本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜版及雙重圖形化的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的圖形化方法為光刻(photolithography)，它使用光敏光刻膠材料和可控制的曝光在襯底表面形成三維圖形，例如，一種常見的圖形是由金屬、半導(dǎo)體材料或絕緣材料構(gòu)成的線條，相鄰兩個(gè)線條具有間距(pitch)，所述間距等于線條的寬度(Linewidth)與相鄰兩個(gè)線條之間的空隙(space)寬度之和，相鄰兩個(gè)線條之間的間距大小可用來(lái)作為判斷光刻能力的標(biāo)準(zhǔn)。

隨著半導(dǎo)體器件關(guān)鍵尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)光刻工藝條件下利用一個(gè)掩膜版作為掩膜形成圖形化工藝遇到了物理限制，相鄰的線條間距過(guò)小，會(huì)產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)，導(dǎo)致相鄰線條粘連的現(xiàn)象。

雙重圖形化法(Double Patterning)能夠改善光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的問(wèn)題，該方法可以增加在襯底上形成的圖形密度、進(jìn)一步縮小相鄰線條之間的間距，從而能夠消除光刻工藝給半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來(lái)的限制。雙重圖形化法的核心思想是將一套高密度的圖形分解為兩套分立的、密度低一些的圖形，具體的，將需要形成的圖形拆分成第一圖形和第二圖形，然后分別在掩膜版上進(jìn)行第一圖形化形成第一圖形，進(jìn)行第二圖形化形成第二圖形，最終形成完整圖形。通過(guò)從雙重圖形化法能夠避免在曝光過(guò)程中由于相鄰圖形間距過(guò)小而導(dǎo)致的光學(xué)鄰近效應(yīng)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)采用雙重圖形化法形成的圖形質(zhì)量仍有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種掩膜版、以及進(jìn)行雙重圖形化法的方法，改善形成的圖形位置精確度和形貌精確度。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩膜版，包括：包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一掩膜版，所述第一掩膜版的第一區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第一圖形，所述第一掩膜版的第二區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第二圖形，所述第一圖形投影于基底表面的圖形為第一投影圖形；包括第三區(qū)域和第四區(qū)域的第二掩膜版，所述第三區(qū)域投影于基底表面的圖形與第一區(qū)域投影于基底表面的圖形相互重合，所述第四區(qū)域投影于基底表面的圖形與第二區(qū)域投影于基底表面的圖形相互重合，所述第二掩膜版的第三區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第三圖形，所述第二掩膜版的第四區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第四圖形，所述第三圖形投影于基底表面的圖形為第三投影圖形，任一所述第三投影圖形至少與一第三投影圖形相鄰，且所述第一投影圖形與相鄰的第三投影圖形之間具有重合部分。

可選的，確定所述第一圖形和第二圖形的特征尺寸差值范圍的方法包括：在采用第一掩膜版?zhèn)鬟f第一圖形獲得第一光刻圖形、傳遞第二圖形獲得第二光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)進(jìn)行圖形補(bǔ)償，第一圖形與第一光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第二圖形與第二光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。

可選的，確定所述第三圖形和第四圖形的特征尺寸差值的方法包括：在采用第二掩膜版?zhèn)鬟f第三圖形獲得第三光刻圖形、傳遞第四圖形獲得第四光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)進(jìn)行圖形補(bǔ)償，第三圖形與第三光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第四圖形與第四光刻之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。

可選的，所述第一圖形為條狀圖形或折線狀圖形；所述第三圖形為條狀圖形或折線狀圖形。

可選的，所述第一圖形為條狀圖形，所述第三圖形為條狀圖形，所述第一圖形具有第一寬度尺寸，所述第三圖形具有第三寬度尺寸。

可選的，所述第一寬度尺寸等于第三寬度尺寸，且所述重合部分的寬度尺寸與第一寬度尺寸相同。

可選的，所述第一寬度尺寸小于第三寬度尺寸，且所述重合部分的寬度尺寸小于第一寬度尺寸。

可選的，所述第一寬度尺寸大于或小于第三寬度尺寸，所述重合部分的寬度尺寸小于等于第一寬度尺寸與第三寬度尺寸中的較小值。

可選的，所述第二圖形投影于基底表面的圖形為第二投影圖形，所述第四圖形投影于基底表面的圖形為第四投影圖形，其中，任一所述第二投影圖形與相鄰的第四投影圖形之間不重合。

本發(fā)明還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化的方法，包括：提供基底、位于基底表面的硬掩膜層，所述硬掩膜層表面涂布有第一光刻膠膜，其中，所述硬掩膜層包括第一硬掩膜層以及位于第一硬掩膜層表面的第二硬掩膜層；采用第一掩膜版對(duì)所述第一光刻膠膜進(jìn)行第一光刻工藝，將第一圖形傳遞至第一光刻膠膜內(nèi)獲得第一光刻圖形，將第二圖形傳遞至第一光刻膠膜內(nèi)獲得第二光刻圖形，其中，所述第一光刻圖形投影于基底表面的圖形為第一投影光刻圖形；以所述具有第一光刻圖形和第二光刻圖形的第一光刻膠膜為掩膜，對(duì)所述第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕直至暴露出第一硬掩膜層表面；去除所述第一光刻膠膜；在所述第一硬掩膜層表面以及剩余第二硬掩膜層表面涂布第二光刻膠膜；采用第二掩膜版對(duì)所述第二光刻膠膜進(jìn)行第二光刻工藝，將第三圖形傳遞至第二光刻膠膜內(nèi)獲得第三光刻圖形，將第四圖形傳遞至第二光刻膠膜內(nèi)獲得第四光刻圖形，其中，所述第三光刻圖形投影于基底表面的圖形為第三投影光刻圖形，任一所述第三光刻投影圖形與相鄰的第一光刻投影圖形之間具有重合部分；以所述具有第三光刻圖形和第四光刻圖形的第二光刻膠膜為掩膜，對(duì)所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底表面，形成圖形化的硬掩膜層；去除所述第二光刻膠膜；以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕，在所述基底內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第四目標(biāo)圖形，其中，所述第二目標(biāo)圖形與第二圖形相對(duì)應(yīng)，第四目標(biāo)圖形與第四圖形相對(duì)應(yīng)，第一目標(biāo)圖形與第一圖形和第三圖形相對(duì)應(yīng)，所述第一目標(biāo)圖形尺寸大于第二目標(biāo)圖形尺寸，所述第一目標(biāo)圖形尺寸大于第四目標(biāo)圖形尺寸。

