一種陣列基板以及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板以及顯示面板，該陣列基板包括：襯底，襯底上設置有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，柵極線和數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個陣列排布的像素區(qū)域；柵極線沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向；位于像素區(qū)域內的像素單元，像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及公共電極；覆蓋像素單元的第一配向層，第一配向層的配向方向與第二方向之間的夾角小于其與第一方向之間的夾角；像素區(qū)域具有在第一方向上相對設置的第一側邊以及第二側邊；像素電極靠近第一側邊或靠近第二側邊設置，以使得像素電極在像素區(qū)域內的位置與配向方向匹配，減少配向層的摩擦不均勻導致的漏光。陣列基板能夠降低漏光，提高圖像顯示質量。
【專利說明】
一種陣列基板以及顯示面板
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置技術領域，更具體的說，涉及一種陣列基板以及顯示面板。
【背景技術】
[0002]IPSdn-Plane Switching，平面轉換)顯示面板的最大特點是其用于驅動液晶分子的像素電極以及公共電極位于同一平面，而不像其他液晶模式的電極是在上下兩個平面立體排列。
[0003]IPS顯示面板是一種硬屏，其對液晶分子的排列方式進行了優(yōu)化，采取水平排列方式，當遇到外界壓力時，分子結構向下稍微下陷，但是整體分子還呈水平狀。在遇到外力時，硬屏液晶分子結構堅固性和穩(wěn)定性遠遠優(yōu)于軟屏。所以IPS顯示面板不會產(chǎn)生畫面失真和影響畫面色彩，可以最大程度的保護畫面效果不被損害。
[0004]在IPS顯示面板中，公共電極與像素電極位于同一導電層，需要遮光走線對公共電極兩側進行遮光。但是所述遮光走線會導致配型層與所述遮光走線相對的區(qū)域凸起，影響配向層的配向均勻性，進而會導致像素單元存在漏光問題，導致圖像顯示效果較差。
【發(fā)明內容】
[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板以及顯示器，降低了漏光，提高了圖像顯示質量。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案:
[0007]—種陣列基板，用于顯示面板，所述陣列基板包括:
[0008]襯底，所述襯底上設置有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個陣列排布的像素區(qū)域;所述柵極線沿第一方向延伸，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向；
[0009]位于所述像素區(qū)域內的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及公共電極；
[0010]覆蓋所述像素單元的第一配向層，所述第一配向層的配向方向與所述第二方向之間的夾角小于其與所述第一方向之間的夾角；
[0011]其中，所述像素區(qū)域具有在所述第一方向上相對設置的第一側邊以及第二側邊；所述像素電極靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置，以使得所述像素電極在所述像素區(qū)域內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
[0012]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括:相對設置的彩膜基板以及陣列基板;設置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層；
[0013]所述陣列基板為上述陣列基板；
[0014]所述彩膜基板包括黑色矩陣，所述黑色矩陣包括多個陣列排布的開口區(qū)；所述開口區(qū)域與所述像素電極正對設置。
