基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由其上布有m×n元陣列分布的長方孔對的一層勻質導電膜構成。本實用新型能實現微長方光孔陣圖形化光場的電控成形與調變，易與其它紅外光學光電結構、電子和機械裝置等匹配耦合，環(huán)境適應性好。
【專利說明】基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片

【技術領域】
[0001]本實用新型屬于紅外波束精密測量與控制【技術領域】，更具體地，涉及一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列，電控構建可調變的由陣列化微長方光孔有序排布構成的圖形化光場的控光芯片。

【背景技術】
[0002]近些年來，基于表面浮雕輪廓的柱折射或柱衍射光發(fā)散微透鏡陣列，產生由陣列化微長方光孔有序排布構建的特定形態(tài)光場這一技術，已在多個領域獲得應用。典型的如大規(guī)模集成電路光刻工藝中的陣列化微長方光孔紅外光刻源，用于腿13和12013器件中的微長方形結構陣列制作的紅外直寫光刻源，勻質化的微長方光孔陣基準紅外輻射源，強功率激光束基于微長方光孔分隔的圖形化構建，紅外光電芯片非光敏區(qū)域紅外入射福射的陣列化驅離、感光效能增強與信噪比提高等。隨著應用領域的延伸和技術適用程度的擴展，構建可電調陣列化微長方光孔其邊界亮度、清晰度、孔寬、提高孔內漏光的消光比等的微長方光孔陣圖形化光場這一方面的需求，持續(xù)推動著該技術的發(fā)展和創(chuàng)新。
[0003]目前已獲得廣泛應用的構建微長方光孔陣紅外光場的典型方式包括:(一)通過表面浮雕輪廓固定的常規(guī)凹折射透鏡，得到結構尺寸固定的微長方光孔陣光場，微長方光孔其形貌、孔寬、孔內消光比和陣列化排布形態(tài)等均被固化；(二)通過衍射相位結構基于波前調節(jié)得到遠場微長方光孔陣光場，所構建的微長方光孔其圖形規(guī)則性差、邊界模糊以及孔內消光比低，并隨衍射級次的變化顯示不同的結構尺寸；(三)通過多波束干涉構建的微長方光孔陣光場其微孔圖案近似線形、邊界模糊且孔內消光比低，不具備微光孔結構尺寸和形態(tài)的精細調變能力；(四)通過在光學系統(tǒng)中設置特殊的圖形架構得到微長方光孔陣光場這一方式，受紅外光學系統(tǒng)更為明顯的本征衍射限約束，在微米尺度上存在微長方光孔的邊界模糊，孔內存在較強漏光且無法調變微長方光孔結構尺寸等問題；(五)目前在精細調變所構造的陣列化微長方光孔其孔寬以及減少孔內漏光等方面，需要通過兩組甚至多組級聯布置的陣列化微透鏡間的機械移動進行，響應慢、狀態(tài)轉換時間長且慣性大，需要配置相對復雜的輔助裝置，因機械運動的本征連續(xù)性而無法執(zhí)行任意的光學狀態(tài)切入或跳變，難以靈活接入紅外光路中或與其他紅外光學光電機械結構耦合。進入新世紀以來，發(fā)展小微型化的可調變微長方光孔陣紅外光場技術，受到廣泛關注。
[0004]近些年來，基于可見光譜域的電控液晶微透鏡進行波束調控這一技術方式已取得顯著進展，為解決上述紅外譜域內的問題提供了一條可能途徑。目前已具備的主要功能包括:(一)在陣列化液晶結構上施加電驅控信號，光束發(fā)散可在所設定的狀態(tài)下展開、凝固或調變；(二)液晶微透鏡的光發(fā)散作用受先驗知識或光束變換結果的約束、干預或引導；(三)平面端面的陣列化液晶微透鏡可被靈活接入光路中或與其他光學光電機械結構耦合甚至集成；(四)液晶結構的驅控操作可基于極低功率電壓信號進行。目前，如何借鑒可見光譜域的小微型化電控液晶微透鏡技術，實現特殊形態(tài)紅外光場的可調變構建，已成為繼續(xù)發(fā)展紅外波束精密測量與控制技術所面臨的難點和瓶頸問題，迫切需要新的突破。實用新型內容
[0005]針對現有技術的以上缺陷或改進需求，本實用新型提供了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片，能實現微長方光孔陣圖形化光場的電控成形與調變，易與其它紅外光學光電結構、電子和機械裝置等匹配耦合，環(huán)境適應性好。
[0006]為實現上述目的，本實用新型提供了一種紅外波束控制芯片，其特征在于，包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在所述液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在所述液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；所述公共電極層由一層勻質導電膜構成；所述圖形化電極層由其上布有mXn元陣列分布的長方孔對的一層勻質導電膜構成，所述長方孔對由兩個并排的長方形孔構成，其中，m、n均為大于I的整數；所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列被劃分成mXn元陣列分布的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡，所述單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡與所述長方孔對一一對應，每個長方孔對均位于對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的中心，形成單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的上電極，所有單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的下電極由所述公共電極層提供。
