自對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種自對準金屬層結構及其制備方法，包括：提供一襯底，所述襯底包括一導電層；在所述導電層上制備一圖形；在所述導電層上電鍍形成具有所述圖形的電鍍金屬層，從而可以采用自對準的方法直接制備具有圖形的電鍍金屬層。本發(fā)明還提供一種鏡片及其制備方法，包括：所述玻璃基板的第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層；在所述玻璃基板的第二面上制備一透明導電層；在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形；在所述透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第二遮光層具有所述第二圖形。采用鏡片的制備方法可以使得第一圖形和第二圖形精確對準。所述鏡片可以用于制備鏡片模組。
【專利說明】自對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及晶圓制備【技術領域】，特別涉及一種自對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組。
【背景技術】
[0002]隨著多媒體技術的發(fā)展，數(shù)碼相機、攝影機、具有相機功能的手機越來越受到廣大消費者青睞，在人們對數(shù)碼相機、攝影機、具有相機功能的手機追求小型化的同時，對其拍攝出物體的影像質量提出更高要求，即希望拍攝物體的影像畫面清晰，而物體的成像質量在很大程度上取決于數(shù)碼相機內各光學元件的優(yōu)劣。
[0003]數(shù)碼相機的鏡頭一般由至少一個透鏡光圈組成，圖1是現(xiàn)有技術中晶圓級光學鏡片的示意圖。透鏡光圈I包括:玻璃基板10，所述玻璃基板10包括第一面101以及與所述第一面101相對的第二面102 ;所述第一面101上設置有第一遮光層11，所述第一遮光層11具有第一圖形111 ;所述第二面102上設置有第二遮光層12，所述第二遮光層12具有第二圖形121。所述第二圖形121正對所述第一圖形111，使得光線正好可以從所述第一圖形111和第二圖形121中穿過。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術中，所述第一圖形111和第二圖形121都是通過光刻-刻蝕的方法分別在所述第一遮光層11和第二遮光層12上形成，使得無法很好的將所述第一圖形111與第二圖形121對準，從而影響透鏡模組的光學性能，進而影響數(shù)碼相機的成像質量。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組，可以采用自對準的方法制備電鍍金屬層(遮光層)，從而提高第一圖形與第二圖形對準的對準精度。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種自對準金屬層結構的制備方法，包括:
[0007]提供一襯底，所述襯底包括一導電層；
[0008]在所述導電層上制備一圖形；
[0009]在所述導電層上電鍍形成具有所述圖形的電鍍金屬層。
[0010]進一步的，在所述自對準金屬層結構的制備方法中，采用刻蝕工藝在所述導電層上制備所述圖形。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種自對準金屬層結構，包括:
[0012]襯底，所述襯底包括一導電層，所述導電層上包括一圖形；
[0013]電鍍金屬層，形成于所述導電層上，所述電鍍金屬層具有所述圖形。
[0014]進一步的，在所述自對準金屬層結構中，所述導電層的材料為非金屬材料。
[0015]進一步的，在所述自對準金屬層結構中，所述電鍍金屬層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種鏡片的制備方法，包括:[0017]提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
[0018]在所述第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層；
[0019]在所述第二面上制備一透明導電層；
[0020]在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形；
[0021]在所述透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第二遮光層具有所述第二圖形。
[0022]進一步的，在所述鏡片的制備方法中，在所述第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層的步驟包括:
[0023]在所述第一面上制備另一透明導電層；
[0024]在所述另一透明導電層上制備所述第一圖形；
[0025]在所述另一透明導電層上電鍍形成所述第一遮光層，所述第一遮光層具有所述第一圖形。
[0026]進一步的，在所述鏡片的制備方法中，采用刻蝕工藝在所述另一透明導電層上制備所述第一圖形。
[0027]進一步的，在所述鏡片的制備方法中，采用刻蝕工藝在所述的一透明導電層上制備所述第二圖形。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種鏡片的制備方法，包括:
