)射元件的損壞和老化，以及由于放電引起的對驅動電路的損壞，并提高FED的可靠性及增加FED的壽命。同時，可將陽極電勢設為高電平，并且可獲得具有高亮度和高顯示性能的FED。
在上述第二制造方法中，使用了導電膜或吸氣劑膜用于形成導電薄膜。膜形成的主要目的是使得放電產(chǎn)生因素變得導電。由此，無需說，如果使放電產(chǎn)生因素變得導電，則可使用任何種類材料的膜。如果可使用具有極好耐壓特性或氣體吸附特性的膜，則可能提供具有改進的性能和極好耐壓特性的FED。
接著，將參考圖7的流程圖來描述用于制造具有上述結構的FED的第三制造方法。對與已結合第一制造方法描述的相同的步驟的詳細描述此處被省略。
作為開始，準備具有包括熒光屏15和金屬殼20的圖像顯示表面的前基板11，以及具有電子發(fā)光元件18的后基板12。在真空環(huán)境中，在前基板11的主表面上形成導電膜(ST31)。
具體地，操作抽空機構32以將真空腔30抽空到期望的真空度。由基板傳送機構50將前基板11傳送到真空腔30中。前基板11被設置在導電性提供處理位置PS2。此時，在導電性提供處理位置PS2，安置前表面11，使得其具有圖像顯示表面的主表面與導電性提供處理機構40相對。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱和蒸鍍導電膜材料42，并在前基板11的主表面上形成導電膜。
隨后，在真空環(huán)境中，在前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜(“吸氣劑濺射”)ST32)。具體地，在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍吸氣劑膜材料43，并在位于導電性提供處理位置PS2的前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜。由此，可使諸如不導電雜質、灰塵等殘留在前基板11的主表面上的放電產(chǎn)生因素變得導電。
隨后，在真空腔30中，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其設置在電場處理位置PS1。在前基板11的主表面上形成的導電膜被置于與處理電極34相對。此外，在前基板11和處理電極34之間施加一電勢差，且產(chǎn)生電場。由此，具有導電膜的前基板11的主表面經(jīng)受電場處理(ST33)。由此，在前基板11被放入真空腔30時粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素被去除。另外，諸如在導電薄膜形成步驟(ST31)以及吸氣劑膜形成步驟(ST32)中出現(xiàn)的灰塵以及真空腔30中漂浮的物質等粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素可被去除。
在電場處理之后，將前基板11和后基板12在真空環(huán)境中彼此對置，并密封在一起(ST34)。由此，形成真空密封外殼10，且完成了FED。
依照上述第三制造方法，可獲得與第二制造方法相同的優(yōu)點。
接著，參考圖8的流程圖來描述用于制造具有上述結構的FED的第四制造方法。對與已結合第一制造方法描述的相同的步驟的詳細描述此處被省略。
作為開始，準備具有包括熒光屏15和金屬殼20的圖像顯示表面的前基板11，以及具有電子發(fā)射元件18的后基板12。在真空環(huán)境中，在前基板11的主表面上形成導電膜(ST41)。
具體地，將真空腔30抽空到期望的真空度。由基板傳送機構50將前基板11傳送到真空腔30中。前基板11被設置在導電性提供處理位置PS2。此時，在導電性提供處理位置PS2，安置前基板11，使得其具有圖像顯示表面的主表面與導電性提供處理機構40相對。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍導電膜材料42，并在前基板11的主表面上形成導電膜。由此，可使諸如不導電雜質、灰塵等殘留在前基板11的主表面上的放電產(chǎn)生因素變得導電。
隨后，在真空腔30中，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其設置在電場處理位置PS1。在前基板11的主表面上形成的導電膜被置于與處理電極34相對。此外，在前基板11和處理電極34之間施加一電勢差，并產(chǎn)生電場。由此，具有導電膜的前基板11的主表面經(jīng)受電場處理(ST42)。由此，當前基板11被放入真空腔30中時粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素被去除。另外，諸如在導電膜形成步驟(ST41)中出現(xiàn)的灰塵以及真空腔30中漂浮的物質等粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素可被去除。
