像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領域，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]UV2A的名稱來源于紫外線(UV)與液晶面板的VA方式相乘。其關(guān)鍵是利用作為配向膜的特殊高分子材料，高精度地控制液晶分子沿著紫外線方向傾斜。其基本原理是在玻璃基板上涂覆對紫外線具有反應的特殊配相膜，當該配相膜受到紫外線照射后，配相膜就會沿著照射方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而能夠高精度地控制液晶分子沿著紫外線照射的角度和方向傾斜。UV2A技術(shù)具有高開口率、高對比、快速響應等特性。
[0003]結(jié)合圖6和圖7所示，現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)100’在采用UV2A技術(shù)下，以圖6所示的配向方式為例(如圖中實線箭頭方向所示)，會形成如圖7所示的黑紋10’。如圖7所示，由于像素結(jié)構(gòu)100’的四周由于邊緣電場(如圖中實線箭頭所示)的作用，使液晶的方向均由邊緣朝向子像素結(jié)構(gòu)100’的內(nèi)部(如圖中虛線箭頭所示)。當邊緣電場的作用力方向與液晶分子轉(zhuǎn)動方向的夾角小于90度時，像素結(jié)構(gòu)100’的邊緣不會被液晶分子遮擋而產(chǎn)生黑紋12’ ；當邊緣電場的作用力方向與液晶分子轉(zhuǎn)動方向的夾角大于90度時，像素結(jié)構(gòu)100’的邊緣會被液晶分子遮擋而產(chǎn)生暗紋12’。
[0004]通常情況下，在一個像素結(jié)構(gòu)100’中，黑紋10’的中間為呈十字狀的垂直黑紋11’，四周為占像素結(jié)構(gòu)100’邊緣的一半的邊緣黑紋12’。在該黑紋10’的形狀中，垂直黑紋11’由于UV2A特殊的正交垂直光配向方式客觀存在，因而無法消除，而邊緣黑紋12’通過對像素結(jié)構(gòu)100’的改變可以進行調(diào)整，對邊緣黑紋12’的消除可大大地提高像素結(jié)構(gòu)100’的光透過率。
[0005]針對上述技術(shù)存在的問題，在本領域中希望尋求一種像素結(jié)構(gòu)，在該像素結(jié)構(gòu)的四周邊緣處能夠產(chǎn)生更少的黑紋，從而提高像素結(jié)構(gòu)的光透過率，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的不同之處，提出了一種像素結(jié)構(gòu)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括:設置在彩膜基板上的各個色阻上的第一透明導電膜，與第一透明導電膜相對應的設置在陣列基板上的子像素區(qū)域上的第二透明導電膜，各第一透明導電膜相連。其中，各第一透明導電膜在第二透明導電膜上的正投影面積等于相應第二透明導電膜的面積。
[0008]在現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)中，第一透明導電膜的面積通常情況下大于第二透明導電膜的面積，當采用UV2A技術(shù)時，由于UV2A的邊緣電場效應，在第一透明導電膜的邊緣上會形成額外的黑紋，而在本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)中，將各第一透明導電膜在第二透明導電膜上的正投影面積設置成等于相應第二透明導電膜的面積，從而減小了第一透明導電膜的開口區(qū)，這便大大減輕了在第一透明導電膜邊緣處黑紋的產(chǎn)生，從而提高了像素結(jié)構(gòu)的光透過率。
[0009]在一些實施方案中，第一透明導電膜與第二透明導電膜構(gòu)造成相同的矩形。該設置以最簡潔的方式實現(xiàn)了第一透明導電膜較高的光透過率。
[0010]在一些實施方案中，第一透明導電膜的四條矩形邊中的一條或多條構(gòu)造成弧形邊。形成的弧形邊可更好地適應由于邊緣電場效應在第一透明導電膜邊緣處產(chǎn)生的黑紋的形狀，即該弧形邊可對邊緣處產(chǎn)生的黑紋作進一步遮擋，使邊緣處產(chǎn)生的黑紋繼續(xù)移出第一透明導電膜的開口區(qū)，從而進一步減少黑紋的產(chǎn)生。
[0011]在一些實施方案中，第一透明導電膜的各矩形邊均構(gòu)造成弧形邊。該方案有利于減小第一透明導電膜的各個矩形邊處產(chǎn)生的黑紋，從而進一步減少黑紋的產(chǎn)生。