[0029]提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
[0030]在所述第一面上制備第一透明導電層，在所述第二面上制備第二透明導電層，所述第一透明導電層上具有一第一圖形；
[0031]在所述的第二透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形；
[0032]在所述第一透明導電層上電鍍形成第一遮光層，同時在所述第二透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第一遮光層具有所述第一圖形，所述第二遮光層具有所述第二圖形。
[0033]進一步的，在所述鏡片的制備方法中，采用刻蝕工藝在所述第一透明導電層上制備所述第一圖形。
[0034]進一步的，在所述鏡片的制備方法中，采用刻蝕工藝在所述第二透明導電層上制備所述第二圖形。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種鏡片，包括:
[0036]玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
[0037]所述第一面上設置有第一透明導電層，所述第一透明導電層上包括一第一圖形；
[0038]第一遮光層，電鍍形成于所述第一透明導電層上，所述第一遮光層具有所述第一圖形；
[0039]所述第二面上設置有第二遮光層，所述第二遮光層中包括第二圖形，所述第二圖形正對所述第一圖形。
[0040]進一步的，在所述鏡片中，所述第二面與所述第二遮光層之間還設置有第二透明導電層，所述第二透明導電層具有所述第二圖形，所述第二遮光層電鍍形成于所述第二透明導電層上。
[0041 ] 進一步的，在所述鏡片中，所述第二透明導電層的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟。[0042]進一步的，在所述鏡片中，所述第二透明導電層的厚度為0.1 μ m?2 μ m。
[0043]進一步的，在所述鏡片中，所述第二遮光層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
[0044]進一步的，在所述鏡片中，所述第二遮光層的厚度為0.05μπι?Ιμπι。
[0045]進一步的，在所述鏡片中，所述第二圖形的寬度為0.1mm?50mm。
[0046]進一步的，在所述鏡片中，所述第一透明導電層的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟。
[0047]進一步的，在所述鏡片中，所述第一透明導電層的厚度為0.Ιμπι?2μπι。
[0048]進一步的，在所述鏡片中，所述第一遮光層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
[0049]進一步的，在所述鏡片中，所述第一遮光層的厚度為0.05μπι?Ιμπι。
[0050]進一步的，在所述鏡片中，所述第一圖形的寬度為0.1mm?50mm。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種鏡片模組，包括如上所述的任意一項鏡片。
[0052]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組具有以下優(yōu)點:
[0053]1.在本發(fā)明提供的自對準金屬層結構及其制備方法中，在所述導電層上制備所述圖形，然后進行電鍍工藝，對所述導電層通電，所述導電層作為電極，電鍍液在所述導電層的表面析出金屬，從而在所述導電層上自對準地生長出所述電鍍金屬層，由于所述導電層具有所述圖形，所以，所述電鍍金屬層亦具有所述圖形，避免對金屬進行刻蝕，提高所述圖形的精準度。
[0054]2.在本發(fā)明提供的鏡片及其制備方法中，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面，所述第一面上具有所述第一圖形，在所述第二面上制備一透明導電層，在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形，因為所述第一透明導電層的材質透明，所以，透過所述透明導電層和玻璃基板，很容易找到所述第一圖形的位置，從而對照所述第一圖形的位置，在所述透明導電層上制備出位置精準的所述第二圖形，從而提高鏡片模組的光學性能；并且，在所述透明導電層上制備所述第二圖形，相比采用黑光阻制備所述第二圖形的方法，所述第二圖形的關鍵尺寸(Critical Dimension,簡稱⑶)精準,所述第二圖形的形貌好,使得電鍍的所述第二遮光層中的所述第二圖形的關鍵尺寸精準，形貌好。
[0055]3.在本發(fā)明提供的鏡片及其制備方法中，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，可以避免使用所述黑光阻。首先，由于所述黑光阻的粘度高，所述黑光阻容易吸附顆粒(patical),形成缺陷(defect),所以，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，避免使用所述黑光阻，所形成的所述遮光層的缺陷少；其次，當在所述黑光阻上制備所述第二圖形時，往往采用手工的方法，手工制備所述第二圖形的方法的缺陷率高，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，避免在所述黑光阻上制備所述第二圖形，有利于減少缺陷；接著，所述黑光阻與所述玻璃基板的附著力差，并且，所述黑光阻與其它光學組件(如鏡頭)的附著力差，所以，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，電鍍的所述遮光層與所述玻璃基板的附著力好，且電鍍的所述遮光層與其它光學組件(如鏡頭)的附著力好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0056]圖1是現(xiàn)有技術中晶圓級光學鏡片的不意圖；
