基板型光波導(dǎo)元件、偏振復(fù)用4值相位調(diào)制器、相干接收機(jī)及偏振分集的制作方法
【專利說明】基板型光波導(dǎo)元件、偏振復(fù)用4值相位調(diào)制器、相干接收 機(jī)及偏振分集
[0001] 本申請(qǐng)主張于2014年8月27日提出的日本專利申請(qǐng)2014 - 173320號(hào)的優(yōu)先權(quán)， 并在此引用其內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及基板型光波導(dǎo)元件、偏振復(fù)用4值相位調(diào)制器、相干接收機(jī)以及偏振 分集。
【背景技術(shù)】
[0003] 現(xiàn)在，在光通信中要傳送的信息量一直在增加。為了應(yīng)對(duì)這樣的信息量的增加，進(jìn) 行了信號(hào)速度的高速化、基于波長復(fù)用通信的信道數(shù)的增加之類的對(duì)策。特別是，在以高速 度的信息通信為目的的下一代lOOGbps數(shù)字相干傳送技術(shù)中，為了使每單位時(shí)間的信息量 為二倍，利用了使電場(chǎng)正交的兩個(gè)偏振波載運(yùn)信息的偏振復(fù)用方式。
[0004] 然而，包括偏振復(fù)用的高速通信的調(diào)制方式需要構(gòu)成復(fù)雜的光調(diào)制器，產(chǎn)生了裝 置的大型化、價(jià)格高昂這樣的課題。對(duì)于這樣的課題，正在研究由使用了硅的基板型光波導(dǎo) 構(gòu)成的光調(diào)制器，該基板型光波導(dǎo)具有加工容易、基于集成化的小型化、由于大量生產(chǎn)而低 成本等優(yōu)點(diǎn)。
[0005] 然而，這樣的基板型光波導(dǎo)內(nèi)的偏振復(fù)用有如下的問題點(diǎn)。一般來說，基板型光波 導(dǎo)的形狀呈與基板平行的寬度方向和與基板垂直的高度方向非對(duì)稱的形狀。因此，對(duì)于以 寬度方向的電場(chǎng)分量為主的模式（以下，稱為"TE模式"）和以高度方向的電場(chǎng)分量為主的 模式（以下，稱為"TM模式"）這兩種偏振模式，有效折射率等特性是不同的。在這些模式 中多數(shù)的情況下使用的是TE。和TM。。這里，TE。指在TE模式中有效折射率最大的模式，TM。 指在TM模式中有效折射率最大的模式。
[0006] 對(duì)于特性不同的這些模式，在進(jìn)行光調(diào)制操作的情況下，僅利用單個(gè)基板型光波 導(dǎo)元件較困難，需要按照每個(gè)模式最佳地設(shè)計(jì)的基板型光波導(dǎo)元件，但這在基板型光波導(dǎo) 元件的開發(fā)方面需要較大的勞力。
[0007] 作為解決該問題的方法，可舉出使用TE。作為輸入針對(duì)TE。最佳地設(shè)計(jì)的基板型光 波導(dǎo)元件的輸入光，并將其輸出偏振轉(zhuǎn)換成TM。的方法。這里，所謂偏振轉(zhuǎn)換表示從TE。向 TM?；驈腡M。向TE。的轉(zhuǎn)換。為了進(jìn)行上述操作，需要在基板上進(jìn)行偏振轉(zhuǎn)換的基板型光波 導(dǎo)元件。
[0008] 作為在基板上進(jìn)行偏振轉(zhuǎn)換的技術(shù)，有組合TE。與TEi的轉(zhuǎn)換、以及TE1與TM。的轉(zhuǎn) 換的方法。其中，著眼于TE。與TEi的轉(zhuǎn)換。此外，TEi表示有效折射率第二高的TE模式。
[0009] 作為具有TE。與TE轉(zhuǎn)換功能的光波導(dǎo)元件的現(xiàn)有技術(shù)，可舉出非專利文獻(xiàn)1所 記載的光波導(dǎo)元件。
[0010] 圖55A以及55B示出將非專利文獻(xiàn)1所記載的構(gòu)造模型化了的光波導(dǎo)元件。圖 55A是俯視圖，圖55B是剖視圖。
[0011] 該光波導(dǎo)元件具有纖芯部81、82以及包層15。包層15具有下部包層7和上部包 層6。
[0012] 纖芯部81、82是直線波導(dǎo)，并列地構(gòu)成定向耦合器。在該定向耦合器中，使纖芯部 81的TE。與纖芯部82的TEi耦合，進(jìn)行模式轉(zhuǎn)換。
[0013] 為了在定向耦合器中進(jìn)行高效的模式轉(zhuǎn)換，需要使TE。與TEi的有效折射率為相同 程度。因此，根據(jù)各個(gè)模式調(diào)整了波導(dǎo)構(gòu)造。
[0014] 在該光波導(dǎo)元件中，為了使TE。與TEi的有效折射率為相同程度，而調(diào)整了纖芯部 81、82的寬度。纖芯部81、82的寬度彼此不同，所以該定向耦合器被稱為"非對(duì)稱定向耦合 器"。
