液晶透鏡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶透鏡，該液晶透鏡包括第一基板、配置于第一基板上的第一電極、第二電極、配置于第一基板上的第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案、相對于第一基板的第二基板、配置于第二基板上的共用電極及位于第一基板、第二基板之間的液晶層。第一導(dǎo)電圖案及第二導(dǎo)電圖案電連接于第一電極、第二電極之間。第一導(dǎo)電圖案的電阻率及第二導(dǎo)電圖案的電阻率大于第一電極、第二電極的電阻率。第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之一的電阻率不同。第二導(dǎo)電圖案穿插在第一導(dǎo)電圖案中。第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案彼此電連接。
【專利說明】
液晶透鏡
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種透鏡，且特別是有關(guān)于一種液晶透鏡。
【背景技術(shù)】
[0002]電子裝置(例如:手機、計算機等)多設(shè)有具備對焦功能的鏡頭。一般而言，鏡頭大多利用音圈電機(Voice Coil Motor;VCM)調(diào)整其內(nèi)部透鏡的位置，進而達到對焦效果。音圈電機具有低成本、模塊厚度小的優(yōu)點，因而被廣泛使用。然而，音圈電機的缺點是，橫向尺寸(lateral size)偏大，且較易因外力受損。
[0003]因此，有人欲采用液晶透鏡(LClens)取代包括音圈電機的鏡頭。電子裝置搭載液晶透鏡的優(yōu)點是，液晶透鏡的橫向尺寸小，且相較于包括音圈電機的鏡頭來得省電。然而，為達到一般鏡頭的焦距要求，相鄰兩個電極的間距(pitch)往往會遠大于液晶透鏡的間隙(cell gap)。舉例而言，液晶透鏡的電極間距約數(shù)個毫米(mm)，而液晶透鏡的間隙約數(shù)個微米(MO。當(dāng)液晶透鏡的電極間距與其間隙差距過大時，電力線的分布會被局限在電極附近，而使液晶透鏡無法具有良好的光學(xué)特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種液晶透鏡，其光學(xué)特性佳。
[0005]本發(fā)明的液晶透鏡包括第一基板、配置于第一基板上的第一電極、第二電極、配置于第一基板上的至少一第一導(dǎo)電圖案與至少一個第二導(dǎo)電圖案、相對于第一基板的第二基板、配置于第二基板上的共用電極及位于第一基板、第二基板之間的液晶層。第一導(dǎo)電圖案及第二導(dǎo)電圖案電連接于第一電極、第二電極之間。第一導(dǎo)電圖案的電阻率及第二導(dǎo)電圖案的電阻率大于第一電極、第二電極的電阻率。第一導(dǎo)電圖案的電阻率與第二導(dǎo)電圖案的電阻率不同。第二導(dǎo)電圖案穿插在第一導(dǎo)電圖案中。第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案彼此電連接。
[0006]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案覆蓋第一電極與第二電極，而至第一導(dǎo)電圖案的電阻率小于每一第二導(dǎo)電圖案的電阻率。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案覆蓋第一電極與第二電極，而第一導(dǎo)電圖案的電阻率大于每一第二導(dǎo)電圖案的電阻率。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案具有至少一開口，第二導(dǎo)電圖案填入開口且覆蓋第一導(dǎo)電圖案、第一電極與第二電極。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)以及第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)之一為N型摻雜半導(dǎo)體，而第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)以及第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)之另一為未摻雜的半導(dǎo)體。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的液晶透鏡更包括第三導(dǎo)電圖案以及第四導(dǎo)電圖案。第四導(dǎo)電圖案穿插在第三導(dǎo)電圖案中。第三導(dǎo)電圖案以及第四導(dǎo)電圖案配置于第一導(dǎo)電圖案以及第二導(dǎo)電圖案上且電連接于第一電極與第二電極之間。第三導(dǎo)電圖案的電阻率以及第四導(dǎo)電圖案的電阻率大于第一電極的電阻率以及第二電極的電阻率。第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案之一的電阻率小于第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案之另一的電阻率。第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案的電阻率較小的一個與第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案的電阻率較小的一個錯開，或者第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案的電阻率較大的一個與第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案的電阻率較大的一個錯開。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案的電阻率較小一個的材質(zhì)與第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案的電阻率較小一個的材質(zhì)相同。