可選的，所述第一硬掩膜層的材料與第二硬掩膜層的材料不同。

可選的，所述第一硬掩膜層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮化鉭或氮化鈦；所述第二硬掩膜層的材料為氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮化鉭或氮化鈦。

可選的，所述第一硬掩膜層的材料為氧化硅；所述第二硬掩膜層的材料為氮化硅。

可選的，在對(duì)所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底表面的工藝過(guò)程中，還對(duì)第二光刻膠膜暴露出的部分厚度的第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕。

可選的，所述第一目標(biāo)圖形為條狀圖形或折線狀圖形。

本發(fā)明還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化法的方法，包括：提供基底以及位于基底表面的硬掩膜層，所述硬掩膜層表面涂布有第一光刻膠膜；采用第一掩膜版對(duì)所述第一光刻膠膜進(jìn)行第一光刻工藝，將第一圖形傳遞至第一光刻膠膜內(nèi)獲得第一光刻圖形，將第二圖形傳遞至第一光刻膠膜內(nèi)獲得第二光刻圖形，其中，所述第一光刻圖形投影于基底表面的圖形為第一光刻投影圖形；在進(jìn)行第一光刻工藝之后，在所述硬掩膜層表面以及第一光刻膠膜表面涂布第二光刻膠膜；采用第二掩膜版對(duì)所述第二光刻膠膜進(jìn)行第二光刻工藝，將第三圖形傳遞至第二光刻膠膜內(nèi)獲得第三光刻圖形，將第四圖形傳遞至第二光刻膠膜內(nèi)獲得第四光刻圖形，其中，所述第三光刻圖形投影于基底表面的圖形為第三光刻投影圖形，任一所述第三光刻投影圖形與相鄰的第一光刻投影圖形之間具有重合部分；在進(jìn)行所述第一光刻工藝和第二光刻工藝之后，以所述第一光刻膠膜和第二光刻膠膜為掩膜，對(duì)所述硬掩膜層進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底表面，形成圖形化的硬掩膜層；以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕，在所述基底內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第四目標(biāo)圖形，其中，所述第二目標(biāo)圖形與第二圖形相對(duì)應(yīng)，第四目標(biāo)圖形與第四圖形相對(duì)應(yīng)，第一目標(biāo)圖形與第一圖形和第三圖形相對(duì)應(yīng)，所述第一目標(biāo)圖形尺寸大于第二目標(biāo)圖形尺寸，所述第一目標(biāo)圖形尺寸大于第四目標(biāo)圖形尺寸。

可選的，所述硬掩膜層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮化鉭或氮化鈦。

可選的，所述第一目標(biāo)圖形為條狀圖形或折線狀圖形。

可選的，在進(jìn)行所述第一光刻工藝之后、涂布所述第二光刻膠膜之前， 還包括步驟：對(duì)所述第一光刻膠膜進(jìn)行圖形固化處理。

可選的，采用紫外照射法或加熱法進(jìn)行所述圖形固化處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的掩膜版的技術(shù)方案中，第一掩膜版內(nèi)具有第一圖形和第二圖形，第一圖形投影于基底表面的圖形為第一投影圖形；第二掩膜版內(nèi)具有第三圖形和第四圖形，第三圖形投影于基底表面的圖形為第三投影圖形，其中，任一所述第三投影圖形與至少一個(gè)第一投影圖形相鄰，且所述第一投影圖形與相鄰的第三投影圖形之間具有重合部分，使得本發(fā)明能夠通過(guò)第一圖形和第三圖形能夠定義出尺寸較大的第一目標(biāo)圖形，通過(guò)第二圖形定義第二目標(biāo)圖形，通過(guò)第四圖形定義第四目標(biāo)圖形。由于第一目標(biāo)圖形尺寸至少大于第一圖形尺寸和第三圖形尺寸中的較大值，通過(guò)設(shè)置第一圖形尺寸、第二圖形尺寸、第三圖形尺寸和第四圖形尺寸，能夠使第一目標(biāo)圖形的尺寸大于第二目標(biāo)圖形尺寸和第四目標(biāo)圖形尺寸，從而能夠獲得尺寸相差較大的目標(biāo)圖形。

并且，與第一目標(biāo)圖形尺寸和第二圖形尺寸的差值相比，第一圖形尺寸與第二圖形尺寸的差值更小，因此本發(fā)明提高第一掩膜版中圖形密度均勻性，使得第一掩膜版中的圖形尺寸差較小，從而減小了圖形密度不均造成的光刻偏差。同樣的，與第一目標(biāo)圖形尺寸與第四圖形尺寸的差值相比，第三圖形與第四圖形尺寸的差值更小，因此本發(fā)明提高第二掩膜版中圖形密度均勻性，使得第二掩膜版中圖形尺寸差較小，從而減小了圖形密度不均造成的光刻偏差。因此，通過(guò)采用本發(fā)明提供的掩膜版形成的第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形均具有較高的位置精確度和形貌精確度。

