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一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板及其制造工藝、電潤(rùn)濕顯示器的制造方法

文檔序號(hào):2716016閱讀:192來源:國(guó)知局
一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板及其制造工藝、電潤(rùn)濕顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板的制造工藝,包括以下步驟:在支撐板上制造第一層像元壁;然后布置疏水層,進(jìn)一步的在疏水層上布置保護(hù)層對(duì)疏水層進(jìn)行表面改性,使第一層像元壁上表面的疏水層其變?yōu)橛H水;然后在其上設(shè)置第二層像元壁。避免了對(duì)疏水層的破壞,保證了其完整性,可有效阻止疏水層上方的液體進(jìn)入疏水層的邊緣和像元壁材料之間的縫隙,避免了上下支撐板短路的問題。同時(shí)可以有效阻止油類越過像元壁,提高器件質(zhì)量。本發(fā)明還提供了利用上述方法制備的支撐板及具有該支撐板的電潤(rùn)濕顯示器。本發(fā)明可用于電潤(rùn)濕顯示。
【專利說明】
一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板及其制造工藝、電潤(rùn)濕顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電潤(rùn)濕顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,具體地涉及一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板及其制造工藝和包括該支撐板的電潤(rùn)濕顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002]電潤(rùn)濕是一種微流體現(xiàn)象,它已經(jīng)開始廣泛地被用作各種流體及電光設(shè)備的驅(qū)動(dòng)機(jī)制。目前電潤(rùn)濕顯示技術(shù)已經(jīng)有了普遍的應(yīng)用,它提供一種基于電潤(rùn)濕技術(shù)的顯示單元,包括流體腔室和電極結(jié)構(gòu),其中流體腔室包含導(dǎo)電流體和不導(dǎo)電流體,流體相互接觸且不可混溶,其中電極結(jié)構(gòu)包含與導(dǎo)電流體接觸的第一電極和設(shè)置在腔室壁處的第二電極裝置。
[0003]國(guó)際專利申請(qǐng)WO 2003/071346中描述了一種電潤(rùn)濕顯示器,它包括兩個(gè)支撐板,在其中一個(gè)支撐板上設(shè)置有壁圖案即像元壁,像元壁限定了顯示裝置的圖像元素,像元壁之間所形成的區(qū)域就是顯示區(qū),電潤(rùn)濕顯示器就在這個(gè)顯示區(qū)上產(chǎn)生顯示效果。為了便于圖像元素的適當(dāng)操作,電潤(rùn)濕顯示器的像素顯示區(qū)中的支撐板的區(qū)域在很大范圍上必須疏水,因此要在顯示區(qū)上設(shè)置疏水層。通常,在制造期間,先在支撐板中圖像元素所處的區(qū)域上覆蓋一層疏水層,再在疏水層上面沉積壁材料層,并且使用光刻法等方法來圖案化該壁材料層,從而在疏水層上制造像元壁。由于像元壁是由親水材料制成的,像元壁與疏水層之間的附著力比較弱,沉積在疏水層上面的像元壁容易從疏水層剝離掉。
[0004]為了解決疏水層和像元壁的結(jié)合問題,現(xiàn)有技術(shù)中采用的方法之一是,在疏水層上沉積壁材料層之前,先通過反應(yīng)離子蝕刻等方法降低疏水層的疏水性,當(dāng)形成像元壁之后,再將疏水層進(jìn)行熱處理,以便恢復(fù)其疏水性。然而,使用該方法制造的顯示裝置的質(zhì)量并不令人滿意。其他方法是使用光刻步驟,通過在暴露區(qū)域應(yīng)用(例如)反應(yīng)離子蝕刻、等離子體或UV臭氧處理而僅僅降低預(yù)定區(qū)域中的疏水性。缺點(diǎn)在于需要額外的光刻步驟以及伴隨著增加的分層風(fēng)險(xiǎn)難以對(duì)均勻疏水面應(yīng)用光刻處理。另外一種方法為:設(shè)置具有疏水層的支撐板;在疏水層上布置親水材料形成像元壁;以及通過溶劑去除疏水層的表面層。但溶劑去除疏水層表面層難以控制,以及影響像元壁親水材料對(duì)疏水層的粘附力。