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第四導(dǎo)電圖案覆蓋第三導(dǎo)電圖案。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案以及第二導(dǎo)電圖案位于同一第一半導(dǎo)體層，第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之一的材質(zhì)為N型摻雜的部分第一半導(dǎo)體層，而第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之另一的材質(zhì)為未摻雜的另一部分的第一半導(dǎo)體層。第三導(dǎo)電圖案以及第四導(dǎo)電圖案位于同一第二半導(dǎo)體層，第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案之一的材質(zhì)為N型摻雜的部分第二半導(dǎo)體層，而第三導(dǎo)電圖案與第四導(dǎo)電圖案之另一的材質(zhì)為未摻雜的另一部分的第二半導(dǎo)體層。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述的至少一第二導(dǎo)電圖案為多個第二導(dǎo)電圖案。多個第二導(dǎo)電圖案平均分布于第一電極與第二電極之間。
[0015]在本發(fā)明的一實施例中，上述的至少一第二導(dǎo)電圖案為多個第二導(dǎo)電圖案。多個第二導(dǎo)電圖案隨機分散在第一電極與第二電極之間。
[0016]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)包括金屬氧化物、N型摻雜的半導(dǎo)體、低溫氧化硅、低溫氧化氮或未經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體。
[0017]基于上述，在本發(fā)明一實施例的液晶透鏡中，高阻值且電阻率不同的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案電連接于液晶透鏡的第一電極、第二電極之間。電壓在高電阻的導(dǎo)電圖案的兩側(cè)會產(chǎn)生電壓降。藉此，第一電極到第二電極之間可形成多段電壓降。利用所述多段電壓降，第一電極、第二電極之間的電壓差在液晶層中形成的電力線可理想地分布在第一電極、第二電極之間，而不易局限在第一電極、第二電極附近，進而使液晶透鏡具有良好的光學(xué)特性。
[0018]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明另一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0021 ]圖3為本發(fā)明又一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明再一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明另一實施例的液晶透鏡的剖面不意圖；
[0025]圖7為本發(fā)明又一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖；
[0026]圖8為本發(fā)明一實施例的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案的上視示意圖；
[0027]圖9為本發(fā)明另一實施例的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案的上視示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記
[0029]100、10A ?100F:液晶透鏡
[0030]110:第一基板
[0031]I 1a:承載面
[0032]112、112A、112C ?112F:第一導(dǎo)電圖案
[0033]112a:開口
[0034]114、114厶、1148、114(:?114卩:第二導(dǎo)電圖案
[0035]118、118F:第三導(dǎo)電圖案
[0036]119、119F:第四導(dǎo)電圖案
[0037]120:第二基板
[0038]122:共用電極
[0039]130:液晶層
[0040]132a、132b:液晶分子
[0041]El:第一電極
[0042]E2:第二電極
[0043]x、z:方向
【具體實施方式】
[0044]圖1為本發(fā)明一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖1，液晶透鏡100包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112、多個第二導(dǎo)電圖案114、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極El。舉例而言，在本實施例中，第一電極El可設(shè)置于一個圓形的圓心上，而第二電極E2可分布于所述圓形的圓周上。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，第一電極El與第二電極E2也可視實際需求做其他適當(dāng)?shù)膱D案設(shè)計。在本實施例中，第一基板110可為透光基板。舉例而言，第一基板110的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或是其它適當(dāng)材料?；趯?dǎo)電性考量，第一電極El與第二電極E2—般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，第一電極El與第二電極E2也可使用其他適當(dāng)導(dǎo)電材料，例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆疊層。
