本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板和陣列基板的測(cè)試方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

在平板顯示器件(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱FPD)產(chǎn)業(yè)日益興旺的今天，隨著制備過(guò)程中工藝的復(fù)雜化和精細(xì)化，各種檢測(cè)(Test)設(shè)備、老化(Aging)設(shè)備也越來(lái)越多。例如點(diǎn)燈測(cè)試就是不可缺少的一項(xiàng)檢測(cè)，而在測(cè)試的過(guò)程中由于脫針或漏針(Pin Miss)造成設(shè)備誤檢的情況時(shí)有發(fā)生，如何保證測(cè)試過(guò)程中探針與輸入信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)(Pad)正常接觸，實(shí)現(xiàn)檢測(cè)設(shè)備或老化設(shè)備自動(dòng)識(shí)別脫針或漏針已經(jīng)成為工程師和設(shè)備廠商研究的熱點(diǎn)。

如圖1所示為正常的探針壓在測(cè)試點(diǎn)上的示意圖，此時(shí)可以進(jìn)行正常的點(diǎn)燈，進(jìn)行檢測(cè)測(cè)試和老化測(cè)試。為提高效率，目前的檢測(cè)設(shè)備或老化設(shè)備基本都將探針組合為一個(gè)整體(Block)，并在測(cè)試過(guò)程中直接將產(chǎn)品放置在機(jī)臺(tái)某一特定位置的檢測(cè)區(qū)中，再由機(jī)械手(包括若干電機(jī))送到點(diǎn)燈輸入信號(hào)的位置進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試。然而，任何電機(jī)在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中都會(huì)出現(xiàn)位置偏差，檢測(cè)設(shè)備中所有的導(dǎo)軌和絲杠隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng)可能存在一定的行程誤差，或者由于操作者的初次位置設(shè)定(Teaching)異常使得探針整體和產(chǎn)品所在的機(jī)臺(tái)發(fā)生整體偏移，從而導(dǎo)致出現(xiàn)圖2所示的探針整體錯(cuò)位；另外，當(dāng)探針因長(zhǎng)時(shí)間與產(chǎn)品壓接造成探針斷裂、彈性異常而更換新的探針組合體或者設(shè)備上固定探針的螺絲隨著時(shí)間的推移滑絲或整體松動(dòng)等情況，導(dǎo)致探針整體與產(chǎn)品的測(cè)試點(diǎn)發(fā)生偏斜，呈現(xiàn)一定角度的直線偏斜，出現(xiàn)如圖3所示的探針整體偏斜。

目前也有少數(shù)比較先進(jìn)的設(shè)備采用通過(guò)檢測(cè)測(cè)試點(diǎn)通過(guò)的電流的方式來(lái)識(shí)別探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸狀況的方式，但準(zhǔn)確率較低?？梢?jiàn)，設(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)單、可靠、準(zhǔn)確率高的確定探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸狀況的方式成為目前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板和陣列基板的測(cè)試方法、顯示裝置，至少部分解決目前探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸狀況難以準(zhǔn)確確定的問(wèn)題。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是該陣列基板，包括至少兩個(gè)間隔設(shè)置的測(cè)試點(diǎn)，其中兩個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)之間連接設(shè)置有接觸感應(yīng)器件，所述接觸感應(yīng)器件能在該兩個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)的任一個(gè)外加激勵(lì)信號(hào)的作用下發(fā)生感應(yīng)，并在另一個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)上產(chǎn)生反饋信號(hào)，以便于根據(jù)另一個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)判定探針是否與所述測(cè)試點(diǎn)有效接觸。

優(yōu)選的是，所述接觸感應(yīng)器件為電容，所述測(cè)試點(diǎn)包括第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)，所述電容包括第一極板和第二極板，所述電容的第一極板與第一測(cè)試點(diǎn)連接，所述電容的第二極板與第二測(cè)試點(diǎn)連接。

優(yōu)選的是，所述測(cè)試點(diǎn)為多條平行設(shè)置的金屬條。

優(yōu)選的是，所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)為多個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)中分別位于相對(duì)兩邊沿的、直線距離最大的兩個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)。

