一種光刻版及應(yīng)用光刻版制作發(fā)光二極管的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻版及應(yīng)用光刻版制作發(fā)光二極管的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，簡稱LED)是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。
[0003]制作發(fā)光二極管時(shí)，先在襯底上生長外延層，再采用光刻技術(shù)在外延層上形成包括焊盤和沿垂直于發(fā)光二極管的生長方向延伸的電極線的電極。其中，采用光刻技術(shù)形成電極時(shí)，需要用曝光機(jī)對(duì)光刻版遮擋下的光刻膠進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，得到設(shè)定圖形的光刻膠。利用設(shè)定圖形的光刻膠，刻蝕形成焊盤和電極線。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]通常光刻版上設(shè)有多個(gè)形狀與焊盤和電極線一致的通孔且各個(gè)通孔的尺寸相同，但由于曝光機(jī)自身光強(qiáng)的不均勻性，加上襯底具有一定的翹曲度，會(huì)造成曝光進(jìn)而顯影得到的設(shè)定圖形的光刻膠中，各個(gè)形狀與電極線一致的光刻膠的寬度出現(xiàn)差異，進(jìn)而造成形成的電極線的線寬出現(xiàn)差異(相差I(lǐng)ym甚至更大)，各個(gè)電極對(duì)應(yīng)的芯片的光電參數(shù)存在差異，降低對(duì)檔率(滿足要求的產(chǎn)品與所有生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量比)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)降低對(duì)檔率的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻版及應(yīng)用光刻版制作發(fā)光二極管的方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻版，所述光刻版應(yīng)用于制作發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括襯底、層疊在所述襯底上的外延片、以及設(shè)置在所述外延片上的電極，所述電極包括焊盤和沿垂直于所述發(fā)光二極管的生長方向延伸的電極線，所述光刻版為圓形板，所述圓形板上設(shè)有多個(gè)形狀與所述焊盤和所述電極線一致的通孔，所述圓形板分為至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域包括一個(gè)圓形區(qū)域和至少一個(gè)圓環(huán)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域的圓心均與所述圓形板的圓心重疊，同一區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬相同，不同區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬自所述圓形板的圓心向外逐個(gè)增大，所述通孔的線寬為所述通孔中與所述電極線的形狀一致的區(qū)域的寬度。
[0008]可選地，相鄰兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬差相等。
[0009]可選地，所述圓形區(qū)域的半徑、以及各個(gè)所述圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬，均等于所述圓形板的半徑除以所述至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)。
[0010]可選地，所述至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)為2?4個(gè)。
[0011]可選地，所述圓形區(qū)域的半徑與所述電極線的線寬要求值相同。
[0012]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用光刻版制作發(fā)光二極管的方法，所述方法包括:
[0013]在襯底上生長外延層；
[OOM]在所述外延層上蒸鍍一層電極；
[0015]在所述電極上覆蓋一層光刻膠；
[0016]在光刻版的遮擋下，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光；
[0017]對(duì)曝光后的所述光刻膠進(jìn)行顯影，得到設(shè)定圖形的所述光刻膠；
[0018]在設(shè)定圖形的所述光刻膠的保護(hù)下，對(duì)所述電極進(jìn)行刻蝕，得到焊盤和沿垂直于所述發(fā)光二極管的生長方向延伸的電極線；
[0019]剝離所述光刻膠；
[0020]所述光刻版為圓形板，所述圓形板上設(shè)有多個(gè)形狀與所述焊盤和所述電極線一致的通孔，所述圓形板分為至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域包括一個(gè)圓形區(qū)域和至少一個(gè)圓環(huán)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域的圓心均與所述圓形板的圓心重疊，同一區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬相同，不同區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬自所述圓形板的圓心向外逐個(gè)增大，所述通孔的線寬為所述通孔中與所述電極線的形狀一致的區(qū)域的寬度。
[0021]可選地，相鄰兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的所述通孔的線寬差相等。
[0022]可選地，所述圓形區(qū)域的半徑、以及各個(gè)所述圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬，均等于所述圓形板的半徑除以所述至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)。
[0023]可選地，所述至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)為2?4個(gè)。
[0024]可選地，所述圓形區(qū)域的半徑與所述電極線的線寬要求值相同。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0026]通過將光刻版至少兩個(gè)區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi)的通孔的線寬相同，不同區(qū)域內(nèi)的通孔的線寬自光刻版的中心向外逐個(gè)增大，可以減小甚至抵消由于曝光機(jī)光強(qiáng)不均勻和襯底翹曲所造成的電極線線寬差異，提高對(duì)檔率(滿足要求的產(chǎn)品與所有生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量比)。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的光刻版的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種應(yīng)用光刻版制作發(fā)光二極管的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032]實(shí)施例一
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻版，該光刻版應(yīng)用于制作發(fā)光二極管，發(fā)光二極管包括襯底、層疊在襯底上的外延片、以及設(shè)置在外延片上的電極。參見圖1，電極10包括焊盤11和沿垂直于發(fā)光二極管的生長方向延伸的電極線12。參見圖2，光刻版為圓形板20，圓形板20上設(shè)有多個(gè)形狀與焊盤和電極線一致的通孔(圖2未示出)，圓形板20分為至少兩個(gè)區(qū)域21，至少兩個(gè)區(qū)域包括一個(gè)圓形區(qū)域21a和至少一個(gè)圓環(huán)區(qū)域22b(圖2以一個(gè)圓形區(qū)域21a和兩個(gè)圓環(huán)區(qū)域21b為例)，至少兩個(gè)區(qū)域21的圓心均與圓形板20的圓心重疊，同一區(qū)域21內(nèi)的通孔的線寬相同，不同區(qū)域21內(nèi)的通孔的線寬自圓形板20的圓心向外逐個(gè)增大。其中，通孔的線寬為通孔中與電極線的形狀一致的區(qū)域的寬度。
[0034]在本實(shí)施例中，襯底可以為藍(lán)寶石襯底，外延片可以包括依次層疊在襯底上的GaN緩沖層、N型GaN層、InGaN層和GaN層交替形成的多量子阱層、P型GaN層，電極可以包括Ni/Al/Cr/Ni/Au0
[0035]具體地，圓形區(qū)域的半徑可以與電極線的線寬要求值相同，以適應(yīng)利用光刻版中心形成的電極線的線寬通常都能達(dá)到要求值的情況。
[0036]可選地，相鄰兩個(gè)區(qū)域21內(nèi)的通孔的線寬差可以相等，如0.2μπι，以實(shí)現(xiàn)線寬逐個(gè)均勻增加，易于設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，且形成的電極線的線寬均勻性較好，對(duì)檔率較高。
[0037]可選地，圓形區(qū)域21a的半徑、以及各個(gè)圓環(huán)區(qū)域21b的環(huán)寬，可以均等于圓形板20的半徑除以至少兩個(gè)區(qū)域21的個(gè)數(shù)，易于設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，且形成的電極線的線寬均勻性較好，對(duì)檔率較高。例如，圓形板20的半徑為90mm，至少兩個(gè)區(qū)域21的個(gè)數(shù)為3，則圓形區(qū)域21a的半徑、以及各個(gè)圓環(huán)區(qū)域21b的環(huán)寬均為30_。
[0038]可選地，至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)可以為2?4個(gè)。當(dāng)至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)大于4個(gè)，設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)比較復(fù)雜，且對(duì)檔率的提升效果不明顯。
[0039]優(yōu)選地，至少兩個(gè)區(qū)域的個(gè)數(shù)可以為3個(gè)。
[0040]需要說明的是，外延層上通常設(shè)有兩種電極，P型電極和N型電極，兩種電極線的