[0015]通過上述描述可知，本發(fā)明技術方案所述陣列基板中，所述像素電極靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置。這樣，當在像素單元表面形成第一配向層后，對第一配向層進行摩擦配向時，可以使得配向方向由距離所述像素電極較遠的一側邊指向距離所述像素電極較近的一側邊，從而可以避免第一側邊或是第二側邊處的配向層由于摩擦配向不均勻導致的漏光問題?？梢?，本發(fā)明所述陣列基板中，通過改變像素電極在像素區(qū)域內的位置，使其在像素區(qū)域內靠近第一側邊或是第二側邊設置，以使得所述像素電極在所述像素區(qū)域內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0018]圖2為圖1所示陣列基板的一個像素區(qū)域部分的結構示意圖；
[0019]圖3為圖2在CC’方向的切面圖；
[0020]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種像素單元的電極圖案的結構示意圖；
[0021]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的電極結構示意圖；
[0022]圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的電極結構示意圖；
[0023]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖；
[0024]圖8為本發(fā)明實施例提供的一種像素單元與黑色矩陣的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0026]正如【背景技術】中所述，在IPS顯示面板中，公共電極與像素電極位于同一導電層，需要遮光走線對公共電極兩側進行遮光。但是所述遮光走線會導致配型層與所述遮光走線相對的區(qū)域凸起，影響配向層的配向均勻性，進而會導致像素單元存在漏光問題，導致圖像顯示效果較差。
[0027]為了解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，用于顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括:
[0028]襯底，所述襯底上設置有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個陣列排布的像素區(qū)域;所述柵極線沿第一方向延伸，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向；
[0029]位于所述像素區(qū)域內的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及公共電極；
[0030]覆蓋所述像素單元的第一配向層，所述第一配向層的配向方向與所述第二方向之間的夾角小于其與所述第一方向之間的夾角；
[0031]其中，所述像素區(qū)域具有在所述第一方向上相對設置的第一側邊以及第二側邊；所述像素電極靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置，以使得所述像素電極在所述像素區(qū)域內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
[0032]本發(fā)明技術實施例所述陣列基板中，所述像素電極靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置。這樣，當在像素單元表面形成第一配向層后，對第一配向層進行摩擦配向時，可以使得配向方向由距離所述像素電極較遠的一側邊指向距離所述像素電極較近的一側邊，從而可以避免第一側邊或是第二側邊處的配向層由于摩擦配向不均勻導致的漏光問題?？梢?，本發(fā)明所述陣列基板中，通過改變像素電極在像素區(qū)域內的位置，使其在像素區(qū)域內靠近第一側邊或是第二側邊設置，以使得所述像素電極在所述像素區(qū)域內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
[0033]為了使本發(fā)明實施例提供的技術方案更加清楚，下面結合附圖對上述方案進行詳細描述。
[0034]參考圖1-圖4，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖，圖2為圖1所示陣列基板的一個像素區(qū)域部分的結構示意圖，圖3為圖2在CC’方向的切面圖，圖4為本發(fā)明實施例提供的一種像素單元的電極圖案的結構示意圖。
[0035]該陣列基板用于顯示面板，該陣列基板包括:襯底，所述襯底上設置有多條柵極線11和多條數(shù)據(jù)線12，所述柵極線11和所述數(shù)據(jù)線12絕緣交叉限定出多個陣列排布的像素區(qū)域P;位于所述像素區(qū)域P內的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管15、像素電極Pix以及公共電極Com;覆蓋所述像素單元的第一配向層。一個像素區(qū)域P內設置一個像素單元，像素單元成陣列排布。
