Cf基板的對組標記的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種CF基板的對組標記的制作方法，包括：步驟1、提供CF基板(1)；步驟2、在所述CF基板(1)上形成有機材料層(2)的同時，于CF基板(1)上有效顯示區(qū)的外圍區(qū)域形成數(shù)個與所述有機材料層(2)同樣材質(zhì)的對組標記(3)，用于與TFT基板對組時對位；步驟3、對所述對組標記(3)進行黑化處理，使得該對組標記(3)在CCD探測時的識別度提高。該方法能夠提高CCD探測時對對組標記的識別度，從而使得此種對組標記能為后續(xù)制程提供明確的對位基準。
【專利說明】CF基板的對組標記的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種CF基板的對組標記的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display,LCD，）具有機身薄、省電、無福射等眾多 優(yōu)點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理（PDA)、數(shù)字相機、計算機 屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003] 通常液晶顯示裝置包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶顯示面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模 組（Backlight module)。其中，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)主要是由一薄膜晶體管陣列基板（Thin Film Transistor Array Substrate, TFT Array Substrate) >一彩色濾光片基板（Color Filter, CF)、以及配置于兩基板間的液晶層（Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理 是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光 線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004] 如圖1所示，在傳統(tǒng)液晶顯示面板架構(gòu)中，CF基板100的第一道制程為形成黑色 矩陣（Black Matrix，BM) 200,所述黑色矩陣200會形成像素區(qū)的遮光結(jié)構(gòu)，同時該第一道 制程還在像素區(qū)外圍形成與所述黑色矩陣200的材質(zhì)相同的對組標記300,用于為該CF基 板100與TFT基板對組時提供對位基準。
[0005] 隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了一系列能夠提高液晶顯示面板的開口率的新技 術(shù)，將黑色矩陣設(shè)置于TFT基板上的BOA(BM on Array)技術(shù)便是其中的一種。
[0006] 但Β0Α技術(shù)也存在一些問題，如圖2所示，由于Β0Α架構(gòu)的面板中，黑色矩陣制 作于TFT基板上，會導致另一側(cè)的CF基板100'上僅剩色阻、光阻間隔物（Photo spacer， PS) 200'、ΙΤ0像素電極等結(jié)構(gòu)，而缺少高光學密度（Optical Density，0D)的材料，由于感 光奉禹合探測器（Charge Coupled Device，CCD)對光學密度低的材料識別度不高，導致不能 在CF基板上形成與傳統(tǒng)架構(gòu)液晶顯示面板相同的對組標記，無法為后續(xù)制程提供明確的 對位基準。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種CF基板的對組標記的制作方法，能夠提高CCD探測時 對對組標記的識別度，從而使得此種對組標記能為后續(xù)制程提供明確的對位基準。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種CF基板的對組標記的制作方法，包括如下步 驟：
[0009] 步驟1、提供CF基板；
[0010] 步驟2、在所述CF基板上形成有機材料層的同時，于CF基板上有效顯示區(qū)的外圍 區(qū)域形成數(shù)個與所述有機材料層同樣材質(zhì)的對組標記，用于與TFT基板對組時對位；
[0011] 步驟3、對所述對組標記進行黑化處理，使得該對組標記在C⑶探測時的識別度提 商。
[0012] 所述CF基板為BOA架構(gòu)液晶顯示面板中的CF基板。
[0013] 所述步驟2中有機材料層為CF基板上的任意有機結(jié)構(gòu)層。
[0014] 所述步驟2中有機材料層為所述CF基板上所形成的第一層有機材料層。
[0015] 所述步驟2中有機材料層為光阻間隔物層。
[0016] 所述步驟3通過對應每一對組標記設(shè)定一處理區(qū)域的位置與尺寸，在所述處理區(qū) 域的范圍內(nèi)采用增強方式對所述對組標記進行黑化處理。
[0017] 所述處理區(qū)域完全覆蓋所述對組標記，且所述處理區(qū)域的面積大于所述對組標記 的面積。
[0018] 通過由機臺平臺提供坐標信息，再通過光罩對所述坐標信息進行校準來最終確定 所述處理區(qū)域的位置與尺寸，所述處理區(qū)域的尺寸由機臺平臺的定位精度、所述有機材料 層的黃光制程精度共同決定。
[0019] 所述增強方式為激光灼燒、紫外曝光、或碳化。
[0020] 所述對組標記設(shè)于所述CF基板每相鄰兩邊的相交處。
[0021] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的CF基板的對組標記的制作方法，在CF基板上形 成與有機材料層同樣材質(zhì)的對組標記，并對該對組標記進行黑化處理，提高了對組標記的 光學密度，能夠提高CCD探測時對對組標記的識別度，從而使得此種對組標記能為后續(xù)制 程提供明確的對位基準。
[0022] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023] 下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其他有益效果顯而易見。
[0024] 附圖中，
[0025] 圖1為傳統(tǒng)液晶顯不面板CF基板的不意圖；
[0026] 圖2為現(xiàn)有Β0Α架構(gòu)液晶顯不面板CF基板的不意圖；
