本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及制作方法。

背景技術(shù)：

隨著薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的不斷發(fā)展，無論從能耗方面或從畫面視覺效果方面考慮，人們對顯示面板的透過率的要求也在不斷地提高。一般影響顯示面板的透過率的因素主要有兩方面，一是材料方面，主要為偏光片材料、液晶材料或彩膜(Red Green Blue，RGB)色阻材料；然而在材料已選定的前提下，只能通過提升像素的開口率的方面改進。通常影響像素開口率的因素為陣列基板上的存儲電容底電極和彩膜基板上的黑矩陣。

傳統(tǒng)的顯示裝置包括：陣列基板以及與陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板；其中，參見圖1a，該陣列基板包括：柵線101、存儲電容底電極102、數(shù)據(jù)線103以及像素電極104。圖1b為顯示裝置沿圖1a中的A-A’的剖開圖。參見圖1b，該陣列基板還包括：第一基板105、與黑矩陣109對應(yīng)的存儲電容底電極102、位于存儲電容底電極上的存儲電容底電極保護層106、位于存儲電容底電極保護層上的絕緣層107、與彩色濾光片108對應(yīng)的像素電極104；且該彩膜基板包括：第二基板110、黑矩陣109以及彩色濾光片108。若為保證在薄膜晶體管關(guān)閉的同時，像素電極104上仍保存有用于顯示上一幀圖像的電壓，則該陣列基板中需存有存儲電容Cst，參見圖1c。為確保顯示裝置中存有存儲電容，通常將存儲電容底電極的寬度H設(shè)計的比較寬，且將彩膜基板上的黑矩陣的寬度I也設(shè)計的較寬，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和柵線交叉形成的像素區(qū)域的開口率較低。

綜上所述，傳統(tǒng)的顯示裝置為保證在薄膜晶體管關(guān)閉的同時，像素電極上仍保存有用于顯示上一幀圖像的電壓，因此將存儲電容底電極設(shè)計的較寬，導(dǎo)致像素區(qū)域的開口率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及制作方法，用以在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極的投影部分重疊，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積，將存儲電容底電極設(shè)計成寬且窄的形狀，相應(yīng)的也減小了黑矩陣的面積，從而在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板、形成在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線和柵線，以及成陣列分布的像素區(qū)域，還包括：形成在所述襯底基板上的存儲電容底電極和像素電極；所述像素電極和存儲電容底電極形成存儲電容；其中，所述存儲電容底電極環(huán)繞所述像素區(qū)域設(shè)置；

所述像素電極和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，和/或所述像素電極和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊，其中，所述第一平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述柵線，所述第二平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述數(shù)據(jù)線。

本發(fā)明實施例中，在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，和/或像素電極和存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊，其中，第一平面垂直于襯底基板所在平面且平行于柵線，第二平面垂直于襯底基板所在平面且平行于數(shù)據(jù)線，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積，將存儲電容底電極設(shè)計成寬且窄的形狀，相應(yīng)的也減小了黑矩陣的面積，實現(xiàn)了在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

較佳地，所述像素電極和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值，或所述像素電極和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值。

本發(fā)明實施例中，通過限定像素電極和存儲電容底電極在第一平面上的投影的重疊面積，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，足夠給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓。

較佳地，所述存儲電容底電極在所述襯底基板所在平面上的投影與所述像素電極在所述襯底基板所在平面上的投影不重疊。

較佳地，所述陣列基板還包括：絕緣層；其中，所述絕緣層在所述像素區(qū)域處設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)；所述像素電極位于所述絕緣層上，且覆蓋所述像素區(qū)域。

本發(fā)明實施例中，通過在絕緣層中像素區(qū)域處設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)，從而在保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容足夠給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓的同時，減少了形成像素電極所用的材料。

較佳地，所述凹槽結(jié)構(gòu)位于所述絕緣層上，且與靠近所述存儲電容底電極的所述像素區(qū)域的邊緣相對應(yīng)。

本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板，包括：上述的陣列基板以及彩膜基板，其中，所述彩膜基板，包括：與所述陣列基板中存儲電容底電極相對設(shè)置的黑矩陣，以及與所述陣列基板中像素電極相對設(shè)置的彩色濾光片。