進(jìn)一步，本發(fā)明中確定所述第一圖形和第二圖形的特征尺寸差值范圍的方法包括：在采用第一掩膜版?zhèn)鬟f第一圖形獲得第一光刻圖形、傳遞第二圖形獲得第二光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)進(jìn)行圖形補(bǔ)償，第一圖形與第一光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第二圖形與第二光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。從而保證第一掩膜版內(nèi)的圖形在光學(xué)鄰近校正技術(shù)能夠進(jìn)行圖形補(bǔ)償?shù)姆秶鷥?nèi)，提高第一掩膜版進(jìn)行光刻工藝形 成的光刻圖形質(zhì)量。

進(jìn)一步，確定所述第三圖形和第四圖形的特征尺寸差值的方法包括：在采用第二掩膜版?zhèn)鬟f第三圖形獲得第三光刻圖形、傳遞第四圖形獲得第四光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)進(jìn)行圖形補(bǔ)償，第三圖形與第三光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第四圖形與第四光刻之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。從而保證第二掩膜版內(nèi)的圖形在光學(xué)鄰近校正技術(shù)能夠進(jìn)行圖形補(bǔ)償?shù)姆秶鷥?nèi)，提高第二掩膜版進(jìn)行光刻工藝形成的光刻圖形質(zhì)量。

本發(fā)明還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化的方法，利用Litho-Etch-Litho-Etch技術(shù)，在基底內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形，獲得了尺寸較大的第一目標(biāo)圖形，且改善了第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形的位置精確度和形貌精確度。

本發(fā)明還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化的方法，利用Litho-Litho-Etch技術(shù)，在基底內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形，獲得了尺寸較大的第一目標(biāo)圖形，且改善了第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形的位置精確度和形貌精確度。

附圖說(shuō)明

圖1為半導(dǎo)體器件中柵極結(jié)構(gòu)與金屬互連層的位置關(guān)系俯視圖；

圖2至圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的掩膜版的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4至圖8為本發(fā)明一實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版中圖形投影于基底表面的示意圖；

圖9至圖15為本發(fā)明一實(shí)施例提供的進(jìn)行雙重圖形化過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16至圖21為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的進(jìn)行雙重圖形化過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)采用雙重圖形化法形成的圖形質(zhì)量有待提高。

以形成半導(dǎo)體器件中與柵極結(jié)構(gòu)電連接的金屬互連層為例，參考圖1，提 供柵極結(jié)構(gòu)101、以及與第一柵極結(jié)構(gòu)101電連接的第一金屬互連層110、以及與第二柵極結(jié)構(gòu)102電連接的第二金屬互連層120，其中，第一金屬互連層110中具有橫跨若干個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)101的結(jié)構(gòu)。形成所述第一金屬互連層110和第二金屬互連層110的方法通常為雙重圖形化法，包括：提供具有第一圖形的第一掩膜版，所述第一掩膜版用于定義第一金屬互連層110的圖形；提供具有第二圖形的第二掩膜版，所述第二掩膜版用于定義第二金屬互連層120的圖形。

然而，采用上述方法形成的第一金屬互連層110和第二金屬互連層120的圖形位置精確度和形貌精確度均較差。研究發(fā)現(xiàn)，橫跨若干第一柵極結(jié)構(gòu)101的第一金屬互連層110的尺寸明顯大于橫跨單個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)101的第一金屬互連層110的尺寸，使得第一掩膜版內(nèi)的圖形密度差異性較大。

在實(shí)際的光刻過(guò)程中，往往會(huì)由于圖形密度不均而導(dǎo)致光刻過(guò)程中圖形發(fā)生偏差，這主要是由于圖形密度較大區(qū)域的光刻過(guò)程中接受的光線多，相鄰圖形之間間距較低，透過(guò)掩膜版的光學(xué)之間存在衍射作用，而圖形密度較低的區(qū)域接受的光線較少，衍射作用不明顯，從而造成兩個(gè)區(qū)域曝光圖形之間的差異性較大。同時(shí)，在刻蝕過(guò)程中，由于圖形密度不均勻還會(huì)出現(xiàn)刻蝕負(fù)載效應(yīng)，刻蝕劑的濃度和刻蝕速率成正比，和所需刻蝕的面積大小成反比。圖形密度較大區(qū)域需刻蝕的面積大，刻蝕劑的濃度下降，導(dǎo)致刻蝕速率下降，從而使得圖形密度較大區(qū)域刻蝕速率小于圖形密度較小區(qū)域，從而使得實(shí)際形成的圖形與目標(biāo)圖形發(fā)生偏差。

因此，圖形密度帶來(lái)的光刻差異性和刻蝕負(fù)載效應(yīng)對(duì)圖形的準(zhǔn)確度影響較大。由于雙重圖形工藝將圖形拆分為兩臺(tái)圖形，從而進(jìn)一步降低了圖形的密度，使得低密度區(qū)的密度更低，進(jìn)一步放大了光刻差異性和刻蝕負(fù)載效應(yīng)，從而影響雙重圖形化法形成的圖形精確度。

若能夠?qū)⒌谝谎谀ぐ鎯?nèi)的特征尺寸較大的第一圖形進(jìn)行拆分，將特征尺寸較大的第一圖形拆分成第一子圖形和第二子圖形，將第一子圖形和特征尺寸較小的第一圖形寫入第一掩膜版，將第二子圖形和第二圖形寫入第二掩膜版，在采用第一掩膜版和第二掩膜版進(jìn)行光刻工藝之后，仍然能夠獲得定義橫跨多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)101的第一金屬互連層110的圖形，且還能夠獲得定 義橫跨單個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)101的第一金屬互連層110的圖形，同時(shí)還能夠獲得定義與第二柵極結(jié)構(gòu)102連接的第二金屬互連層120的圖形，則能夠避免光刻過(guò)程中圖形密度不均造成的圖形形貌精確度差和圖形位置精確度差的問(wèn)題，改善形成的第一金屬互連層110和第二金屬互連層120的形貌。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩膜版，包括：提供包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一掩膜版，所述第一掩膜版的第一區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第一圖形，所述第一掩膜版的第二區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第二圖形，所述第一圖形投影于基底表面的圖形為第一投影圖形；提供包括第三區(qū)域和第四區(qū)域的第二掩膜版，所述第三區(qū)域投影于基底表面的圖形與第一區(qū)域投影于基底表面的圖形相互重合，所述第四區(qū)域投影于基底表面的圖形與第二區(qū)域投影于基底表面的圖形相互重合，所述第二掩膜版的第三區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第三圖形，所述第二掩膜版的第四區(qū)域內(nèi)具有若干分立的第四圖形，所述第三圖形投影于基底表面的圖形為第三投影圖形，其中，任一所述第一投影圖形與相鄰的第三投影圖形之間具有重合部分。