[0005]以上方案均是在疏水層上設(shè)置壁材料,另一種方案為直接在支撐板上制作像元壁,再將疏水層材料覆蓋像元壁和支撐板上,并通過在像元壁圍成的凹槽中增加保護(hù)層后再刻蝕的方法,使得疏水層表面免受損傷,解決了因疏水層表面受損而引起的質(zhì)量問題。但是,這種方法存在一個(gè)問題,就是當(dāng)疏水層材料被刻蝕成像素格形狀的圖案后,由于疏水層和像元壁的粘結(jié)存在空隙,在多次開關(guān)后,會(huì)引起疏水層上方的水(或者是離子液體及諸如氯化鈉水溶液的鹽溶液)與下電極接觸后短路的問題,從而影響器件的可靠性。
[0006]而且上述方案,均存在油類越過像元壁進(jìn)入另一個(gè)像素格的風(fēng)險(xiǎn)。如WO2003/071346中的方案,容易由加熱而引起的絕緣層變形,導(dǎo)致其覆蓋在(爬上)像元壁的側(cè)面,造成像素之間的親水材料像元壁的表面積不夠,從而引起油類越過像元壁跳入另一個(gè)像素格。而上述的直接在支撐板上制作像元壁的方案也存在像元壁側(cè)面完全被疏水層材料包圍,存在不能有效阻止油類越過跳入另一個(gè)像素格的風(fēng)險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板及其制造工藝,所述的制造工藝避免了由于疏水層被分割而導(dǎo)致的水(或者是離子液體及諸如氯化鈉溶液的鹽溶液)滲入疏水層與壁之間的間隙而導(dǎo)致的短路,可以有效阻止油類由于像元壁的親水性差而進(jìn)入另一像元壁構(gòu)成的凹槽區(qū)域內(nèi)(像素格)。
[0008]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板的制造工藝,包括以下步驟:
1)提供支撐板,在其上設(shè)置第一層像元壁;
2)在具有第一層像元壁的支撐板上布置疏水層,所述疏水層覆蓋第一層像元壁表面及第一層像元壁在支撐板上所圍成的凹槽區(qū)域;
3)在所述凹槽區(qū)域設(shè)置至少一層保護(hù)層,并使所述保護(hù)層至少完全覆蓋所述凹槽區(qū)域底部的疏水層;
4)對(duì)步驟3)中得到的支撐板進(jìn)行表面改性,使得第一層像元壁上表面的疏水層變得親水;
5)在步驟4)中得到的支撐板上設(shè)置第二層像元壁,所述第二層像元壁與第一層像元壁一一對(duì)應(yīng);具體地,可以先在支撐板表面整體設(shè)置像元壁材料,然后去除掉多余的部分,得到第二層像元壁。
[0009]優(yōu)選地,所述第一層像元壁和第二層像元壁的材料為光刻膠。但是,第一層像元壁材料和第二層像元壁的材料可以不一致。
[0010]優(yōu)選地,所述第一層像元壁的高度為大于2ΜΠ1。
[0011 ] 優(yōu)選地,所述第一像元壁層和第二像元壁層的總高度為2?20Mffl,進(jìn)一步優(yōu)選地,所述第一像元壁層和第二像元壁層的總高度為3?15Mffl。
[0012]優(yōu)選地,所述疏水層的厚度為10(T2000nm ;進(jìn)一步優(yōu)選地,所述疏水層的厚度為300?lOOOnm。
[0013]本發(fā)明的另一方面,提供一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板,所述支撐板為使用上述的制造工藝所制造。