[0027] 圖3為本發(fā)明CF基板的對組標記的制作方法的流程圖；
[0028] 圖4為本發(fā)明CF基板的對組標記的制作方法的步驟2的示意圖；
[0029] 圖5-圖7為本發(fā)明CF基板的對組標記的制作方法的步驟3的示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)處理及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進行詳細描述。
[0031] 請參閱圖2至圖7,本發(fā)明提供一種CF基板的對組標記的制作方法，包括如下步 驟：
[0032] 步驟1、提供CF基板1。
[0033] 所述CF基板1為Β0Α架構(gòu)液晶顯示面板中的CF基板。由于Β0Α架構(gòu)的液晶顯示 面板將黑色矩陣制作于TFT基板上，因此該步驟1中的CF基板1上不具有高光密度的材料， 也不具有與傳統(tǒng)架構(gòu)液晶顯示面板相同的對組標記。
[0034] 步驟2、如圖4所示，在所述CF基板1上形成有機材料層2的同時，于CF基板1上 有效顯示區(qū)的外圍區(qū)域形成數(shù)個與所述有機材料層2同樣材質(zhì)的對組標記3。
[0035] 具體的，所述有機材料層2可以是所述CF基板1上的任意有機結(jié)構(gòu)層，如光阻間 隔物層、色阻層等，并且使用與所述有機材料層2相同的材質(zhì)形成對組標記3。進一步的，為 了保證后續(xù)制程的精度，選擇該有機材料層2為CF基板1上所形成的第一層有機層。優(yōu)選 的，所述有機材料層2為光阻間隔物層。
[0036] 所述對組標記3位于所述CF基板1每相鄰兩邊的相交處。由于此時對組標記3 的材質(zhì)為與有機材料層2同樣的有機材料，其光學密度值很低，在CCD下很難識別，因此需 要在后續(xù)步驟中對所述對組標記3進行黑化處理。
[0037] 步驟3、請同時參閱圖5-圖7,對所述對組標記3進行黑化處理，使得該對組標記 3在CCD探測時的識別度提高。
[0038] 該步驟3的具體實施過程為：首先，對應每一對組標記3設(shè)定一處理區(qū)域4,通過 由機臺平臺提供坐標信息，再通過光罩對所述坐標信息進行校準來最終確定所述處理區(qū)域 4的位置與尺寸。然后如圖6所示，在該處理區(qū)域4的范圍內(nèi)采用激光灼燒、紫外曝光、或 碳化等增強方式對對組標記3進行黑化處理，提高所述對組標記3的光學密度值，從而提高 CCD探測時對所述對組標記3的識別度，為后續(xù)制程提供明確的對位基準。
[0039] 所述處理區(qū)域4的尺寸由機臺平臺的定位精度、所述有機材料層2的黃光制程精 度等共同決定。如圖7所示，為了使對組標記3完全得到黑化處理，所述處理區(qū)域4完全覆 蓋所述對組標記3,且所述處理區(qū)域4的面積大于所述對組標記3的面積。值得一提的是， 在進行黑化處理時，所述對組標記3不一定位于處理區(qū)域4的正中心位置，只需保證對組標 記3在處理區(qū)域4的范圍內(nèi)，被該處理區(qū)域4完全覆蓋，能夠被黑化完全即可。
[0040] 綜上所述，本發(fā)明提供的CF基板的對組標記的制作方法，在CF基板上形成與有機 材料層同樣材質(zhì)的對組標記，并對該對組標記進行黑化處理，提高了對組標記的光學密度， 能夠提高CCD探測時對對組標記的識別度，從而使得此種對組標記能為后續(xù)制程提供明確 的對位基準。
[0041] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供CF基板（1); 步驟2、在所述CF基板（1)上形成有機材料層（2)的同時，于CF基板（1)上有效顯示 區(qū)的外圍區(qū)域形成數(shù)個與所述有機材料層（2)同樣材質(zhì)的對組標記（3)，用于與TFT基板對 組時對位； 步驟3、對所述對組標記（3)進行黑化處理，使得該對組標記（3)在(XD探測時的識別 度提高。
2. 如權(quán)利要求1所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述CF基板（1) 為BOA架構(gòu)液晶顯示面板中的CF基板。
3. 如權(quán)利要求1所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述步驟2中有 機材料層（2)為CF基板（1)上的任意有機結(jié)構(gòu)層。
4. 如權(quán)利要求3所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述步驟2中有 機材料層（2)為所述CF基板（1)上所形成的第一層有機材料層。
5. 如權(quán)利要求4所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述步驟2中有 機材料層（2)為光阻間隔物層。
6. 如權(quán)利要求1所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述步驟3通過 對應每一對組標記（3)設(shè)定一處理區(qū)域（4)的位置與尺寸，在所述處理區(qū)域（4)的范圍內(nèi) 采用增強方式對所述對組標記（3)進行黑化處理。
7. 如權(quán)利要求6所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述處理區(qū)域 (4)完全覆蓋所述對組標記（3)，且所述處理區(qū)域（4)的面積大于所述對組標記（3)的面 積。
8. 如權(quán)利要求6所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，通過由機臺平臺 提供坐標信息，再通過光罩對所述坐標信息進行校準來最終確定所述處理區(qū)域（4)的位置 與尺寸，所述處理區(qū)域（4)的尺寸由機臺平臺的定位精度、所述有機材料層（2)的黃光制程 精度共同決定。
9. 如權(quán)利要求6所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述增強方式為 激光灼燒、紫外曝光、或碳化。
10. 如權(quán)利要求1所述的CF基板的對組標記的制作方法，其特征在于，所述對組標記 (3)設(shè)于所述CF基板（1)每相鄰兩邊的相交處。
【文檔編號】G02F1/1335GK104155795SQ201410426173
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】熊源, 連水池 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司