隨后，在真空環(huán)境中，在前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜(“吸氣劑濺射”)(ST43)。具體地，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其置于導電性提供處理位置PS2。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍吸氣劑膜材料43，并在前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜。
在電場處理之后，將前基板11和后基板12在真空環(huán)境中彼此對置，并密封在一起(ST44)。由此，形成真空密封外殼10，并完成FED。
依照上述第四制造方法，可獲得與第二制造方法相同的優(yōu)點。
接著，參考圖9的流程圖描述用于制造具有上述結構的FED的第五制造方法。對已結合第一制造方法描述的相同的步驟的詳細描述此處被省略。
作為開始，準備具有包括熒光屏15和金屬殼20的圖形顯示表面的前基板11，以及具有電子發(fā)射元件18的后基板12。在真空環(huán)境中，在前基板11的主表面上形成導電膜(ST51)。
具體地，將真空腔30抽空到期望的真空度。由基板傳送機構50將前表面11傳送到真空腔30中。前基板11被設置在導電性提供處理位置PS2。此時，在導電性提供處理位置PS2，安置前基板11，使得其具有圖像顯示表面的主表面與導電性提供處理機構40相對。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍導電膜材料42，并在前基板11的主表面上形成導電膜。由此，可使諸如不導電雜質、灰塵等殘留在前基板11的主表面上的放電產(chǎn)生因素變得導電。
隨后，在真空腔30中，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其設置在電場處理位置PS1。在前基板11的主表面上形成的導電膜被置于與處理電極34相對。此外，在前基板11與處理電極34之間施加一電勢差，并產(chǎn)生電場。由此，具有導電膜的前基板11的主表面經(jīng)受電場處理(ST52)。通過這一第一電場處理，當前基板11被放入真空腔30中時粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素被去除。另外，諸如在導電膜形成步驟(ST51)中出現(xiàn)的灰塵以及真空腔30中漂浮的物質等粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素可被去除。
隨后，在真空環(huán)境中，在前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜(“吸氣劑濺射”)(ST53)。具體地，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其置于導電性提供處理位置PS2。在導電性提供機構40中，加熱機構44加熱并蒸鍍吸氣劑膜材料43，并在前基板11的導電膜上形成吸氣劑膜。
在上述步驟之后，在真空腔30內(nèi)，由基板傳送機構50傳送前基板11，并將其設置在電場處理位置PS1。在前基板11的主表面上形成的吸氣劑膜被置于與處理電極34相對。此外，在前基板11和處理電極34之間施加一電勢差，并產(chǎn)生電場。由此，具有吸氣劑膜的前基板11的主表面經(jīng)受電場處理(ST54)。通過該第二電場處理，當將前基板11放入真空腔30中時粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素被去除。另外，諸如在吸氣劑膜形成步驟(ST53)中出現(xiàn)的灰塵以及真空腔30中漂浮的物質等粘附于前基板11的主表面的放電產(chǎn)生因素可被去除。
在第二電場處理之后，將前基板11和后基板12在真空環(huán)境中彼此對置，并密封在一起(ST5)。由此，形成真空密封外殼10，并完成了FED。
依照上述第五制造方法，可獲得與第二制造方法相同的優(yōu)點。