[0036]所述柵極線11沿第一方向延伸，所述數(shù)據(jù)線12沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向。設定在XY平面直角坐標系中，X軸的方向為所述第一方向，Y軸方向為所述第二方向。所述襯底平行與所述XY平面。所述第一配向層的配向方向A與所述第二方向之間的夾角小于其與所述第一方向之間的夾角。所述第一方向以及所述第二方向均平行于所述襯底。
[0037]需要說明的是，所述配向方向A與所述第二方向以及所述第一方向均不垂直。所述配向方向A與所述第一方向的夾角指所述配向方向所在直線與所述第一方向所在直線之間的銳角。所述配向方向A與所述第二方向的夾角指所述配向方向所在直線與所述第二方向所在直線之間的銳角。
[0038]其中，所述像素區(qū)域P具有在所述第一方向上相對設置的第一側邊以及第二側邊；所述像素電極Pix靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置，所述像素電極Pix與所述第一側邊之間的距離LI不等于所述像素電極Pix與所述第二側邊之間的距離L2，以使得所述像素電極Pix在所述像素區(qū)域P內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。如圖1所示，對于所述像素區(qū)域P，其第一側邊為左側相鄰的數(shù)據(jù)線12，其第二側邊為右側相鄰的數(shù)據(jù)線12。
[0039]相鄰的兩條柵極線11以及相鄰的兩條數(shù)據(jù)線12交叉限定的區(qū)域為像素區(qū)域P。在圖1以及圖2所示實施方式中，像素單元P左側的數(shù)據(jù)線12為第一側邊，右側的數(shù)據(jù)線12為第二側邊。
[0040]在圖1和圖2所示實施方式中，所述像素電極Pix與所述第一側邊之間的距離LI小于所述像素電極Pix與所述第二側邊之間的距離L2，即像素電極Pix靠近第一側邊設置。在其他實施方式中，也可以設置LI大于L2。
[0041 ]需要說明的時，圖1和圖2中未示出所述襯底。圖1中僅示出了前兩列像素單元中的六個像素單元，本發(fā)明實施例中對像素單元的個數(shù)不做限定，像素單元的個數(shù)可以根據(jù)陣列基板的尺寸以及分辨率設定。圖1和圖2中未示第一出配向層未示出，僅示出了第一配向層的配向方向A。
[0042]本發(fā)明實施例所述陣列基板中，所述像素電極Pix靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置，即LI不等于L2。這樣，當在像素單元表面形成第一配向層后，對第一配向層進行摩擦配向時，可以使得配向方向A由距離所述像素電極Pix較遠的一側邊指向距離所述像素電極Pix較近的一側邊，從而可以避免第一側邊或是第二側邊處的配向層由于摩擦配向不均勻導致的漏光問題?？梢?，本發(fā)明所述陣列基板中，通過改變像素電極Pix在像素區(qū)域內的位置，使其在像素區(qū)域P內靠近第一側邊或是第二側邊設置，以使得所述像素電極Pix在所述像素區(qū)域P內的位置與所述配向方向A匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
[0043]可選的，在任一所述像素區(qū)域P內，所述像素電極Pix與所述第一側邊之間的距離LI為第一間距，所述像素電極Pix與所述第二側邊之間的距離L2為第二間距;所述第一間距與所述第二間距的中較大的一者與較小的一者的差值范圍為I.5μ??-2μπ?，包括端點值。具體的，當L2大于LI時，L2_L1大于或等于1.5μηι，且小于或等于2μηι;當LI大于L2時，L1_L2大于或等于1.5μπι，且小于或等于2μπι。僅需要將像素電極Pix與公共電極Com向第一側邊或是第二側邊移動較小的距離，以使得具有上述差值范圍，可以降低漏光。
[0044]如上述X軸的方向為所述第一方向，Y軸方向為所述第二方向。設定一單位向量a的方向與所述配向方向A相同。單位向量a做正交分解，其在X軸上的分量為al，在Y軸上的分量為a20
[0045]當所述單位向量a在所述X軸上的分量al與所述X軸的正向相同時，所述像素電極Pix靠近所述第二側邊;當所述單位向量在所述X軸上的分量與所述X軸的負向相同時，所述像素電極Pix靠近所述第一側邊。
[0046]在本發(fā)明實施例中，圖1-圖3所示實施方式中，以分量al與所述X軸的負向相同為例進行說明因此，此時所述像素電極Pix靠近所述第一側邊，即L1<L2。
