本發(fā)明涉及一種平面光波導(dǎo)集成的偏振調(diào)控器件，尤其是涉及了一種偏振分束-合束器，適用于片上光通信、光傳感系統(tǒng)中需要偏振分束、偏振合束和偏振濾波的場合。

背景技術(shù)：

平面集成光波導(dǎo)器件技術(shù)日趨成熟，隨著各類集成器件性能的完善、尺寸的減小，單片集成器件數(shù)飛速增長，集成系統(tǒng)的復(fù)雜度迅速提高，集成系統(tǒng)中的偏振控制問題已經(jīng)不容忽視。由于小尺寸、高集成度的器件往往采用對光有較強(qiáng)限制能力的高折射率差波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，此類波導(dǎo)結(jié)構(gòu)有很大的雙折射特性，因此基于此類波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的器件有很強(qiáng)偏振相關(guān)性。絕大部分集成器件設(shè)計(jì)為特定的偏振工作，為避免對器件性能的影響，在光進(jìn)入器件前需要對不同偏振進(jìn)行分離，或者將工作偏振以外的其它偏振光濾除。與此同時(shí)，平面集成光波導(dǎo)利用其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)能夠極好的保持其中傳輸光的偏振特性，不同偏振的光之間沒有相互作用和串?dāng)_。在集成光通信系統(tǒng)中，通過在不同偏振的光上加載不同的信號，并在傳輸鏈路的首末端分別加入偏振合束、偏振分束器件，即可在不增加鏈路數(shù)量和器件復(fù)雜度的情況下，以極低的成本實(shí)現(xiàn)通信容量的翻倍。在集成光傳感系統(tǒng)中，利用不同偏振對于傳感變量的靈敏度不同，同時(shí)實(shí)現(xiàn)多個(gè)變量的監(jiān)測。在相干接收系統(tǒng)中，控制信號光與本振光擁有相同或相近的偏振對于提高探測靈敏度也十分重要。

在器件的性能要求方面，偏振分束-合束器，一般級聯(lián)在功能性集成器件之前，用于分離傳輸鏈路中不同偏振態(tài)的光，或者濾除其他干擾偏振的光；也可以放置在傳輸鏈路前，用于將復(fù)用的不同偏振光合束；因此集成系統(tǒng)對偏振分束-合束器性能有非常高的要求。一方面，要求器件擁有盡量大的帶寬，在大量器件集成的系統(tǒng)中，偏振分束-合束器不可以成為限制整個(gè)系統(tǒng)帶寬的瓶頸；另一方面，要求偏振分束-合束器有盡量大的消光比，在高速通信系統(tǒng)中盡量減小串?dāng)_，也為后續(xù)器件的設(shè)計(jì)留有一定的余量。

目前在硅基平面光波導(dǎo)上的偏振分束-合束器，主要有兩種實(shí)現(xiàn)途徑。第一，采用具有雙折射特性的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，利用不同偏振的光對波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中某一項(xiàng)參數(shù)(如寬度、高度、彎曲半徑等)變化的敏感程度不同，選擇參數(shù)相差較大的兩根波導(dǎo)，使得其中較為敏感的偏振有較大的相位失配，而較不敏感的偏振相位匹配，從而實(shí)現(xiàn)不同偏振光的分離，其存在的問題是，器件的尺寸較大，工作帶寬較小，對工藝的容差較??；第二，利用不同材料的雙折射特性，通過將平面硅波導(dǎo)與其他材料結(jié)合，對不同偏振的光產(chǎn)生更強(qiáng)的雙折射，用更小尺寸的器件實(shí)現(xiàn)不同偏振的分離，其存在的問題是，器件消光比性能較低，由于其他材料的引入，增加了工藝的復(fù)雜度，也會引入較大的損耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對背景技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供了一種偏振分束-合束器，基于硅基平面光波導(dǎo)非對稱彎曲波導(dǎo)方向耦合器制成，具有低串?dāng)_大容差高性能的優(yōu)勢，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