[0014]本發(fā)明還提供了一種電潤(rùn)濕顯示器,包括所述的支撐板。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的技術(shù)方案中,疏水層設(shè)置于第一層像元壁之上,然后通過疏水層表面改性在第一層像元壁上設(shè)置第二層像元壁,無需將疏水層表面分割成像素格尺寸的圖案,保證了疏水層的完整性,從而阻止疏水層上方的水(或者是離子液體及諸如氯化鈉水溶液的鹽溶液)進(jìn)入疏水層的邊緣和像元壁材料之間的縫隙,避免了上下支撐板短路的問題。同時(shí)由于新增加的第二層像元壁完全不被疏水材料包圍,可以有效阻止油類越過像元壁而進(jìn)入另一個(gè)像元壁圍成的凹槽區(qū)域內(nèi),提高器件質(zhì)量。本發(fā)明可用于電潤(rùn)濕顯示。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說明:
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的電潤(rùn)濕顯示器的像元結(jié)構(gòu)的截面圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例的電潤(rùn)濕顯示器像元結(jié)構(gòu)俯視圖;
圖3是本發(fā)明的電潤(rùn)濕顯示器支撐板的制造工藝過程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0018]如圖廣圖2所示,圖1示出了電潤(rùn)濕顯示器的部分橫截面。該電潤(rùn)濕顯示器包括多個(gè)像元2,在圖中示出了其中的一個(gè)。像元2的橫向范圍在圖中由兩條虛線3和4表示。像元2包括第一支撐板5和第二支撐板6。這些支撐板5和6可以是每個(gè)像元2的分離的部件,但是優(yōu)選地,這些支撐板5和6被多個(gè)像元2共有。支撐板5和6可以包括玻璃或聚合物基板7和6,并且可以是剛性的或柔性的。像元壁20設(shè)置在第一支撐板5上,更具體地為設(shè)置在電介質(zhì)層16或第一電極17上,而不是疏水層15上,且以疏水層15為界,像元壁20分為上下兩層:第一層像元壁201和第二層像元壁202。像元壁20 —般由親水材料制成,并在第一支撐板5上呈凸起狀。
[0019]電潤(rùn)濕顯示器I具有觀看面8和背面9,可以觀看由電潤(rùn)濕顯示器I在觀看面8上形成的圖像顯示。在圖1中,第一支撐板5面向背面9,第二支撐板6面向觀看面8,可選地,第一支撐板5可以面向觀看面8。電潤(rùn)濕顯示器I可以是反射型、透射型或透射反射型的。電潤(rùn)濕顯示器I可以是分段顯示型的,在其中圖像可以由段組成,每一段包括幾個(gè)像元
2。電潤(rùn)濕顯示器I可以是有源陣列驅(qū)動(dòng)顯示型的,或者是無源驅(qū)動(dòng)顯示器I。多個(gè)像元2可以是單色的。對(duì)于彩色顯示器,像元2可以分組,每組具有不同的顏色??蛇x地,單獨(dú)的圖像元素也能夠顯示不同的顏色。
[0020]支撐板5和6間的空間10充滿兩種流體:第一流體11和第二流體12,第二流體12與第一流體11不混溶。第二流體12為導(dǎo)電性的或電極性的,可以是水或諸如氯化鈉水溶液的鹽溶液。優(yōu)選地,第二流體12是透明的,但可以是彩色的、白色的、吸收的或反射的。第一流體11是非導(dǎo)電性的,例如可以是如同十六烷或(硅樹脂)油的烷烴。
[0021]第一流體11吸收至少一部分光譜,第一流體11對(duì)于一部分光譜可以是透射的,形成顏色過濾器。為了這個(gè)目的,第一流體11可以通過添加顏料微粒或染料被染色??蛇x地,第一流體11可以是黑色,即充分地吸收光譜的所有部分,或者反射。反射層可以反射整個(gè)可見光譜,使該層呈現(xiàn)為白色,或反射它的部分,使其有顏色。
[0022]第一支撐板5包括絕緣(insulating)層13。絕緣層13可以是透明的或反射的,絕緣層13可以在像元2的壁之間延伸。然而,為避免在第二流體12以及布置在絕緣層13下的電極之間的短路,優(yōu)選地,絕緣層13是在多個(gè)圖像元素2上延伸的連續(xù)層,如圖1中所示。優(yōu)選地,絕緣層13的厚度少于2Mm,更優(yōu)選地,少于lMm。
