一種獲取光場均勻化激光的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及一種獲取光場均勻化激光的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展，激光照明在安防監(jiān)控、工業(yè)照明、娛樂照明中得到越來越廣泛地應(yīng)用。為了克服因為光場分布不均勻?qū)е碌牧炼炔痪?、圖像清晰度下降，現(xiàn)有技術(shù)利用全息散光片對激光進行光場均勻化。
[0003]由于激光具有良好的單色性，只經(jīng)過全息散光片所獲得的均勻化光場中，存在干涉效應(yīng)，從而導(dǎo)致激光光場分布不均勻問題沒有得到有效地解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供一種獲取光場均勻化激光的裝置，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中激光經(jīng)過全息散光片所獲得的均勻化光場中，存在干涉效應(yīng)導(dǎo)致的激光光場分布不均勻問題。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種獲取光場均勻化激光的裝置，該裝置包括:
[0008]用于對激光進行相位調(diào)制的全息散光片和MEMS變形鏡；
[0009]所述全息散光片位于所述MEMS變形鏡的上方，且與所述MEMS變形鏡間隔預(yù)設(shè)距離；
[0010]其中，激光光束照射全息散光片的第一面，穿透所述全息散光片之后進入所述MEMS變形鏡，經(jīng)由所述MEMS變形鏡反射后再次從全息散光片的第二面進入所述全息散光片，從所述全息散光片的第一面出射消除激光光束中干涉現(xiàn)象的光場均勻化激光；所述全息散光片的第一面遠離所述MEMS變形鏡。
[0011 ] 進一步地，所述MEMS變形鏡為連續(xù)鏡面MEMS變形鏡或分立鏡面MEMS變形鏡。
[0012]進一步地，所述全息散光片的第二面具有隨機分布的多個刻蝕槽和/或多個凸起，相鄰刻蝕槽的深度不同，和/或，相鄰?fù)蛊鸬母叨炔煌?br>[0013]進一步地，所有刻蝕槽的寬度相同，和/或，所有凸起的寬度相同，或，所述刻蝕槽的寬度與所述凸起的寬度相同；
[0014]且所述刻蝕槽的寬度為微米量級的寬度，所述凸起的寬度為微米量級的寬度。
[0015]進一步地，所述MEMS變形鏡包括:
[0016]基板，位于所述基板上方的MEMS變形鏡控制電極陣列，位于所述MEMS變形鏡控制電極陣列上方的用于跟隨所述MEMS變形鏡控制電極陣列的電壓產(chǎn)生形變的變形膜，所述變形膜上方設(shè)置有反射膜，所述變形膜通過固定在所述基板上的第一支撐柱陣列支撐，所述反射膜通過固定在所述變形膜上的第二支撐柱陣列支撐，且所述第一支撐柱陣列和所述第二支撐柱陣列平行，但所述第一支撐柱陣列中的每一個支撐柱和所述第二支撐柱陣列中的每一個支撐柱不在同一直線上。
[0017]進一步地，所述第二支撐柱陣列中的每一個支撐柱的寬度/直徑大于所述第一支撐柱陣列中的每一個支撐柱的寬度/直徑。
[0018]進一步地，所述MEMS變形鏡控制電極陣列中的每一個電極的寬度為微米量級的寬度，且所述相鄰電極間隔預(yù)設(shè)寬度。
[0019]進一步地，所述基板為多晶娃材料的基板。
[0020]進一步地，所述裝置還包括:用于固定所述全息散光片和所述MEMS變形鏡的支撐壓圈。
[0021](三)有益效果
[0022]本發(fā)明提供的一種獲取光場均勻化激光的裝置，因為MEMS變形鏡解決了利用全息散光片對激光進行激光光場均勻化過程中出現(xiàn)的干涉效應(yīng)、致使激光光場分布不均勻的問題，有效的實現(xiàn)了激光光場的均勻化。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明一實施例提供的獲取光場均勻化激光的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明一實施例提供的全息散光片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明一實施例提供的MEMS變形鏡的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028]還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體與另一個實體區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。
[0029]圖1示出了本發(fā)明一實施例提供的獲取光場均勻化激光的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實施例的激光光場均勻化的裝置包括:
[0030]用于對激光進行相位調(diào)制的全息散光片I和MEMS變形鏡2 ;
[0031]全息散光片I位于MEMS變形鏡2的上方，且與MEMS變形鏡2間隔預(yù)設(shè)距離；本實施例中的預(yù)設(shè)距離可根據(jù)實際需要設(shè)置，并不對預(yù)設(shè)距離進行限定。
[0032]具體地，圖1中的激光光束(如左側(cè)激光光束的箭頭)照射全息散光片的第一面11 (如圖2所示)，穿透全息散光片I之后進入MEMS變形鏡2，經(jīng)由MEMS變形鏡2反射后再次從全息散光片的第二面12進入全息散光片I，從全息散光片的第一面11出射消除激光光束中干涉現(xiàn)象的光場均勻化激光；全息散光片的第一面11遠離MEMS變形鏡2。
[0033]由此，本實施例通過全息散光片和MEMS變形鏡結(jié)合，能夠較好的消除激光光束的干涉效應(yīng)，獲得光場均勻的激光光束。
[0034]在實際應(yīng)用中，前述圖1中的MEMS變形鏡2可為連續(xù)鏡面MEMS變形鏡或分立鏡面MfflS變形鏡。
[0035]如圖2所示，本實施例中的全息散光片I可包括水平的第一面11和具有刻蝕槽或凸起的第二面12，如圖2所示，全息散光片第二面12上隨機分布的多個刻蝕槽和/或多個凸起，相鄰刻蝕槽的深度不同，和/或，相鄰?fù)蛊鸬母叨炔煌?br>[0036]可選地，圖2中全息散光片第二面12的所有刻蝕槽的寬度相同，所有凸起的寬度相同。
[0037]在具體應(yīng)用中，可使圖2中刻蝕槽的寬度與所述凸起的寬度相同；例如，刻蝕槽的寬度可為微米量級的寬度，相應(yīng)地，凸起的寬度也可為微米量級的寬度。