[0045]請參照圖1，第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。在本實施例中，共用電極122可全面性地覆蓋第二基板120。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，共用電極122也可具有其他適當(dāng)圖案。液晶層130配置于第一基板110與第二基板120之間。在本實施例中，液晶層130的液晶分子132a、132b可選擇性地采用向列型(nemat i c)液晶分子，但本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，液晶層130的液晶分子132a、132b也可采用其他適當(dāng)類型的液晶分子。第二基板120可為透光基板。舉例而言，第二基板120的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或是其它適當(dāng)材料。在本實施例中，共用電極122例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩個的堆疊層。
[0046]第一導(dǎo)電圖案112及第二導(dǎo)電圖案114配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114穿插在第一導(dǎo)電圖案112中。第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112的電阻率(resistivity)及第二導(dǎo)電圖案114的電阻率大于第一電極El的電阻率及第二電極E2的電阻率。換言之，第一導(dǎo)電圖案112、第二導(dǎo)電圖案114舉例皆為高阻值的導(dǎo)電材料。
[0047]第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之另一的電阻率。具體而言，在本實施例中，第一導(dǎo)電圖案112覆蓋第一電極El與第二電極E2，而第一導(dǎo)電圖案112的電阻率可小于第二導(dǎo)電圖案114的電阻率。舉例而言，第一導(dǎo)電圖案112的材質(zhì)可為電阻率較小金屬氧化物(例如:銦錫氧化物;ΙΤ0)，而第二導(dǎo)電圖案114的材質(zhì)可為電阻率較大的金屬氧化物(例如:氧化銦鎵鋅;IGZ0)。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，也可選用其他適當(dāng)材料制作第一導(dǎo)電圖案112、第二導(dǎo)電圖案114。
[0048]值得一提的是，由于第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114電連接于第一電極El與第二電極E2之間，且第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之一的電阻率小于第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之另一的電阻率，因此電壓在高電阻導(dǎo)電圖案(例如:圖1的每一第二導(dǎo)電圖案114)的兩側(cè)會產(chǎn)生電壓降。藉此，第一電極El到第二電極E2之間可形成多段電壓降。利用所述多段電壓降，第一電極E1、第二電極E2的電壓差在液晶層130中形成的電力線可理想地分布在第一電極E1、第二電極E2之間，而減少或避免局限在第一電極E1、第二電極E2附近，進而使液晶透鏡100具有良好的光學(xué)特性。
[0049 ] 舉例而言，當(dāng)?shù)谝浑姌OEI的電位小于第二電極E2的電位時，第一電極E1、第二電極E2的電壓差在液晶層130中形成的電力線分布可使液晶層130的液晶分子132b的光軸以特定方式排列，進而使液晶透鏡100具有良好的凸透鏡特性。當(dāng)?shù)诙姌OE2的電位小于第一電極EI的電位時，第一電極E1、第二電極E2的電壓差在液晶層130中形成的電力線分布可使液晶層130的液晶分子132a的光軸以另一特定方式排列，進而使液晶透鏡100具有良好的凹透鏡特性。
[0050]圖2為本發(fā)明另一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖2，圖2所示的液晶透鏡100A與圖1所示的液晶透鏡100類似，因此相同或相對應(yīng)的元件，以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡10A與液晶透鏡100的差異在于:液晶透鏡10A的覆蓋第一電極E1、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112A的電阻率較其第二導(dǎo)電圖案114A的電阻率大，而不像液晶透鏡100的覆蓋第一電極El、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112的電阻率較其第二導(dǎo)電圖案114的電阻率小。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖2中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。
[0051 ] 請參照圖2，液晶透鏡10A包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112A、多個第二導(dǎo)電圖案114A、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112A及第二導(dǎo)電圖案114A配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114A穿插在第一導(dǎo)電圖案112A中。第一導(dǎo)電圖案112A與第二導(dǎo)電圖案114A彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112A與第二導(dǎo)電圖案114A電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112A的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114A的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。