[0023]絕緣層13可以全部是疏水層15,可選地,也可以包括疏水層15和電介質(zhì)層16,疏水層15面向空間10,如圖1中所示。疏水層15可以是DuPont公司提供的諸如AF1600、AF1600X或AF1601的非晶體含氟聚合物,或者任何其他低表面能聚合物,如Cytop,Hyflon等。優(yōu)選地,疏水層15的厚度在100nnT2000nm;進(jìn)一步優(yōu)選地,疏水層15的厚度在300nnTl000nm。電介質(zhì)層16可以是氧化硅層或氮化硅層,具有例如200nm的厚度。
[0024]疏水層15的表面14的疏水特性使得第一流體11優(yōu)先粘附至絕緣層13,因?yàn)榈谝涣黧w11具有比第二流體12高的相對(duì)于絕緣層13的表面潤(rùn)濕性。潤(rùn)濕性涉及流體對(duì)固體表面的相對(duì)親和性。
[0025]每個(gè)像元2包括作為支撐板5的一部分的電極17。電極17通過絕緣層13與流體分離;鄰近像元2的電極被非導(dǎo)電層分離。其他層可以設(shè)置在絕緣層13和電極17之間。電極17可以是任何期望的形狀或形式。在圖1中僅示意性地表示出,通過信號(hào)線18向像元2的電極17提供電壓信號(hào)。第二信號(hào)線19被連接至與導(dǎo)電的第二流體12接觸的電極。當(dāng)所有像元2被第二流體12流動(dòng)地互相連接并且共享第二流體12而不被像元壁20阻斷時(shí),該第二電極由所有像元2共用。像元2可以由施加在信號(hào)線18和19間的電壓控制?;?上的電極17被耦連至顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。在具有以陣列形式設(shè)置的像元2的顯示器I中,在基板7上的第一電極17可以被耦連至控制線陣列。
[0026]第一流體11被沿著像元2橫截面的像元壁20限制于一個(gè)像元2內(nèi)。像元2的橫截面可以具有任意形狀。像元壁20可以從第一支撐板5向第二支撐板6延伸,但是也可以如圖1所示從第一支撐板5向第二支撐板6部分地延伸。由虛線3和4表示的像元2的范圍,由像元壁20的中心限定。由虛線21和22表示的像元2的像元壁20之間的區(qū)域被稱為顯示區(qū)域23,在其上產(chǎn)生顯示效果。
[0027]圖2示出第一支撐板5的疏水層15的平面圖中的正方形像元2的陣列。圖2中,中心像元2的范圍(與圖1中的虛線3和虛線4對(duì)應(yīng))由虛線25表示。線26表示像元壁20的內(nèi)邊界,該線也是顯示區(qū)域23的邊。像元壁20的圖案覆蓋第一區(qū)域27。
[0028]當(dāng)沒有電壓施加在電極間時(shí),第一流體11在像元壁20之間形成一層流體,如圖1所示。施加電壓會(huì)使第一流體11收縮,例如靠著像元壁20,如圖1中虛線形狀24所示。第一流體11的可控形狀用于作為光閥操作像元2,在顯示區(qū)域23提供顯示效果。
[0029]在顯示器I的制造過程中,包括電極17的電極結(jié)構(gòu)被設(shè)置在基板7上。接著為防止上下支撐板5和6短路可以布置一層電介質(zhì)層16,電介質(zhì)層16可以是氧化娃層或氮化娃層,具有例如200nm的厚度。(也可以不布置電介質(zhì)層16,直接用疏水層15當(dāng)做絕緣層13)。
[0030]接著,參照?qǐng)D3所示,說明本發(fā)明的一種可以提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板的制造工藝。
[0031]I)布置第一層像元壁201,如圖3-a所示。具體地,用已知方法在第一區(qū)域27中的第一支撐板5的電介質(zhì)層16上設(shè)置第一層像元壁201,或者第一支撐板5上不設(shè)置電介質(zhì)層16,直接在電極17上布置第一像元壁201。已知方法的處理步驟包括在表面上布置像元壁20材料,布置像元壁20材料的方法可以是但是不限于旋涂、刮涂、狹縫涂布等方法。像元壁20材料為親水材料,優(yōu)選是光刻膠(例如,SU-8),預(yù)烘干該層壁材料,使用光刻圖案化該層,以及從顯示區(qū)域23去除像元壁20材料。第一層像元壁201的高度優(yōu)選為不少于2 μ m0
