液晶顯示面板及液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板及液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前常用的平板顯示器，液晶顯示器以其低電壓、低功耗、適宜于電路集成、輕巧便攜等優(yōu)點而受到廣泛的研究與應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。液晶顯示面板中，透光的區(qū)域為像素區(qū)，在像素區(qū)與像素區(qū)之間，存在薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、線路等其它結(jié)構(gòu)。為了使這些結(jié)構(gòu)不對顯示畫面造成影響，一般在液晶顯示面板中的彩膜基板上通過掩膜工藝涂覆黑色不透光樹月旨，這些黑色區(qū)域組成的圖案陣列稱為黑矩陣(Black Matrix,BM) ο
[0004]—方面，黑矩陣的存在會吸收背光源發(fā)出的光線，會降低光的利用率，另一方面，通過設(shè)置黑矩陣來遮光工藝相對復(fù)雜，不利于提高生產(chǎn)效率。
[0005]因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，亟需改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種通過在陣列基板的公共電極層設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)從而無需設(shè)置黑矩陣的液晶顯示面板及液晶顯示器；以解決現(xiàn)有的黑矩陣吸光導(dǎo)致光利用率低以及形成黑矩陣工藝相對復(fù)雜的缺陷。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0008]本發(fā)明實施例提供一種液晶顯不面板，包括:
[0009]彩膜基板，其包括第一玻璃基板，所述第一玻璃基板上間隔設(shè)置有多個呈陣列分布的彩膜色阻；
[0010]陣列基板，其包括第二玻璃基板，所述第二玻璃基板上依次設(shè)置有公共電極層、第三絕緣層以及像素電極層；
[0011 ]液晶層，設(shè)置于所述彩膜基板與所述像素電極層之間；
[0012]所述公共電極層上設(shè)置有鏤空結(jié)構(gòu)，所述鏤空結(jié)構(gòu)與該多個彩膜色阻之間的間隔區(qū)域正對。
[0013]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述彩膜基板還包括設(shè)置于所述彩膜色阻上的第二平坦化層，所述第二平坦化層上對應(yīng)區(qū)域設(shè)置有朝向所述第一玻璃基板的凸起以將該多個彩膜色阻之間的間隔區(qū)域填充。
[0014]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，還包括設(shè)置于所述液晶層中的襯墊，所述襯墊一端與所述第二平坦化層連接，另一端與所述像素電極層連接。
[0015]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述鏤空結(jié)構(gòu)通過在所述公共電極層上光刻形成。
[0016]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述第二玻璃基板與所述公共電極層之間還依次設(shè)置有第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層、層間介質(zhì)層以及第一平坦化層；
[0017]所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極以及漏極均設(shè)置于所述第一金屬層上，所述薄膜晶體管的柵極設(shè)置于所述第二金屬層上。
[0018]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述第一絕緣層為二氧化硅層，所述第一絕緣層的厚度為60納米至90納米。
[0019]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述第二絕緣層為氮化硅層，所述第二絕緣層的厚度為120納米至180納米。
[0020]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述像素電極層的厚度為20納米至80納米。
[0021]在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述彩膜色阻的厚度為480納米至640納米。
[0022]本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示器，包括上述任一項所述的液晶顯示面板。
[0023]相較于現(xiàn)有的液晶顯示面板及液晶顯示器，本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板及液晶顯示器中，通過在公共電極層上對應(yīng)區(qū)域形成鏤空結(jié)構(gòu)使得公共電極層在鏤空區(qū)域無法與像素電極層對應(yīng)區(qū)域形成電位差，使得液晶層與該鏤空結(jié)構(gòu)正對區(qū)域的液晶分子不旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而使得光線無法透過，從而起來遮光作用。因此，本發(fā)明提供的液晶顯示面板無需在彩膜基板上的彩膜色阻之間設(shè)置黑矩陣，有利于提高背光源的光利用率以及有利于減小對位偏差，并且還減少了一道光罩，減少了工藝流程，有利于提高生產(chǎn)效率。
[0024]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明的液晶顯示面板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0026]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0027]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。
[0028]請參照圖1，圖1為本發(fā)明的液晶顯示面板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板，包括彩膜基板100、陣列基板300以及設(shè)置于彩膜基板100與陣列基板300之間的液晶層200。
[0029]其中，彩膜基板100包括第一玻璃基板101、第二平坦化層103以及多個彩膜色阻102，該多個彩膜色阻102呈陣列間隔分布于該第一玻璃基板101上，該第二平坦化層103設(shè)置于該多個彩膜色阻102上，并且該第二平坦化層103的朝向第一玻璃基板101的一面設(shè)有凸起結(jié)構(gòu)，該凸起結(jié)構(gòu)將該多個彩膜色阻102之間的間隔區(qū)域填充。
[0030]具體地，該彩膜色阻102主要用于形成RGB像素，其厚度為480納米至640納米。
[0031]其中，陣列基板300包括第二玻璃基板301、薄膜晶體管(未標(biāo)號)、掃描線(未示出)、數(shù)據(jù)線(未示出)、金屬遮光層316。第二玻璃基板301上依次設(shè)置有第一絕緣層302、第一金屬層(未標(biāo)號)、第二絕緣層303、第二金屬層(未標(biāo)號)、層間介質(zhì)層304、第一平坦化層305、公共電極層306、第三絕緣層307以及像素電極層308。
[0032]其中，掃描線設(shè)置于第二金屬層上，用于傳輸掃描信號。數(shù)據(jù)線設(shè)置于第一金屬層上，用于傳輸數(shù)據(jù)信號。薄膜晶體管的源極313以及漏極315均設(shè)置于第一金屬層上，其中，源極313與數(shù)據(jù)線連接，漏極315與像素電極層308上的像素電極連接。薄膜晶體管的柵極314設(shè)置于第二金屬層上，柵極314與掃描線連接。金屬遮光層316設(shè)置于第一絕緣層上。該薄膜晶體管的溝道317位于第一金屬層上。