優(yōu)選的是，所述電容的第一極板和第二極板異層設(shè)置。

優(yōu)選的是，所述陣列基板中包括用于形成薄膜晶體管的多個(gè)導(dǎo)電層，所述電容的第一極板和第二極板與多個(gè)所述導(dǎo)電層中的任兩層分別同層設(shè)置，該任兩層所述導(dǎo)電層中間隔有至少一層絕緣層。

一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

一種陣列基板的測(cè)試方法，包括通過(guò)探針向測(cè)試點(diǎn)輸入測(cè)試信號(hào)的步驟，在通過(guò)探針向測(cè)試點(diǎn)輸入測(cè)試信號(hào)之前，還包括：

通過(guò)探針向第一測(cè)試點(diǎn)輸入激勵(lì)信號(hào)；

測(cè)試第二測(cè)試點(diǎn)上是否產(chǎn)生反饋信號(hào)；

根據(jù)所述反饋信號(hào)判定測(cè)試點(diǎn)是否與探針有效接觸；

其中，所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)之間設(shè)置有接觸感應(yīng)器件，反饋信號(hào)由所述接觸感應(yīng)器件受激勵(lì)信號(hào)感應(yīng)產(chǎn)生。

優(yōu)選的是，所述接觸感應(yīng)器件為電容，所述激勵(lì)信號(hào)為直流電壓信號(hào)。

優(yōu)選的是，根據(jù)所述第二測(cè)試點(diǎn)是否產(chǎn)生反饋信號(hào)，判定探針是否與所述測(cè)試點(diǎn)有效接觸包括：

若所述第二測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)的大小與激勵(lì)信號(hào)之差在第一誤差范圍內(nèi)，則判定所述探針與所述測(cè)試點(diǎn)接觸良好；

若所述第二測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)為與零之差在第二誤差范圍內(nèi)，則判定所述探針與所述測(cè)試點(diǎn)接觸不良。

優(yōu)選的是，向所述測(cè)試點(diǎn)輸入測(cè)試信號(hào)的探針形成探針組，向所述第一測(cè)試點(diǎn)輸入激勵(lì)信號(hào)以及向所述第二測(cè)試點(diǎn)獲取反饋信號(hào)的所述探針為所述探針組中的其中兩根探針。

本發(fā)明的有益效果是：該陣列基板及其相應(yīng)的測(cè)試方法能有效避免測(cè)試過(guò)程中由于用于信號(hào)輸入的探針脫針或漏針造成設(shè)備誤檢的情況，方便、準(zhǔn)確的識(shí)別脫針或漏針。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中探針與測(cè)試點(diǎn)接觸良好的測(cè)試示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中探針與測(cè)試點(diǎn)整體錯(cuò)位的測(cè)試示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中探針與測(cè)試點(diǎn)整體偏斜的測(cè)試示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中探針與測(cè)試點(diǎn)接觸良好的測(cè)試示意圖；

圖6為圖4中探針與測(cè)試點(diǎn)整體錯(cuò)位的測(cè)試示意圖；

圖7為圖4中探針與測(cè)試點(diǎn)整體偏斜的測(cè)試示意圖；

附圖標(biāo)記中：

1－測(cè)試點(diǎn)；2－探針；3－電容。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明陣列基板和陣列基板的測(cè)試方法、顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思在于，在保持陣列基板原測(cè)試點(diǎn)結(jié)構(gòu)、原測(cè)試功能的基礎(chǔ)上，從改善陣列基板的測(cè)試點(diǎn)與探針接觸的角度出發(fā)，提出了一種便于識(shí)別脫針或漏針(Pin Miss)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。其利用陣列基板上的其中兩個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)，在其中間增加一個(gè)電容，在設(shè)備探針壓在測(cè)試點(diǎn)上時(shí)，對(duì)其中一個(gè)直流測(cè)試輸入激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)測(cè)試另一個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)上的反饋電壓確認(rèn)探針是否發(fā)生了脫針或漏針，從而提高設(shè)備自身識(shí)別脫針或漏針的可能性，保證測(cè)試的有效性、可靠性和準(zhǔn)確率。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板能有效避免測(cè)試過(guò)程中由于用于信號(hào)輸入的探針脫針或漏針造成設(shè)備誤檢的情況，方便、準(zhǔn)確的識(shí)別脫針或漏針。