[0012]在一些實施方案中，弧形邊構(gòu)造成介于第一透明導電膜的一條矩形邊的端點與第一透明導電膜的一條矩形邊的中點之間。由于在第一透明導電膜的邊緣處均會產(chǎn)生占第一透明導電膜邊緣的一半的邊緣黑紋，因此通過在產(chǎn)生該邊緣黑紋的位置設置弧形邊即可使黑紋無法顯現(xiàn)在第一透明導電膜上。然而，值得注意的是，由于黑紋的形成與配向的區(qū)域的多少密切相關(guān)，在同一個區(qū)域內(nèi)，液晶分子的初始配向角度都是一樣的，在加電壓后，就可以向著初始配向角度的方向傾倒。但是不同的區(qū)域內(nèi)初始配向角度不同，因此弧形邊的具體弧度和形狀需要根據(jù)具體的配向方式進行設定。
[0013]在一些實施方案中，各弧形邊互不相連。由于在第一透明導電膜的邊緣產(chǎn)生互不干涉的黑紋，因此該方案將弧形邊也對應設置成互不干涉，從而進一步消除像素結(jié)構(gòu)邊緣處的黑紋。
[0014]在一些實施方案中，各第一透明導電膜通過與透明導電膜相同的材料連接在一起。例如可通過對現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中的第一透明導電膜進行部分材料的去除，即可實現(xiàn)該方案。
[0015]在一些實施方案中，相鄰兩個第一透明導電膜的相對的邊的中點對應相連。該方案易于實現(xiàn)，并且能夠使各第一透明導電膜彼此之間的連接達到較優(yōu)的穩(wěn)定性。
[0016]在一些實施方案中，在任意呈矩陣分布的四個第一透明導電膜中，四個第一透明導電膜彼此相對的四個端點交叉相連。該方案中各第一透明導電膜的連接方式簡單，僅需連接兩次即可一次性完成對四個第一透明導電膜的連接。
[0017]在一些實施方案中，相鄰兩個第一透明導電膜的相對的邊的中點也對應相連。該設置可提高各第一透明導電膜彼此連接的穩(wěn)定性。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)通過將各第一透明導電膜在第二透明導電膜上的正投影面積設置成等于相應第二透明導電膜的面積，從而減小了第一透明導電膜的開口區(qū)，這便大大減輕了在第一透明導電膜邊緣處黑紋的產(chǎn)生，從而提高了像素結(jié)構(gòu)的光透過率。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可在現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的基礎上進行改進處理，這便提高了像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率，節(jié)約了像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0019]在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中:
[0020]圖1是根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的第一透明導電膜的示意圖；
[0022]圖3是各個第一透明導電膜相互連接的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是各個第一透明導電膜相互連接的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5是各個第一透明導電膜相互連接的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中像素結(jié)構(gòu)上的UV2A配向方式示意圖；
[0026]圖7是現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)上形成的黑紋的示意圖。
[0027]在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。
【具體實施方式】
[0028]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0029]這里所介紹的細節(jié)是示例性的，并僅用來對本發(fā)明的實施例進行例證性討論，它們的存在是為了提供被認為是對本發(fā)明的原理和概念方面的最有用和最易理解的描述。關(guān)于這一點，這里并沒有試圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)細節(jié)作超出于基本理解本發(fā)明所需的程度的介紹，本領域的技術(shù)人員通過說明書及其附圖可以清楚地理解如何在實踐中實施本發(fā)明的幾種形式。
[0030]圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明提供的一種像