新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,包括雙包層光纖,雙包層光纖包括光纖纖芯、內(nèi)包層和外包層,雙包層光纖上形成有剝離了外包層暴露出內(nèi)包層的光纖剝離段,光纖剝離段上至少一處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成拋磨區(qū),光纖剝離段上及靠近其兩端的雙包層光纖上包封有一封裝件。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)去除外包層的雙包層光纖進(jìn)行側(cè)邊拋磨處理,形成拋磨區(qū),增大了入射角度,破壞了全反射條件,因此包層光可以泄露到外部環(huán)境中,從而避免使用有機(jī)膠水,使高功率光纖剝模器能夠長(zhǎng)時(shí)間承受更高的溫度,提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命,且可調(diào)節(jié)包層光功率的衰減效率,提高激光的傳輸效率和光束質(zhì)量。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及高功率光纖激光器領(lǐng)域,具體是涉及一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器。
【背景技術(shù)】
[0002]雙包層光纖廣泛應(yīng)用于光纖激光器和光纖放大器等領(lǐng)域。栗浦光通過(guò)合束器進(jìn)入光纖內(nèi)包層,在傳輸?shù)倪^(guò)程中被纖芯吸收。通過(guò)高低反光柵反饋形成受激震蕩,從而產(chǎn)生激光。有限的增益光纖長(zhǎng)度導(dǎo)致栗浦光不能被完全吸收,產(chǎn)生剩余的栗浦光;同時(shí),熔接點(diǎn)處也會(huì)有部分信號(hào)光泄漏到包層中。這兩種波長(zhǎng)不同的光均會(huì)在包層中傳播,形成包層光。包層光的存在使激光能量分布不集中,嚴(yán)重影響激光的光束質(zhì)量和激光器的工作穩(wěn)定性,從而影響激光加工效果。特別是在高功率光纖激光器中,包層光功率太大甚至?xí)?duì)后續(xù)器件產(chǎn)生破壞。因此除去包層光是非常必要的。
[0003]目前的高功率光纖剝模器制備技術(shù),較多的是將雙包層光纖的外包層剝除后,在內(nèi)包層外表面單段或多段涂覆一層高折射率的有機(jī)膠水,或者分段剝除內(nèi)包層,破壞原來(lái)的全反射條件,使包層光可以泄漏到外部空間中。由于高折射率有機(jī)膠水是有機(jī)聚合物,能夠長(zhǎng)期承受的溫度有限。長(zhǎng)時(shí)間高溫條件下使用,會(huì)導(dǎo)致膠水性質(zhì)發(fā)生變化,光吸收增加;且溫度升高,會(huì)危及產(chǎn)品的長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性。另外,對(duì)于小發(fā)散角的傍軸包層光,剝離效率較低,長(zhǎng)期使用存在安全隱患。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提出一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,能夠避免考慮尚溫對(duì)有機(jī)尚折射率I父水的影響,提尚廣品的穩(wěn)定性和使用壽命,且可調(diào)節(jié)包層光功率的衰減效率,提高激光的傳輸效率和光束質(zhì)量。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,包括雙包層光纖,所述雙包層光纖包括光纖纖芯、內(nèi)包層和外包層,所述雙包層光纖上形成有剝離了外包層暴露出內(nèi)包層的光纖剝離段,所述光纖剝離段上至少一處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成拋磨區(qū),所述光纖剝離段上及靠近其兩端的雙包層光纖上包封有一封裝件。
[0007]進(jìn)一步的,所述光纖剝離段上有一處或兩處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成一個(gè)或兩個(gè)所述拋磨區(qū)。
[0008]進(jìn)一步的,兩個(gè)所述拋磨區(qū)沿軸向間隔排布,或者兩個(gè)所述拋磨區(qū)沿周向間隔排布。
[0009]進(jìn)一步的,所述光纖剝離段彎曲成圓弧形,所述拋磨區(qū)呈平面狀,所述封裝件為彎曲的玻璃套管。
[0010]進(jìn)一步的,所述光纖剝離段呈直條狀,所述拋磨區(qū)呈凹面狀,所述封裝件為直條狀的玻璃套管。
[0011]進(jìn)一步的,所述拋磨區(qū)的徑向截面呈D形或彎月形。
[0012]進(jìn)一步的,剩余內(nèi)包層的厚度不小于內(nèi)包層厚度的1/4。
[0013]進(jìn)一步的,在所述拋磨區(qū)上涂覆有折射率大于內(nèi)包層的無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜或者有機(jī)膠水。