本發(fā)明通過(guò)第一圖形和第三圖形能夠定義出尺寸較大的第一目標(biāo)圖形，通過(guò)第二圖形定義第二目標(biāo)圖形，通過(guò)第四圖形定義第四目標(biāo)圖形，且第一目標(biāo)圖形的尺寸大于第二目標(biāo)圖形尺寸和第四目標(biāo)圖形尺寸，從而能夠獲得尺寸相差較大的目標(biāo)圖形。并且，提高第一掩膜版中圖形密度均勻性，使得第一掩膜版中的圖形尺寸差較小，從而減小了圖形密度不均造成的光刻偏差；并且，提高第二掩膜版中圖形密度均勻性，使得第二掩膜版中圖形尺寸差較小，從而減小了圖形密度不均造成的光刻偏差。因此，通過(guò)采用本發(fā)明提供的掩膜版形成的第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第三目標(biāo)圖形均具有較高的位置精確度和形貌精確度。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

圖2至圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的掩膜版的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明提供的掩膜版包括第一掩膜版和第二掩膜版，以下將對(duì)所述第一掩膜版和第二掩膜版進(jìn)行詳細(xì)描述。

參考圖2，包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II的第一掩膜版201，所述第一掩膜版201的第一區(qū)域I具有若干分立的第一圖形202，所述第一掩膜版201的第二區(qū)域II具有若干分立的第二圖形203。

本實(shí)施例中，所述第一區(qū)域I與第二區(qū)域II為相鄰的區(qū)域，所述第一掩膜版201內(nèi)還能夠具有除第一區(qū)域I和第二區(qū)域II以外的區(qū)域。所述第一圖形202投影于基底表面的圖形為第一投影圖形。

所述第一圖形202與后續(xù)第二掩膜版中的圖形共同定義的圖形為需要在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形。所述第二圖形203定義的圖形為需要在基底內(nèi)形成的第二目標(biāo)圖形，因此，在確定了需要在基底內(nèi)形成的第二目標(biāo)圖形的特征尺寸(CD，Critical Dimension)之后，能夠確定第二圖形203的特征尺寸。

本實(shí)施例中，所述第一圖形202為條狀圖形，所述第一圖形202具有第一寬度尺寸，所述第二圖形203為條狀圖形，所述第二圖形203具有第二寬度尺寸，其中，第二圖形203的寬度尺寸依據(jù)在基底內(nèi)形成的第二目標(biāo)圖形的寬度尺寸確定，所述第一圖形202的寬度尺寸依據(jù)在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形的寬度尺寸確定。

為了提高采用第一掩膜版201進(jìn)行光刻工藝形成的圖形的質(zhì)量，所述第一圖形202的長(zhǎng)度尺寸還受到第二圖形203的特征尺寸的影響。具體的，確定所述第一圖形202和第二圖形203的特征尺寸差值范圍的方法包括：在采用所述第一掩膜版201傳遞第一圖形202獲得第一光刻圖形、傳遞第二圖形203獲得第二光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)(OPC，Optical Proximity Correction)進(jìn)行圖形補(bǔ)償(compensation)，第一圖形202與第一光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第二圖形203與第二光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。

因此，結(jié)合采用上述方法以及第二圖形203的特征尺寸，能夠獲得第一圖形202的特征尺寸，從而獲取第一圖形202的長(zhǎng)度尺寸以及節(jié)距(pitch)。

本實(shí)施例中，所述第二區(qū)域II的第二圖形203的數(shù)量根據(jù)第二目標(biāo)圖形的數(shù)量來(lái)確定，以1個(gè)作為示例，在其他實(shí)施例中，所述第二圖形的數(shù)量能 夠?yàn)?個(gè)、4個(gè)或7個(gè)等若干個(gè)。以所述第一區(qū)域I的第一圖形202的數(shù)量為3個(gè)作為示例，在其他實(shí)施例中，所述第一圖形的數(shù)量能夠?yàn)?個(gè)、4個(gè)或8個(gè)等若干個(gè)。

在其他實(shí)施例中，所述第一圖形還能夠?yàn)檎劬€狀圖形，所述第二圖形還能夠?yàn)檎劬€狀圖形。

參考圖3，包括第三區(qū)域III和第四區(qū)域IV的第二掩膜版204，所述第二掩膜版204的第三區(qū)域III具有若干分立的第三圖形205，所述第二掩膜版204的第四區(qū)域IV具有若干分立的第四圖形206。

本實(shí)施例中，所述第三區(qū)域III和第四區(qū)域IV為相鄰的區(qū)域，所述第三區(qū)域III投影于基底表面的圖形與第一區(qū)域I(參考圖2)投影于基底表面的圖形相互重合，所述第四區(qū)域IV投影于基底表面的圖形與第二區(qū)域II(參考圖2)投影于基底表面的圖形相互重合。其中，所述第三圖形205投影于基底表面的圖形為第三投影圖形。所述第二掩膜版204還能夠包括除第三區(qū)域III和第四區(qū)域IV以外的其他區(qū)域。