本發(fā)明實施例中，在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極的投影部分重疊，使得像素電極和存儲電容底電極的投影部分重疊，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積，從而實現(xiàn)了在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上依次形成柵線、數(shù)據(jù)線，該方法還包括：

在所述襯底基板上形成絕緣層、通過構(gòu)圖工藝形成存儲電容底電極，其中，所述存儲電容底電極環(huán)繞像素區(qū)域設(shè)置；

通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，和/或，通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊，其中，所述第一平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述柵線，所述第二平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述數(shù)據(jù)線；

通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成像素電極。

本發(fā)明實施例中，在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，和/或像素電極和存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊，其中，第一平面垂直于襯底基板所在平面且平行于柵線，第二平面垂直于襯底基板所在平面且平行于數(shù)據(jù)線，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積，從而實現(xiàn)了在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

較佳地，在所述襯底基板上形成絕緣層、通過構(gòu)圖工藝形成存儲電容底電極，包括：

在所述襯底基板上形成第一絕緣層；

通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層中形成環(huán)繞所述像素區(qū)域設(shè)置的第三凹槽；

通過構(gòu)圖工藝在第三凹槽中形成存儲電容底電極；

在所述存儲電容底電極上形成第二絕緣層；

通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽，包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽。

較佳地，所述像素電極和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值，或所述像素電極和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值。

較佳地，所述存儲電容底電極在所述襯底基板所在平面上的投影與所述像素電極在所述襯底基板所在平面上的投影不重疊。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板沿A-A’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c為現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電極和存儲電極之間形成的存儲電容的原理圖；

圖2a為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實施例提供的陣列基板沿A-A’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中像素電極和存儲電極之間形成的存儲電容的原理圖；

圖2d為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2e為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2f為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及制作方法，用以通過在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極的投影部分重疊，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積，將存儲電容底電極設(shè)計成寬且窄的形狀，相應(yīng)的也減小了黑矩陣的面積，從而在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參見圖2a，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板201(參見圖2b)，形成在襯底基板201上的數(shù)據(jù)線202和柵線203，數(shù)據(jù)線202和柵線203交叉形成像素區(qū)域，形成在襯底基板201上的存儲電容底電極204和像素電極205，所述像素電極和存儲電容底電極形成存儲電容；其中，所述存儲電容底電極環(huán)繞所述像素區(qū)域設(shè)置，其中每個像素區(qū)域?qū)?yīng)一個亞像素。

其中，像素電極205和存儲電容底電極204在第一平面206上的投影部分重疊，和/或像素電極205和存儲電容底電極204在第二平面207上的投影部分重疊，其中，所述第一平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述柵線，所述第二平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述數(shù)據(jù)線。

其中，所述存儲電容底電極204在所述襯底基板201上的投影面積小于第一預(yù)設(shè)閾值；所述第一預(yù)設(shè)閾值為傳統(tǒng)的陣列基板中的存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積；即如圖2b中存儲電容底電極204的寬度h小于第三預(yù)設(shè)閾值，其中，第三預(yù)設(shè)閾值為傳統(tǒng)顯示面板中陣列基板的存儲電容底電極的規(guī)定寬度H，傳統(tǒng)顯示面板中存儲電容底電極的規(guī)定寬度H的范圍為大于或等于7微米，且小于或等于8微米。然而，在不影響存儲電容工作特性的情況下，本發(fā)明實施例中存儲電容底電極204的寬度h可為3微米。

本發(fā)明實施例中，存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積，將存儲電容底電極設(shè)計成厚且窄的結(jié)構(gòu)，相應(yīng)的也減小了黑矩陣的面積，從而實現(xiàn)了在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

為便于理解像素電極205和存儲電容底電極204的位置關(guān)系，下面將結(jié)合圖2b即圖2a中的陣列基板沿A-A’的剖開圖，介紹該陣列基板的結(jié)構(gòu)。

所述陣列基板還包括：絕緣層；其中，所述絕緣層在所述像素區(qū)域處設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)；所述像素電極位于所述絕緣層上，且覆蓋所述像素區(qū)域。其中，所述絕緣層既可以與存儲電容底電極同層設(shè)置，也可以在存儲電容底電極之上設(shè)置。

