高同心度的光纖接口組件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高同心度的光纖接口組件，其包括：前殼體、插芯、光纖、套管、及后殼體，所述前殼體呈筒狀，所述前殼體設(shè)有沿軸向方向貫穿前殼體的第一中心槽，所述套管收容于前殼體的第一中心槽內(nèi)，所述插芯至少部分收容于套管內(nèi)，所述光纖設(shè)置在插芯內(nèi)，所述后殼體安裝在前殼體的外側(cè)壁上，其中所述高同心度的光纖接口組件還設(shè)有導(dǎo)向棒，所述套管設(shè)有第二中心槽，所述第一中心槽和第二中心槽具有相同的軸心，所述導(dǎo)向棒的第一端伸入至第二中心槽與插芯相連，所述導(dǎo)向棒的第二端穿過第一中心槽后向外延伸超出前殼體。由于增加了與插芯相連的導(dǎo)向棒，增增加了插芯的同心度。
【專利說明】高同心度的光纖接口組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型有關(guān)在一種光纖接口組件，尤其涉及一種高同心度的光纖接口組件。

【背景技術(shù)】
[0002]光傳輸模塊分為單模光傳輸模塊與多模光傳輸模塊,在整體產(chǎn)品架構(gòu)上則包括光學(xué)次模塊(Optical Subassembly ;0SA)及電子次模塊(Electrical Subassembly ；ESA)兩大部分。首先磊晶部分是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)等作為發(fā)光與檢光材料，利用有機(jī)金屬氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposit1n ；M0CVD)等方式，制成磊晶圓。在芯片制程中，則將磊晶圓，制成雷射二極管。隨后將雷射二極管，搭配濾鏡、金屬蓋等組件，封裝成TO can(Transmitter Outline can),再將此TO can與陶瓷套管等組件，封裝成光學(xué)次模塊(0SA)。最后再搭配電子次模塊(ESA)，電子次模塊內(nèi)部包含傳送及接收兩顆驅(qū)動(dòng)1C，用以驅(qū)動(dòng)雷射二極管與檢光二極管，如此結(jié)合即組成光傳輸模塊。
[0003]光學(xué)次模塊又可細(xì)分為光發(fā)射次模塊與高同心度的光纖接口組件。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的光纖接口組件的同心度不夠。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于:提供一種高同心度的光纖接口組件，其同心度高。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0007]—種高同心度的光纖接口組件，其包括:前殼體、插芯、光纖、套管、及后殼體，所述前殼體呈筒狀，所述前殼體設(shè)有沿軸向方向貫穿前殼體的第一中心槽，所述套管收容于前殼體的第一中心槽內(nèi)，所述插芯至少部分收容于套管內(nèi)，所述光纖設(shè)置在插芯內(nèi)，所述后殼體安裝在前殼體的外側(cè)壁上，其中所述高同心度的光纖接口組件還設(shè)有導(dǎo)向棒，所述套管設(shè)有第二中心槽，所述第一中心槽和第二中心槽具有相同的軸心，所述導(dǎo)向棒的第一端伸入至第二中心槽與插芯相連，所述導(dǎo)向棒的第二端穿過第一中心槽后向外延伸超出前殼體。
[0008]采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型有益效果為:所述高同心度的光纖接口組件還設(shè)有導(dǎo)向棒，所述套管設(shè)有第二中心槽，所述第一中心槽和第二中心槽具有相同的軸心，所述導(dǎo)向棒的第一端伸入至第二中心槽與插芯相連，所述導(dǎo)向棒的第二端穿過第一中心槽后向外延伸超出前殼體，則由于增加了與插芯相連的導(dǎo)向棒，增加了插芯的同心度。
[0009]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)如下:
[0010]進(jìn)一步地，所述前殼體的右端設(shè)有外倒角，所述前殼體的右端呈尖端狀。
[0011]進(jìn)一步地，所述后殼體具有從左向右設(shè)置的第一蓋體部、第二蓋體部及第三蓋體部，所述第一蓋體部的外徑大于第二蓋體部的外徑，所述第三蓋體部的外徑與第一蓋體部的外徑大小相等。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一蓋體部與插芯過盈配合。
[0013]進(jìn)一步地，所述第二蓋體部和第三蓋體部與前殼體的外側(cè)壁過盈配合。
[0014]進(jìn)一步地，所述前殼體的外壁和與后殼體的內(nèi)壁之間點(diǎn)絕緣膠。
[0015]進(jìn)一步地，所述插芯的左端設(shè)有傾斜面，所述插芯的右端設(shè)有倒角。
[0016]進(jìn)一步地，所述第三蓋體部的右側(cè)內(nèi)部設(shè)有內(nèi)倒角。
[0017]進(jìn)一步地，所述后殼體設(shè)有沿左右方向貫穿后殼體的第三中心槽、第四中心槽及第五中心槽，所述第五中心槽的直徑大于第三中心槽的直徑，所述第三中心槽的直徑大于第四中心槽的直徑，所述插芯收容于第四中心槽和第五中心槽內(nèi)。
[0018]進(jìn)一步地,所述第一蓋體、第二蓋體與第三蓋體圍成一凹槽。
[0019]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本實(shí)用新型的高同心度的光纖接口組件的剖視示意圖。