[0057]圖2是本發(fā)明第一實施例的自對準金屬層結構的制備方法的流程圖；
[0058]圖3-圖5是本發(fā)明第一實施例的自對準金屬層結構在制備過程中的結構示意圖；
[0059]圖6是本發(fā)明第二實施例的鏡片的制備方法的流程圖；
[0060]圖7-圖12是本發(fā)明第二實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖；
[0061]圖13-圖16是本發(fā)明第三實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖；
[0062]圖17-圖20是本發(fā)明第四實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0063]發(fā)明人對現(xiàn)有技術的透鏡光圈進行深入研究發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術中，所述第一圖形111和第二圖形121 (如圖1)需要先后進行刻蝕制備，由于所述第一遮光層11和第二遮光層12均不透光，所以，沒有精確的辦法對準所述第一圖形111和第二圖形121的位置。以下以所述第一圖形111先制備為例說明:
[0064]先對所述第一遮光層11進行光刻工藝，再進行刻蝕，在所述第一遮光層11中形成所述第一圖形111;
[0065]然后，對第二遮光層12進行光刻工藝，先將不透明的光刻膠涂覆在第二遮光層12上；
[0066]接著，需要去除部分光刻膠，在光刻膠上形成所述第二圖形121。去除部分光刻膠需要手動的將第二圖形121與第一圖形111進行對準，然而，由于所述第一遮光層11和第二遮光層12均不透光，所以，沒有精確的辦法對準所述第一圖形111和第二圖形121的位置。
[0067]最后，對第二遮光層12進行光刻工藝，將所述第二圖形121轉移到第二遮光層12上。
[0068]發(fā)明人進一步研究發(fā)現(xiàn)，如果可以直接在所述第二面102上直接形成具有第二圖形121的第二遮光層12，則避免通過不透光的第二遮光層12對準所述第一圖形111和第二圖形121的位置。
[0069]因此，需要一種遮光層的自對準生長工藝，發(fā)明人進一步研究，遮光層一般為金屬材料的，所以，可以先制備一導電層，在導電層上制備出一圖形，然后利用電鍍工藝，金屬的遮光層會自動生長在所述導電層上，而不生長在所述圖形上，從而將所述圖形轉移到金屬的遮光層上，避免光刻-刻蝕工藝。當所述導電層為透明導電層時，則可以精確地對準所述第一圖形111和第二圖形121的位置。
[0070]根據(jù)發(fā)明人的研究，發(fā)明人提出本發(fā)明，下面將結合示意圖對本發(fā)明的對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0071]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0072]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0073]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種自對準金屬層結構的制備方法，包括以下步驟:
[0074]步驟Sll:提供一襯底，所述襯底包括一導電層；
[0075]步驟S12:在所述導電層上制備一圖形；
[0076]步驟S13:在所述導電層上電鍍形成具有所述圖形的電鍍金屬層。
[0077]在所述導電層上制備所述圖形，然后進行電鍍工藝，對所述導電層通電，所述導電層作為電極，電鍍液在所述導電層的表面析出金屬，從而在所述導電層上自對準地生長出所述電鍍金屬層，由于所述導電層具有所述圖形，所以，所述電鍍金屬層亦具有所述圖形，避免對金屬進行刻蝕，提高所述圖形的精準度。
[0078]根據(jù)本發(fā)明的核心思想，本發(fā)明還提供一種鏡片的制備方法，包括以下步驟:
[0079]步驟S21:提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的
第二面；
[0080]步驟S22:在所述第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層；
[0081]步驟S23:在所述第二面上制備一透明導電層；
[0082]步驟S24:在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形；
[0083]步驟S25:在所述透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第二遮光層具有所述
第二圖形。
[0084]在所述第二面上制備一透明導電層，在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形，因為所述第一透明導電層的材質透明，所以，透過所述透明導電層和玻璃基板，很容易找到所述第一圖形的位置，從而對照所述第一圖形的位置，在所述透明導電層上制備出位置精準的所述第二圖形，從而提高鏡片模組的光學性能。
