液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，且特別是涉及一種液晶顯示裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板在組裝過(guò)程中通常是先將大片的彩色濾光基板(Color Filter,CF)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor，TFT)對(duì)置后組裝在一起，然后再分割成需要的大小再進(jìn)行后續(xù)的研磨、偏貼等制程。
[0003]其中，在彩色濾光基板面向薄膜晶體管陣列基板的表面和薄膜晶體管陣列基板面向彩色濾光基板的表面覆蓋有一層配向膜(Polyimide，PI)，為后續(xù)灌入在彩色濾光基板和薄膜晶體管陣列基板的液晶材料進(jìn)行配向。在彩色濾光基板和薄膜晶體管陣列基板對(duì)置后，由柱狀隔墊物(Photospace，PS)作為支撐物來(lái)保持彩色濾光基板和薄膜晶體管陣列基板之間的間隔距離。柱狀隔墊物一般都設(shè)置在彩色濾光基板面向薄膜晶體管陣列基板的表面。由于柱狀隔墊物是一種樹脂材料，具有一定的彈性，在彩色濾光基板和薄膜晶體管陣列基板組立在一起后柱狀隔墊物受擠壓后會(huì)有一定的壓縮量，從而使彩色濾光基板和薄膜晶體管陣列基板互相接觸的部位具有相對(duì)的作用力。由于薄化后的液晶顯示面板或液晶顯示面板連片存在凹點(diǎn)、凸點(diǎn)、刮傷、不平等缺陷，需要進(jìn)行研磨制程以達(dá)到光滑、平整的效果。-而研磨過(guò)程中，第一基板和第二基板會(huì)產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致第二基板的柱狀隔墊物刮傷第一基板的第一配向膜。配向膜被刮傷后產(chǎn)生小顆粒進(jìn)入液晶層或者配向膜刮傷后使液晶失去配向，從而形成小亮點(diǎn)不良。目前，為降低小亮點(diǎn)不良通常都是選擇硬度較大、較耐刮的配向膜，這樣就涉及材料搭配性問(wèn)題而造成選材受限，或者在研磨制程中微調(diào)研磨條件如調(diào)整研磨壓力、上下盤轉(zhuǎn)速、研磨盤擺幅、擺頻、研磨時(shí)間等，這對(duì)研磨制程控制提出較嚴(yán)苛的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，提供了一種液晶顯示裝置的制造方法，其能有效地避免配向膜的刮傷而形成的小亮點(diǎn)不良，提升產(chǎn)品良率，降低制造成本。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
[0006]一種液晶顯示裝置的制造方法，其包括將下基板和上基板相對(duì)組立設(shè)置。分割相對(duì)組立設(shè)置的所述下基板和所述上基板形成多個(gè)基板單元，各所述基板單元包括相對(duì)組立設(shè)置的第一基板和第二基板。向各基板單元的所述第一基板和所述第二基板之間注入液晶材料，以形成液晶顯示單元，所述液晶材料在所述第一環(huán)境溫度下具有第一密度。從第一環(huán)境溫度升高所述液晶顯示單元所處的環(huán)境溫度至第二環(huán)境溫度后，對(duì)所述液晶顯示單元進(jìn)行研磨制程，所述液晶材料在所述第二環(huán)境溫度下具有第二密度，且所述第二密度小于所述第一密度。
[0007]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述第一基板包括玻璃基板、薄膜晶體管、第一電極和第一配向膜，所述薄膜晶體管位于所述玻璃基板面向所述第二基板的表面。第一電極位于所述薄膜晶體管上，第一配向膜覆蓋所述第一電極并覆蓋所述玻璃基板面向所述第二基板的整個(gè)的表面。所述第二基板包括彩色濾光片、第二電極、柱狀隔墊物和第二配向膜。所述第二電極位于所述彩色濾光片面向所述第一基板的表面，所述柱狀隔墊物位于所述第二電極面向所述第一基板的表面并對(duì)應(yīng)位于所述薄膜晶體管的上方，所述第二配向膜覆蓋所述柱狀隔墊物和所述第二電極并覆蓋所述彩色濾光片面向所述第一基板的整個(gè)的表面。
[0008]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述柱狀隔墊物具有彈性，在所述第一環(huán)境溫度時(shí)所述柱狀隔墊物的第一高度小于在所述第二環(huán)境溫度時(shí)所述柱狀隔墊物的第二高度。
[0009]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述柱狀隔墊物對(duì)所述第一基板的所述第一配向膜的作用力在所述第二環(huán)境溫度下比在所述第一環(huán)境溫度下小。
[0010]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述第一環(huán)境溫度為20?30°C，所述第二環(huán)境溫度為60 ?120。。。
[0011]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述第一環(huán)境溫度是指所述研磨制程開始前所述液晶材料所處的環(huán)境溫度，所述第二環(huán)境溫度是指研磨所述液晶顯示單元時(shí)所述液晶材料所處的環(huán)境溫度。