[0052]第一導(dǎo)電圖案112A與第二導(dǎo)電圖案114A之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112A與第二導(dǎo)電圖案114A之另一的電阻率。與圖1的實施例不同的是，第一導(dǎo)電圖案112A覆蓋第一電極El與第二電極E2，而第一導(dǎo)電圖案112A的電阻率大于第二導(dǎo)電圖案114A的電阻率。舉例而言，在本實施例中，第一導(dǎo)電圖案112A的材質(zhì)可為電阻率較大金屬氧化物(例如:氧化銦鎵鋅；IGZO)，而第二導(dǎo)電圖案114A的材質(zhì)可為電阻率較小的金屬氧化物(例如:銦錫氧化物；ITO)。但本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，也可選用其他適當(dāng)材質(zhì)制作第一導(dǎo)電圖案112A、第二導(dǎo)電圖案114A。液晶透鏡10A具有與液晶透鏡100類似的功效與優(yōu)點，于此便不再重述。
[0053]圖3為本發(fā)明又一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖3，圖3所示的液晶透鏡100B與圖1所示的液晶透鏡100類似，因此相同或相對應(yīng)的元件，以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡100B與液晶透鏡100的差異在于:液晶透鏡100B的第二導(dǎo)電圖案114B除了填入第一導(dǎo)電圖案112的開口 112a外，更覆蓋第一導(dǎo)電圖案112，且由第一電極El上方延伸到第二電極E2上方。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖3中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。
[0054]請參照圖3，液晶透鏡10B包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112、多個第二導(dǎo)電圖案114B、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112及第二導(dǎo)電圖案114B配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114B穿插在第一導(dǎo)電圖案112中。第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114B彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114B電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114B的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112與第二導(dǎo)電圖案114之另一的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112覆蓋第一電極El與第二電極E2。在本實施例中，第一導(dǎo)電圖案112的電阻率可大于第二導(dǎo)電圖案114的電阻率，但本發(fā)明不限于此。
[0055]第一導(dǎo)電圖案112具有開口112a。與圖1的實施例不同的是，液晶透鏡100B的第二導(dǎo)電圖案114B除了填入第一導(dǎo)電圖案112的開口 112a外，更覆蓋第一導(dǎo)電圖案112，且由第一電極El上方延伸到第二電極E2上方。液晶透鏡100B具有與液晶透鏡100類似的功效與優(yōu)點，于此便不再重述。
[0056]圖4為本發(fā)明再一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖4，圖4所示的液晶透鏡100C與圖3所示的液晶透鏡100B類似，因此相同或相對應(yīng)的元件，以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡100C與液晶透鏡100B的差異在于:液晶透鏡100C的覆蓋第一電極E1、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112C的電阻率較其第二導(dǎo)電圖案114C的電阻率大，而不像液晶透鏡100B的覆蓋第一電極E1、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112的電阻率較其第二導(dǎo)電圖案114的電阻率小。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖4中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。
[0057]液晶透鏡100C包括第一基板110、第一電極El、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112C、多個第二導(dǎo)電圖案114C、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112C及第二導(dǎo)電圖案114C配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114C穿插在第一導(dǎo)電圖案112C中。第一導(dǎo)電圖案112C與第二導(dǎo)電圖案114C彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112C與第二導(dǎo)電圖案114C電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112C的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114C的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112C與第二導(dǎo)電圖案114C之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112C與第二導(dǎo)電圖案114C之另一的電阻率。