[0032]2)在有第一層像兀壁201的第一支撐板5上布置疏水層15,如圖3_b。疏水層15覆蓋第一層像元壁201表面及第一層像元壁201在支撐板上所圍成的凹槽區(qū)域;疏水層15的材料可以是DuPont公司提供的諸如AF1600、AF1601或AF1600X的非晶體含氟聚合物,或者任何其他低表面能聚合物,如Cytop、Hyflon等;可以設(shè)置在電介質(zhì)層16的表面上。優(yōu)選地,疏水層15的厚度在100nnT2000nm ;進(jìn)一步優(yōu)選地,疏水層15的厚度在300nnTl000nm。
可以但不限于用旋涂、狹縫涂布、絲網(wǎng)印刷等方法涂布。
[0033]疏水材料涂布在親水材料上是可以緊密結(jié)合,所以疏水層15和第一層像元壁201之間是緊密結(jié)合的,不必?fù)?dān)心使用過程中出現(xiàn)分層等問題。
[0034]3)制造的下一個(gè)步驟是布置保護(hù)層30,如圖3-c。保護(hù)層30的材料優(yōu)選是光刻膠,也可以是其他可以清洗掉的物質(zhì)。保護(hù)層30位于在第一層像元壁201在支撐板上所圍成的凹槽區(qū)域;至少要完全覆蓋第一層像元壁201之間的凹槽底部的疏水層15,凹槽兩側(cè)的第一層像元壁201的側(cè)面可以被覆蓋部分或全部。保護(hù)層30可以為一層,也可以為兩層或多層,可以選用光刻膠作為第一層材料,然后在光刻膠的上面布置另外一層材料。例如,采用可固化的液體材料作為的保護(hù)材料,這樣其可以自動(dòng)進(jìn)入凹槽區(qū)域,完全覆蓋疏水層15的位于顯示區(qū)域23內(nèi)的部分,且不覆蓋或僅部分覆蓋位于第一層像元壁201上部的疏水層15部分。
[0035]4)制造的下一個(gè)步驟是對(duì)具有保護(hù)層的支撐板進(jìn)行表面改性,如圖3-d。由于具有保護(hù)層保護(hù),可以對(duì)支撐板表面進(jìn)行整體改性處理,使得第一層像元壁201上表面的疏水層15變的親水,而凹槽內(nèi)被保護(hù)層30覆蓋的疏水層15則不受表面改性的影響,依然保持疏水特性。表面改性的方法可包含物理方法及化學(xué)方法,具體地,表面改性的方法可以但不限于是反應(yīng)離子刻蝕(RIE)及感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)等其他方法。
[0036]5)制造的下一個(gè)步驟是布置第二層像元壁202,第二層像元壁202和第一層像元壁201 —一對(duì)應(yīng)。第二層像元壁202的材料可以和第一層像元壁201的材料相同或者有所區(qū)別,其材料可以是但不限于是光刻膠材料(如SU-8)。優(yōu)選地,像元壁202為光刻膠材料,這樣通過選擇合適的光刻膠顯影液,在形成第二層像元壁202的同時(shí)也可以去除保護(hù)層30,如圖3-e、f所示。
[0037]第一層像元壁201和第二層像元壁202所組成的壁(像素墻)的高度在2MflT20Mffl,優(yōu)選的是3MnTl5Mm。
[0038]步驟5)之后還可以包括去除保護(hù)層30的步驟。優(yōu)選地,采用清洗的方法去除,保護(hù)層30清洗劑的選擇采用可以有效去除保護(hù)層30但不損傷被保護(hù)的疏水層15以及不損傷像元壁20的溶液。例如,當(dāng)保護(hù)層30選用光刻膠時(shí),用光刻膠的顯影液或去膠液(也可以用其他材料對(duì)應(yīng)的清洗劑)進(jìn)行清洗,清洗劑可以是有機(jī)溶液也可以是無機(jī)溶液。優(yōu)選無機(jī)溶液,避免有機(jī)溶劑有殘余物遺留于疏水層15表面影響其疏水性能。之后可以用純水和(或)其他的物理和化學(xué)方法清洗。
[0039]去除保護(hù)層30后,為避免有機(jī)物殘留,可選用UV臭氧清洗表面,此步驟也可省略。
[0040]在完成對(duì)第一支撐板5的制造后,使用已知方法施加第一流體11。在空間10已以已知方式被第二流體12填滿以后,第一支撐板5和第二支撐板6使用例如壓敏膠安裝在一起,形成電潤(rùn)濕顯示器。