[0012]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述研磨制程是指對(duì)所述液晶顯示單元的所述第一基板和所述第二基板的外表面(即接觸空氣的非元件區(qū))進(jìn)行打磨。
[0013]本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，是在第一環(huán)境溫度下向各基板單元的第一基板和第二基板之間注入具有第一密度液晶材料，并升溫至第二環(huán)境溫度后對(duì)液晶顯示單元進(jìn)行研磨制程，其中利用環(huán)境溫度的提升，使得液晶材料的密度降低，液晶材料膨脹后增加了液晶材料的層高，從而降低了柱狀隔墊物對(duì)第一基板的第一配向膜的作用力，有效避免了配向膜被刮傷形成的小亮點(diǎn)不良，提升了產(chǎn)品良率。此外，液晶顯示裝置選材時(shí)不再受配向膜需硬度較大、較耐刮等限制，研磨制程中也無(wú)需微調(diào)研磨條件，制作過(guò)程簡(jiǎn)單，有利于降低制作成本。
[0014]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述液晶顯示裝置的制造方法和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作過(guò)程中在第一環(huán)境溫度時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作過(guò)程中在第二環(huán)境溫度時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的液晶材料的密度與溫度的變化曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的液晶顯示裝置的制造方法的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0019]有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚呈現(xiàn)。通過(guò)【具體實(shí)施方式】的說(shuō)明，當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō)明之用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0020]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作過(guò)程中在第一環(huán)境溫度時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作過(guò)程中在第二環(huán)境溫度時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1至圖2為液晶顯示單元100對(duì)應(yīng)一個(gè)柱狀隔墊物的所在區(qū)域的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。液晶顯示單元100是形成液晶顯示裝置的半成品。液晶顯示單元100包括第一基板110，與第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板130及位于第一基板110和第二基板130之間的液晶材料120。
[0021]以下將對(duì)本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法做詳細(xì)說(shuō)明。
[0022]首先，將下基板和上基板相對(duì)組立設(shè)置，下基板是未分割大片的薄膜晶體管陣列基板，上基板是未分割的大片的彩色濾光基板。
[0023]然后，分割相對(duì)組立設(shè)置的下基板和上基板形成所需尺寸的多個(gè)基板單元，各基板單元包括相對(duì)組立設(shè)置的第一基板110和第二基板130。如圖1所示，第一基板110是分割后的薄膜晶體管陣列基板，第二基板130是分割后的彩色濾光基板，但并不以此為限。
[0024]第一基板110包括玻璃基板111、位于玻璃基板111面向第二基板130的表面的多條相互平行的掃描線(圖未示)、多條相互平行的數(shù)據(jù)線(圖未示)、多個(gè)在掃描線和數(shù)據(jù)線交叉位置處設(shè)置的薄膜晶體管112和第一電極114，薄膜晶體管112包括柵極、半導(dǎo)體層、源漏極和多層絕緣保護(hù)層等，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。第一電極114例如是像素電極，第一電極114通過(guò)絕緣層116的間隔位于薄膜晶體管112上。第一基板110還包括第一配向膜118，第一配向膜118覆蓋第一電極114和絕緣層116等，即第一配向膜覆蓋玻璃基板111面向第二基板130的整個(gè)的表面。
[0025]第二基板130包括彩色濾光片131、