本發(fā)明包括輸入波導(dǎo)、第一彎曲耦合波導(dǎo)、第二彎曲耦合波導(dǎo)、第一連接波導(dǎo)、第二連接波導(dǎo)、S型波導(dǎo)、第三彎曲耦合波導(dǎo)、第四彎曲耦合波導(dǎo)、第一輸出波導(dǎo)和第二輸出波導(dǎo)；輸入波導(dǎo)依次經(jīng)第一彎曲耦合波導(dǎo)、第一連接波導(dǎo)、S型波導(dǎo)后與第一輸出波導(dǎo)相連接，第二彎曲耦合波導(dǎo)經(jīng)第二連接波導(dǎo)和第三彎曲耦合波導(dǎo)相連接，第四彎曲耦合波導(dǎo)與第二輸出波導(dǎo)相連接；第一彎曲耦合波導(dǎo)與第二彎曲耦合波導(dǎo)相耦合，第三彎曲耦合波導(dǎo)與第四彎曲耦合波導(dǎo)相耦合。

所述的第一彎曲耦合波導(dǎo)與第二彎曲耦合波導(dǎo)緊鄰平行排列，從而形成耦合；第三彎曲耦合波導(dǎo)與第四彎曲耦合波導(dǎo)緊鄰平行排列，從而形成耦合。

所述的第一彎曲耦合波導(dǎo)、第二彎曲耦合波導(dǎo)的彎曲半徑和寬度均滿足第一彎曲耦合波導(dǎo)TE偏振基模與第二彎曲耦合波導(dǎo)TE偏振基模的相位失配條件，并且所述的第一彎曲耦合波導(dǎo)、第二彎曲耦合波導(dǎo)的彎曲半徑和寬度均滿足第一彎曲耦合波導(dǎo)TM偏振基模與第二彎曲耦合波導(dǎo)TM偏振基模的相位匹配條件，并且所述的第一彎曲耦合波導(dǎo)的長度和第二彎曲耦合波導(dǎo)的長度相匹配使得將第一彎曲耦合波導(dǎo)中TM偏振基模能量完全耦合到第二彎曲耦合波導(dǎo)中TM偏振基模。

所述的第三彎曲耦合波導(dǎo)、第四彎曲耦合波導(dǎo)的彎曲半徑和寬度均滿足第三彎曲耦合波導(dǎo)TE偏振基模與第四彎曲耦合波導(dǎo)TE偏振基模的相位失配條件，并且所述的第三彎曲耦合波導(dǎo)、第四彎曲耦合波導(dǎo)的彎曲半徑和寬度均滿足第三彎曲耦合波導(dǎo)TM偏振基模與第四彎曲耦合波導(dǎo)TM偏振基模的相位匹配條件，并且所述的第三彎曲耦合波導(dǎo)的長度和第四彎曲耦合波導(dǎo)的長度相匹配使得將第三彎曲耦合波導(dǎo)中TM偏振基模能量完全耦合到第四彎曲耦合波導(dǎo)TM偏振基模。

所述的輸入波導(dǎo)、第一彎曲耦合波導(dǎo)、第二彎曲耦合波導(dǎo)、第一連接波導(dǎo)、第二連接波導(dǎo)、S型波導(dǎo)、第三彎曲耦合波導(dǎo)、第四彎曲耦合波導(dǎo)、第一輸出波導(dǎo)、第二輸出波導(dǎo)均是具有對稱截面或者非對稱截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

所述的具有對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其橫截面上下對稱，即波導(dǎo)中覆蓋于芯層之上的上包層與位于芯層之下的下包層的折射率相等。

所述的具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其橫截面上下不對稱，即波導(dǎo)中覆蓋于芯層之上的上包層與位于芯層之下的下包層的折射率、厚度和寬度中至少有一個(gè)不相同。

所述的具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)芯層為脊型，其脊兩側(cè)被部分刻蝕或全部刻蝕，其脊兩側(cè)刻蝕深度相等或不同。