[0021]圖中元件符號(hào)說明:100.高同心度的光纖接口組件，1.前殼體，10.第一中心槽，11.第一筒體，12.第二筒體，13.外倒角，2.插芯，21.傾斜面，22.倒角，3.光纖，4.套管，42.第二中心槽，5.后殼體，50.凹槽，51.第一蓋體部，52.第二蓋體部，53.第三蓋體部，531.內(nèi)倒角，54.第四蓋體部，56.第三中心槽，57.第四中心槽，58.第五中心槽，6.導(dǎo)向棒，7.絕緣膠。
[0022]

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步地說明。
[0024]如圖1所示，為符合本實(shí)用新型的一種高同心度的光纖接口組件100，其包括:前殼體1、插芯2、光纖3、套管4、及后殼體5。
[0025]所述前殼體I呈筒狀，所述前殼體I設(shè)有沿軸向方向貫穿前殼體I的第一中心槽10，所述套管4收容于前殼體I的第一中心槽10內(nèi)。
[0026]所述插芯2至少部分收容于套管4內(nèi)，所述光纖3設(shè)置在插芯2內(nèi)。所述后殼體5安裝在前殼體I的外側(cè)壁上。所述高同心度的光纖接口組件100還設(shè)有導(dǎo)向棒6，所述套管4設(shè)有第二中心槽42，所述一中心槽10和第二中心槽42具有相同的軸心，所述導(dǎo)向棒6的第一端伸入至第二中心槽42與插芯2相連，所述導(dǎo)向棒6的第二端穿過第一中心槽10后向外延伸超出前殼體I。
[0027]所述前殼體I的右端設(shè)有外倒角13，所述前殼體I的右端呈尖端狀。所述后殼體5具有從左向右設(shè)置的第一蓋體部51、第二蓋體部52、及第三蓋體部53。所述第一蓋體部51的外徑大于第二蓋體部52的外徑，所述第三蓋體部53的外徑與第一蓋體部51的外徑大小相等。所述第三蓋體部53的右側(cè)內(nèi)部設(shè)有內(nèi)倒角531。所述第一蓋體51、第二蓋體52與第三蓋體53圍成一凹槽50。
[0028]所述第一蓋體部51與插芯2過盈配合。所述第二蓋體部52和第三蓋體部53與前殼體I的外側(cè)壁過盈配合。所述前殼體I的外壁和與后殼體5的內(nèi)壁之間點(diǎn)絕緣膠7。所述插芯2的左端設(shè)有傾斜面21，所述插芯2的右端設(shè)有倒角22。
[0029]所述后殼體5設(shè)有沿左右方向貫穿后殼體的第三中心槽56、第四中心槽57及第五中心槽58,所述第五中心槽58的直徑大于第三中心槽56的直徑，所述第三中心槽56的直徑大于第四中心槽57的直徑。所述插芯2收容于第四中心槽57和第五中心槽58內(nèi)。
[0030]本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高同心度的光纖接口組件，其包括:前殼體、插芯、光纖、套管、及后殼體，所述前殼體呈筒狀，所述前殼體設(shè)有沿軸向方向貫穿前殼體的第一中心槽，所述套管收容于前殼體的第一中心槽內(nèi)，所述插芯至少部分收容于套管內(nèi)，所述光纖設(shè)置在插芯內(nèi)，所述后殼體安裝在前殼體的外側(cè)壁上，其特征在于:所述高同心度的光纖接口組件還設(shè)有導(dǎo)向棒，所述套管設(shè)有第二中心槽，所述第一中心槽和第二中心槽具有相同的軸心，所述導(dǎo)向棒的第一端伸入至第二中心槽與插芯相連，所述導(dǎo)向棒的第二端穿過第一中心槽后向外延伸超出前殼體。
2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述前殼體的右端設(shè)有外倒角，所述前殼體的右端呈尖端狀。
3.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述后殼體具有從左向右設(shè)置的第一蓋體部、第二蓋體部及第三蓋體部，所述第一蓋體部的外徑大于第二蓋體部的外徑，所述第三蓋體部的外徑與第一蓋體部的外徑大小相等。
4.如權(quán)利要求3項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述第一蓋體部與插芯過盈配合。
5.如權(quán)利要求4項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述第二蓋體部和第三蓋體部與前殼體的外側(cè)壁過盈配合。
6.如權(quán)利要求5項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述前殼體的外壁和與后殼體的內(nèi)壁之間點(diǎn)絕緣膠。
7.如權(quán)利要求6項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述插芯的左端設(shè)有傾斜面，所述插芯的右端設(shè)有倒角。
8.如權(quán)利要求7項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述第三蓋體部的右側(cè)內(nèi)部設(shè)有內(nèi)倒角。
9.如權(quán)利要求8項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述后殼體設(shè)有沿左右方向貫穿后殼體的第三中心槽、第四中心槽及第五中心槽，所述第五中心槽的直徑大于第三中心槽的直徑，所述第三中心槽的直徑大于第四中心槽的直徑，所述插芯收容于第四中心槽和第五中心槽內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9項(xiàng)所述的高同心度的光纖接口組件，其特征在于:所述第一蓋體、第二蓋體與第三蓋體圍成一凹槽。
【文檔編號(hào)】G02B6/42GK204065483SQ201420527817
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月15日
【發(fā)明者】鄒支農(nóng) 申請(qǐng)人:蘇州天孚光通信股份有限公司