其中，所述凹槽結(jié)構(gòu)位于所述像素區(qū)域靠近存儲電容底電極側(cè)的邊緣處。由于像素電極與存儲電容底電極的水平距離越近，存儲電容的損失越小，進一步減少了能量的損失，提升了資源的利用率。

參見圖2b，具體地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的絕緣層可以包括：存儲電容底電極保護層208、第二絕緣層209以及與存儲電容底電極204同層設(shè)置的第一絕緣層210；其中，所述第一絕緣層210在所述像素區(qū)域靠近存儲電容底電極側(cè)的邊緣處設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)；所述像素電極205位于第一絕緣層210上，且覆蓋像素區(qū)域。

本發(fā)明實施例中，通過本發(fā)明實施例中陣列基板的設(shè)計，如圖2c所示，保證了像素電極205和存儲電容底電極204之間的存儲電容Cst，在薄膜晶體管關(guān)閉時，仍能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓。

此外，像素電極205的形狀并不局限于圖2b中的形狀，像素電極的形狀還可以為圖2d中的形狀。即只要滿足像素電極205和存儲電容底電極204在第一平面206上的投影的重疊部分506的面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值，或像素電極205和存儲電容底電極204在第二平面207上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值的像素電極均可適用于本發(fā)明實施例提供的陣列基板，其中，第一平面垂直于襯底基板所在平面且平行于柵線，第二平面垂直于襯底基板所在平面且平行于數(shù)據(jù)線。根據(jù)電容公式可知，平板電容器的兩極板正對面積越大，則平板電容器的電容值越大。像素電極與存儲電容底電極之間的存儲電容與投影的重疊部分的面積正相關(guān)，因此，當(dāng)投影的重疊部分的面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值時，像素電極與存儲電容底電極之間的存儲電容足夠為像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓。也就是說，第二預(yù)設(shè)閾值為當(dāng)像素電極與存儲電容底電極之間的存儲電容足夠為像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓時，像素電極與存儲電容底電極投影的重疊面積。

根據(jù)圖2d、圖2b可知，圖2d中像素電極在襯底基板上的投影面積比圖2b中像素電極的投影面積大，即像素電極的邊界超過了像素區(qū)域。

優(yōu)選地，存儲電容底電極204在襯底基板201所在平面上的投影與像素電極205在襯底基板201所在平面上的投影不重疊時，能夠保證在薄膜晶體管關(guān)閉時，像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容能為像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓，同時能夠減少像素電極材料的使用量。

優(yōu)選地，將像素電極205設(shè)置為凹槽結(jié)構(gòu)，保證像素電極在第一平面206，和/或，第二平面207上的投影部分和存儲電容底電極部分重合，能夠保證在薄膜晶體管關(guān)閉時，像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容能為像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓。

另外，本發(fā)明實施例并不局限于圖2a、圖2b所示的陣列基板，當(dāng)陣列基板包括多個由數(shù)據(jù)線202和柵線203交叉形成的像素區(qū)域時，參見圖2e，本發(fā)明實施例提供的陣列基板包括，形成在襯底基板201上的存儲電容底電極204和像素電極205，其中，像素電極205和存儲電容底電極204在第一平面206上的投影部分重疊，和像素電極205和存儲電容底電極204在第二平面207上的投影部分重疊。參見圖2f，像素電極205和存儲電容底電極204在第一平面206上的投影部分重疊，或像素電極205和存儲電容底電極204在第二平面207上的投影部分重疊。

參見圖3，本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板，包括：上述的陣列基板310以及彩膜基板320，其中，所述彩膜基板320，包括：與所述陣列基板中存儲電容底電極204相對設(shè)置的黑矩陣321，以及與所述陣列基板中像素電極205相對設(shè)置的彩色濾光片322，襯底基板323。

其中，由于黑矩陣321與存儲電容底電極204為相對設(shè)置的，且存儲電容底電極204在襯底基板201上的投影面積小于傳統(tǒng)的陣列基板中的存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積，因此，黑矩陣321在襯底基板323上的投影面積小于傳統(tǒng)的彩膜基板中的黑矩陣在襯底基板所在平面上的投影面積，即黑矩陣321的寬度i也將小于傳統(tǒng)顯示面板中彩膜基板的黑矩陣109規(guī)定的寬度I。