[0058]第一導(dǎo)電圖案112具有開口 112a。液晶透鏡100C的第二導(dǎo)電圖案114C除了填入第一導(dǎo)電圖案112的開口 112a外，更覆蓋第一導(dǎo)電圖案112，且由第一電極El上方延伸到第二電極E2上方。與圖3的實施例不同的是，第一導(dǎo)電圖案112C覆蓋第一電極El與第二電極E2，而第一導(dǎo)電圖案112C的電阻率大于第二導(dǎo)電圖案114C的電阻率。液晶透鏡100C具有與液晶透鏡100B類似的功效與優(yōu)點，于此便不再重述。
[0059]圖5為本發(fā)明一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖5，圖5所示的液晶透鏡100D與圖1所示的液晶透鏡100類似，因此相同或相對應(yīng)的元件，以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡10D與液晶透鏡100的差異在于:液晶透鏡10D的第一導(dǎo)電圖案112D、第二導(dǎo)電圖案114D的材質(zhì)與液晶透鏡100的第一導(dǎo)電圖案112、第二導(dǎo)電圖案114的材質(zhì)不同。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖5中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。
[0060]請參照圖5，液晶透鏡10D包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112D、多個第二導(dǎo)電圖案114D、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112D及第二導(dǎo)電圖案114D配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114D穿插在第一導(dǎo)電圖案112D中。第一導(dǎo)電圖案112D與第二導(dǎo)電圖案114D彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112D與第二導(dǎo)電圖案114D電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112D的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114D的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112D與第二導(dǎo)電圖案114D之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112D與第二導(dǎo)電圖案114D之另一的電阻率。
[0061 ]與圖1的實施例不同的是，第一導(dǎo)電圖案112D的材質(zhì)與第二導(dǎo)電圖案114D的材質(zhì)之一為N型摻雜半導(dǎo)體，而第一導(dǎo)電圖案112D的材質(zhì)與第二導(dǎo)電圖案114D的材質(zhì)之另一為未摻雜半導(dǎo)體。舉例而言，在圖5的實施例中，覆蓋第一電極E1、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112D的材質(zhì)可為N型摻雜半導(dǎo)體(例如:N型摻雜多晶硅)，而穿插在第一導(dǎo)電圖案112D中的第二導(dǎo)電圖案114D的材質(zhì)可為未摻雜半導(dǎo)體(例如:未摻雜的多晶硅)。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，覆蓋第一電極E1、第二電極E2的第一導(dǎo)電圖案112D的材質(zhì)也可為未摻雜半導(dǎo)體，而穿插在第一導(dǎo)電圖案112D中的第二導(dǎo)電圖案114D的材質(zhì)也可為N型摻雜半導(dǎo)體。液晶透鏡10D具有與液晶透鏡100類似的功效與優(yōu)點，于此便不再重述。
[0062]圖6為本發(fā)明另一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖6，圖6所示的液晶透鏡100E與圖1所示的液晶透鏡100類似，因此相同或相對應(yīng)的元件以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡100E與液晶透鏡100的主要差異在于:液晶透鏡100E更包括第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖6中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。[0063 ] 請參照圖6，液晶透鏡10E包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112E、多個第二導(dǎo)電圖案114E、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112E及第二導(dǎo)電圖案114E配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114E穿插在第一導(dǎo)電圖案112E中。第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112E的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114E的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E之另一的電阻率。