依照第二到第五制造方法，準備的前基板11直接被傳送到導電性提供處理位置PS2，并且在其主表面上形成諸如導電膜或吸氣劑膜等導電薄膜?；蛘?，在該步驟之前，可將前基板11傳送到電場處理位置PS1，并可執(zhí)行電場處理。由此，在前基板11被放入真空腔30時導電的放電產(chǎn)生因素可被去除，且可進一步提高耐壓特性。
在將前基板11和后基板12密封在一起之前，可能為后基板12添加一電場處理步驟，在該步驟中，將后基板12的主表面(具有電子發(fā)射元件)置于與處理電極34相對，并且在后基板12與處理電極34之間施加一電場。在這一情況下，可使用高電阻膜作為要在后基板12的主表面上形成的導電膜，以使放電產(chǎn)生因素變得導電。由此，可使不導電的放電產(chǎn)生因素變得導電，而不會對電路有諸如向布線施加電壓的影響，并且這些因素可通過電場處理來消除。此外，由于形成高電阻膜，F(xiàn)ED工作時的放電可被有利地抑制。
在前基板11的主表面上形成諸如導電膜或吸氣劑膜等導電薄膜之后的電場處理可在電場處理位置PS1或電場處理位置PS3處執(zhí)行。第二到第五方法可由圖3所示的制造設備以及圖4所示的制造設備執(zhí)行。
在第三到第五制造方法中，在前表面11上形成具有氣體吸附能力的吸氣劑膜。由于吸氣劑膜是導電薄膜，因此它可用于使不導電的放電產(chǎn)生因素變得導電。然而，在這一情況下，在隨后的電場處理中，將連同放電產(chǎn)生因素一起從前基板中去除吸氣劑膜。因此，完成FED之后殘留的吸氣劑膜的量可降低，這導致氣體吸附能力的退化。
在完全保護吸氣劑膜的氣體吸附能力的情況下，如結合第四制造方法所描述的，期望通過形成導電膜使前基板11上的放電產(chǎn)生因素變得導電，以通過電場處理在去除放電產(chǎn)生因素之后形成吸氣劑膜，并且在之后不執(zhí)行電場處理。
在這一情況下，如果諸如粘附于前基板的雜質以及無用突起等在制造過程中形成的放電產(chǎn)生因素可通過電場處理完全去除，且此外如果在隨后例如通過對位于前基板下方的吸氣劑膜材料的向上吸氣劑濺射形成吸氣劑膜時不出現(xiàn)灰塵，并且沒有其它放電產(chǎn)生因素粘附于前基板，則可在這一處理階段顯著提高FED的耐壓特性。
不論導電性的存在與否，前基板上存在的放電產(chǎn)生因素可通過在形成導電膜或吸氣劑膜之后執(zhí)行的單個電場處理來去除。然而，如果要通過恒定地將前基板的表面保持在潔凈條件下來獲得具有高可靠性的電場處理效率，則如結合第三和第五制造方法所描述的，期望在形成導電膜或吸氣劑膜之前執(zhí)行電場處理，由此去除諸如雜質、在制造步驟中形成的無用突起以及具有低粘附力的熒光和金屬殼等事先變得導電的放電產(chǎn)生因素，并在形成導電膜和吸氣劑膜之后再次執(zhí)行電場處理，由此去除了諸如在膜的蒸鍍沉積期間出現(xiàn)的灰塵或變得導電的雜質等放電產(chǎn)生因素。
如果放電產(chǎn)生因素未通過單個電場處理完全去除，則可能通過第二次電場處理來完全去除該因素。從可靠性的角度來看，也期望如第五制造方法中那樣執(zhí)行多次電場處理。
實際上，依照第四制造方法，在形成導電膜之后執(zhí)行電場處理，并且評估隨后形成的具有吸氣劑膜的FED的耐壓特性。發(fā)現(xiàn)獲得了11kV的耐壓特性，考慮到FED操作所需的高壓規(guī)范，這是足夠卓越的。當形成導電膜之后不執(zhí)行電場處理時，F(xiàn)ED的耐壓特性為2kV，這無法滿足高壓規(guī)范。
另外，在形成導電膜之后執(zhí)行第一電場處理，并且在形成吸氣劑膜之后執(zhí)行第二電場處理。評估如此獲得的FED的耐壓特性。發(fā)現(xiàn)獲得了13kV的更卓越的耐壓特性，且成功地增強了FED工作時的可靠性。
如上所述，根據(jù)依照本發(fā)明的圖像顯示裝置制造方法和圖像顯示裝置制造設備，可制造具有非常小的放電產(chǎn)生因素的基板?？芍圃炀哂虚L壽命、極好的耐壓特性以及高顯示性能和可靠性的圖像顯示設備。
本發(fā)明不限于上述實施例。在實施本發(fā)明的階段，可通過修改結構元素來作出各種實施例，而不會脫離本發(fā)明的精神。實施例中公開的結構元素可被適當?shù)亟M合，且可進行各種發(fā)明。例如，可從實施例中省略某些結構元素。此外，可適當?shù)亟M合不同實施例中的結構元素。
例如，在上述實施例中，在電場處理中，處理電極34接地，且向待處理基板33施加電壓。相反，可將待處理基板33接地，并向處理電極34施加電壓。