[0015] 非專利文獻(xiàn) 1:DaoxinDaiandJohnE.Bowers,"Novelconceptforultracompact polarizationsplitter-rotatorbasedonsiliconnanowires,^Optics Express,Vol. 19,Issue11,pp.10940-10949 (2011)
[0016] 然而，上述光波導(dǎo)元件使彼此不同的模式耦合。因此，根據(jù)波導(dǎo)構(gòu)造的調(diào)整（纖芯 部的寬度的調(diào)整等）的不同，即使對(duì)于特定的波長滿足"使TE。與TEi的有效折射率為相同 程度"這樣的條件，當(dāng)波長發(fā)生偏移時(shí)，上述兩個(gè)模式的有效折射率也會(huì)產(chǎn)生偏差。并且，在 波導(dǎo)構(gòu)造由于制造誤差而改變了的情況下，在上述兩個(gè)模式的有效折射率產(chǎn)生偏移。轉(zhuǎn)換 效率由于這些情況降低。
[0017]因此，現(xiàn)有技術(shù)存在能夠進(jìn)行高效率的轉(zhuǎn)換的波長帶較窄，另外不耐制造誤差這 樣的問題。
[0018] 以下，以圖55A以及55B所示的現(xiàn)有技術(shù)的非對(duì)稱定向耦合器為例對(duì)該問題點(diǎn)進(jìn) 行說明。
[0019] 在該例中，纖芯部81、82由Si(折射率3. 48)形成，上部/下部包層6、7均由 Si〇2(折射率為1.44)形成。纖芯部81、82的高度為220nm。纖芯部81、82的間隔為200nm。
[0020] 將模式轉(zhuǎn)換對(duì)象的TE。進(jìn)行導(dǎo)波的具有寬度較窄的一方的纖芯部81的波導(dǎo)作為 "波導(dǎo)1"，將TEi進(jìn)行導(dǎo)波的具有寬度較寬的纖芯部82的波導(dǎo)作為"波導(dǎo)2"。
[0021] 使纖芯部81的寬度為400nm。此時(shí)，在波長1580nm中，將纖芯部82的寬度設(shè)定為 838nm，以使纖芯部81的TE。與纖芯部82的TEi的有效折射率為相同程度。在表1示出各 個(gè)有效折射率的計(jì)算結(jié)果。計(jì)算使用了有限要素法（FEM)。
[0022]【表1】
[0023]
[0029]
[0030]
[0031]
[0032]δ由以下的公式表示。
[0033]【公式4】
[0034]
[0035]L表不非對(duì)稱定向親合器相對(duì)于光的傳播方向的長度，△Ν表不兩個(gè)波導(dǎo)獨(dú)立存 在的情況下的波導(dǎo)1的ΤΕ。與波導(dǎo)2的ΤΕ 有效折射率差（表1的有效折射率的差），λ 表示波長。另外，X表示兩個(gè)波導(dǎo)的耦合強(qiáng)度，被稱為耦合系數(shù)。
[0036] 在非對(duì)稱定向耦合器中，在某個(gè)波長（在該例中是1580nm)處，即使通過調(diào)整纖芯 部的寬度等波導(dǎo)構(gòu)造來使耦合對(duì)象的兩個(gè)模式的有效折射率一致，若波長變化，則有效折 射率也會(huì)產(chǎn)生偏移。
[0037] 該問題是在兩個(gè)纖芯高度和寬度均彼此相等，并且處理相同模式的耦合的對(duì)稱定 向耦合器中不會(huì)產(chǎn)生的問題，而是在處理不同模式的耦合的非對(duì)稱定向耦合器中會(huì)異常產(chǎn) 生的問題。
[0038] 圖56示出該例的光波導(dǎo)元件中波長與ΔN的絕對(duì)值之間的關(guān)系。通過圖56,可知 隨著波長偏離1580nm，ΔΝ的絕對(duì)值變大。
[0039] 根據(jù)公式（1)、（2)、（4)，隨著波長偏移，轉(zhuǎn)換效率T降低，所以在較寬的波長帶中 期望不到較高效率的轉(zhuǎn)換。
[0040] 根據(jù)公式（1)~（4)計(jì)算出此時(shí)對(duì)于波長（1520nm~1640nm)的轉(zhuǎn)換效率。在圖 57示出結(jié)果。這里，公式（1)的L是1520nm~1640nm的波長帶中轉(zhuǎn)換效率的最小值變?yōu)?最大這樣的值，L= 16. 1μm。
[0041] 通過圖57,可知隨著遠(yuǎn)離1580nm附近的波長，轉(zhuǎn)換效率降低，在1520nm~1640nm 的波長帶中約為一 〇.94dB以上。這是因?yàn)?，如上述那樣ΔΝ的絕對(duì)值相對(duì)于波長增加。[0042] 接著，對(duì)制造誤差與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系進(jìn)行描述。若波導(dǎo)構(gòu)造發(fā)生變化，則光的 封閉程度會(huì)發(fā)生變化，與此相關(guān)的有效折射率也會(huì)發(fā)生變化。因此，即使以耦合對(duì)象的兩個(gè) 模式的有效折射率在某個(gè)波長下為相同程度的方式來設(shè)計(jì)波導(dǎo)構(gòu)造，波導(dǎo)構(gòu)造也會(huì)根據(jù)制 造誤差而發(fā)生變化，兩個(gè)模式的有效折射率發(fā)生了偏移。