[0085]根據(jù)本發(fā)明的核心思想，本發(fā)明還提供另一種鏡片的制備方法，包括以下步驟:
[0086]步驟S31:提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
[0087]步驟S32:在所述第一面上制備第一透明導電層，在所述第二面上制備第二透明導電層，所述第一透明導電層上具有一第一圖形；
[0088]步驟S33:在所述的第二透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形；
[0089]步驟S34:在所述第一透明導電層上電鍍形成第一遮光層，同時在所述第二透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第一遮光層具有所述第一圖形，所述第二遮光層具有所述第二圖形。[0090]其中，步驟Sll-步驟S13、步驟S21-步驟S25以及步驟S31-步驟S36的順序不作具體的限制，可以根據(jù)需要進行選擇調換。
[0091]以下列舉本發(fā)明的幾個實施例，以清楚說明本發(fā)明的內容，應當明確的是，本發(fā)明的內容并不限制于以下實施例，其他通過本領域普通技術人員的常規(guī)技術手段的改進亦在本發(fā)明的思想范圍之內。
[0092]第一實施例
[0093]以下結合圖2-圖5說明本實施例中的自對準金屬層結構及其制備方法。其中，圖2是本發(fā)明第一實施例的自對準金屬層結構的制備方法的流程圖；圖3-圖5是本發(fā)明第一實施例的自對準金屬層結構在制備過程中的結構示意圖。
[0094]在本實施例的所述自對準金屬層結構的制備方法中，首先，進行步驟SI I，提供一襯底20，所述襯底20包括一導電層21，如圖3所示。其中，所述襯底20可以為硅襯底、鍺襯底、藍寶石襯底等等。所述導電層21可以與所述襯底20 —體成型，或所述導電層21為所述襯底20上的一層單獨膜層。優(yōu)選的，所述導電層21的材料為非金屬材料，例如，氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟等金屬氧化物；或導電硅膠等導電型有機聚合物；或石墨、多晶硅等單質晶體。上述非金屬材料的刻蝕性能優(yōu)于金屬的亥IJ蝕性能，可以得到相貌較好的圖形。所述導電層21的材料并不限于為上述非金屬材料，只要可以導電的材料，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。當然，所述襯底20還可以包括有源區(qū)等器件結構，可以根據(jù)需要進行設置，具體不做限制。
[0095]接著，進行步驟S12，在所述導電層21上制備所述圖形211，如圖4所示，在本實施例中，所述圖形211為一凹槽，但是在本發(fā)明的其它實施例中，所述圖形211還可以為通孔等結構。較佳的，采用刻蝕工藝在所述導電層21上制備所述圖形211，例如光刻-干法刻蝕工藝，可以制備出相貌較好的所述圖形211。
[0096]最后，進行步驟S13，進行電鍍工藝，對所述導電層21通電，所述導電層21作為電極，電鍍液在所述導電層21的表面析出金屬，從而在所述導電層21上自對準地生長出所述電鍍金屬層22，由于所述導電層21具有所述圖形211，所以，所述電鍍金屬層22亦具有所述圖形211。因此，不用對所述電鍍金屬層22刻蝕即可在所述電鍍金屬層22上形成所述圖形211，避免對金屬進行刻蝕，提高所述圖形211的精準度。較佳的，所述電鍍金屬層22的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀，但所述電鍍金屬層22并不限于上述材料，只要是具有遮光性與導電性的單質金屬或金屬氧化物，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。
[0097]經(jīng)過步驟S11-S13，形成了如圖5所示的自對準金屬層結構2，包括:所述襯底20，所述襯底20 —側的表面包括所述導電層21，所述導電層21上包括所述圖形211 ;所述電鍍金屬層22形成于所述導電層21上，所述電鍍金屬層22具有所述圖形211。
[0098]第二實施例
[0099]請參閱圖6-圖12說明本實施例中的鏡片及其制備方法。其中，圖6是本發(fā)明第二實施例的鏡片的制備方法的流程圖；圖7-圖10是本發(fā)明第二實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖。所述第二實施例的鏡片的制備方法利用所述第一實施例的方法制備第二遮光層，所述第二遮光層對應所述電鍍金屬層22，所述第一圖形對應所述圖形。具體步驟如下:[0100]首先，進行步驟S21，提供一玻璃基板30，所述玻璃基板30包括第一面301以及與所述第一面301相對的第二面302，如圖7所示。其中，所述玻璃基板30有透光材料形成，可以為凹透鏡或凸透鏡等光學組件。在本實施例中，所述玻璃基板30為凹透鏡或凸透鏡，所述鏡片為透鏡光圈。在本發(fā)明的其它實施例中，所述玻璃基板30還可以為平面鏡等。在本實施例中，所述玻璃基板30的厚度較佳的為0.1mm?2mm,優(yōu)選為0.5mm、1mm、1.5mm等。