所述第三圖形205與第一掩膜版201(參考圖2)中的第一圖形202(參考圖2)共同定義的圖形為需要在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形，因此，任一所述第三投影圖形與至少一個(gè)第一投影圖形相鄰，且第三投影圖形與相鄰的第一投影圖形之間具有重合部分，從而使得第一圖形202和第三圖形205能夠共同定義出需要在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形。本實(shí)施例中，所述第一投影圖形與第三投影圖形的位置平行、且交錯(cuò)排布。

所述第四圖形206定義的圖形為需要在基底內(nèi)形成的第四目標(biāo)圖形，因此，在確定了需要在基底內(nèi)形成的第四目標(biāo)圖形的特征尺寸之后，能夠確定第四圖形206的特征尺寸。

本實(shí)施例中，所述第三圖形205為條狀圖形，所述第三圖形205具有第三寬度尺寸，所述第四圖形206為條狀圖形，所述第四圖形206具有第四寬度尺寸，其中，所述第四圖形206的第四寬度尺寸依據(jù)在基底內(nèi)形成的第四目標(biāo)圖形的寬度尺寸確定，所述第三圖形203的寬度尺寸依據(jù)在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形的寬度尺寸確定。

為了提高采用第二掩膜版204進(jìn)行光刻工藝形成的圖形的質(zhì)量，所述第三圖形205的長(zhǎng)度尺寸還受到第四圖形206的特征尺寸的影響。具體的，確定所述第三圖形205和第四圖形206的特征尺寸差值的方法包括：在采用第二掩膜版204傳遞第三圖形205獲得第三光刻圖形、傳遞第四圖形206獲得第四光刻圖形的工藝過(guò)程中，采用光學(xué)鄰近校正技術(shù)進(jìn)行圖形補(bǔ)償，第三圖形205與第三光刻圖形之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)，第四圖形206與第四光刻之間的誤差在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。

因此，結(jié)合采用上述方法以及第四圖形206的特征尺寸，能夠獲得第三圖形205的特征尺寸，從而獲得第三圖形205的長(zhǎng)度尺寸以及節(jié)距。

本實(shí)施例中，所述第四區(qū)域IV的第四圖形206的數(shù)量根據(jù)第四目標(biāo)圖形的數(shù)量來(lái)確定，以2個(gè)作為示例，在其他實(shí)施例中，所述第四圖形的數(shù)量還能夠?yàn)?個(gè)、5個(gè)或10個(gè)等若干個(gè)。以所述第三區(qū)域III的第三圖形205的數(shù)量為2個(gè)作為示例，在其他實(shí)施例中，所述第三圖形的數(shù)量還能夠?yàn)?個(gè)、4個(gè)、8個(gè)等若干個(gè)。

在其他實(shí)施例中，所述第三圖形還能夠?yàn)檎劬€狀圖形，所述第四圖形還能夠?yàn)檎劬€狀圖形。

本實(shí)施例中，第一圖形202投影于基底表面的圖形為第一投影圖形，第三圖形205投影于基底表面的圖形為第三投影圖形，任一所述第三投影圖形與至少一個(gè)第一投影圖形相鄰，且第三投影圖形與相鄰的第一投影圖形之間具有重合部分，從而使得第一投影圖形與第二投影圖形相互連接，進(jìn)而定義出需要在基底內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形，其中，重合部分投影于基底表面的圖形為重合投影部分。為了便于描述第一圖形202、第二圖形203、第三圖形205和第四圖形206的相互關(guān)系，以下將結(jié)合圖4至圖8進(jìn)行描述。

第一圖形202投影于基底表面的圖形為第一投影圖形212，第二圖形203投影于基底表面的圖形為第二投影圖形213，第三圖形205投影于基底表面的圖形為第三投影圖形215，第四圖形206投影于基底表面的圖形為第四投影圖形216，圖4至圖8為一實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版中圖形投影于基底表面的示意圖，主要示出了第一投影圖形212、第二投影圖形213、第三 投影圖形215、第四投影圖形216以及重合投影部分225之間位置關(guān)系。

在一實(shí)施例中，結(jié)合參考圖2至圖4，所述第一圖形202的第一寬度尺寸等于第三圖形205的第三寬度尺寸，且重合部分的寬度尺寸與第一寬度尺寸相同。相應(yīng)的，第一投影圖形212的寬度尺寸等于第三投影圖形215的寬度尺寸，重合投影部分225的寬度尺寸與第一投影圖形212的寬度尺寸相同。所述第一投影圖形212和第三投影圖形215共同定義出在基底301內(nèi)形成的第一目標(biāo)圖形。

在另一實(shí)施例中，參考圖2、圖3及圖5，所述第一圖形202的第一寬度尺寸等于第三圖形205的寬度尺寸，且重合部分的寬度尺寸小于第一寬度尺寸。相應(yīng)的，第一投影圖形212的寬度尺寸等于第三投影圖形215的寬度尺寸，重合投影部分225的寬度尺寸小于第一投影圖形212的寬度尺寸。

所述第一寬度尺寸還能夠大于或小于第三寬度尺寸，所述重合部分的寬度尺寸小于等于第一寬度尺寸與第三寬度尺寸中的較小值。

具體的，在一個(gè)實(shí)施例中，參考圖2、圖3、圖6至圖7，所述第一圖形202的第一寬度尺寸大于第三圖形205的第三寬度尺寸，所述重合部分的寬度尺寸小于等于第三寬度尺寸。相應(yīng)的，第一投影圖形212的寬度尺寸大于第三投影圖形215的寬度尺寸，所述重合投影部分225的寬度尺寸小于等于第三投影圖形215的寬度尺寸。