[0043] 由此，與關(guān)于上述波長依賴性議論相同地，轉(zhuǎn)換效率降低了。
[0044] 為了確認(rèn)該情況，列舉由于光刻/蝕刻而產(chǎn)生的纖芯部寬度的制造誤差為例。
[0045] 通常，制造誤差相對(duì)于纖芯部寬度的設(shè)計(jì)值（由掩模規(guī)定的纖芯部的寬度。在圖 58中是WS1、WS2)，如圖58所示，僅局部地在兩個(gè)纖芯部81、82產(chǎn)生彼此相同的量（δ)。在 該例中，假定各纖芯的兩側(cè)邊緣的位置分別向內(nèi)側(cè)或者外側(cè)變化S/2。
[0046]以下，認(rèn)為對(duì)于圖55Α以及55Β的光波導(dǎo)元件的纖芯部81 (設(shè)計(jì)值：寬度400nm) 以及纖芯部82(設(shè)計(jì)值：寬度838nm)產(chǎn)生了制造誤差δ( =- 30nm)的情況。圖59示出 波長與AN的絕對(duì)值的關(guān)系。
[0047] 通過圖59,可知纖芯部81的TE。與纖芯部82的TEi的有效折射率偏移較大，ΔN 的絕對(duì)值變大。根據(jù)該情況計(jì)算出轉(zhuǎn)換效率。L采用上述的值（L= 16. 1μm)。在圖60示 出結(jié)果。
[0048] 通過圖60,可知ΔΝ的絕對(duì)值由于制造誤差而變大，所以轉(zhuǎn)換效率大幅下降。具 體而言，在1580nm下轉(zhuǎn)換效率約為一 5. 16dB，在1520nm~1640nm的范圍中約為一 7. 32dB 以上。由于該情況，可以說非對(duì)稱定向耦合器不耐制造誤差。
[0049] 這樣，在現(xiàn)有技術(shù)的具備非對(duì)稱定向耦合器的光波導(dǎo)元件中，存在模式轉(zhuǎn)換中的 波長帶較窄，不耐制造誤差這樣的問題點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0050] 本發(fā)明是鑒于上述情形而完成的，其課題在于，提供一種基板型光波導(dǎo)元件，該基 板型光波導(dǎo)元件在較寬的波長帶中確保較高的轉(zhuǎn)換效率，并且在波導(dǎo)構(gòu)造由于制造誤差而 變化的情況下也能夠確保模式轉(zhuǎn)換的效率。
[0051] 本發(fā)明的第一方式的基板型光波導(dǎo)元件具備光波導(dǎo)，該光波導(dǎo)具有：基板；纖芯， 其在上述基板上具有相互并列的第一纖芯部以及第二纖芯部；以及包層，其折射率比上述 纖芯小，上述纖芯構(gòu)成前段模式轉(zhuǎn)換部以及后段模式轉(zhuǎn)換部，上述前段模式轉(zhuǎn)換部轉(zhuǎn)換被 輸入的光的模式，上述后段模式轉(zhuǎn)換部轉(zhuǎn)換從上述前段模式轉(zhuǎn)換部輸出的光的模式，在上 述前段模式轉(zhuǎn)換部的輸入端中，上述第一纖芯部與上述第二纖芯部的剖面形狀彼此不全 等，并且，上述第一纖芯部和上述第二纖芯部中的至少一方的纖芯部的剖面形狀或剖面大 小沿光的導(dǎo)波方向連續(xù)地變化，從而在上述前段模式轉(zhuǎn)換部的輸出端中，上述第一纖芯部 和上述第二纖芯部的剖面形狀彼此全等，在上述后段模式轉(zhuǎn)換部的輸入端中，上述第一纖 芯部和上述第二纖芯部彼此分離，上述第一纖芯部與上述第二纖芯部的間隔沿光的導(dǎo)波方 向連續(xù)變小，在上述后段模式轉(zhuǎn)換部的輸出端中，上述第一纖芯部和上述第二纖芯部彼此 接觸。
[0052] 也可以是上述第一纖芯部以及上述第二纖芯部與光的導(dǎo)波方向垂直的剖面是矩 形狀。
[0053] 也可以是在上述前段模式轉(zhuǎn)換部中，上述第一纖芯部與上述第二纖芯部的高度彼 此相等，并且，在上述第一纖芯部和上述第二纖芯部中上述輸入端處剖面大的纖芯部的寬 度沿光的導(dǎo)波方向連續(xù)變小，從而在上述輸出端處上述第一纖芯部與上述第二纖芯部的剖 面的形狀彼此全等。
[0054] 也可以是在上述后段模式轉(zhuǎn)換部中，上述第一纖芯部以及第二纖芯部的剖面形狀 分別遍及全長恒定，上述后段模式轉(zhuǎn)換部的輸入端處的上述第一纖芯部以及上述第二纖 芯部的剖面形狀分別與上述前段模式轉(zhuǎn)換部的輸出端處的上述第一纖芯部以及上述第二 纖芯部的剖面形狀相同。