[0101]然后，進行步驟S22，在所述第一面301上制備具有一第一圖形311的第一遮光層31,如圖8所不。較佳的，所述第一圖形311的寬度為0.1mm?50mm,優(yōu)選的，0.5mm、lmm、5mm、10mm、20mm、30mm、40mm等等。所述第一遮光層31的材料并不做具體限制，在本實施例中，可以為黑光阻或金屬鉻等，只要是不透光的材料即可。所述第一圖形311可以采用常規(guī)的光刻-刻蝕工藝形成，例如:先制備所述第一遮光層31 ;然后在所述第一遮光層31上制備一層光阻；采用光刻工藝在所述光阻上形成所述第一圖形311 ;采用刻蝕工藝，將所述光阻上的所述第一圖形311轉移到所述第一遮光層31上。其中，所述第一圖形311的形狀并不做具體限制，在本實施例中，所述第一圖形311的形狀為正方形(如圖11所示)，在本發(fā)明的其它實施例中，所述第一圖形311的形狀還可以為圓形、橢圓形、長方形、三角形、五邊形或圓角矩形等形狀，所述第一圖形311的形狀可以根據(jù)需要進行設置。
[0102]接著，進行步驟S23，在所述第二面302上制備一透明導電層32，如圖9所示。較佳的，所述的一透明導電層32的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟等，可以保證所述的一透明導電層32的透明度以及導電性。但是所述的一透明導電層32并不限于上述幾種，只要是透明的導電層，例如有機的透明導電薄膜，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述的一透明導電層32的厚度為0.Ιμπι?2μπι，優(yōu)選的,0.5 μ m、l μ m、l.5 μ m等等,可以保證所述的一透明導電層32的透明度以及導電性。
[0103]隨后，進行步驟S24，在所述的一透明導電層32上制備正對所述第一圖形311的一第二圖形321，如圖10所示。其中，所述第二圖形321正對所述第一圖形311，使得光線可以垂直穿過所述第二圖形321-所述玻璃基板30-所述第一圖形311。圖11表示圖9中沿虛線箭頭所示的方向所看到的結構示意圖，沿虛線箭頭所示的方向所看到為所述的一透明導電層32。因為所述的一透明導電層32的材質透明，所以，透過所述的一透明導電層32和玻璃基板30，很容易找到所述第一圖形311的位置，如圖11所示。所以，可以對照所述第一圖形311的位置，在所述的一透明導電層32上制備出位置精準的所述第二圖形321，從而使得光線可以垂直穿過所述第二圖形321-所述玻璃基板30-所述第一圖形311。其中，所述第二圖形321的形狀并不做具體限制，在本實施例中，所述第二圖形321的形狀為正方形，在本發(fā)明的其它實施例中，所述第二圖形321的形狀還可以為圓形、橢圓形、長方形、三角形、五邊形或圓角矩形等形狀，所述第二圖形321的形狀可以根據(jù)需要進行設置。所述第二圖形321與第一圖形311的形狀可以相同可可以不同，當所述第二圖形321與第一圖形311的形狀相同時，可以達到較佳的對準效果。
[0104]較佳的，采用刻蝕工藝在所述的一透明導電層32上制備所述第二圖形321，例如光刻-干法刻蝕工藝，可以制備出相貌較好的所述第二圖形321。較佳的，所述第二圖形321的寬度為 0.1mm ?50mm,優(yōu)選的，0.5mm> lmm、5mm、10mm、20mm、30mm、40_ 等等。
[0105]之后，進行步驟S25，在所述的一透明導電層32上電鍍形成第二遮光層33，所述第二遮光層33具有所述第二圖形321。具體的，對所述的一透明導電層32通電，所述的一透明導電層32作為電極，電鍍液在所述的一透明導電層32的表面析出金屬,從而在所述的一透明導電層32上自對準地生長出所述第二遮光層33，由于所述的一透明導電層32具有所述第二圖形321，所以，所述第二遮光層33亦具有所述第二圖形321。較佳的，所述第二遮光層33的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀，上述材料具有較好的遮光性能，但所述第二遮光層33并不限于上述材料，只要是具有遮光性與導電性的單質金屬或金屬氧化物，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述第二遮光層33的厚度為0.05 μ m?Iym,優(yōu)選的,0.1 μ m、0.2 μ m、0.5 μ m、0.8 μ m等等,可以保證所述第二遮光層33具有較好的遮光性。
[0106]通過本實施例的方法可以得到如圖12所示的鏡片3，包括:玻璃基板30，所述玻璃基板30包括第一面301以及與所述第一面301相對的第二面302 ;所述第一面301上設置有所述第一遮光層31，所述第一遮光層31中包括所述第一圖形311 ;所述第二面302上設置有所述的一透明導電層32，所述的一透明導電層32上包括所述第二圖形321 ;所述第二遮光層33電鍍形成于所述的一透明導電層32上，所述第二遮光層33具有所述第二圖形321，所述第二圖形321正對所述第一圖形311。
[0107]本實施例中的鏡片3可以用于制作鏡片模組，所述鏡片模組可以包括一個或多個所述鏡片3的組合，以提高所述鏡頭的光學性能。
[0108]第三實施例
[0109]請參閱圖13-圖16說明本實施例中的鏡片及其制備方法。其中，圖13-圖16是本發(fā)明第三實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖。所述第三實施例的鏡片及其制備方法與所述第二實施例的鏡片及其制備方法基本相同，其區(qū)別在于:所述第二實施例的鏡片的制備方法還利用所述第一實施例的方法制備第二遮光層，所述電鍍金屬層22還對應所述第一遮光層，所述圖形還對應所述第二圖形。