[0064]與圖1的實施例不同的是，液晶透鏡100E更包括配置于第一基板110上的第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119。第四導(dǎo)電圖案119穿插在第三導(dǎo)電圖案118中。在本實施例中，第四導(dǎo)電圖案119更可覆蓋第三導(dǎo)電圖案118。第三導(dǎo)電圖案118以及第四導(dǎo)電圖案119配置于第一導(dǎo)電圖案112以及第二導(dǎo)電圖案114上且電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第三導(dǎo)電圖案118的電阻率以及第四導(dǎo)電圖案119的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119之一的電阻率小于第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119之另一的電阻率。
[0065]第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119的電阻率較小的一個與第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E的電阻率較小的一個在方向z上錯開。第一基板110具有承載面110a，而方向z與承載面IlOa的法線方向平行。舉例而言，在圖6的實施例中，第一導(dǎo)電圖案112E覆蓋第一電極El、第二電極E2，而第二導(dǎo)電圖案114E的電阻率可小于第一導(dǎo)電圖案112E的電阻率。第三導(dǎo)電圖案118的電阻率可小于第四導(dǎo)電圖案119的電阻率。第二導(dǎo)電圖案114E與第三導(dǎo)電圖案118在方向z上錯開。換言之，第二導(dǎo)電圖案114E與第三導(dǎo)電圖案118在方向z上不重疊。第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119的電阻率較小一個(例如:第三導(dǎo)電圖案118)的材質(zhì)與第一導(dǎo)電圖案112E與第二導(dǎo)電圖案114E的電阻率較小一個(例如:第二導(dǎo)電圖案114E)的材質(zhì)可相同。換言之，第二導(dǎo)電圖案114E與第三導(dǎo)電圖案118可屬于同一膜層。在本實施例中，第三導(dǎo)電圖案118與第二導(dǎo)電圖案114E的材質(zhì)可為金屬氧化物，例如:銦錫氧化物(ITO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)等；第一導(dǎo)電圖案112E及第四導(dǎo)電圖案119的材質(zhì)可為崩潰電壓低(或者說，漏電流高)的氧化物，例如:低溫氧化硅(S1x)、低溫氧化氮(SiNx)等，但本發(fā)明不以此為限。
[0066]值得一提的是，通過第三導(dǎo)電圖案118與第四導(dǎo)電圖案119的設(shè)置，在第一電極El與第二電極E2之間的范圍內(nèi)，不僅在第一電極El指向第二電極E2的方向X上可形成多段電壓降，更可在與方向X交錯的方向z上形成多段電壓降。藉此，第一電極El、第二電極E2的電壓差在液晶層130中形成的電力線分布可更接近理想狀態(tài)，以使液晶層130的液晶分子132a、132b的光軸沿指定方向排列，進而使液晶透鏡100E具有更佳的光學(xué)特性。
[0067]圖7為本發(fā)明又一實施例的液晶透鏡的剖面示意圖。請參照圖7，圖7所示的液晶透鏡10F與圖6所示的液晶透鏡10E類似，因此相同或相對應(yīng)的元件以相同或相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。液晶透鏡100F與液晶透鏡100E的主要差異在于:液晶透鏡100F的第一、二、三、四導(dǎo)電圖案112F、114F、118F、119F的材質(zhì)與液晶透鏡100E的第一、二、三、四導(dǎo)電圖案112E、114E、118、119的材質(zhì)不同；液晶透鏡10F的第四導(dǎo)電圖案119F與液晶透鏡10E的第四導(dǎo)電圖案119不同。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請依照圖7中的附圖標(biāo)記參照前述說明，于此便不再重述。
[0068]請參照圖7，液晶透鏡10F包括第一基板110、第一電極E1、第二電極E2、至少一個第一導(dǎo)電圖案112F、多個第二導(dǎo)電圖案114F、第二基板120、共用電極122以及液晶層130。第一電極El與第二電極E2配置于第一基板110上。第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極E1。第二基板120設(shè)置于第一基板110的對向。共用電極122配置于第二基板120上。第一導(dǎo)電圖案112F及第二導(dǎo)電圖案114F配置于第一基板110上。第二導(dǎo)電圖案114F穿插在第一導(dǎo)電圖案112F中。第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F彼此電連接。第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112F的電阻率以及第二導(dǎo)電圖案114F的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F之一的電阻率大于第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F之另一的電阻率。
[0069]液晶透鏡100F更包括配置于第一基板110上的第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F。第四導(dǎo)電圖案119F穿插在第三導(dǎo)電圖案118F中。第三導(dǎo)電圖案118F以及第四導(dǎo)電圖案119F配置于第一導(dǎo)電圖案112以及第二導(dǎo)電圖案114上且電連接于第一電極El與第二電極E2之間。第三導(dǎo)電圖案118F的電阻率以及第四導(dǎo)電圖案119F的電阻率大于第一電極El的電阻率以及第二電極E2的電阻率。第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F之一的電阻率小于第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F之另一的電阻率。