所述的具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)橫截面左右不對稱，即左側(cè)包層與右側(cè)包層折射率不相等、或是寬度不相等、或是兩者均不相等。

所述的具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)芯層為雙脊或多層脊的結(jié)構(gòu)，具有兩層或兩層以上的不同高度的脊。

本發(fā)明具有的有益效果是：

本發(fā)明能獲得具有更小尺寸(長度15μm)的器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)簡易、工藝簡便等優(yōu)點(diǎn)，與現(xiàn)有的CMOS工藝完全兼容，在性能方面，具有高消光比(>32dB)、大帶寬(大于25dB消光比帶寬32nm，大于20dB消光比帶寬55nm)、大容差(-20nm～50nm)、低損耗(<0.9dB)等優(yōu)異性能。

本發(fā)明在小尺寸的情況不僅沒有降低器件性能，反而提高了器件性能，在未來片上光通信、光傳感中的偏振調(diào)控方面有著重要的應(yīng)用。

附圖說明

圖1是本發(fā)明偏振分束-合束器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明偏振分束-合束器的尺寸示意圖。

圖3是本發(fā)明第一種具有對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖4是本發(fā)明第一種具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖5是本發(fā)明第二種具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖6是本發(fā)明第三種具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖7是本發(fā)明第四種具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖8是本發(fā)明第五種具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)示意圖。

圖9是本發(fā)明輸入橫電TE基模時(shí)的光場傳輸圖。

圖10是本發(fā)明輸入橫磁TM基模時(shí)的光場傳輸圖。

圖11是本發(fā)明仿真得到輸入橫電TE/橫磁TM基模時(shí)的各輸出端口的頻譜響應(yīng)。

圖12是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)測得輸入橫電TE/橫電TM基模時(shí)的各輸出端口的頻譜響應(yīng)。

圖13是本發(fā)明波導(dǎo)寬度與最佳寬度偏差-20nm時(shí)實(shí)驗(yàn)測得輸入橫電TE/橫電TM基模時(shí)的各輸出端口的頻譜響應(yīng)。

圖14是本發(fā)明波導(dǎo)寬度與最佳寬度偏差20nm時(shí)實(shí)驗(yàn)測得輸入橫電TE/橫電TM基模時(shí)的各輸出端口的頻譜響應(yīng)。

圖15是本發(fā)明波導(dǎo)寬度與最佳寬度偏差50nm時(shí)實(shí)驗(yàn)測得輸入橫電TE/橫電TM基模時(shí)的各輸出端口的頻譜響應(yīng)。

圖中：1、輸入波導(dǎo)，2a、第一彎曲耦合波導(dǎo)、2b、第二彎曲耦合波導(dǎo)，3a、第一連接波導(dǎo)，3b、第二連接波導(dǎo)，4a、S型波導(dǎo)，4b、第三彎曲耦合波導(dǎo)，4c、第四彎曲耦合波導(dǎo)，5a、第一輸出波導(dǎo)，5c、第二輸出波導(dǎo)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，包含輸入波導(dǎo)1、第一彎曲耦合波導(dǎo)2a、第二彎曲耦合波導(dǎo)2b、第一連接波導(dǎo)3a、第二連接波導(dǎo)3b、S型波導(dǎo)4a、第三彎曲耦合波導(dǎo)4b、第四彎曲耦合波導(dǎo)4c、第一輸出波導(dǎo)5a、第二輸出波導(dǎo)5c；輸入波導(dǎo)1依次與第一彎曲耦合波導(dǎo)2a、第一連接波導(dǎo)3a、S型波導(dǎo)4a、第一輸出波導(dǎo)5a相連接；第二彎曲耦合波導(dǎo)2b依次與第二連接波導(dǎo)3b、第三彎曲耦合波導(dǎo)4b相連接；第四彎曲耦合波導(dǎo)4c與第二輸出波導(dǎo)5c相連接；第一彎曲耦合波導(dǎo)2a與第二彎曲耦合波導(dǎo)2b為同心圓弧，緊鄰平行排列；第三彎曲耦合波導(dǎo)4b與第四彎曲耦合波導(dǎo)4c為同心圓弧，緊鄰平行排列。