[0047]本發(fā)明實施例所述陣列基板用于IPS驅動模式的液晶顯示面板。所述像素電極Pix與所述公共電極Com位于同一層導電層。所述薄膜晶體管位15于所述襯底與所述導電層之間；所述薄膜晶體管15包括:柵極、源極以及漏極;所述源極與所述漏極同層設置，且均位于所述柵極與所述導電層之間。
[0048]所述薄膜晶體管15的柵極用于連接所在像素單元對應像素行的柵極線11，所述薄膜晶體管15的柵極的漏極用于連接所在像素單元的像素電極Pix，所述薄膜晶體管15的柵極的源極用于連接所在像素單元對應像素列的數(shù)據(jù)線12。同一行的像素單元通過對應的薄膜晶體管15的柵極連接同一條柵極線11，不同行的像素單元對應的薄膜晶體管15的柵極連接不同的柵極線11。同一列的像素單元通過對應的薄膜晶體管15的源極連接同一數(shù)據(jù)線12，不同列的像素單元對應的薄膜晶體管15的源極連接不通的數(shù)據(jù)線12。同一像素單元內，薄膜晶體管15的漏極與像素電極Pix連接。
[0049]如圖4所示，所述像素單元具有第一端以及第二端，所述第一端指向所述第二端的方向為所述第二方向。所述公共電極Com包括多條與所述第二方向平行的第一子電極41;所述第一電極41在所述第一端通過第一連接部42電連接。所述像素電極Pix包括多條與所述第二方向平行的第二子電極44;所述第二電極44在所述第二端通過第二連接部43電連接。其中，所述第二子電極44位于所述第一子電極41之間，且所述第一子電極41與所述第二子電極44交替排布。本發(fā)明實施例中，所述第二子電極44位于所述第一子電極41之間，以便于同一行的像素單元的公共電極Com連接，降低公共電極Com的阻抗，提高驅動速率。
[0050]如圖2以及圖4所示，在所述陣列基板中，所述像素單元還包括:遮光走線14。所述遮光走線14用于防止所述像素單元在所述公共電極Com兩側邊緣處漏光。所述遮光走線14包括與所述柵極線11同層設置的第一遮光走線141以及第二遮光走線142，所述第一遮光走線141以及所述第二遮光走線142均平行所述第二方向。所述遮光走線14與所述柵極線11采用同一導電層制備。遮光走線14在像素區(qū)域P內對稱設置，即第一遮光走線141到第一側邊的距離與第二遮光走線142到第二側邊的距離相同。遮光走線14與柵極線11同層設置，二者采用同一導電層制備，無需單獨設置遮光走線14，遮光走線14可以與柵極線通過同一導電層、采用同一工序形成，制作工藝簡單，成本低，且由于無需增加額外的導電層用于形成遮光走線14，陣列基板厚度薄。
[0051]所述陣列基板還設置有多公共走線13。公共走線13的條數(shù)等于所述像素單元行數(shù)的兩倍。同一行的像素單元的公共電極Com對應兩條公共走線13，同一行的像素單元位于對應的兩條公共走線13之間。公共走線13與柵極線11同層設置，二者采用同一導電層制備，無需單獨設置公共走線13，公共走線13可以與柵極線通過同一導電層、采用同一工序形成，制作工藝簡單，成本低，且由于無需增加額外的導電層用于形成公共走線，陣列基板厚度薄。
[0052]對位于任一像素單元兩端的兩條公共走線13，靠近該像素單元的薄膜晶體管15的一條公共走線13與像素電極Pix部分交疊，以形成存儲電容，便于液晶分子驅動，提高顯示驅動速率;遠離該像素單元的薄膜晶體管15的一條公共走線13通過過孔Vial與該像素單元的公共電極Com連接，用于為公共電極Com提供電壓信號。
[0053]同一像素區(qū)域P內的公共走線13以及遮光走線14相互連接，構成一閉合空間，在垂直于襯底的方向上，像素電極的投影位于該閉合空間內。設置遮光走線14與公共走線13連接，可以避免遮光走線14發(fā)生由于靜電等原因導致的電位懸浮問題，能夠避免靜電遮光走線14上發(fā)生靜電積累，以圖像顯示效果。
[0054]在垂直于所述襯底的方向上，所述像素電極Pix位于所述第一遮光走線141與所述第二遮光走線142之間。所述第一遮光走線141靠近所述第一側邊，所述第二遮光走線142靠近所述第二側邊。
[0055]如圖3所示，本發(fā)明實施例中，所述單位向量a在所述X軸上的分量al與所述X軸的負向相同。此時，在垂直于所述襯底的方向上，對任一所述公共電極Com，靠近所述第一側邊的所述第一子電極與所述第一遮光走線141具有第一交疊部分BI，靠近所述第二側邊的所述第一子電極與所述第二遮光走線142具有第二交疊部分B2。在所述第一方向上，所述第一交疊部分BI的長度大于所述第二交疊部分B2的長度。
[0056]本發(fā)明實施例中，對任一像素單元，為了使得像素電極Pix在所述像素區(qū)域P內的位置與所述配向方向A匹配，將像素電極Pix以及公共電極Com向所在像素區(qū)域P的第一側邊或是第二側邊移動相同距離，使得LI小于L2，二者有一預設的差值范圍，用于降低漏光。