此外，本發(fā)明實施例提供的另一種顯示面板，該顯示面板的陣列基板包括：第一襯底基板、交叉設(shè)置在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線和柵線，成陣列分布的像素區(qū)域，形成在所述襯底基板上的存儲電容底電極和像素電極，以及與存儲電容底電極相對設(shè)置的黑矩陣。此時，所述彩膜基板包括：第二襯底基板、以及與所述陣列基板中像素電極相對設(shè)置的彩色濾光片。也就是說，黑矩陣既可以設(shè)置在彩膜基板上，也可以設(shè)置在陣列基板上。

參見圖4，本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括：

S401、在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵線、數(shù)據(jù)線；

S402、在所述襯底基板上形成絕緣層、通過構(gòu)圖工藝形成存儲電容底電極，其中，所述存儲電容底電極環(huán)繞像素區(qū)域設(shè)置；

S403、通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽，和/或，通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第二凹槽；

S404、通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成像素電極。

其中，所述第一凹槽和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，所述第二凹槽和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊；所述第一平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述柵線，所述第二平面垂直于所述襯底基板所在平面且平行于所述數(shù)據(jù)線。

其中，所述存儲電容底電極在所述襯底基板上的投影面積小于第一預(yù)設(shè)閾值，所示第一預(yù)設(shè)閾值為，小于或者等于傳統(tǒng)的陣列基板中的存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積的預(yù)設(shè)值。

具體地，步驟S402中在所述襯底基板上形成絕緣層、通過構(gòu)圖工藝形成存儲電容底電極，具體包括如下步驟：

在所述襯底基板上形成第一絕緣層；

通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層中形成環(huán)繞所述像素區(qū)域設(shè)置的第三凹槽；

通過構(gòu)圖工藝在第三凹槽中形成存儲電容底電極；

在所述存儲電容底電極上形成第二絕緣層。

具體地，通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽，和/或，通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第二凹槽，包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第一凹槽，和/或，通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中對應(yīng)陣列分布的像素區(qū)域中形成第二凹槽。

具體地，在步驟S402之后，在步驟S403之前，該方法還包括：

在所述第二絕緣層上依次形成存儲電容底電極保護層；

在所述存儲電容底電極保護層上形成。

其中，所述像素電極和所述存儲電容底電極在第一平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值，和/或，所述像素電極和所述存儲電容底電極在第二平面上的投影的重疊面積大于或等于第二預(yù)設(shè)閾值。由于像素電極和存儲電容底電極投影的重疊面積與像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容正相關(guān)，因此當(dāng)上述重疊面積等于第二預(yù)設(shè)閾值時，像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，能夠在薄膜晶體管關(guān)閉時，剛好能夠給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓。

其中，所述存儲電容底電極在所述襯底基板所在平面上的投影與所述像素電極在所述襯底基板所在平面上的投影不重疊。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及制作方法，用以通過在像素區(qū)域處環(huán)繞設(shè)置存儲電容底電極，使得像素電極和存儲電容底電極在第一平面上的投影部分重疊，和/或像素電極和存儲電容底電極在第二平面上的投影部分重疊，其中，第一平面垂直于襯底基板所在平面且平行于柵線，第二平面垂直于襯底基板所在平面且平行于數(shù)據(jù)線，從而保證像素電極和存儲電容底電極之間的存儲電容，在薄膜晶體管關(guān)閉時，能給像素電極提供用于顯示上一幀圖像的電壓；又由于存儲電容底電極在基板所在平面上的投影面積小于現(xiàn)有技術(shù)中存儲電容底電極在襯底基板所在平面上的投影面積，從而實現(xiàn)了在不影響存儲電容工作特性的情況下，提升了像素開口率。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計算機程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器和光學(xué)存儲器等)上實施的計算機程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計算機程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計算機程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計算機程序指令到通用計算機、專用計算機、嵌入式處理機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個機器，使得通過計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機程序指令也可存儲在能引導(dǎo)計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計算機可讀存儲器中，使得存儲在該計算機可讀存儲器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機程序指令也可裝載到計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計算機或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計算機實現(xiàn)的處理，從而在計算機或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。