如圖1所示，第一彎曲耦合波導(dǎo)2a和第二彎曲耦合波導(dǎo)2b的彎曲半徑和寬度滿足第一彎曲耦合波導(dǎo)2a的TM偏振基模與第二彎曲耦合波導(dǎo)2b的TM偏振基模的相位匹配條件；第一彎曲耦合波導(dǎo)2a和第二彎曲耦合波導(dǎo)2b的長度滿足將第一彎曲耦合波導(dǎo)2a中TM偏振基模能量完全耦合到第二彎曲耦合波導(dǎo)2b中TM偏振基模。因此，當(dāng)輸入波導(dǎo)1中的TM偏振基模從第一彎曲耦合波導(dǎo)2a左側(cè)輸入，經(jīng)過由第一彎曲耦合波導(dǎo)2a和第二彎曲耦合波導(dǎo)2b組成的耦合區(qū)域，其能量會耦合至第二彎曲耦合波導(dǎo)2b中的TM偏振基模，并從第二彎曲耦合波導(dǎo)2b右側(cè)進(jìn)入第二連接波導(dǎo)3b。同時(shí)，由于第一彎曲耦合波導(dǎo)2a中的TE偏振基模和第二彎曲耦合波導(dǎo)2b中的TE偏振基模相位失配，因此當(dāng)輸入波導(dǎo)1中的TE偏振基模從第一彎曲耦合波導(dǎo)2a左側(cè)輸入，其主要能量不發(fā)生耦合，直接從第一彎曲耦合波導(dǎo)2a右側(cè)輸出進(jìn)入第一連接波導(dǎo)3a，并經(jīng)過S型波導(dǎo)4a，最終從第一輸出波導(dǎo)5a輸出。

如圖1所示，第三彎曲耦合波導(dǎo)4b和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的彎曲半徑和寬度滿足第三彎曲耦合波導(dǎo)4b的TM偏振基模與第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的TE偏振基模的相位匹配條件；第三彎曲耦合波導(dǎo)4b和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的長度滿足將第三彎曲耦合波導(dǎo)4b中TM偏振基模能量完全耦合到第四彎曲耦合波導(dǎo)4c中TM偏振基模。因此當(dāng)?shù)诙B接波導(dǎo)3b中的TM偏振基模從第三彎曲耦合波導(dǎo)4b左側(cè)輸入，經(jīng)過由第三彎曲耦合波導(dǎo)4b和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c組成的耦合區(qū)域，其能量會耦合至第四彎曲耦合波導(dǎo)4c中的TM偏振基模，并從第四彎曲耦合波導(dǎo)4c右側(cè)進(jìn)入第二輸出波導(dǎo)5c。同時(shí)，由于第三彎曲耦合波導(dǎo)4b中的TE偏振基模和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c中的偏振基模相位失配，因此當(dāng)?shù)诙B接波導(dǎo)3b中的少量TE偏振基模能量從第三彎曲耦合波導(dǎo)4b左側(cè)輸入時(shí)，其主要能量不發(fā)生耦合，從第三彎曲耦合波導(dǎo)4b右側(cè)輸出進(jìn)入自由空間。

具體實(shí)施中，本發(fā)明的各條波導(dǎo)可以是具有對稱截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)或者是非對稱截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

具有對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其橫截面上下對稱，即波導(dǎo)中覆蓋于芯層101之上的上包層100與位于芯層101之下的下包層100的折射率相等，如圖3所示。

具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其橫截面上下不對稱，即波導(dǎo)中覆蓋于芯層101之上的上包層100與位于芯層101之下的下包層102的折射率、厚度和寬度中至少有一個(gè)不相同。如圖4所示，上包層100與下包層100的折射率不相等。

具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)芯層101為脊型，其脊兩側(cè)被部分刻蝕或全部刻蝕，如圖5-圖8所示，其脊兩側(cè)刻蝕深度相等或不同。