[0070]第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F的電阻率較大的一個與第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F的電阻率較大的一個在方向z上錯開。第一基板110具有承載面110a，而方向z與承載面IlOa的法線方向平行。舉例而言，在圖7的實施例中，第一導(dǎo)電圖案112F覆蓋第一電極E1、第二電極E2，而第二導(dǎo)電圖案114F的電阻率可大于第一導(dǎo)電圖案112F的電阻率。第四導(dǎo)電圖案119F覆蓋第一電極E1、第二電極E2，而第三導(dǎo)電圖案118F的電阻率可大于第四導(dǎo)電圖案119F的電阻率。第二導(dǎo)電圖案114F與第三導(dǎo)電圖案118F在方向z上錯開。
[0071]在圖7的實施例中，第一導(dǎo)電圖案112F以及第二導(dǎo)電圖案114F可位于同一第一半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F之一(例如:第一導(dǎo)電圖案112F)的材質(zhì)可為N型摻雜的部分第一半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電圖案112F與第二導(dǎo)電圖案114F之另一(例如:第二導(dǎo)電圖案114F)的材質(zhì)可為未摻雜的另一部分的第一半導(dǎo)體層。第三導(dǎo)電圖案118F以及第四導(dǎo)電圖案119F位于同一第二半導(dǎo)體層。第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F之一(例如:第四導(dǎo)電圖案119F)的材質(zhì)可為N型摻雜的部分第二半導(dǎo)體層。第三導(dǎo)電圖案118F與第四導(dǎo)電圖案119F之另一(例如:第三導(dǎo)電圖案118F)的材質(zhì)可為未摻雜的另一部分的第二半導(dǎo)體層。舉例而言，第一導(dǎo)電圖案112F與第四導(dǎo)電圖案119F的材質(zhì)可為N型摻雜半導(dǎo)體(例如:N型摻雜多晶硅)，而第二導(dǎo)電圖案114F與第三導(dǎo)電圖案118F的材質(zhì)可為未摻雜半導(dǎo)體(例如:未摻雜的多晶硅)ο液晶透鏡10F具有與液晶透鏡10E類似的功效與優(yōu)點，于此便不再重述。
[0072]圖8為本發(fā)明一實施例的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案的上視示意圖。請參照圖8，多個第二導(dǎo)電圖案114、114A、114C、114D、114E或114F可選擇性地平均分布于第一電極E1與第二電極E2之間。更進一步地說，在本實施例中，多個第一導(dǎo)電圖案112、112A、112C、112D、112E或112F與多個第二導(dǎo)電圖案114、114A、114C、114D、114E或114F可為在方向x上交替排列的多個同心圓。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，第一導(dǎo)電圖案112、112A、112C、112D、112E或112F與第二導(dǎo)電圖案114、114A、114C、114D、114E或114F也可以其他適當(dāng)方式排列，以下以圖9為例說明之。
[0073]圖9為本發(fā)明另一實施例的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案的上視示意圖。請參照圖9，第二導(dǎo)電圖案114、114A、114C、114D、114E或114F可選擇性地隨機分散在第一電極E1與第二電極E2之間。第一導(dǎo)電圖案112、112A、112C、112D、112E或112F可覆蓋第一電極E1、第二電極E2以及第二導(dǎo)電圖案114、114A、114C、114D、114E或114F與第一電極E1、第二電極E2之間的間隙。
[0074]以上實施例中，第二電極E2實質(zhì)上環(huán)繞第一電極El中環(huán)繞的定義舉例為完全環(huán)繞、部分環(huán)繞或第二電極E2僅對應(yīng)第一電極El的一小部分設(shè)置，第二電極E2可為封閉圖案或非封閉圖案，但不以局限本發(fā)明。
[0075]以上實施例中，導(dǎo)電圖案在方向z上錯開中錯開的定義舉例為導(dǎo)電圖案間在方向z上不重疊或在方向z上部分重疊，但不以局限本發(fā)明。
[0076]綜上所述，在本發(fā)明一實施例的液晶透鏡中，高阻值且電阻率不同的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案電連接于液晶透鏡的第一電極、第二電極之間。電壓在高電阻的導(dǎo)電圖案的兩側(cè)會產(chǎn)生電壓降。藉此，第一電極到第二電極之間可形成多段電壓降。利用所述多段電壓降，第一電極、第二電極之間的電壓差在液晶層中形成的電力線可理想地分布在第一電極、第二電極之間，而不易局限在第一電極、第二電極附近，進而使液晶透鏡具有良好的光學(xué)特性。
[0077]雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的為準。
【主權(quán)項】