[0057]第一遮光走線141以及第二遮光走線142均會導致配向層發(fā)生凸起。在本發(fā)明實施例中，LI小于L2，當對陣列基板的配向層進行摩擦配向時，摩擦力方向與配向方向A相同，因此摩擦力具有與分量al相同的分力。
[0058]摩擦配向膜時，所述第二遮光走線142導致的凸起為摩擦下坡部分，由于高度由高到低過渡，會導致與配向膜之間的摩擦力逐漸降低，由于作用力不足，會形成摩擦四角，導致此處的摩擦不均勻，配向方向不均勻；所述第一遮光走線141導致的凸起為摩擦上坡部分，由于高度由低到高過渡，與配向膜之間的摩擦力逐漸增大，摩擦充分，配向方向均勻。
[0059]雖然，第二遮光總走線142對應的摩擦下坡部分會導致配向方向不均勻，但是由于設置LI小于L2，使得配向方向不均勻的部分遠離像素電極Pix，即使得配向方向不均勻的部分遠離像素單元的顯示區(qū)，進而實現(xiàn)防止漏光的目的，無需縮小顯示區(qū)的面積，不影響開口率。
[0060]在其他實施方式中，也可以設置所述單位向量a在所述X軸上的分量al與所述X軸的正向相同。當所述單位向量a在所述X軸上的分量al與所述X軸的正向相同時，在垂直于所述襯底的方向上，對任一所述公共電極Com，靠近所述第二側邊的所述第一子電極與所述第二遮光走線具有第二交疊部，靠近所述第一側邊的所述第一子電極與所述第一遮光走線具有第一交疊部分。在所述第一方向上，所述第二交疊部分的長度大于所述第一交疊部分的長度。此時，LI大于L2。
[0061]可選的，本發(fā)明實施例中為了使得液晶分子具有預設的起始偏轉方向吧，便于液晶顯示面板的驅動，設置所述配向方向A與所述第二方向之間的夾角大于0°，且小于10°。
[0062]參考圖5，圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的電極結構示意圖，同一像素單元中，像素電極Pix的第二子電極位于公共電極Com的第一子電極之間。同一行相鄰的兩個像素單元的公共電極Com連接，這樣可以降低公共電極Com的阻抗，提高驅動速率。
[0063]在本發(fā)明實施例中，所述公共電極Com的第一子電極以及所述像素電極Pix的第二子電極可以均為直條狀，還可以如圖6所示，圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的電極結構示意圖，此時公共電極Com的第一子電極以及所述像素電極Pix的第二子電極可以均為呈一定角度的彎折狀的條形電極。通過上述描述可知，本發(fā)明實施例所述陣列基板中，通過對應設置公共電極Com以及像素電極Pix，使得二者靠近像素區(qū)域的一側，以便于使得像素電極Pix在像素區(qū)域P內的位置與配向方向A匹配，使得減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。
[0064]基于上述實施例，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板如圖7所示，圖7為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖，該顯示面板包括:相對設置的彩膜基板71以及陣列基板72;位于所述彩膜基板71與所述陣列基板72之間的液晶層73。其中，所述陣列基板72為上述實施例所述的陣列基板;所述彩膜基板設置有黑色矩陣。所述黑色矩陣與所述像素單元一一對應設置。
[0065]參考圖8，圖8為本發(fā)明實施例提供的一種像素單元與黑色矩陣的結構示意圖，本發(fā)明實施例中，黑色矩陣BM的開口K與像素單元一一對應設置。像素電極兩側與開口K之間的距離D1=D2。
[0066]開口 K與像素單元的顯示區(qū)匹配，通過黑色矩陣BM遮擋上述由于摩擦不均勻的部分，無需縮小顯示區(qū)的面積，保證了顯示面板的亮度，避難了摩擦漏光問題。
[0067]相對于傳統(tǒng)的顯示面板以及陣列基板，將像素電極、公共電極以及黑色矩陣BM的開口K同時在第一方向上移動設定距離，該設定距離屬于上述差值范圍。不改變陣列基板以及顯示面板的制作工藝，不增加制作成本，能夠降低由于遮光走線導致的漏光問題，提高了圖像顯示質量。
[0068]可見，本發(fā)明實施例所述顯示面板采用上述實施例所述陣列基板，能夠降低漏光，具有較好的圖像顯示質量。
