專利名稱：一種陣列基板的外圍電路、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的外圍電路、陣列基板及
顯示裝置。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯不(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)陣列基板的外圍電路中，包括柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的外圍電路均有保護(hù)層，在TFT陣列基板與彩膜基板對(duì)盒工藝后，還包括沿彩膜基板的切割線將彩膜切割掉一部分，使陣列基板上的外圍電路裸露在外面，以便進(jìn)行后續(xù)芯片壓接等程序。外圍電路中的柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的保護(hù)層一般為TFT外層的鈍化層，保護(hù)層較薄，厚度一般在幾納米左右，并且鈍化保護(hù)層為氧化硅或者氮化硅絕緣層，這類絕緣層的硬度較低。因此，對(duì)于硬度較低且厚度較薄的鈍化保護(hù)層，在TFT陣列基板與彩膜基板對(duì)盒后，沿彩膜基板的切割線切割彩膜，以露出其下面的陣列基板上的外圍電路時(shí)，容易將鈍化保護(hù)層下面的數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線切斷，導(dǎo)致與數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線的端子處連接的芯片與TFT斷開(kāi)，液晶顯示裝置良品率的降低。更重要的是，隨著顯示裝置分辨率越來(lái)越高，陣列基板上的布線越來(lái)越多，越來(lái)越密集，對(duì)于陣列基板上的TFT,常常會(huì)發(fā)生靜電釋放(Electro-Staticdischarge, ESD)損傷外圍電路的現(xiàn)象。在切割彩膜基板的過(guò)程中或其他情況下，外界因素對(duì)保護(hù)層下面的數(shù)據(jù)信號(hào)線或柵極掃描線的影響較大，尤其是保護(hù)層較薄的情況下，數(shù)據(jù)信號(hào)線或柵極掃描線更容易積累電荷。當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線沒(méi)有被切割斷的情況下，TFT電極上的電荷容易積累到更高的電壓水平，當(dāng)電極上的靜電電荷積累到一定程度時(shí)，分離TFT的源電極、漏電極，和柵電極的絕緣薄膜層就有可能被擊穿，導(dǎo)致源電極、柵電極、漏電極之間發(fā)生短路，即使源電極和柵電極之間的絕緣薄膜層沒(méi)有被擊穿，也會(huì)導(dǎo)致源電極和柵電極存在電壓差異，使得TFT的工作特性發(fā)生改變。現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)鈍化層作為外圍電路的保護(hù)層，首先厚度不足以保護(hù)外圍電路，容易造成ESD損傷TFT，另外鈍化層為絕緣層，硬度較低，容易損壞外圍電路，導(dǎo)致降低液晶顯示裝置的良品率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板的外圍電路、陣列基板及顯示裝置，用以避免外圍電路靜電損傷，提聞顯不裝置的良品率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的外圍電路，包括形成在基板上位于外圍區(qū)域的電路層，還包括形成在所述基板上用于保護(hù)所述電路層的至少一層電路保護(hù)層，其中，形成在所述基板上位于最外一層的電路保護(hù)層為有機(jī)層。較佳地，所述形成在基板上的所有電路保護(hù)層的厚度不大于液晶盒厚與電路層厚度的差值。[0009]較佳地，形成在基板上的所有電路保護(hù)層為兩層，為第一電路保護(hù)層和第二電路保護(hù)層；所述第一電路保護(hù)層為形成在所述基板上位于最外一層的電路保護(hù)層；所述第二電路保護(hù)層為位于所述第一電路保護(hù)層和電路層之間的電路保護(hù)層。較佳地，所述第二電路保護(hù)層與覆蓋陣列基板上的薄膜晶體管的鈍化層同層設(shè)置。較佳地，所述第一電路保護(hù)層覆蓋陣列基板的整個(gè)外圍區(qū)域，或所述第一電路保護(hù)層覆蓋與所述電路層相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。較佳地，所述第一電路保護(hù)層為由有機(jī)材料制作而成的光阻層。較佳地，所述第二電路保護(hù)層為氮化硅或氧化硅膜層。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括所述陣列基板的外圍電路。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括所述陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的外圍電路，包括依次覆蓋在所述外圍電路上的至少一層電路保護(hù)層，其中，至少一層電路保護(hù)層為有機(jī)層。多層保護(hù)層可以有效保護(hù)外圍電路免受靜電影響。并且，保護(hù)層可以是有機(jī)層，可有效防止在切割彩膜基板時(shí)，造成外圍電路損壞。