該陣列基板包括至少兩個(gè)間隔設(shè)置的測(cè)試點(diǎn)，其中兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)之間連接設(shè)置有接觸感應(yīng)器件，接觸感應(yīng)器件能在該兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)的任一個(gè)外加激勵(lì)信號(hào)的作用下發(fā)生感應(yīng)，并在另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)上產(chǎn)生反饋信號(hào)，以便于根據(jù)另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)判定探針是否與測(cè)試點(diǎn)有效接觸，方便、準(zhǔn)確的識(shí)別脫針或漏針。

如圖4所示，該陣列基板中，接觸感應(yīng)器件為電容3，電容的第一極板與第一測(cè)試點(diǎn)(即圖4中L1測(cè)試點(diǎn))連接，電容的第二極板與第二測(cè)試點(diǎn)(即圖4中R1測(cè)試點(diǎn))連接。通常情況下，多個(gè)測(cè)試點(diǎn)1設(shè)置在陣列基板的非顯示區(qū)，為多條平行設(shè)置的金屬條，一般接受直流測(cè)試信號(hào)，在其中兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)1之間增加一個(gè)電容，在設(shè)備探針2壓在測(cè)試點(diǎn)1上時(shí)，對(duì)其中一個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)輸入信號(hào)，通過(guò)測(cè)試另一個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)1上的電壓確認(rèn)探針2是否發(fā)生了脫針或漏針。

此時(shí)陣列基板中的測(cè)試點(diǎn)相對(duì)目前陣列基板中已有的測(cè)試點(diǎn)并不需要單獨(dú)再增加新的測(cè)試點(diǎn)，由于目前所有的陣列基板側(cè)測(cè)試信號(hào)本來(lái)就是直流信號(hào)，因此采用其中的兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)即可，兩個(gè)探針2同時(shí)工作，一個(gè)用于輸入接觸用測(cè)試信號(hào)，另一個(gè)用于接受由測(cè)試信號(hào)感應(yīng)的反饋信號(hào)，如果用于接受反饋信號(hào)的探針2接受到了反饋信號(hào)，則說(shuō)明探針2和測(cè)試點(diǎn)1接觸良好，無(wú)錯(cuò)位也無(wú)偏斜。

多個(gè)測(cè)試點(diǎn)與陣列基板中的待測(cè)端連接，這些測(cè)試點(diǎn)可以為來(lái)自某設(shè)定區(qū)域的柵極、源極、漏極或其他待確定狀態(tài)的引出端，并在陣列基板的表層形成導(dǎo)電圖形，以與探針電接觸。優(yōu)選的是，第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)為多個(gè)測(cè)試點(diǎn)中分別位于相對(duì)兩邊沿的、直線距離最大的兩個(gè)的測(cè)試點(diǎn)。這里，將設(shè)置電容3的測(cè)試點(diǎn)1的優(yōu)選為最邊沿的測(cè)試點(diǎn)，例如圖4所示的位于最左側(cè)的測(cè)試點(diǎn)L1和最右側(cè)的測(cè)試點(diǎn)R1與電容3的兩個(gè)極板連接，使得測(cè)試范圍跨越幅度能遍布整個(gè)測(cè)試點(diǎn)的分布區(qū)域，有利于對(duì)探針2的整體做檢測(cè)。但是，這并不意味著不能將設(shè)置電容的測(cè)試點(diǎn)1選為除最邊沿之外的其他測(cè)試點(diǎn)。只是將設(shè)置電容的測(cè)試點(diǎn)1選為除最邊沿之外的其他測(cè)試點(diǎn)時(shí)，因與電容連接的兩測(cè)試點(diǎn)之間的跨越幅度不能遍布整個(gè)測(cè)試點(diǎn)的分布區(qū)域，在探針2與測(cè)試點(diǎn)1某些接觸不良(例如微量的偏斜)的情況下可能無(wú)法有效檢出，因此可能存在影響后續(xù)測(cè)試的隱患。