[OOM]進(jìn)一步的,所述無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜為5;102、41203、11203。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,通過(guò)對(duì)去除外包層的雙包層光纖進(jìn)行側(cè)邊拋磨處理,形成拋磨區(qū),增大了入射角度,破壞了全反射條件,因此包層光可以泄露到外部環(huán)境中,從而避免使用有機(jī)膠水,使高功率光纖剝模器能夠長(zhǎng)時(shí)間承受更高的溫度。較佳的,通過(guò)調(diào)節(jié)拋磨光纖剩余內(nèi)包層的厚度,可以控制包層光的剝除效率,優(yōu)選的,剩余內(nèi)包層的厚度不小于內(nèi)包層厚度的1/4。較佳的,可在側(cè)邊拋磨區(qū)涂覆高折射率的無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜,如A1203、Ti203、Si02等,通過(guò)調(diào)節(jié)涂覆層材料的折射率,可控制包層光的衰減效率。較佳的,還可在側(cè)邊拋磨區(qū)涂覆高折射率的有機(jī)膠水,如MY Polymer公司的MY-146、MY_147等系列膠水,通過(guò)改變涂覆層材料的折射率,控制包層光的衰減效率。玻璃套管用以對(duì)高功率光纖剝模器進(jìn)行防護(hù)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖2為圖1中拋磨區(qū)徑向截面圖;
[0018]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例2中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的一結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的另一結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖5為圖4中拋磨區(qū)徑向截面圖;
[0021 ]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例3中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]結(jié)合附圖,作以下說(shuō)明:
[0023]I——雙包層光纖 11——光纖纖芯
[0024]12——內(nèi)包層13——外包層
[0025]14——光纖剝離段15——拋磨區(qū)
[0026]2——封裝件
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容,特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明,其目的僅在于更好理解本實(shí)用新型的內(nèi)容而非限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0028]實(shí)施例1
[0029]如圖1和圖2所示,一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,包括雙包層光纖I,所述雙包層光纖包括光纖纖芯11、內(nèi)包層12和外包層13,所述雙包層光纖上形成有剝離了外包層暴露出內(nèi)包層的光纖剝離段14,所述光纖剝離段上有一處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成一個(gè)拋磨區(qū)15,所述光纖剝離段上及靠近其兩端的雙包層光纖上包封有一封裝件2;所述光纖剝離段呈直條狀,所述拋磨區(qū)呈凹面狀,所述封裝件為直條狀的玻璃套管。這樣,通過(guò)對(duì)去除外包層的雙包層光纖進(jìn)行側(cè)邊拋磨處理,形成拋磨區(qū),增大了入射角度,破壞了全反射條件,因此包層光可以泄露到外部環(huán)境中,從而避免使用有機(jī)膠水,使高功率光纖剝模器能夠長(zhǎng)時(shí)間承受更高的溫度。
[0030]優(yōu)選的,所述拋磨區(qū)的徑向截面呈D形或彎月形。本實(shí)施例中優(yōu)選D形,參見(jiàn)圖2;
[0031]優(yōu)選的,剩余內(nèi)包層的厚度不小于內(nèi)包層厚度的1/4。這樣,通過(guò)調(diào)節(jié)拋磨光纖剩余內(nèi)包層的厚度,可以控制包層光的剝除效率。
[0032]優(yōu)選的,可在側(cè)邊拋磨區(qū)涂覆高折射率的無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜,如A1203、Ti203、Si02等,但限于此,其他耐高溫的高折射率的氧化物涂層也可。通過(guò)調(diào)節(jié)涂覆層材料的折射率,可控制包層光的衰減效率。
[0033]優(yōu)選的,還可在側(cè)邊拋磨區(qū)涂覆高折射率的有機(jī)膠水,如MYPolymer公司的MY-146、MY-147等系列膠水,通過(guò)改變涂覆層材料的折射率,控制包層光的衰減效率。
[0034]實(shí)施例2