在上述實施例中，在如圖3和圖4所示的電場處理中使用的制造設備中，處理電極34具有細長的矩形形狀。然而，本發(fā)明不限于這些實施例。例如，處理電極34可以是具有比待處理基板33更大的尺寸的平板形電極，并且可每次執(zhí)行電場處理，而不移動處理電極34。此外，待處理基板33可相對于處理電極34移動，而不改變處理電極34的大小或移動處理電極。
在上述實施例中，相對于待處理基板垂直向下安置的導電膜材料和吸氣劑膜材料在垂直向上的方向上蒸鍍。這降低了導電膜形成步驟和吸氣劑膜形成步驟中出現(xiàn)的灰塵粘附于待處理基板的可能性。然而，待處理基板和導電膜材料及吸氣劑膜材料之間的位置關系不限于這些實施例。彼此相對的待處理基板和導電膜材料及吸氣劑膜材料之間的位置關系可在任何方向上設置。
在上述實施例中，前基板和后基板都在真空環(huán)境中經(jīng)受電場處理。然而，如果至少一個基板經(jīng)受電場處理，也可獲得具有改進的耐壓特性的圖像顯示設備。然而，無需說，本發(fā)明不僅適用于FED的制造，還適用于諸如等離子顯示面板等其它圖像顯示裝置的制造。
工業(yè)適用性本發(fā)明可提供制造圖像顯示裝置的方法以及用于制造圖像顯示裝置的設備，該方法和設備可實現(xiàn)極好的耐壓特性并提高顯示性能和可靠性。
權利要求
1.一種圖像顯示裝置制造方法，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，其特征在于，包括導電性提供處理步驟，該步驟在真空環(huán)境中向待處理基板提供導電性，所述待處理基板是所述前基板和后基板的至少一個；電場處理步驟，該步驟將具有導電性的所述待處理基板的主表面置于與處理電極相對，并在所述待處理基板和所述處理電極之間施加電場；以及密封步驟，該步驟在所述電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中所述前基板和所述后基板被置于彼此相對的狀態(tài)，將所述前基板和后基板密封在一起。
2.如權利要求1所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述導電性提供步驟中，在所述待處理基板的主表面上形成導電膜。
3.如權利要求2所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述導電性提供處理步驟中，所述導電膜是通過在真空環(huán)境中蒸鍍導電膜材料來形成的，所述導電膜材料被置于與所述待處理基板的主表面相對。
4.如權利要求1所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述導電性提供處理步驟中，在所述待處理基板的主表面上形成吸氣劑膜。
5.如權利要求4所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述導電性提供步驟中，所述吸氣劑膜是通過在真空環(huán)境中蒸鍍吸氣劑膜材料形成的，所述吸氣劑膜材料被置于與所述待處理基板的主表面相對。
6.一種圖像顯示裝置制造方法，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，其特征在于，包括導電薄膜形成步驟，該步驟在真空環(huán)境中在前基板的主表面上形成具有導電性的薄膜；電場處理步驟，該步驟將在所述前基板的主表面上形成的導電薄膜置于與處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場；以及密封步驟，該步驟在所述電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中所述前基板和所述后基板被置于彼此相對的狀態(tài)，將所述前基板和所述后基板密封在一起。
7.一種圖像顯示裝置制造方法，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后表面，其特征在于，包括導電膜形成步驟，該步驟在真空環(huán)境中，在所述前基板的主表面上形成導電膜；吸氣劑膜形成步驟，該步驟在真空環(huán)境中，在所述前基板的導電膜上形成吸氣劑膜；電場處理步驟，該步驟將在所述前基板的主表面上形成的吸氣劑膜置于與處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場；以及密封步驟，該步驟在所述電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中所述前基板和所述后基板被置于彼此相對的狀態(tài)，將所述前基板和所述后基板密封在一起。