在另一實(shí)施例中，參考圖2、圖3及圖8，所述第一圖形202的第一寬度尺寸小于第三圖形205的第三寬度尺寸，所述重合部分的寬度尺寸小于等于第一寬度尺寸。相應(yīng)的，第一投影圖形212的寬度尺寸小于第三投影圖形215的寬度尺寸，所述重合投影部分225的寬度尺寸小于等于第一投影圖形212的寬度尺寸。

所述第二圖形203投影于基底301表面的圖形為第二投影圖形213，所述第四圖形206投影于基底301表面的圖形為第四投影圖形216。本實(shí)施例中，任一所述第二投影圖形213與相鄰的第四投影圖形216之間不重合，在其他實(shí)施例中，第二投影圖形與相鄰的第四投影圖形之間也能夠具有重合部分。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)第一掩膜版內(nèi)的第一圖形和第二掩膜版內(nèi)的第三 圖形共同定義第一目標(biāo)圖形，所述第一目標(biāo)圖形的尺寸大于第一圖形尺寸以及第二圖形尺寸，從而能夠獲得尺寸較大的第一目標(biāo)圖形尺寸。

并且，第一掩膜版內(nèi)的第一圖形的尺寸較小，因此減小了第一掩膜版內(nèi)第一圖形和第二圖形的尺寸差異性。第一圖形經(jīng)光刻工藝將圖形傳遞至第一光刻圖形，第二圖形將光刻工藝將圖形傳遞至第二光刻圖形，提高了第一掩膜版內(nèi)的圖形密度均勻性，進(jìn)而避免采用第一掩膜版進(jìn)行光刻工藝出現(xiàn)的偏差，從而使得第一光刻圖形和第二光刻圖形具有較高的位置精確度和形貌精確度，進(jìn)而提高第一目標(biāo)圖形和第二目標(biāo)圖形的位置精確度和形貌精確度。

同樣的，第二掩膜版內(nèi)的第三圖形的尺寸較小，使得第二掩膜版內(nèi)的第三圖形和第四圖形的尺寸差異性小，第三圖形經(jīng)光刻工藝將圖形傳遞至第三光刻圖形，第四圖形經(jīng)光刻工藝將圖形傳遞至第四圖形，從而提高第二掩膜版內(nèi)的圖形密度均勻性，進(jìn)而避免采用第二掩膜版進(jìn)行光刻工藝出現(xiàn)的偏差，從而使得第三光刻圖形和第四光刻圖形具有較高的位置精確度和形貌精確度，進(jìn)而提高第一目標(biāo)圖形和第四目標(biāo)圖形的位置精確度和形貌精確度。

綜上，采用本發(fā)明提供的掩膜版，能夠獲得尺寸較大的第一目標(biāo)圖形，且第一目標(biāo)圖形、第二目標(biāo)圖形和第四目標(biāo)圖形均具有較高的位置精確度和形貌精確度。

本發(fā)明一實(shí)施例還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化的方法。圖9至圖15為本發(fā)明一實(shí)施例提供的對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行雙重圖形化過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖9，提供基底301、位于基底301表面的硬掩膜層，所述硬掩膜層表面涂布有第一光刻膠膜304，其中，所述硬掩膜層包括第一硬掩膜層302以及位于第一硬掩膜層302表面的第二硬掩膜層303。

所述基底301的材料為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述基底301還能夠?yàn)榻^緣體上的硅襯底。所述基底301上還能夠形成有半導(dǎo)體器件，例如，NMOS器件、PMOS器件、CMOS器件、電阻器、電容器或電感器等。

本實(shí)施例中，所述基底301的材料為硅，所述基底301上還形成有柵極 結(jié)構(gòu)(未圖示)，且所述柵極結(jié)構(gòu)表面覆蓋有金屬層(未圖示)，后續(xù)圖形化所述金屬層形成與柵極結(jié)構(gòu)電連接的金屬互連層。

所述第一硬掩膜層302的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮化鉭或氮化鈦；所述第二硬掩膜層303的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮化鉭或氮化鈦。

所述第一硬掩膜層302的材料與第二硬掩膜層303的材料不同，從而使得后續(xù)刻蝕工藝對(duì)第一硬掩膜層302和第二硬掩膜層303具有刻蝕選擇比。本實(shí)施例中，所述第一硬掩膜層302的材料為氧化硅，所述第二硬掩膜層303的材料為氮化硅。

參考圖2和圖10，采用第一掩膜版201對(duì)所述第一光刻膠膜304(參考圖9)進(jìn)行第一光刻工藝，將第一圖形202傳遞至第一光刻膠膜304內(nèi)獲得第一光刻圖形312，將第二圖形傳203遞至第一光刻膠膜304內(nèi)獲得第二光刻圖形313，其中，所述第一光刻圖形312投影于基底301表面的圖形為第一光刻投影圖形。

所述第一光刻工藝包括曝光處理以及顯影處理。由于第一圖形202和第二圖形203之間的尺寸相差較小，使得第一掩膜版201內(nèi)的圖形密度均勻性好，從而提高第一光刻工藝精度，使得第一光刻圖形312和第二光刻圖形313具有較高的位置精確度和形貌精確度。

參考圖11，以所述具有第一光刻圖形312(參考圖10)和第二光刻圖形313(參考圖10)的第一光刻膠膜304(參考圖9)為掩膜，對(duì)所述第二硬掩膜層303(參考圖10)進(jìn)行刻蝕直至暴露出第一硬掩膜層302表面。

本實(shí)施例中，采用干法刻蝕工藝，將第一光刻圖形312傳遞至第二硬掩膜層303內(nèi)獲得第一刻蝕圖形322，將第二光刻圖形313傳遞至第二硬掩膜層303內(nèi)獲得第二刻蝕圖形323。