相比現(xiàn)有技術(shù)，該陣列基板雖然設(shè)置了電容3作為探針2接觸測(cè)試，并不會(huì)影響陣列基板的性能，而且也不會(huì)增加陣列基板制程的步驟。優(yōu)選的是，電容3的第一極板和第二極板異層設(shè)置。通常情況下，陣列基板中包括用于形成薄膜晶體管的多個(gè)導(dǎo)電層，因此電容3的第一極板和第二極板與多個(gè)導(dǎo)電層中的任兩層分別同層設(shè)置，該任兩層導(dǎo)電層中間隔有至少一層絕緣層。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，電容3的第一極板和第二極板與其同層的導(dǎo)電層的圖形在同一構(gòu)圖工藝中形成。即，新增加的電容3在陣列基板制程過(guò)程中完成，陣列基板制程過(guò)程中至少有3-4層的導(dǎo)電層，可以任意選擇兩層導(dǎo)電層和中間的絕緣層一起完成圖形而形成電容。這意味著，當(dāng)在形成電容3的某一極板時(shí)，只需改變采用該層金屬材料形成結(jié)構(gòu)圖形的掩模板的圖案即可，而無(wú)須增加額外的工藝步驟。

通常情況下，陣列基板中每一像素區(qū)均包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其中薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層和源極、漏極(源極、漏極經(jīng)常同層設(shè)置)，根據(jù)有源層與柵極的相對(duì)位置，薄膜晶體管可以分為頂柵型或底柵型。但是，不管是頂柵型還是底柵型薄膜晶體管，陣列基板中在垂直剖切方向上依次分布著柵極、源極/漏極和像素電極這三個(gè)導(dǎo)電層；甚至，當(dāng)有源層采用重?fù)诫s的多晶硅材料形成時(shí)，有源層也可以作為一層導(dǎo)電層。此時(shí)，本實(shí)施例中電容的兩個(gè)極板所在的層可以分別為這四層導(dǎo)電層中的某兩層，但不可為同一層。而且，電容的極板尺寸范圍在20μm*20μm～50μm*50μm之間即可，電容中兩個(gè)極板之間的距離取決于陣列基板中各膜層的厚度設(shè)計(jì)，對(duì)具體的極板之間的距離并不做限定。

本實(shí)施例的陣列基板在兩個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)1之間增加電容3，采用了該陣列基板形成的顯示基板，均便于設(shè)備自動(dòng)檢測(cè)探針的脫針或漏針，這種結(jié)構(gòu)適用于所有需要通過(guò)探針接觸面板并向測(cè)試信號(hào)端輸入信號(hào)的設(shè)備，包括陣列廠、模組廠和成盒段的所有檢測(cè)設(shè)備和老化設(shè)備，且不限于檢測(cè)設(shè)備和老化設(shè)備。

目前的陣列基板中，測(cè)試點(diǎn)通常只是用來(lái)向其輸入測(cè)試信號(hào)，無(wú)法檢測(cè)探針是否與測(cè)試點(diǎn)有效接觸；而本實(shí)施例中的陣列基板，其中的兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)之間由于具有接觸感應(yīng)器件，不僅不會(huì)影響輸入測(cè)試信號(hào)，還增加了使得設(shè)備可以自動(dòng)識(shí)別探針與測(cè)試點(diǎn)是否良好接觸的糾錯(cuò)功能，能有效提高測(cè)試設(shè)備測(cè)試的準(zhǔn)確性，或老化設(shè)備信號(hào)輸入的準(zhǔn)確性。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種實(shí)施例1中的陣列基板的測(cè)試方法，其能在正式輸入測(cè)試信號(hào)之前，準(zhǔn)確地檢測(cè)出測(cè)試設(shè)備或老化設(shè)備的探針是否與陣列基板的測(cè)試點(diǎn)是否有效接觸，方便、準(zhǔn)確的識(shí)別脫針或漏針，保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和有效性。

參考圖4—圖7，該陣列基板的測(cè)試方法包括通過(guò)探針2向測(cè)試點(diǎn)1輸入測(cè)試信號(hào)的步驟，在通過(guò)探針2向測(cè)試點(diǎn)1輸入測(cè)試信號(hào)之前，還包括：