[0069]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種陣列基板，用于顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括: 襯底，所述襯底上設置有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個陣列排布的像素區(qū)域;所述柵極線沿第一方向延伸，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向； 位于所述像素區(qū)域內的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及公共電極； 覆蓋所述像素單元的第一配向層，所述第一配向層的配向方向與所述第二方向之間的夾角小于其與所述第一方向之間的夾角； 其中，所述像素區(qū)域具有在所述第一方向上相對設置的第一側邊以及第二側邊;所述像素電極靠近所述第一側邊或靠近所述第二側邊設置，以使得所述像素電極在所述像素區(qū)域內的位置與所述配向方向匹配，減少所述配向層的摩擦不均勻導致的漏光。2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在任一所述像素區(qū)域內，所述像素電極與所述第一側邊之間的距離為第一間距，所述像素電極與所述第二側邊之間的距離為第二間距;所述第一間距與所述第二間距中較大的一者與較小的一者的差值范圍為1.5μπ?-2μm，包括端點值。3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，設定在XY平面直角坐標系中，X軸的方向為所述第一方向，Y軸方向為所述第二方向；設定一單位向量的方向與所述配向方向相同； 當所述單位向量在所述X軸上的分量與所述X軸的正向相同時，所述像素電極靠近所述第二側邊； 當所述單位向量在所述X軸上的分量與所述X軸的負向相同時，所述像素電極靠近所述第一側邊。4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極與所述公共電極位于同一層導電層； 所述薄膜晶體管位于所述襯底與所述導電層之間；所述薄膜晶體管包括:柵極、源極以及漏極;所述源極與所述漏極同層設置，且均位于所述柵極與所述導電層之間。5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元具有第一端以及第二端，所述第一端指向所述第二端的方向為所述第二方向； 所述公共電極包括多條與所述第二方向平行的第一子電極;所述第一電極在所述第一端通過第一連接部電連接； 所述像素電極包括多條與所述第二方向平行的第二子電極;所述第二電極在所述第二端通過第二連接部電連接； 其中，所述第二子電極位于所述第一子電極之間，且所述第一子電極與所述第二子電極交替排布。6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括:與所述柵極線同層設置的第一遮光走線以及第二遮光走線，所述第一遮光走線以及所述第二遮光走線均平行所述第二方向； 在垂直于所述襯底的方向上，所述像素電極位于所述第一遮光走線與所述第二遮光走線之間； 所述第一遮光走線靠近所述第一側邊，所述第二遮光走線靠近所述第二側邊。7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，當所述單位向量在所述X軸上的分量與所述X軸的正向相同時， 在垂直于所述襯底的方向上，對任一所述公共電極，靠近所述第二側邊的所述第一子電極與所述第二遮光走線具有第二交疊部，靠近所述第一側邊的所述第一子電極與所述第一遮光走線具有第一交疊部分； 在所述第一方向上，所述第二交疊部分的長度大于所述第一交疊部分的長度。8.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，當所述單位向量在所述X軸上的分量與所述X軸的負向相同時， 在垂直于所述襯底的方向上，對任一所述公共電極，靠近所述第一側邊的所述第一子電極與所述第一遮光走線具有第一交疊部分，靠近所述第二側邊的所述第一子電極與所述第二遮光走線具有第二交疊部分； 在所述第一方向上，所述第一交疊部分的長度大于所述第二交疊部分的長度。9.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述配向方向與所述第二方向之間的夾角大于0°，且小于10°。10.—種顯示面板，其特征在于，包括:相對設置的彩膜基板以及陣列基板;設置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層； 所述陣列基板為如權利要求1-9任一項所述的陣列基板； 所述彩膜基板包括黑色矩陣，所述黑色矩陣包括多個陣列排布的開口區(qū)；所述開口區(qū)域與所述像素電極正對設置。
【文檔編號】G02F1/1335GK105954938SQ201610559724
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年7月15日
【發(fā)明人】王聽海, 曹兆鏗, 秦丹丹, 秦鋒
【申請人】上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司