接著，去除所述第一光刻膠膜304。

參考圖12，在所述第一硬掩膜層302表面以及剩余第二硬掩膜層303(參考圖10)表面涂布第二光刻膠膜305。

參考圖3至圖8、及圖13，采用第二掩膜版204對(duì)所述第二光刻膠膜305(參考圖12)進(jìn)行第二光刻工藝，將第三圖形205傳遞至第二光刻膠膜305內(nèi)獲得第三光刻圖形315，將第四圖形206傳遞至第二光刻膠膜305內(nèi)獲得第四光刻圖形316，其中，所述第三光刻圖形315投影于基底301表面的圖形為第三投影圖形，任一所述第三光刻投影圖形與至少一個(gè)第一光刻投影圖形相鄰，且所述第三光刻投影圖形與相鄰的第一光刻投影圖形之間具有重合部分。

本實(shí)施例中，第一刻蝕圖形322投影于基底301表面的圖形為第一刻蝕投影圖形，因此，任一所述第三光刻投影圖形與相鄰的第一刻蝕投影圖形之間具有重合部分。

由于第三圖形205和第四圖形206之間的尺寸相差較小，使得第二掩膜版204內(nèi)的圖形密度均勻性好，從而提高第二光刻工藝精度，使得第三光刻圖形315和第四光刻圖形316具有較高的位置精確度和形貌精確度。

參考圖14，以所述具有第三光刻圖形315(參考圖13)和第四光刻圖形316(參考圖13)的第二光刻膠膜305(參考圖12)為掩膜，對(duì)所述第一硬掩膜層302和剩余第二硬掩膜層303進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底301表面，形成圖形化的硬掩膜層。

在以第二光刻膠膜305為掩膜，對(duì)第一硬掩膜層302和剩余第二硬掩膜層303進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，刻蝕工藝對(duì)第一硬掩膜層302的刻蝕速率大于對(duì)剩余第二硬掩膜層303的刻蝕速率，因此第一刻蝕圖形322對(duì)其底部的第一硬掩膜層302起到保護(hù)作用，第二刻蝕圖形323對(duì)其底部的第一硬掩膜層302起到保護(hù)作用。因此，在對(duì)所述第一硬掩膜層302進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底301表面的工藝過(guò)程中，還對(duì)第二光刻膠膜305暴露出的部分第二硬掩膜層303進(jìn)行刻蝕。

所述圖形化的硬掩膜層包括：位于第一刻蝕圖形322下方的第一硬掩膜層302、以及位于第三光刻圖形315下方的第一硬掩膜層302，位于第四光刻圖形316下方的第一硬掩膜層302，位于第二刻蝕圖形323下方的第一硬掩膜層302，第一刻蝕圖形322，以及第二刻蝕圖形323。

任一所述第一刻蝕圖形322投影于基底301表面的圖形與相鄰的第三光 刻圖形315投影于基底301表面的圖形具有重合部分，從而使得位于第一刻蝕圖形322下方的第一硬掩膜層302、以及位于第三光刻圖形315下方的第一硬掩膜層302為連續(xù)的。

其中，位于第一刻蝕圖形322下方的第一硬掩膜層302、以及位于第三光刻圖形315下方的第一硬掩膜層302定義基底301內(nèi)待形成的第一目標(biāo)圖形，位于第二刻蝕圖形323下方的第一硬掩膜層302定義基底301內(nèi)待形成的第二目標(biāo)圖形，位于第四光刻圖形316下方的第一硬掩膜層302定義基底301內(nèi)待形成的第四目標(biāo)圖形。

去除所述第二光刻膠膜305。

參考圖15，以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述基底301進(jìn)行刻蝕，在所述基底301內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形331、第二目標(biāo)圖形332和第四目標(biāo)圖形334，其中，所述第二目標(biāo)圖形332與第二圖形203(參考圖2)相對(duì)應(yīng)，第四目標(biāo)圖形334與第四圖形206(參考圖3)相對(duì)應(yīng)，第一目標(biāo)圖形331與第一圖形202(參考圖2)和第三圖形205(參考圖3)相對(duì)應(yīng)。

本實(shí)施例采用了Litho-Etch-Litho-Etch的雙重圖形化法，在基底301內(nèi)形成了第一目標(biāo)圖形331、第二目標(biāo)圖形332和第四目標(biāo)圖形334。由于在以第一圖形202為基礎(chǔ)進(jìn)行第一光刻工藝形成的第一光刻圖形312具有較高位置精確度和形貌精確度，以第三圖形205為基礎(chǔ)進(jìn)行第二光刻工藝形成的第三光刻圖形315具有較高位置精確度和形貌精確度，使得本實(shí)施中形成的第一目標(biāo)圖形331既能夠具有較大的圖形尺寸，還具有較高的位置精確度和形貌精確度，第一目標(biāo)圖形331的圖形尺寸大于第二目標(biāo)圖形332的圖形尺寸，所述第一目標(biāo)圖形331尺寸大于第四目標(biāo)圖形334尺寸。同樣的，在以第二圖形203為基礎(chǔ)進(jìn)行第一光刻工藝形成的第二光刻圖形313具有較高位置精確度和形貌精確度，使得形成的第二目標(biāo)圖形332也具有較高的位置精確度和形貌精確度；以第四圖形206為基礎(chǔ)進(jìn)行第二光刻工藝形成的第四光刻圖形316具有較高位置精確度和形貌精確度，因此本發(fā)明形成的第四目標(biāo)圖形334也具有較高的位置精確度和形貌精確度。

作為一個(gè)具體實(shí)施例，以圖形化的硬掩膜層，對(duì)基底301進(jìn)行刻蝕的方 法為：對(duì)基底301中與柵極結(jié)構(gòu)相連接的金屬互連膜進(jìn)行刻蝕，在金屬互連膜內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形331、第二目標(biāo)圖形332和第四目標(biāo)圖形334，從而形成與柵極結(jié)構(gòu)電連接的若干分立的金屬互連層。