8.一種圖像顯示裝置制造方法，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，其特征在于，包括導電膜形成步驟，該步驟在真空環(huán)境中，在所述前基板的主表面上形成導電膜；電場處理步驟，該步驟將在所述前基板的主表面上形成的導電膜置于與處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場；吸氣劑膜形成步驟，該步驟在所述電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，在所述前基板的導電膜上形成吸氣劑膜；以及密封步驟，該步驟在所述吸氣劑膜形成步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中所述前基板和所述后基板被置于彼此相對的狀態(tài)，將所述前基板和所述后基板密封在一起。
9.一種圖像顯示裝置制造方法，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，其特征在于，包括導電膜形成步驟，該步驟在真空環(huán)境中，在所述前基板的主表面上形成導電膜；第一電場處理步驟，該步驟將在所述前基板的主表面上形成的導電膜置于與處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場；吸氣劑膜形成步驟，該步驟在所述第一電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，在所述前基板的導電膜上形成吸氣劑膜；第二電場處理步驟，該步驟將在所述前基板的主表面上形成的吸氣劑膜置于與所述處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場；以及密封步驟，該步驟在所述第二電場處理步驟之后，在真空環(huán)境中，以其中所述前基板和所述后基板被置于彼此相對的狀態(tài)，將所述前基板和所述后基板密封在一起。
10.如權利要求6到9中的任一項所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，還包括在所述導電膜形成步驟之前的電場處理步驟，該步驟將所述前基板的主表面置于與所述處理電極相對，并在所述前基板和所述處理電極之間施加電場。
11.如權利要求6到9中的任一項所述的圖像顯示裝置制造方法，其特征在于，還包括在所述密封步驟之前的電場處理步驟，該步驟將所述后基板的主表面置于與所述處理電極相對，并在所述后基板與所述處理電極之間施加電場。
12.一種圖像顯示裝置制造設備，所述圖像顯示裝置包括具有圖像顯示表面的前基板，以及具有向所述圖像顯示表面發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板，其特征在于，包括能夠容納待處理基板的真空腔，所述待處理基板是所述前基板和所述后基板中的至少一個；抽空所述真空腔的內(nèi)部的抽空機構；在所述真空腔中置于與所述待處理基板相對的處理電極；向所述待處理基板提供導電性的導電性提供處理機構；以及在由所述導電性提供處理機構向其提供導電性的待處理基板與所述處理電極之間施加電場的電場施加機構。
13.如權利要求12所述的圖像顯示裝置制造設備，其特征在于，所述導電性提供處理機構包括在所述待處理基板的主表面上形成導電膜的導電膜形成裝置。
14.如權利要求12或13所述的圖像顯示裝置制造設備，其特征在于，所述導電性提供處理機構包括在所述待處理基板的主表面上形成吸氣劑膜的吸氣劑膜形成裝置。
全文摘要
一種用于產(chǎn)生圖像顯示的設備，該圖像顯示包括具有圖像顯示屏幕的前基板以及具有用于向圖像顯示屏幕發(fā)射電子的電子發(fā)射元件的后基板。該設備設有能夠容納待處理基板(33)(前和后基板的至少一個)的真空腔(30)、用于將真空腔內(nèi)部抽空到真空的抽空機構(32)、設置在真空腔內(nèi)且與基板相對的處理電極(34)、用于向基板提供導電性的導電機構(40)、以及用于在導電基板和處理電極之間施加電場的電場施加機構(35)。該設備通過使諸如不導電雜質和灰塵等殘留在基板的主表面(33A)上的放電產(chǎn)生因素導電并將其去除，產(chǎn)生具有提高的擊穿電壓特性的顯示裝置。
文檔編號H01J9/44GK1883027SQ20048003359
公開日2006年12月20日 申請日期2004年11月16日 優(yōu)先權日2003年11月18日
發(fā)明者小副川政邦, 桑原雄二 申請人:株式會社東芝