[0007]優(yōu)選地，單個長方孔對的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值為開孔系數，所述開孔系數為25%?50%。
[0008]優(yōu)選地，單個長方孔對的兩個長方形孔之間的金屬條的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值為中心電極填充系數，所述中心電極填充系數為4%?16%。
[0009]優(yōu)選地，所述控制芯片還包括芯片外殼；所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列封裝在所述芯片外殼內并與所述芯片外殼固連，其光入射面和光出射面通過所述芯片外殼的前后兩個端面上正對的開孔裸露在外；所述芯片外殼的側面設置有驅控信號輸入端口。
[0010]優(yōu)選地，所述公共電極層和圖形化電極層各通過一根導線引出，公共電極層引線和圖形化電極層引線接入所述驅控信號輸入端口。
[0011]總體而言，通過本實用新型所構思的以上技術方案與現有技術相比，具有以下有益效果:
[0012]1、圖形化波束的快速成形與調變。本實用新型基于電驅控的液晶紅外發(fā)散微柱鏡陣列，實現紅外入射波束的陣列化分割、發(fā)散與耦合出射，具有將出射波束凝固在特定形態(tài)或調變到預定形態(tài)的優(yōu)點。
[0013]2、控制方式靈活。通過對電控液晶紅外發(fā)散微柱鏡陣列執(zhí)行基于調頻或調幅電壓信號的快速加電操作，可實現基于陣列化微長方光孔排布的圖形化出射光場的快速構建與調變。
[0014]3、智能化。通過調節(jié)加載在電控液晶紅外發(fā)散微柱鏡陣列上的電驅控信號，對圖形化光場的構建和調變操作可在先驗知識或波束處理結果的約束、干預或引導下展開，具有智能化特征。
[0015]4、控制精度高。由于采用可精密電驅控的液晶微透鏡，具有極高的結構、電學及電光參數的穩(wěn)定性和控制精度。
[0016]5、使用方便。本實用新型的芯片主體為封裝在芯片外殼內的電控液晶紅外發(fā)散微柱鏡陣列，在紅外光路中配置方便，易與常規(guī)紅外光學光電機械結構等匹配耦合。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型實施例的基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片的結構示意圖；
[0018]圖2是本實用新型實施例的電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列的結構示意圖；
[0019]圖3是電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列的剖面示意圖；
[0020]圖4是單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的工作原理示意圖。
[0021]在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結構，其中:1_驅控信號輸入端口，2-電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列,3-芯片外殼。

【具體實施方式】
[0022]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。此外，下面所描述的本實用新型各個實施方式中所涉及到的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。
[0023]如圖1所示，本實用新型實施例的基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片包括芯片外殼3和電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列2。電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列2封裝在芯片外殼3內并與芯片外殼3固連，其光入射面和光出射面通過芯片外殼3的前后兩個端面上正對的開孔裸露在外。芯片外殼3的側面設置有驅控信號輸入端Π I。
[0024]如圖2和圖3所示，電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列2包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜。公共電極層由一層勻質導電膜構成。如圖2所示(圖中上層結構面積小于下層結構，以清楚展示各層結構)，圖形化電極層由其上布有mXn元陣列分布的微長方孔對的一層勻質導電膜構成，微長方孔對由兩個并排的長方形孔構成，其中，m、η均為大于I的整數。公共電極層和圖形化電極層各通過一根導線引出，公共電極層引線和圖形化電極層引線接入驅控信號輸入端口 1，用于輸入驅控和調變電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列2的電信號。