本發(fā)明又一實(shí)施例還提供一種采用上述掩膜版進(jìn)行雙重圖形化的方法。圖16至圖21為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行雙重圖形化過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖16，提供基底401以及位于基底401表面的硬掩膜層402，所述硬掩膜層402表面涂布有第一光刻膠膜403。

參考圖2及17，采用第一掩膜版201對(duì)所述第一光刻膠膜403(參考圖16)進(jìn)行第一光刻工藝，將第一圖形202傳遞至第一光刻膠膜403內(nèi)獲得第一光刻圖形412，將第二圖形203傳遞至第一光刻膠膜403內(nèi)獲得第二光刻圖形413，其中，所述第一光刻圖形412投影于基底401表面的圖形為第一光刻投影圖形。

由于第一圖形202和第二圖形203之間的尺寸相差較小，使得第一掩膜版201內(nèi)的圖形密度均勻性好，從而提高第一光刻工藝精度，使得第一光刻圖形412和第二光刻圖形413具有較高的位置精確度和形貌精確度。

參考圖18，在進(jìn)行第一光刻工藝之后，在所述硬掩膜層402表面以及第一光刻膠膜403表面涂布第二光刻膠膜404。

本發(fā)明在形成第二光刻膠膜404之前，還對(duì)第一光刻膠膜403進(jìn)行圖形固化(Patterning cure)處理，采用紫外照射固化法或加熱固化法進(jìn)行所述圖形固化處理。

參考圖3至圖8、及圖19，采用第二掩膜版對(duì)所述第二光刻膠膜404進(jìn)行第二光刻工藝，將第三圖形205傳遞至第二光刻膠膜404內(nèi)獲得第三光刻圖形415，將第四圖形206傳遞至第二光刻膠膜404內(nèi)獲得第四光刻圖形416，其中，所述第三光刻圖形415投影于基底401表面的圖形為第三光刻投影圖形，任一所述第三光刻投影圖形與至少一個(gè)第一光刻投影圖形相鄰，且所述第三光刻投影圖形與相鄰的第一光刻投影圖形之間具有重合部分。

由于第三圖形205和第四圖形206之間的尺寸相差較小，使得第二掩膜 版204內(nèi)的圖形密度均勻性好，從而提高第二光刻工藝精度，使得第三光刻圖形415和第四光刻圖形416具有較高的位置精確度和形貌精確度。

參考圖20，在進(jìn)行所述第一光刻工藝和第二光刻工藝之后，以所述第一光刻膠膜403和第二光刻膠膜404為掩膜，對(duì)所述硬掩膜層402進(jìn)行刻蝕直至暴露出基底401表面，形成圖形化的硬掩膜層402。

所述圖形化的硬掩膜層402包括：位于第一光刻圖形412下方的硬掩膜層402、位于第三光刻圖形415下方的硬掩膜層402、位于第二光刻圖形413下方的硬掩膜層402、以及位于第四光刻圖形416下方的硬掩膜層402。

任一所述第一光刻投影圖形與相鄰的第三光刻投影圖形之間具有重合部分，從而使得位于第一光刻圖形412下方的硬掩膜層402、以及位于第三光刻圖形415下方的硬掩膜層402為連續(xù)的。

其中，位于第一光刻圖形412下方的硬掩膜層402、以及位于第三光刻圖形415下方的硬掩膜層402定義基底401內(nèi)待形成的第一目標(biāo)圖形，位于第二光刻圖形413下方的硬掩膜層402定義基底401內(nèi)待形成的第二目標(biāo)圖形，位于第四光刻圖形416下方的硬掩膜層402定義基底401內(nèi)待形成的第四目標(biāo)圖形。

去除所述第一光刻膠膜403和第二光刻膠膜404。

參考圖21，以所述圖形化的硬掩膜層402為掩膜，對(duì)所述基底401進(jìn)行刻蝕，在所述基底內(nèi)形成第一目標(biāo)圖形441、第二目標(biāo)圖形442和第四目標(biāo)圖形444，其中，所述第二目標(biāo)圖形442與第二圖形203(參考圖2)相對(duì)應(yīng)，所述第四目標(biāo)圖形444與第四圖形206(參考圖3)相對(duì)應(yīng)，所述第一目標(biāo)圖形441與第一圖形202(參考圖2)和第三圖形203(參考圖3)相對(duì)應(yīng)。

本實(shí)施例采用了Litho-Litho-Etch的雙重圖形化法，在基底401內(nèi)形成了第一目標(biāo)圖形441、第二目標(biāo)圖形442和第四目標(biāo)圖形444。由于在以第一圖形202為基礎(chǔ)進(jìn)行第一光刻工藝形成的第一光刻圖形412具有較高的位置精確度和形貌精確度，以第三圖形205為基礎(chǔ)進(jìn)行第二光刻工藝形成的第三光刻圖形415具有較高位置精確度和形貌精確度，使得本實(shí)施例中形成的第一目標(biāo)圖形441既能夠具有較大的圖形尺寸，還具有較高的位置精確度和形貌 精確度，第一目標(biāo)圖形441的圖形尺寸大于第二目標(biāo)圖形442的圖形尺寸，所述第一目標(biāo)圖形441尺寸大于第四目標(biāo)圖形444尺寸。同樣的，在以第二圖形203為基礎(chǔ)進(jìn)行第一光刻工藝形成的第二光刻圖形413具有較高的位置精確度和形貌精確度，使得形成的第二目標(biāo)圖形442也具有較高的位置精確度和形貌精確度；以第四圖形206為基礎(chǔ)進(jìn)行第二光刻工藝形成的第四光刻圖形416具有較高位置精確度和形貌精確度，因此本發(fā)明形成的第四目標(biāo)圖形444也具有較高的位置精確度和形貌精確度。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。