通過(guò)探針2向第一測(cè)試點(diǎn)輸入激勵(lì)信號(hào)；

測(cè)試第二測(cè)試點(diǎn)上是否產(chǎn)生反饋信號(hào)；

根據(jù)反饋信號(hào)判定測(cè)試點(diǎn)1是否與探針2有效接觸；

目前的測(cè)試設(shè)備和老化設(shè)備中，向測(cè)試點(diǎn)1輸入測(cè)試信號(hào)的探針2形成探針組，該陣列基板的測(cè)試方法向第一測(cè)試點(diǎn)輸入激勵(lì)信號(hào)以及向第二測(cè)試點(diǎn)獲取反饋信號(hào)的探針為探針組中的其中兩根探針。這里，探針2通常用于從設(shè)備向陣列基板引入信號(hào)，測(cè)試點(diǎn)1是陣列基板上的信號(hào)輸入端子，位于陣列基板非顯示區(qū)的信號(hào)驅(qū)動(dòng)IC端。

其中，第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)之間設(shè)置有接觸感應(yīng)器件，反饋信號(hào)由接觸感應(yīng)器件受激勵(lì)信號(hào)感應(yīng)產(chǎn)生。

其中采用的接觸感應(yīng)器件為電容3，激勵(lì)信號(hào)為直流電壓信號(hào)。此時(shí)利用陣列基板上的兩個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)，在其中間增加一個(gè)電容，在設(shè)備的探針2壓在測(cè)試點(diǎn)1上時(shí)，對(duì)其中一個(gè)直流測(cè)試輸入信號(hào)，通過(guò)測(cè)試另一個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)上的電壓，即可方便、準(zhǔn)確的識(shí)別整體探針脫針或漏針。對(duì)于電容3，對(duì)其中的一個(gè)電容極板接入電壓，如果另一個(gè)極板無(wú)信號(hào)輸入，則會(huì)產(chǎn)生相同的電壓，因此只需測(cè)試與另一個(gè)極板連接的測(cè)試點(diǎn)1反饋的電壓，即可知道探針2是否與測(cè)試點(diǎn)1接觸良好。

在正式測(cè)試之前，從激勵(lì)信號(hào)到反饋信號(hào)之間的過(guò)程，所需時(shí)間理論上＜0.1s，基本可以忽略，并不會(huì)影響設(shè)備的正常使用。

判定結(jié)果界定包括，根據(jù)第二測(cè)試點(diǎn)是否產(chǎn)生反饋信號(hào)，判定探針2是否與測(cè)試點(diǎn)1有效接觸包括：

若第二測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)的大小與激勵(lì)信號(hào)之差在第一誤差范圍內(nèi)，則判定探針2與測(cè)試點(diǎn)1接觸良好；

若第二測(cè)試點(diǎn)的反饋信號(hào)為與零之差在第二誤差范圍內(nèi)，則判定探針2與測(cè)試點(diǎn)1接觸不良。這里，第一誤差范圍和第二誤差范圍的具體數(shù)據(jù)需要在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中進(jìn)一步調(diào)試以選擇最佳值，并不限制此處數(shù)據(jù)范圍。

以測(cè)試DR、DB、DG(紅黃藍(lán)三原色的數(shù)據(jù)Data信號(hào))，SW_U(控制數(shù)據(jù)Data信號(hào)從IC遠(yuǎn)端輸入的開(kāi)關(guān)Switch信號(hào))、SW_D(控制數(shù)據(jù)Data信號(hào)從IC近端輸入的開(kāi)關(guān)Switch信號(hào))，GCK、BCK(為柵極驅(qū)動(dòng)單元GOA的輸入端的時(shí)鐘信號(hào))為例，各種探測(cè)示意如圖5-圖7所示。

在實(shí)際應(yīng)用中，如果兩個(gè)探針2都沒(méi)有接觸到測(cè)試點(diǎn)1上，那么激勵(lì)信號(hào)輸入不進(jìn)去第一測(cè)試點(diǎn)，第二測(cè)試點(diǎn)也接收不到反饋信號(hào)，所以探針沒(méi)有反饋信號(hào)；如果輸入激勵(lì)信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)1與探針2接觸良好，但接受反饋信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)1與探針2沒(méi)接觸好，即便第一測(cè)試點(diǎn)有激勵(lì)信號(hào)輸入，但反饋信號(hào)無(wú)法通過(guò)第二測(cè)試點(diǎn)和探針傳入測(cè)試設(shè)備，也相當(dāng)于沒(méi)有反饋信號(hào)；如果輸入激勵(lì)信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)1與探針2沒(méi)接觸好，接受反饋信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)1與探針2接觸良好，但由于第一測(cè)試點(diǎn)沒(méi)有輸入激勵(lì)信號(hào)，所以第二測(cè)試點(diǎn)也不會(huì)有反饋信號(hào)，沒(méi)有反饋信號(hào)的情況下探針測(cè)試電壓趨近于0V?？梢?jiàn)，不論探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸情況如何，通過(guò)反饋信號(hào)的大小即可判定測(cè)試點(diǎn)1與探針2是否發(fā)生整體錯(cuò)位或偏斜。具體情況示例如下：