[0055] 也可以是上述纖芯具有板部，上述板部沿上述第一纖芯部以及上述第二纖芯部的 寬度方向延伸突出，上述板部的高度尺寸比上述第一纖芯部以及上述第二纖芯部小，上述 板部至少配置于上述第一纖芯部與上述第二纖芯部之間，將上述第一纖芯部和上述第二纖 芯部彼此連接而形成。
[0056] 也可以是上述板部具有外側(cè)延伸突出區(qū)域，上述外側(cè)延伸突出區(qū)域從上述第一纖 芯部以及上述第二纖芯部分別向?qū)挾确较虻耐鈧?cè)延伸突出而形成。
[0057] 也可以是上述前段模式轉(zhuǎn)換部能夠?qū)E。轉(zhuǎn)換成TE。的超模的奇模，上述后段模式 轉(zhuǎn)換部能夠?qū)⑸鲜龀５钠婺＾D(zhuǎn)換成TE1<3
[0058] 也可以是上述纖芯在上述前段模式轉(zhuǎn)換部的輸入側(cè)具有彎曲波導(dǎo)，上述彎曲波導(dǎo) 使上述第一纖芯部和上述第二纖芯部中的至少一方在俯視中彎曲形成，在上述彎曲波導(dǎo) 中，越接近上述前段模式轉(zhuǎn)換部，上述第一纖芯部和上述第二纖芯部越彼此接近。
[0059] 也可以是上述基板型光波導(dǎo)元件還具備中間纖芯部，上述中間纖芯部設(shè)置于上述 前段模式轉(zhuǎn)換部與上述后段模式轉(zhuǎn)換部之間，將上述前段模式轉(zhuǎn)換部和上述后段模式轉(zhuǎn)換 部彼此連接。
[0060] 也可以是上述纖芯由Si形成，上述包層由Si02形成。
[0061] 也可以是上述基板型光波導(dǎo)元件還具備高階偏振轉(zhuǎn)換部，上述高階偏振轉(zhuǎn)換部與 上述后段模式轉(zhuǎn)換部的輸出側(cè)連接，能夠?qū)⒂缮鲜龊蠖文Ｊ睫D(zhuǎn)換部得到的TEi轉(zhuǎn)換成TM。。
[0062] 本發(fā)明的第二方式的偏振復(fù)用4值相位調(diào)制器具備上述基板型光波導(dǎo)元件。
[0063] 本發(fā)明的第三方式的相干接收機(jī)具備上述基板型光波導(dǎo)元件。
[0064] 本發(fā)明的第四方式的偏振分集具備上述基板型光波導(dǎo)元件。
[0065] 上述方式的基板型光波導(dǎo)元件具有組合了前段模式轉(zhuǎn)換部（超模生成元件）和后 段模式轉(zhuǎn)換部（Y分支）而成的構(gòu)成。
[0066] 在具有波導(dǎo)構(gòu)造沿光的導(dǎo)波方向變化的構(gòu)造（例如錐形波導(dǎo)）的超模生成元件 中，輸入的TE。被轉(zhuǎn)換成TE。的超模的奇模。在Y分支中，TE。的超模的奇模被轉(zhuǎn)換成TE1<3
[0067] 并且，超模生成元件因?yàn)檩敵龆颂巸蓚€(gè)纖芯部的剖面形狀以及剖面大小彼此相同 (全等），所以難以受到制造誤差的影響，波長依賴性也小。關(guān)于難以受到制造誤差的影響、 以及波長依賴性小，Y分支也相同。
[0068]因此，高效率的轉(zhuǎn)換能夠遍及較寬的波長帶地進(jìn)行，并且，即使在波導(dǎo)構(gòu)造由于制 造誤差而變化的情況下也能夠確保模式轉(zhuǎn)換的效率。
【附圖說明】
[0069]圖1A是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板型光波導(dǎo)元件的俯視圖。
[0070]圖1B是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板型光波導(dǎo)元件的剖面位置（a)中的剖 視圖。
[0071] 圖2A是表不光波導(dǎo)元件的一個(gè)例子的俯視圖。
[0072] 圖2B是表不光波導(dǎo)元件的一個(gè)例子的剖視圖。
[0073] 圖3A是圖2A以及圖2B的光波導(dǎo)元件中的偶模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié) 果。
[0074] 圖3B是圖2A以及圖2B的光波導(dǎo)元件中的奇模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié) 果。
[0075] 圖3C是圖2A以及圖2B的光波導(dǎo)元件中的偶模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的曲線圖。
[0076] 圖3D是圖2A以及圖2B的光波導(dǎo)元件中的奇模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的曲線圖。
[0077] 圖4A是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的俯視圖。
[0078]圖4B是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的剖面位置（c)的剖視圖。
