專利名稱：極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及極紫外光刻掩模，特別是一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法。
背景技術(shù)：
掩模缺陷是極紫外光刻發(fā)展過程中的主要障礙之一。掩模缺陷極大的影響極紫外光刻掩模的多層膜反射率，因此需要一定的方法進(jìn)行補償，而準(zhǔn)確、快速地仿真掩模缺陷對掩模成像的影響是補償?shù)闹饕罁?jù)和大面積掩模仿真的要求。因此研究快速而準(zhǔn)確的掩模缺陷仿真方法具有十分重要的意義。目前，極紫外光刻掩模仿真通常采用的是嚴(yán)格仿真方法求解掩模衍射場分布如 FDTD 方法(參見在先技術(shù) I，T.Pistor, Y.Deng, and A.Neureuther, “Extremeultraviolet mask defect simulation:low-profile defects”，J.Vac.Sc1.Technol.B18, 2926-2929 (2000)),波導(dǎo)法(參見在先技術(shù) 2, Peter Evanschitzky and AndreasErdmann, “Fast near field simulation of optical and EUV masks using thewaveguide method”，Proc.0f SPIE Vol.6533，65330Y (2007))。嚴(yán)格仿真方法主要通過計算麥克斯韋方程組得到準(zhǔn)確的掩模衍射場分布，但嚴(yán)格仿真方法計算量大，計算速度慢，不利于大面積的掩模仿真計算和數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析，并且嚴(yán)格仿真涉及數(shù)值計算，無法給出與現(xiàn)有光刻成像公式兼容的衍射譜解析表達(dá)式。為了提高計算速度，Yuting Cao等人提出了極紫外光刻解析模型仿真方法(在先技術(shù)3, Yuting Cao, Xiangzhao Wang, AndreasErdmann, Peng Bu, and Yang Bu, “Analytical model for EUV mask diffraction fieldcalculation”, Proc.0f SPIE Vol.8171，81710N(2011))。該方法通過分解掩模結(jié)構(gòu)計算衍射譜，吸收層采用薄掩模模型和點脈沖修正，多層膜采用平面鏡近似，并通過與嚴(yán)格仿真比對得到相位傳播的補償距離，與在先技術(shù)2相比，在掩模圖形周期44nm，特征尺寸22nm，誤差3%以內(nèi)的情況下，運算速度提高近100倍，并且此方法給出了掩模衍射譜的解析表達(dá)式，但該仿真方法僅能用于無缺陷掩模仿真，限制了該方法的應(yīng)用范圍。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法可以有效的表征掩模缺陷對掩模成像的影響，并可以提高掩模缺陷的仿真速度。本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法包含如下的步驟:( I)仿真掩模吸收層衍射譜:吸收層薄掩模近似的復(fù)透射系數(shù)為:t (λ.) = t(x) + Αβιφδ{χ—吾)+ Αβ'φδ{χ+吾)，
權(quán)利要求
1.一種極紫外光刻厚掩模的快速仿真方法，該極紫外光刻厚掩模的構(gòu)成沿入射光方向依次包括吸收層(I)、多層膜(2)、缺陷(3)和基底(4)，其特征在于:該仿真方法的缺陷掩模簡化模型包括:吸收層等效薄掩模(8)、多層膜等效平面鏡(9)、多層膜等效平面鏡位置(10)和缺陷等效寬度(11)，該方法包括如下步驟: ①仿真掩模吸收層衍射譜: 吸收層薄掩模近似的復(fù)透射系數(shù)為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，其特征在于: 復(fù)透射系數(shù)表達(dá)式中的參數(shù)ta、tb和Aeilil的求解過程包含以下步驟: 吸收層衍射譜為:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，其特征在于:所述的缺陷掩模多層膜的等效反射參數(shù)求解過程包含以下步驟: I)求解缺陷多層膜的反射光強截面圖的衰減幅度Hsa (14)和影響范圍Wsc (15): 衰減幅度1Iml (14)滿足:
全文摘要
一種極紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，該方法將缺陷多層膜等效為無缺陷平面鏡和缺陷平面鏡兩部分，首先通過薄掩模近似得到掩模吸收層衍射譜，相位補償后經(jīng)過缺陷多層膜反射，然后再進(jìn)行相位補償，最后通過薄掩模近似和相位補償，得到極紫外光刻缺陷掩模衍射譜。本發(fā)明可以有效的仿真缺陷對掩模成像的影響，并提高了極紫外光刻厚掩模缺陷的仿真速度。
文檔編號G03F1/72GK103197503SQ20131010255
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月27日
發(fā)明者劉曉雷, 李思坤, 王向朝, 步揚 申請人:中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所