[0110]所以，在步驟S22具體包括以下子步驟:
[0111]子步驟S221，在所述第一面301上制備另一透明導電層34，如圖13所示。較佳的，所述另一透明導電層34的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟等，可以保證所述另一透明導電層34的透明度以及導電性。但是所述另一透明導電層34并不限于上述幾種，只要是透明的導電層，例如有機的透明導電薄膜，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述另一透明導電層34的厚度為0.Ιμπι?2μπι，優(yōu)選的，
0.5 μ m、l μ m、l.5 μ m等等,可以保證所述另一透明導電層34的透明度以及導電性。
[0112]子步驟S222，在所述另一透明導電層34上制備所述第一圖形311，如圖14所示。較佳的，采用刻蝕工藝在所述另一透明導電層34上制備所述第一圖形311，例如光刻-干法刻蝕工藝，可以制備出相貌較好的所述第一圖形311。較佳的，所述第一圖形311的寬度為
0.1mm ?50mm,優(yōu)選的，0.5mm> lmm、5mm、10mm、20mm、30mm、40mm 等等。
[0113]子步驟S223，在所述另一透明導電層34上電鍍形成所述第一遮光層31’，所述第一遮光層31’具有所述第一圖形311。如圖15所示，對所述另一透明導電層34通電，在所述另一透明導電層34上電鍍形成第一遮光層31’。因為所述另一透明導電層34具有所述第一圖形311，所以，所述第一遮光層31’亦具有所述第一圖形311。較佳的，所述第一遮光層31’的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀，上述材料具有較好的遮光性能，但所述第一遮光層31’并不限于上述材料，只要是具有遮光性與導電性的單質金屬或金屬氧化物，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述第一遮光層31’的厚度為0.05 μ m?Iym,優(yōu)選的,0.1 μ m、0.2 μ m、0.5 μ m、0.8 μ m等等,可以保證所述第一遮光層31’具有較好的遮光性。
[0114]從而如圖16所示，在最終形成的鏡片3’中，所述第一面301與所述第一遮光層31’之間還設置有另一透明導電層34，所述另一透明導電層34具有所述第一圖形311，所述第一遮光層31’電鍍于所述另一透明導電層34上。
[0115]第四實施例
[0116]請參閱圖17-圖20說明本實施例中的鏡片及其制備方法。其中，圖17-圖20是本發(fā)明第四實施例的鏡片在制備過程中的結構示意圖。所述第四實施例的鏡片及其制備方法與所述第三實施例的鏡片及其制備方法基本相同，其區(qū)別在于:在所述第四實施例中，所述第一遮光層和第二遮光層同時電鍍形成。具體的，在本實施例中，鏡片的制備方法包括:
[0117]首先，進行步驟S31，提供一玻璃基板40，所述玻璃基板40包括第一面401以及與所述第一面401相對的第二面402，如圖17所示。其中，所述玻璃基板40有透光材料形成，可以為凹透鏡或凸透鏡等光學組件。在本實施例中，所述玻璃基板40為凹透鏡或凸透鏡，所述鏡片為透鏡光圈。在本發(fā)明的其它實施例中，所述玻璃基板40還可以為平面鏡等。在本實施例中，所述玻璃基板40的厚度較佳的為0.1mm?2mm,優(yōu)選為0.5mm、1mm、1.5mm等。
[0118]接著，進行步驟S32，在所述第一面401上制備第一透明導電層41，在所述第二面402上制備第二透明導電層43，所述第一透明導電層41上具有一第一圖形411，如圖18所示。其中，所述第一圖形411的形狀并不做具體限制，在本實施例中，所述第一圖形411的形狀為正方形，在本發(fā)明的其它實施例中，所述第一圖形411的形狀還可以為圓形、橢圓形、長方形、三角形、五邊形或圓角矩形等形狀，所述第一圖形411的形狀可以根據(jù)需要進行設置。
[0119]較佳的，所述第一透明導電層41的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟等，可以保證所述第一透明導電層41的透明度以及導電性。但是所述第一透明導電層41并不限于上述幾種，只要是透明的導電層，例如有機的透明導電薄膜，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述第一透明導電層41的厚度為0.Ιμπι?2 μ m,優(yōu)選的,0.5 μ m>l μ m>l.5 μ m等等,可以保證所述第一透明導電層41的透明度以及導電性。較佳的，采用刻蝕工藝在所述第一透明導電層41上制備所述第一圖形411，例如光刻-干法刻蝕工藝，可以制備出相貌較好的所述第一圖形411。較佳的，所述第一圖形411的寬度為 0.1mm ?50mm,優(yōu)選的，0.5mm> lmm、5mm、10mm、20mm、30mm、40_ 等等。
[0120]較佳的，所述第二透明導電層43的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻、氧化錫氟等，可以保證所述第二透明導電層43的透明度以及導電性。但是所述第二透明導電層43并不限于上述幾種，只要是透明的導電層，例如有機的透明導電薄膜，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述第二透明導電層43的厚度為0.1 μπι?