當(dāng)正常點(diǎn)燈時(shí)：如圖5所示，探針2正好壓在陣列基板的測(cè)試點(diǎn)1上，在設(shè)備正常輸入測(cè)試信號(hào)之前，先從L1測(cè)試點(diǎn)(L為left的首字母，為左側(cè)最邊沿的一個(gè)測(cè)試點(diǎn))首先輸入一個(gè)激勵(lì)信號(hào)，此時(shí)，由于L1測(cè)試點(diǎn)和R1測(cè)試點(diǎn)(R為right的首字母，為右側(cè)最邊沿的一個(gè)測(cè)試點(diǎn))之間存在一個(gè)電容，根據(jù)電容跳變的理論，R1測(cè)試點(diǎn)上電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化，通過(guò)R1探針壓在R1測(cè)試點(diǎn)上檢測(cè)電勢(shì)的變化，可以確定探針2與測(cè)試點(diǎn)1接觸良好。

當(dāng)發(fā)生整體錯(cuò)位的情況時(shí)：如圖6所示，L1探針無(wú)法正確的壓在L1測(cè)試點(diǎn)上，此時(shí)L1測(cè)試點(diǎn)首先輸入的激勵(lì)信號(hào)并不能進(jìn)入L1測(cè)試點(diǎn)內(nèi)，更不可能通過(guò)電容跳變引起R1測(cè)試點(diǎn)的電勢(shì)變化，此時(shí)可以判斷為探針2發(fā)生了脫針或漏針。

同樣的道理，當(dāng)發(fā)生整體偏斜的情況時(shí)：如圖7所示，此時(shí)L1探針可以將首先輸入的激勵(lì)信號(hào)輸入到L1測(cè)試點(diǎn)，此時(shí)由于電容跳變，R1測(cè)試點(diǎn)的電勢(shì)也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，但由于R1探針此時(shí)已經(jīng)偏離，無(wú)法與R1測(cè)試點(diǎn)接觸，所以無(wú)法將R1測(cè)試點(diǎn)的電勢(shì)變化反饋到R1探針，此時(shí)可以判斷為探針2發(fā)生了脫針或漏針。

本實(shí)施例的陣列基板的測(cè)試方法，通過(guò)在兩個(gè)直流測(cè)試點(diǎn)1之間增加的電容3上施加激勵(lì)信號(hào)，使得采用了該陣列基板形成的顯示基板便于設(shè)備自動(dòng)檢測(cè)脫針或漏針，這種結(jié)構(gòu)和測(cè)試方法適用于所有需要通過(guò)探針接觸面板并向測(cè)試信號(hào)端輸入信號(hào)的設(shè)備，包括陣列廠、模組廠和成盒段的所有檢測(cè)設(shè)備和老化設(shè)備，且不限于檢測(cè)設(shè)備和老化設(shè)備。

本實(shí)施例中的陣列基板的測(cè)試方法，不僅不會(huì)影響輸入測(cè)試信號(hào)，還以簡(jiǎn)單、可靠、準(zhǔn)確率高的方式確定探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸狀況，增加了使得設(shè)備可以自動(dòng)識(shí)別探針與測(cè)試點(diǎn)是否良好接觸的糾錯(cuò)功能，能有效提高測(cè)試設(shè)備測(cè)試的準(zhǔn)確性，或老化設(shè)備信號(hào)輸入的準(zhǔn)確性。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括實(shí)施例1的陣列基板，并采用實(shí)施例2的陣列基板的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試。

該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

該顯示裝置硬件品質(zhì)高，能保證較好的顯示效果。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。