[0041]雖然本發(fā)明參考上述電潤(rùn)濕顯示器進(jìn)行了闡明,但本發(fā)明也適用于其他電潤(rùn)濕裝置,諸如電潤(rùn)濕光圈和快門的電潤(rùn)濕光學(xué)元件,以及芯片實(shí)驗(yàn)室(lab-on-a-chip)裝置。本發(fā)明同樣適用于如“一種電濕潤(rùn)支撐板”之類的發(fā)明名稱。
[0042]本發(fā)明的技術(shù)方案,利用疏水材料涂布在親水材料上是可以緊密結(jié)合,將疏水層設(shè)置于第一層像元壁之上,進(jìn)一步地,通過對(duì)疏水層表面改性使其具有親水性,然后在第一層像元壁上設(shè)置第二層像元壁,實(shí)現(xiàn)兩層像元壁的緊密結(jié)合,這樣無需破壞疏水層,保證了疏水層的完整性,從而阻止疏水層上方的水(或者是離子液體及諸如氯化鈉水溶液的鹽溶液)進(jìn)入疏水層的邊緣和像元壁材料之間的縫隙,避免了上下支撐板短路的問題。同時(shí)由于新增加的第二層像元壁完全不被疏水材料包圍,可以有效阻止油類越過像元壁而進(jìn)入另一個(gè)像元壁圍成的凹槽區(qū)域內(nèi),提高器件質(zhì)量。
[0043]以上是對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可做作出種種的等同變形或替換,這些等同的變形或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板的制造工藝,其特征在于,包括以下步驟: 1)提供支撐板,在其上設(shè)置第一層像元壁; 2)在具有第一層像元壁的支撐板上布置疏水層,所述疏水層覆蓋第一層像元壁表面及第一層像元壁在支撐板上所圍成的凹槽區(qū)域; 3)在所述凹槽區(qū)域設(shè)置至少一層保護(hù)層,并使所述保護(hù)層至少完全覆蓋所述凹槽區(qū)域底部的疏水層;4)對(duì)步驟3)中得到的支撐板進(jìn)行表面改性,使得第一層像元壁上表面的疏水層變得親水; 5)在步驟4)中得到的支撐板上設(shè)置第二層像元壁,所述第二層像元壁與第一層像元壁--對(duì)應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝,其特征在于,所述第一層像元壁和第二層像元壁的材料為光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝,其特征在于,在步驟I)中,所述第一層像元壁的高度為不少于2Mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造工藝,其特征在于,所述第一層像元壁和第二層像元壁的總高度為2?20Mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造工藝,其特征在于,所述第一層像元壁和第二層像元壁的總高度為3?15Mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝,其特征在于,所述步驟2)中疏水層的厚度為10nm?2000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造工藝,其特征在于,所述疏水層的厚度為300nnTl000nm。
8.一種提高電潤(rùn)濕顯示器性能的支撐板,其特征在于,所述支撐板為使用如權(quán)利要求Γ7中任一項(xiàng)所述的制造工藝制造。
9.一種電潤(rùn)濕顯示器,其特征在于,包括如權(quán)利要求8所述的支撐板。
【文檔編號(hào)】G02B26/00GK104317047SQ201410558980
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】吳昊, 李發(fā)宏, 羅伯特·安德魯·海耶斯, 周國(guó)富 申請(qǐng)人:華南師范大學(xué), 深圳市國(guó)華光電科技有限公司, 深圳市國(guó)華光電研究所
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