2μ m,優(yōu)選的,0.5 μ m、l μ m、l.5 μ m等等,可以保證所述第二透明導電層43的透明度以及導電性。
[0121]接著，進行步驟S33，在所述第二透明導電層43上制備正對所述第一圖形411的一第二圖形431，如圖19所示。較佳的，采用刻蝕工藝在所述第二透明導電層43上制備所述第二圖形431，例如光刻-干法刻蝕工藝，可以制備出相貌較好的所述第二圖形431。較佳的，所述第二圖形431的寬度為0.1臟?5Ctam,優(yōu)選的，0.5臟、I臟、5臟、lCtam、2Ctam、3Ctam、40mm等等。其中，所述第二圖形431的形狀并不做具體限制，在本實施例中，所述第二圖形431的形狀為正方形，在本發(fā)明的其它實施例中，所述第二圖形431的形狀還可以為圓形、橢圓形、長方形、三角形、五邊形或圓角矩形等形狀，所述第二圖形321的形狀可以根據(jù)需要進行設置。所述第二圖形431與第一圖形411的形狀可以相同可可以不同，當所述第二圖形431與第一圖形411的形狀相同時，可以達到較佳的對準效果。
[0122]其中，所述第二圖形431正對所述第一圖形411，使得光線可以垂直穿過所述第二圖形421-所述玻璃基板40-所述第一圖形411。同理，因為所述第一透明導電層41和所述第二透明導電層43的材質均透明，所以，透過所述第二透明導電層43和玻璃基板40，更容易找到所述第一圖形411的位置，可以對照所述第一圖形411的位置，在所述第二透明導電層43上制備出位置精準的所述第二圖形421，從而使得光線可以垂直穿過所述第二圖形421-所述玻璃基板40-所述第一圖形411。
[0123]最后，進行步驟S34，在所述第一透明導電層41上電鍍形成第一遮光層42，同時在所述第二透明導電層43上電鍍形成第二遮光層44因為所述第一透明導電層41具有所述第一圖形411，所以，所述第一遮光層42亦具有所述第一圖形411。同理，所述第二遮光層44亦具有所述第二圖形431。較佳的，所述第一遮光層42和第二遮光層44的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀，上述材料具有較好的遮光性能，但所述第一遮光層42和第二遮光層44并不限于上述材料，只要是具有遮光性與導電性的單質金屬或金屬氧化物，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。較佳的，所述第一遮光層42的厚度為0.05μπι?Iym,優(yōu)選的,0.1 μ m、0.2 μ m、0.5 μ m、0.8 μ m等等,可以保證所述第一遮光層42具有較好的遮光性。所述第二遮光層44的厚度為0.05 μ m?I μ m，優(yōu)選的，0.1 μ m、0.2 μ m、0.5 μ m、
0.8 μ m等等，可以保證所述第二遮光層44具有較好的遮光性。
[0124]通過本實施例的方法可以得到如圖20所示的鏡片4，包括:玻璃基板40，所述玻璃基板40包括第一面401以及與所述第一面401相對的第二面402 ;所述第一面401上設置有第一透明導電層41，所述第一透明導電層41上包括一第一圖形411 ;第一遮光層42電鍍形成于所述第一透明導電層41上，所述第一遮光層42具有所述第一圖形411 ;所述第二面402上設置有所述第二透明導電層43，所述第二透明導電層43上包括一第二圖形431 ;第二遮光層44電鍍形成于所述第二透明導電層43上，所述第二遮光層44具有所述第二圖形431。
[0125]本實施例中的鏡片4亦可以用于制作鏡片模組，所述鏡片模組可以包括一個或多個所述鏡片4的組合，以提高所述鏡頭的光學性能。
[0126]綜上所述，本發(fā)明提供一種對準金屬層結構、鏡片及其制備方法以及鏡片模組，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0127]1.在本發(fā)明提供的自對準金屬層結構及其制備方法中，在所述導電層上制備所述圖形，然后進行電鍍工藝，對所述導電層通電，所述導電層作為電極，電鍍液在所述導電層的表面析出金屬，從而在所述導電層上自對準地生長出所述電鍍金屬層，由于所述導電層具有所述圖形，所以，所述電鍍金屬層亦具有所述圖形，避免對金屬進行刻蝕，提高所述圖形的精準度。
[0128]2.在本發(fā)明提供的鏡片及其制備方法中，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面，所述第一面上具有所述第一圖形，在所述第二面上制備一透明導電層，在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形，因為所述第一透明導電層的材質透明，所以，透過所述透明導電層和玻璃基板，很容易找到所述第一圖形的位置，從而對照所述第一圖形的位置，在所述透明導電層上制備出位置精準的所述第二圖形，從而提高鏡片模組的光學性能；并且，在所述透明導電層上制備所述第二圖形，相比采用黑光阻制備所述第二圖形的方法，所述第二圖形的關鍵尺寸(Critical Dimension,簡稱⑶)精準,所述第二圖形的形貌好,使得電鍍的所述第二遮光層中的所述第二圖形的關鍵尺寸精準，形貌好。
[0129]3.在本發(fā)明提供的鏡片及其制備方法中，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，可以避免使用所述黑光阻。首先，由于所述黑光阻的粘度高，所述黑光阻容易吸附顆粒(patical),形成缺陷(defect),所以,采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，避免使用所述黑光阻，所形成的所述遮光層的缺陷少；其次，當在所述黑光阻上制備所述第二圖形時，往往采用手工的方法，手工制備所述第二圖形的方法的缺陷率高，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，避免在所述黑光阻上制備所述第二圖形，有利于減少缺陷；接著，所述黑光阻與所述玻璃基板的附著力差，并且，所述黑光阻與其它光學組件(如鏡頭)的附著力差，所以，采用上述自對準金屬層結構的制備方法制備遮光層，電鍍的所述遮光層與所述玻璃基板的附著力好，且電鍍的所述遮光層與其它光學組件(如鏡頭)的附著力好。