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的外圍電路俯視不意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的圖1所示的陣列基板在A-B向的截面示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的在圖2所示的陣列基板增加有第二電路保護(hù)層的截面示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的雙層布線的外圍電路剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的單層布線包含柵極掃描線的外圍電路剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二電路保護(hù)層覆蓋整個(gè)外圍區(qū)域的陣列基板俯視不意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二電路保護(hù)層覆蓋外圍電路的陣列基板俯視示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板的外圍電路、陣列基板及顯示裝置，用以避免在彩膜基板切割工藝過(guò)程中，對(duì)陣列基板上的外圍電路的破壞，以及避免外圍電路受靜電影響而破壞，提高液晶顯示裝置的良品率。參見(jiàn)圖1，為彩膜基板和陣列基板對(duì)合后的陣列基板俯視示意圖，包括陣列基板I和彩膜基板2，彩膜基板2的面積小于陣列基板I的面積，彩膜基板2和陣列基板I通過(guò)封框膠3連接，位于封框膠3內(nèi)的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域5，位于封框膠3之外的區(qū)域?yàn)橥鈬鷧^(qū)域4，外圍電路設(shè)置在外圍區(qū)域，外圍電路至少包括電路層，所述電路層包括金屬引線40，該金屬引線可以為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)線。圖1所示的陣列基板為切割彩膜基板后的陣列基板。外圍電路的電路層中的用于與芯片壓接的PAD區(qū)域6已經(jīng)裸露出來(lái)，PAD區(qū)域6如圖1中閉合的虛線內(nèi)結(jié)構(gòu)所示。外圍電路的電路層至少分布有柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號(hào)線。柵極掃描線由陣列基板上像素區(qū)域的TFT的柵極引出來(lái)的引線組成，數(shù)據(jù)信號(hào)線由所述TFT的源極或漏極引出來(lái)的引線組成，柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號(hào)線位于陣列基板的外圍區(qū)域且PAD區(qū)域裸露在外面，以便進(jìn)行后續(xù)芯片壓接、電路檢測(cè)或制作模組(Module)等?，F(xiàn)有外圍電路的電路層最外層均有一層保護(hù)層，但是該保護(hù)層較薄，硬度較低。本實(shí)用新型實(shí)施例，通過(guò)在現(xiàn)有的外圍電路的電路層之上增加至少一層電路保護(hù)層，以增加外圍電路上電路保護(hù)層的厚度，避免彩膜基板切割工藝或其他外界因素對(duì)陣列基板上的外圍電路的破壞，且避免ESD損傷陣列基板上的TFT。下面通過(guò)附圖具體說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案。參見(jiàn)圖2，為圖1所示的陣列基板在A-B向的截面示意圖。外圍電路包括形成在陣列基板I上位于外圍區(qū)域的電路層7以及位于陣列基板I上用于保護(hù)電路層7的第一電路保護(hù)層8。陣列基板I和彩膜基板2之間填充有液晶分子9，陣列基板I和彩膜基板2以及封框膠3之間一起構(gòu)成封閉的液晶盒。較佳地，該第一電路保護(hù)層8為有機(jī)層，也就是通過(guò)有機(jī)材料制作而成。有機(jī)材料制作的第一電路保護(hù)層可以有效保護(hù)外圍電路免受靜電的影響，位于第一電路保護(hù)層下方的外圍電路不容易聚集靜電荷。在具體實(shí)施過(guò)程中，優(yōu)選的，第一電路保護(hù)層是在制作完陣列基板上的所有其他功能膜層之后制作而成，例如，在形成有鈍化層的TFT陣列基板上涂覆一層預(yù)設(shè)厚度的光阻層，通過(guò)曝光、顯影工藝流程，將陣列基板上顯示區(qū)域的光阻層顯影掉，外圍區(qū)域的光阻層留下來(lái)，作為本實(shí)用新型第一電路保護(hù)層。所述光阻層由有機(jī)材料制作而成。例如光阻層主要由有機(jī)樹(shù)脂(resin)制作而成。有機(jī)樹(shù)脂可以是苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰胺樹(shù)脂、丙烯酸酯樹(shù)脂，也可以是其他有機(jī)材料。較佳地，參見(jiàn)圖3，外圍電路還包括位于第一電路保護(hù)層8和電路層7之間的第二電路保護(hù)層10。較佳地，該第二電路保護(hù)層10可以是絕緣層，例如可以是在制作TFT過(guò)程中的柵極絕緣層或鈍化層，或者為二者的疊層。優(yōu)選的，所述第二電路保護(hù)層與覆蓋陣列基板上的薄膜晶體管的鈍化層同層設(shè)置。較佳地，電路層7上的最外一層的電路保護(hù)層，如圖2或3中所示的第一電路保護(hù)層8的厚度不大于液晶盒厚與電路層厚度的差值，較佳地，第一電路保護(hù)層8的厚度略小于液晶盒厚(液晶盒厚也即彩膜基板2和陣列基板I之間的垂直距離)。因?yàn)?，由于液晶盒厚一般在微米量?jí)，如幾個(gè)微米，而外圍電路的電路層的厚度在納米量級(jí)，如幾十納米。本實(shí)用新型，對(duì)于厚度在幾個(gè)微米的電路保護(hù)層可以有效地保護(hù)外圍電路不受外界電磁信號(hào)的干擾，以及不受靜電的影響，外圍電路中的數(shù)據(jù)信號(hào)線或柵極掃描線上不容易積聚靜電電荷，陣列基板上與數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線相連的TFT不容易被靜電擊穿。