[0025]圖形化電極層和公共電極層材料為金或鋁等，其厚度在幾十至幾百納米范圍內。第一和第二基片為同種光學材質。第一和第二電隔離層由電絕緣且具有高紅外透過率的膜材料制成，典型的如S12膜，其厚度同樣在幾十至幾百納米范圍內。電隔離層用于阻斷由圖形化電極層和公共電極層材料中溢出的載流子(如電子等)通過滲過液晶初始取向層進入液晶材料層的通道，防止其與液晶分子的極性基團相互中和而導致液晶材料失效。
[0026]將上述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列2劃分成mXn元陣列分布的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡，單兀電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡與微長方孔對對應，每個微長方孔對均位于對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的中心，形成單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的上電極，所有單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的下電極由公共電極層提供。單個微長方孔對的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值被稱為開孔系數，單個微長方孔對的兩個長方形孔之間的金屬條的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值被稱為中心電極填充系數，開孔系數的典型值在25%至50%間，中心電極填充系數的典型值在4%至16%間。單個微長方孔對的兩個長方形孔之間的金屬條的長寬比的典型值一般應在10以上。
[0027]本實用新型實施例的基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片可以被直接置于測試光路中，也可以被置于由主鏡構成的光學系統(tǒng)的焦面處或進行弱離焦配置，實現對紅外波束的控制。其工作原理如下。
[0028]通常情況下，液晶分子對強度相對較低的空間電場呈現較為明顯的電驅控響應行為，其固有電矩在外電場驅動下呈現不同程度的擺動或扭轉。電場強度過低，將無法驅動質量相對較大的長鏈大分子液晶來產生電矩擺動。電場強度過高，液晶分子將被迅速偏擺并進入不再產生隨電場強度的變化而改變的穩(wěn)定態(tài)。因此，液晶分子的電場驅動偏擺效應對外加電場而言，存在一個有效的作用范圍以及該范圍約束下的液晶分子其空間角偏擺與驅動液晶分子變動的空間電場間的對應關系。液晶分子的不同空間排布取向，對應液晶材料所呈現的不同折射率狀態(tài)。因此，具有特定空間分布形態(tài)的電場，會驅使液晶分子產生趨向于場強方向的變動，從而在電場激勵下產生特定的折射率空間分布形態(tài)。電場其強度以及空間分布形態(tài)的變化，將導致液晶材料其折射率空間分布形態(tài)的改變。
[0029]將液晶材料封裝在雙層電極板相向平行間隔排布構成的微米級深度微腔中，通過圖形化雕刻的電極板，可在液晶材料中激勵起特定空間分布形態(tài)的電場，驅使液晶材料呈現特定的折射率分布形態(tài)。分布在腔內電極板內表面附近的液晶分子被電極板內表面上所預制的液晶分子初始取向層錨定，其指向矢將不隨加載在液晶材料中的空間電場的變化而改變。將一層電極板制作成周期性排布并互連的子電極陣形態(tài)并與另一層公共電極板耦合，將構成與子電極有相同陣列規(guī)模的電控液晶微功能結構陣列。
[0030]在微長方孔對子電極與另一層平面公共電極耦合時，通過加載電壓信號將構成從子電極指向平面公共電極的柱形發(fā)散狀電場，激勵液晶分子形成在兩個長方形孔間的中線處的折射率小，外緣處的折射率大，并沿中線到外緣的方向漸進增大這樣一種柱形分布形態(tài)，從而構成光發(fā)散微柱鏡。微長方孔對子電極的結構尺寸與填充液晶材料的微腔深度，共同決定微柱鏡的通光孔徑。
[0031]通過驅控信號輸入端口 1內的公共電極層引線和圖形化電極層引線，將驅控電壓信號卩加載在電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列上，各單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡被驅控電壓信號卩同步加電驅控。紅外入射波束進入電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列后，電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列按照其單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的陣列規(guī)模和位置，將紅外波束離散化為陣列化的子入射波束，通過調節(jié)加載在各單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡上的電壓信號頻率或幅度，改變液晶材料的折射率及其空間分布形態(tài)，各子入射波束與受控電場激勵下構建的具有特定折射率分布形態(tài)的液晶分子相互作用呈發(fā)散態(tài)，形成具有微長方光孔形態(tài)的子透射波束，進而形成微光孔孔徑、線邊界亮度、孔清晰度以及孔內漏光消光比等隨驅控信號頻率或幅度變化的微長方光孔陣。由各單元液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡輸出的陣列化的子透射波束耦合形成由陣列化的微長方光孔有序排布構成的圖形化紅外透射波場。