[0079]圖4C是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的剖面位置（b)的剖視圖。
[0080]圖4D是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的剖面位置（a)的剖視圖。
[0081]圖5是表示兩個(gè)波導(dǎo)分別獨(dú)立地存在的情況下的有效折射率的圖。
[0082]圖6是表示使兩個(gè)波導(dǎo)彼此相鄰的情況下的有效折射率的圖。
[0083] 圖7A是圖4A的剖面位置（a)中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0084] 圖7B是圖4A的剖面位置（a)中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0085] 圖7C是圖4A的剖面位置（b)中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0086] 圖7D是圖4A的剖面位置（b)中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。 [0087]圖7E是圖4A的剖面位置（c)中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0088] 圖7F是圖4A的剖面位置（c)中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0089]圖8A是表示后段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的俯視圖。
[0090]圖8B是表示后段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的圖，是剖面位置（e)的剖視圖。
[0091]圖8C是表示后段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的圖，是剖面位置（d)的剖視圖。
[0092] 圖8D是表示后段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的圖，是剖面位置（c)的剖視圖。
[0093] 圖9是表示纖芯部的間隔（gap)與有效折射率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0094] 圖10A是圖8㈧的剖面位置（c)中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。 [0095]圖10B是圖8A的剖面位置（c)中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。 [0096]圖10C是圖8A的剖面位置⑷中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0097] 圖10D是圖8A的剖面位置⑷中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0098] 圖10E是圖8A的剖面位置（e)中的模式#0的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。 [0099] 圖10F是圖8A的剖面位置（e)中的模式#1的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果。
[0100] 圖11A是表示具有彎曲波導(dǎo)的基板型光波導(dǎo)元件的例子的俯視圖。
[0101] 圖11B是表示具有彎曲波導(dǎo)的基板型光波導(dǎo)元件的例子的剖面位置（a)中的剖視 圖。
[0102] 圖12是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的錐形長度與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0103] 圖13是表不不出電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果的圖。
[0104]圖14是表示光的波長與轉(zhuǎn)換效率的關(guān)系的曲線圖。
[0105]圖15是表示纖芯部的寬度變化了的情況下的波長與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系的曲線 圖。
[0106] 圖16是表不不出電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬結(jié)果的圖。