[0035 ]如圖3所示,本實(shí)施例2包含實(shí)施例1中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的大部分技術(shù)特征,其區(qū)別在于,所述光纖剝離段上有兩處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成了兩個(gè)所述拋磨區(qū),且兩個(gè)所述拋磨區(qū)沿軸向間隔排布。
[0036]在其他實(shí)施例中,兩個(gè)所述拋磨區(qū)還可以沿周向間隔排布。參見(jiàn)圖4和圖5.此外,還可以在所述光纖剝離段上形成多個(gè)拋磨區(qū),這樣,側(cè)邊拋磨包括單段或者多段單邊側(cè)邊拋磨、單段或者多段多邊側(cè)邊拋磨。
[0037]實(shí)施例3
[0038]如圖6所示,本實(shí)施例3包含實(shí)施例1中新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器的大部分技術(shù)特征,其區(qū)別在于,所述光纖剝離段彎曲成圓弧形,所述拋磨區(qū)呈平面狀,所述封裝件為彎曲的玻璃套管。
[0039]綜上,本實(shí)用新型提供一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,通過(guò)側(cè)邊拋磨可有效的剝除包層光,避免考慮高溫對(duì)有機(jī)高折射率膠水的影響,提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命。側(cè)邊拋磨包括單段或者多段單邊側(cè)邊拋磨、單段或者多段多邊側(cè)邊拋磨。且調(diào)節(jié)拋磨光纖剩余內(nèi)包層厚度可控制包層光的剝除效率,剩余內(nèi)包層厚度不小于內(nèi)包層半徑的1/4。同時(shí)還可以通過(guò)不同的制備方法在側(cè)邊拋磨區(qū)涂覆不同折射率的有機(jī)或者無(wú)機(jī)材料,調(diào)節(jié)包層光功率的衰減效率,提高了激光的傳輸效率和光束質(zhì)量。
[0040]以上實(shí)施例是參照附圖,對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更,但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下,都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,包括雙包層光纖(I),所述雙包層光纖包括光纖纖芯(11)、內(nèi)包層(I 2)和外包層(I 3),其特征在于:所述雙包層光纖上形成有剝離了外包層暴露出內(nèi)包層的光纖剝離段(14),所述光纖剝離段上至少一處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成拋磨區(qū)(15),所述光纖剝離段上及靠近其兩端的雙包層光纖上包封有一封裝件⑵。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:所述光纖剝離段上有一處或兩處通過(guò)側(cè)邊拋磨除去部分內(nèi)包層,形成一個(gè)或兩個(gè)所述拋磨區(qū)(15)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:兩個(gè)所述拋磨區(qū)沿軸向間隔排布,或者兩個(gè)所述拋磨區(qū)沿周向間隔排布。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:所述光纖剝離段彎曲成圓弧形,所述拋磨區(qū)呈平面狀,所述封裝件為彎曲的玻璃套管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:所述光纖剝離段呈直條狀,所述拋磨區(qū)呈凹面狀,所述封裝件為直條狀的玻璃套管。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:所述拋磨區(qū)的徑向截面呈D形或彎月形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:剩余內(nèi)包層的厚度不小于內(nèi)包層厚度的1/4。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:在所述拋磨區(qū)上涂覆有折射率大于內(nèi)包層的無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜或者有機(jī)膠水。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型側(cè)邊拋磨高功率光纖剝模器,其特征在于:所述無(wú)機(jī)光學(xué)涂層增透膜為Si02、Al203、Ti203。
【文檔編號(hào)】G02B6/245GK205562861SQ201620305293
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月13日
【發(fā)明人】卓壯, 余建敏, 代啟彪
【申請(qǐng)人】昆山華辰光電科技有限公司