具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)橫截面左右不對稱，即左側(cè)包層與右側(cè)包層折射率不相等、或是寬度不相等、或是兩者均不相等。

具有非對稱橫截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光波導(dǎo)芯層為雙脊或多層脊的結(jié)構(gòu)，具有兩層或兩層以上的不同高度的脊。

本發(fā)明的具體實(shí)施工作過程為：

1)當(dāng)工作在偏振分束狀態(tài)時(shí)，以器件的工作中心波長為中心，超寬帶波長范圍的光從輸入波導(dǎo)1左側(cè)輸入，輸入波導(dǎo)1左側(cè)作為輸入端口，第一輸出波導(dǎo)5a和第二輸出波導(dǎo)5c作為輸出端口。

1.a)當(dāng)輸入的模式為TE偏振基模時(shí)，經(jīng)過第一彎曲耦合波導(dǎo)2a，主要能量從第一彎曲耦合波導(dǎo)2a右側(cè)輸出，依次經(jīng)過第一連接波導(dǎo)3a、S型波導(dǎo)4a，最終進(jìn)入第一輸出波導(dǎo)5a；極少量能量從第一彎曲耦合波導(dǎo)2a經(jīng)倏逝場耦合進(jìn)入第二彎曲耦合波導(dǎo)2b，從第二彎曲耦合波導(dǎo)2b右側(cè)依次經(jīng)過第二連接波導(dǎo)3b和第三彎曲耦合波導(dǎo)4b，從第三彎曲耦合波導(dǎo)4b末端進(jìn)入自由空間。第三彎曲耦合波導(dǎo)4b末端極少量能量中的極少部分(可忽略不計(jì))由第三彎曲耦合波導(dǎo)4b進(jìn)入第四彎曲耦合波導(dǎo)4c，從第二輸出波導(dǎo)5c端口輸出。

1.b)當(dāng)輸入模式為TM偏振基模時(shí)，經(jīng)過由第一彎曲耦合波導(dǎo)2a和第二彎曲耦合波導(dǎo)2b組成的耦合區(qū)域，其能量耦合到第二彎曲耦合波導(dǎo)2b的TM偏振基模，并從第二彎曲耦合波導(dǎo)2b右側(cè)經(jīng)過第二連接波導(dǎo)3b進(jìn)入由第三彎曲耦合波導(dǎo)4b和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c組成的耦合區(qū)域，其主要能量耦合到第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的TM偏振基模，并從第四彎曲耦合波導(dǎo)4c右側(cè)進(jìn)入第二輸出波導(dǎo)5c。

1.c)當(dāng)輸入模式為TM偏振基模和TE偏振基模時(shí)，由上述TM偏振基模和TE偏振基模各自的傳輸過程可知，從輸入波導(dǎo)1左側(cè)輸入后，TE偏振基模從第一輸出波導(dǎo)5a輸出，TM偏振基模從第二輸出波導(dǎo)5c作輸出。

2)當(dāng)工作在偏振合束狀態(tài)時(shí)，以器件的工作中心波長為中心，超寬帶波長范圍的TE偏振和TM偏振光分別從第一輸出波導(dǎo)5a和第二輸出波導(dǎo)5c輸入，輸入波導(dǎo)1左側(cè)作為輸出端口，第一輸出波導(dǎo)5a和第二輸出波導(dǎo)5c作為輸入端口。由工作在偏振分束狀態(tài)的描述再根據(jù)器件的互易性原理可知，TE偏振和TM偏振的光將分別從第一輸出波導(dǎo)5a和第二輸出波導(dǎo)5c輸入，均從輸入波導(dǎo)1輸出。

下面給出一種偏振分束-合束器的具體實(shí)施例：

在此，選用基于硅絕緣體(SOI)材料的硅納米線光波導(dǎo):其芯層(101)是硅材料，厚度為220nm、在1550nm波長折射率為3.4744；其下包層(102)材料是二氧化硅，厚度為2μm、在1550nm波長折射率為1.4404；上包層(100)材料是空氣，折射率為1。