1.一種液晶透鏡，其特征在于，所述的液晶透鏡包括: 一第一基板； 一第一電極，配置于所述第一基板上； 一第二電極； 至少一第一導(dǎo)電圖案以及至少一第二導(dǎo)電圖案，配置于所述第一基板上且電連接于所述第一電極與所述第二電極之間，其中，所述至少一第一導(dǎo)電圖案的電阻率以及所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率大于所述第一電極的電阻率以及所述第二電極的電阻率，所述至少一第一導(dǎo)電圖案的電阻率不同于所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率，所述至少一第二導(dǎo)電圖案穿插在所述至少一第一導(dǎo)電圖案中，所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案彼此電連接； 一第二基板，設(shè)置于所述第一基板的對向；以及 一液晶層，配置于所述第一基板與所述第二基板之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第一導(dǎo)電圖案覆蓋所述第一電極與所述第二電極，而所述至少一第一導(dǎo)電圖案的電阻率小于所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第一導(dǎo)電圖案覆蓋所述第一電極與所述第二電極，而所述至少一第一導(dǎo)電圖案的電阻率大于所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第一導(dǎo)電圖案具有至少一開口，所述至少一第二導(dǎo)電圖案填入所述至少一開口且覆蓋所述至少一第一導(dǎo)電圖案、所述第一電極與所述第二電極。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)以及所述至少一第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)之一為N型摻雜半導(dǎo)體，而所述至少一第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)以及所述至少一第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)之另一為未摻雜的半導(dǎo)體。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述的液晶透鏡更包括: 至少一第三導(dǎo)電圖案以及至少一第四導(dǎo)電圖案，所述至少一第四導(dǎo)電圖案穿插在所述至少一第三導(dǎo)電圖案中，所述至少一第三導(dǎo)電圖案以及所述至少一第四導(dǎo)電圖案配置于所述至少一第一導(dǎo)電圖案以及所述至少一第二導(dǎo)電圖案上且電連接于所述第一電極與所述第二電極之間，所述至少一第三導(dǎo)電圖案的電阻率以及所述至少一第四導(dǎo)電圖案的電阻率大于所述第一電極的電阻率以及所述第二電極的電阻率，所述至少一第三導(dǎo)電圖案與所述至少一第四導(dǎo)電圖案之一的電阻率小于所述至少一第三導(dǎo)電圖案與所述至少一第四導(dǎo)電圖案之另一的電阻率，其中， 所述至少一第三導(dǎo)電圖案與所述至少一第四導(dǎo)電圖案的電阻率較小的一個與所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率較小的一個錯開;或者所述至少一第三導(dǎo)電圖案與所述至少一第四導(dǎo)電圖案的電阻率較大的一個與所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率較大的一個錯開。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第三導(dǎo)電圖案與每一所述第四導(dǎo)電圖案的電阻率較小一個的材質(zhì)與所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案的電阻率較小一個的材質(zhì)相同。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第四導(dǎo)電圖案更覆蓋所述至少一第三導(dǎo)電圖案。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第一導(dǎo)電圖案以及所述至少一第二導(dǎo)電圖案位于同一第一半導(dǎo)體層，所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案之一的材質(zhì)為N型摻雜的部分所述第一半導(dǎo)體層，而所述至少一第一導(dǎo)電圖案與所述至少一第二導(dǎo)電圖案之另一的材質(zhì)為未摻雜的另一部分的所述第一半導(dǎo)體層;所述至少一第四導(dǎo)電圖案為多個第四導(dǎo)電圖案，所述至少一第三導(dǎo)電圖案以及所述多個第四導(dǎo)電圖案位于同一第二半導(dǎo)體層，所述至少一第三導(dǎo)電圖案與每一所述第四導(dǎo)電圖案之一的材質(zhì)為N型摻雜的部分所述第二半導(dǎo)體層，而所述至少一第三導(dǎo)電圖案與每一所述第四導(dǎo)電圖案之另一的材質(zhì)為未摻雜的另一部分的所述第二半導(dǎo)體層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第二導(dǎo)電圖案為多個第二導(dǎo)電圖案，而所述多個第二導(dǎo)電圖案平均分布于所述第一電極與所述第二電極之間。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述至少一第二導(dǎo)電圖案為多個第二導(dǎo)電圖案，而所述多個第二導(dǎo)電圖案隨機分散在所述第一電極與所述第二電極之間。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶透鏡，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖案的材質(zhì)包括:金屬氧化物、N型摻雜的半導(dǎo)體、低溫氧化硅、低溫氧化氮或未經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體。
【文檔編號】G02F1/29GK105892178SQ201610472247
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年6月24日
【發(fā)明人】葉家宏, 葉學(xué)舫
【申請人】友達光電股份有限公司