[0032]各子透射波束與單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡一一對應，在正入射條件下，微長方光孔的中心軸線與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的中心線光軸重合。子透射波束的發(fā)散程度(對應微長方光孔的寬度、長方環(huán)的亮度、光孔清晰度和孔內消光比等)隨施加在各單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡上的電壓信號頻率或幅度變化，該操作等效于調變與單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡具有類似光發(fā)散效能的常規(guī)凹折射微柱鏡的表面彎折程度與下彎深度即光線發(fā)散能力，如圖4所示的與電控柱形散光態(tài)-1和電控柱形散光態(tài)-2粗略對應的等效電控態(tài)-1和等效電控態(tài)_2。
[0033]因此，通過調節(jié)驅控電壓信號V的頻率或均方幅度，調變各單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外子出射波束的發(fā)散程度，從而使紅外透射波束凝固在特定形態(tài)或調變到預定形態(tài)。此外，針對目標或環(huán)境光場擾動以及電參數波動，通過及時調變加載在芯片上的驅控電壓信號，對發(fā)散光場的光學參數進行校正調節(jié)，使芯片具備抗擾動能力。芯片斷電后光發(fā)散功能消失，光束通過芯片后其形態(tài)不變。
[0034]本領域的技術人員容易理解，以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種紅外波束控制芯片，其特征在于，包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在所述液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在所述液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；所述公共電極層由一層勻質導電膜構成；所述圖形化電極層由其上布有mXn兀陣列分布的長方孔對的一層勻質導電膜構成,所述長方孔對由兩個并排的長方形孔構成，其中，m、η均為大于I的整數； 所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列被劃分成mXn元陣列分布的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡，所述單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡與所述長方孔對一一對應，每個長方孔對均位于對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的中心，形成單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的上電極，所有單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的下電極由所述公共電極層提供。
2.如權利要求1所述的紅外波束控制芯片，其特征在于，單個長方孔對的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值為開孔系數，所述開孔系數為25%?50%。
3.如權利要求1所述的紅外波束控制芯片，其特征在于，單個長方孔對的兩個長方形孔之間的金屬條的面積與對應的單元電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的光接收面積的比值為中心電極填充系數，所述中心電極填充系數為4%?16%。
4.如權利要求1至3中任一項所述的紅外波束控制芯片，其特征在于，所述控制芯片還包括芯片外殼；所述電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列封裝在所述芯片外殼內并與所述芯片外殼固連，其光入射面和光出射面通過所述芯片外殼的前后兩個端面上正對的開孔裸露在外；所述芯片外殼的側面設置有驅控信號輸入端口。
5.如權利要求4所述的紅外波束控制芯片，其特征在于，所述公共電極層和圖形化電極層各通過一根導線引出，公共電極層引線和圖形化電極層引線接入所述驅控信號輸入端□。
【文檔編號】G02F1/133GK204129389SQ201420621473
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月24日 優(yōu)先權日:2014年10月24日
【發(fā)明者】張新宇, 雷宇, 佟慶, 羅俊, 桑紅石, 謝長生 申請人:華中科技大學