[0107]圖17是表示光的波長與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0108]圖18是表示纖芯部的寬度變化了的情況下的波長與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系的曲線 圖。
[0109] 圖19是表示在前段模式轉(zhuǎn)換部與后段模式轉(zhuǎn)換部之間設(shè)置了中間纖芯部的構(gòu)造 的基板型光波導(dǎo)元件的第一例的俯視圖。
[0110] 圖20是表示在前段模式轉(zhuǎn)換部與后段模式轉(zhuǎn)換部之間設(shè)置了中間纖芯部的構(gòu)造 的基板型光波導(dǎo)元件的第二例的俯視圖。
[0111] 圖21是表示在前段模式轉(zhuǎn)換部與后段模式轉(zhuǎn)換部之間設(shè)置了中間纖芯部的構(gòu)造 的基板型光波導(dǎo)元件的第三例的俯視圖。
[0112] 圖22是表示使用了高階偏振轉(zhuǎn)換元件的基板型光波導(dǎo)元件的例子的俯視圖。
[0113] 圖23A是示意性地表示圖22的高階偏振轉(zhuǎn)換元件的一個(gè)例子的俯視圖。
[0114] 圖23B是示意性地表示圖22的高階偏振轉(zhuǎn)換元件的一個(gè)例子的剖視圖。
[0115] 圖24A是表示高階偏振轉(zhuǎn)換元件的其他例子的俯視圖。
[0116] 圖24B表示高階偏振轉(zhuǎn)換元件的其他例子，是剖面位置（h)中的剖視圖。
[0117] 圖24C表示高階偏振轉(zhuǎn)換元件的其他例子，是剖面位置（g)中的剖視圖。
[0118] 圖24D表示高階偏振轉(zhuǎn)換元件的其他例子，是剖面位置（f)中的剖視圖。
[0119]圖25A是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板型光波導(dǎo)元件的俯視圖。
[0120] 圖25B表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板型光波導(dǎo)元件，是剖面位置（a)中的剖 視圖。
[0121] 圖26A是表不光波導(dǎo)元件的一個(gè)例子的俯視圖。
[0122] 圖26B是表不光波導(dǎo)元件的一個(gè)例子的剖視圖。
[0123] 圖27A是圖26A以及圖26B的光波導(dǎo)元件中的偶模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬 結(jié)果。
[0124] 圖27B是圖26A以及圖26B的光波導(dǎo)元件中的奇模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模擬 結(jié)果。
[0125] 圖27C是圖26A以及圖26B的光波導(dǎo)元件中的偶模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的圖。
[0126] 圖27D是圖26A以及圖26B的光波導(dǎo)元件中的奇模的電場(chǎng)分布（Ex分量）的曲線 圖。
[0127] 圖28A是表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造的俯視圖。
[0128] 圖28B表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造，是剖面位置（c)的剖視圖。
[0129]圖28C表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造，是剖面位置（b)的剖視圖。
[0130] 圖28D表示前段模式轉(zhuǎn)換部的構(gòu)造，是剖面位置（a)的剖視圖。
[0131] 圖29A是表示兩個(gè)波導(dǎo)分別獨(dú)立地存在的情況下的有效折射率的圖。
[0132] 圖29B是表示兩個(gè)波導(dǎo)分別獨(dú)立地存在的情況下的一個(gè)波導(dǎo)的構(gòu)造的剖視圖。
[0133] 圖29C是表示兩個(gè)波導(dǎo)分別獨(dú)立地存在的情況下的另一個(gè)波導(dǎo)的構(gòu)造的剖視圖。
[0134] 圖30是表示使兩個(gè)波導(dǎo)彼此相鄰的情況下的有效折射率的圖。
[0135] 圖31A是圖28A的剖面位置（a)中的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模式#0的模擬結(jié)果。
[0136] 圖31B是圖28A的剖面位置（a)中的電場(chǎng)分布（Ex分量）的模式#1的模擬結(jié)果。
[0137] 圖31C是圖28A的剖面位置（b)中的模式#