[0130]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種自對準金屬層結構的制備方法，其特征在于，包括: 提供一襯底，所述襯底包括一導電層； 在所述導電層上制備一圖形； 在所述導電層上電鍍形成具有所述圖形的電鍍金屬層。
2.如權利要求1所述的自對準金屬層結構的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝在所述導電層上制備所述圖形。
3.一種自對準金屬層結構，其特征在于，包括: 襯底，所述襯底包括一導電層，所述導電層上包括一圖形； 電鍍金屬層，形成于所述導電層上，所述電鍍金屬層具有所述圖形。
4.如權利要求3所述的自對準金屬層結構，其特征在于，所述導電層的材料為非金屬材料。
5.如權利要求3所述的自對準金屬層結構，其特征在于，所述電鍍金屬層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
6.—種鏡片的制備方法,其特征在于,包括: 提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面； 在所述第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層； 在所述第二面上制備一透明導電層； 在所述透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形； 在所述透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第二遮光層具有所述第二圖形。
7.如權利要求6所述的鏡片的制備方法，其特征在于，在所述第一面上制備具有一第一圖形的第一遮光層的步驟包括: 在所述第一面上制備另一透明導電層； 在所述另一透明導電層上制備所述第一圖形； 在所述另一透明導電層上電鍍形成所述第一遮光層，所述第一遮光層具有所述第一圖形。
8.如權利要求7所述的鏡片的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝在所述另一透明導電層上制備所述第一圖形。
9.如權利要求6所述的自對準金屬層結構的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝在所述的一透明導電層上制備所述第二圖形。
10.一種鏡片的制備方法，其特征在于，包括: 提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面； 在所述第一面上制備一第一透明導電層，在所述第二面上制備一第二透明導電層，所述第一透明導電層上具有一第一圖形； 在所述的第二透明導電層上制備正對所述第一圖形的一第二圖形； 在所述第一透明導電層上電鍍形成第一遮光層，同時在所述第二透明導電層上電鍍形成第二遮光層，所述第一遮光層具有所述第一圖形，所述第二遮光層具有所述第二圖形。
11.如權利要求10所述的鏡片的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝在所述第一透明導電層上制備所述第一圖形。
12.如權利要求10所述的鏡片的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝在所述第二透明導電層上制備所述第二圖形。
13.一種鏡片，其特征在于，包括: 玻璃基板，所述玻璃基板包括第一面以及與所述第一面相對的第二面； 所述第一面上設置有第一透明導電層，所述第一透明導電層上包括一第一圖形； 第一遮光層，電鍍形成于所述第一透明導電層上，所述第一遮光層具有所述第一圖形； 所述第二面上設置有第二遮光層，所述第二遮光層中包括第二圖形，所述第二圖形正對所述第一圖形。
14.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第二面與所述第二遮光層之間還設置有一第二透明導電層，所述第二透明導電層具有所述第二圖形，所述第二遮光層電鍍形成于所述第二透明導電層上。
15.如權利要求14所述的鏡片，其特征在于，所述第二透明導電層的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟。
16.如權利要求14所述的鏡片，其特征在于，所述第二透明導電層的厚度為0.1 μπι~2 μ m0
17.如權利要求14所述的鏡片，其特征在于，所述第二遮光層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
18.如權利要求14所述的鏡片，其特征在于，所述第二遮光層的厚度為0.05 μ m~1μ m0
19.如權利要求14所述的鏡片，其特征在于，所述第二圖形的寬度為0.1mm~50mm。
20.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第一透明導電層的材料為氧化銦錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化錫、氧化錫銻或氧化錫氟。
21.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第一透明導電層的厚度為0.1 μ m~2μ m0
22.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第一遮光層的材料為鉻、銅、鎢、鋁、銀、三氧化二鉻、氮化鉈或氧化銀。
23.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第一遮光層的厚度為0.05 μ m~Iμ m0
24.如權利要求13所述的鏡片，其特征在于，所述第一圖形的寬度為0.1mm~50mm。
25.一種鏡片模組，其特征在于，包括如權利要求13至24中任意一項所述鏡片。
【文檔編號】G02B5/00GK103969714SQ201410222803
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月23日 優(yōu)先權日:2014年5月23日
【發(fā)明者】鐘嘉明, 林建邦 申請人:豪威光電子科技（上海）有限公司