對于如圖2所示的偏振分束-合束器尺寸圖，其相關(guān)參數(shù)為：輸入波導(dǎo)1、第一彎曲耦合波導(dǎo)2a、第一連接波導(dǎo)3a、S型波導(dǎo)4a、第一輸出波導(dǎo)5a、第四彎曲耦合波導(dǎo)4c、第二輸出波導(dǎo)5c寬度相等，寬度W₁＝0.430μm；第二彎曲耦合波導(dǎo)2b、第二連接波導(dǎo)3b、第三彎曲耦合波導(dǎo)4b寬度相等，寬度W₂＝0.504μm；第一彎曲耦合波導(dǎo)2a與第二彎曲耦合波導(dǎo)2b之間的間隔和第三彎曲耦合波導(dǎo)4b與第四彎曲耦合波導(dǎo)4c之間的間隔相等，間隔W_g＝0.233μm；第一彎曲耦合波導(dǎo)2a和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的彎曲半徑相等，彎曲半徑R₁＝20μm；第二彎曲耦合波導(dǎo)2b和第三彎曲耦合波導(dǎo)4b的彎曲半徑相等，彎曲半徑R₂＝19.3μm；第一彎曲耦合波導(dǎo)2a、第二彎曲耦合波導(dǎo)2b和第一連接波導(dǎo)3a圓弧角度相等，圓弧角度θ₁＝16.8°；第一連接波導(dǎo)3a彎曲半徑R₃＝4μm；S型波導(dǎo)4a橫向位移l_x＝6μm、縱向位移l_y＝0.67μm；第三彎曲耦合波導(dǎo)4b和第四彎曲耦合波導(dǎo)4c的圓弧角度相等，圓弧角度θ₂＝20.8°；第二輸出波導(dǎo)5c圓弧部分彎曲半徑R₄＝3μm；圓弧角度角度θ₃＝4°。

本發(fā)明的總長度約15μm，相比現(xiàn)有器件總長度20μm以上，減少了尺寸，同時(shí)在性能方面也有很大的提升。

本實(shí)施例基于上述結(jié)構(gòu)尺寸，其對于橫電TE基模輸入的仿真響應(yīng)如圖9所示，對于橫磁TM基模輸入的仿真響應(yīng)如圖10所示。

對于橫電TE基模輸入和橫磁TM基模輸入的仿真頻譜響應(yīng)如圖11所示，對于橫電TE基模輸入和橫磁TM基模輸入的測試頻譜響應(yīng)如圖12所示，圖中可見對于橫電TE基模和橫磁TM基模，峰值消光比均>32dB，在測量的波長范圍內(nèi)，損耗均小于0.9dB，25dB消光比帶寬為32nm，20dB消光比帶寬為55nm。性能均優(yōu)于現(xiàn)有已報(bào)道過的偏振分束器。

當(dāng)波導(dǎo)寬度與設(shè)計(jì)值分別有-20nm、20nm和50nm的偏差時(shí)，對于橫電TE基模和橫磁TM基模輸入的測試頻譜響應(yīng)分別如圖13、圖14、圖15所示，由此可見，當(dāng)波導(dǎo)寬度有-20nm～50nm的偏差時(shí)，該偏振分束-合束器的性能沒有太多下降，仍然有大于20dB的消光比。這樣的工藝容差要求優(yōu)于現(xiàn)有已報(bào)道過的偏振分束器，并且利用現(xiàn)有的CMOS技術(shù)完全能夠?qū)崿F(xiàn)。

由此可見，本發(fā)明利用了波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對于不同偏振的響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了偏振的分束合束，結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)簡易、工藝簡便等優(yōu)點(diǎn)，與現(xiàn)有的CMOS工藝完全兼容，在性能方面，具有高消光比、大帶寬、大容差、低損耗等優(yōu)異性能，在未來片上光集成器件中將會有重要作用。