另外，對(duì)于厚度在幾個(gè)微米的電路保護(hù)層可以有效防止切割彩膜基板時(shí)將位于電路保護(hù)層下面的電路切斷。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電路保護(hù)層位于電路層上除芯片壓接區(qū)域之外的相應(yīng)區(qū)域。如圖2和圖3，芯片壓接區(qū)域裸露在外面，便于與芯片壓接。包括數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線的電路層的引線有兩種布線方式，雙層交替布線方式和單層布線方式。下面對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單層布線的電路層以及雙層交替布線的電路層進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖4，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的雙層式布線的電路層，該電路層為圖1所示的陣列基板上C-D向的截面圖，包括形成在陣列基板I上位于電路層區(qū)域的柵極掃描線11、位于柵極掃描線11上的柵極絕緣層12，以及位于柵極絕緣層12上的數(shù)據(jù)信號(hào)線13 ；位于數(shù)據(jù)信號(hào)線13上的第二電路保護(hù)層10 ；位于第二電路保護(hù)層10上的第一電路保護(hù)層8 ；其中，數(shù)據(jù)信號(hào)線13位于柵極掃描線11之間的夾縫中，并和柵極掃描線11位于不同的層，這樣的結(jié)構(gòu)能夠避免數(shù)據(jù)信號(hào)線13和柵極掃描線11電路信號(hào)的串?dāng)_。在實(shí)際制作電路層的過(guò)程中，所述雙層布線式電路層還包括位于柵極絕緣層12和數(shù)據(jù)信號(hào)線13之間的半導(dǎo)體層，由于該半導(dǎo)體層沒(méi)有被施加任何信號(hào)，也可以作為絕緣層，作為絕緣層的半導(dǎo)體層，并不影響外圍電路的工作。參見(jiàn)圖5，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單層式布線的電路層，包括位于陣列基板I上外圍區(qū)域的柵極掃描線11 ；位于柵極掃描線11上的柵極絕緣層12 ；位于陣列基板I上或者柵極絕緣層12的數(shù)據(jù)信號(hào)線13 ；柵極掃描線11和數(shù)據(jù)信號(hào)線13位于陣列基板I的不同區(qū)域。位于柵極掃描線11和數(shù)據(jù)信號(hào)線13上的第二電路保護(hù)層10 ；位于第二電路保護(hù)層10上的第一電路保護(hù)層8 ；第二電路保護(hù)層10和第一電路保護(hù)層8都覆蓋柵極掃描線11和數(shù)據(jù)信號(hào)線13。位于數(shù)據(jù)信號(hào)線13上的第二電路保護(hù)層10，該保護(hù)層可以為氮化硅層或氧化硅層(SiNx層或SiOx層)等絕緣層。圖4和圖5中的柵極絕緣層12是在形成TFT的柵極絕緣層時(shí)一起形成的，由于對(duì)電路層沒(méi)有任何影響，反而還能保護(hù)位于其下方的柵極掃描線11，也不必要專門將其刻蝕掉，節(jié)約工藝流程?？梢钥闯鰯?shù)據(jù)信號(hào)線13有兩層保護(hù)層，第二電路保護(hù)層10以及第一電路保護(hù)層
8。柵極掃描線11有三層保護(hù)層，除第二電路保護(hù)層10以及第一電路保護(hù)層8之外，還包括位于柵極掃描線11上的柵極絕緣層12。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)數(shù)據(jù)信號(hào)線只有一層保護(hù)層和柵極掃描線有兩層保護(hù)層的電路層，明顯增加了保護(hù)層的厚度。有效避免在切割彩膜基板的過(guò)程中將電路層中的引線切斷，且有效降低了靜電對(duì)保護(hù)層下方的外圍電路的影響，提高TFT陣列基板的良品率。[0063]當(dāng)然，單層布線數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極掃描線不一定設(shè)置在陣列基板的外圍區(qū)域的同一側(cè)，可以設(shè)置在陣列基板外圍區(qū)域的不同側(cè)。較佳地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一電路保護(hù)層在陣列基板外圍區(qū)域的設(shè)置方式可以有多種。參見(jiàn)圖6，第一電路保護(hù)層8可以覆蓋陣列基板的整個(gè)外圍區(qū)域，但不覆蓋電路層的PAD區(qū)域。這樣的設(shè)置方式，第一電路保護(hù)層可以對(duì)陣列基板外圍區(qū)域的其他電路或其他結(jié)構(gòu)起到一定保護(hù)作用。參見(jiàn)圖7，第一電路保護(hù)層8僅覆蓋電路層對(duì)應(yīng)的區(qū)域?；蛘叩谝浑娐繁Ｗo(hù)層僅覆蓋電路層中與數(shù)據(jù)信號(hào)線對(duì)應(yīng)的區(qū)域和/或柵極掃描線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括所述陣列基板的外圍電路。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括所述陣列基板。該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板的外圍電路，包括外圍區(qū)域的電路層，該電路層至少包括多層外圍電路保護(hù)層，外圍電路保護(hù)層較厚，避免外界因素對(duì)外圍電路的損壞。其中，至少一層電路保護(hù)層為有機(jī)層。多層保護(hù)層可以有效保護(hù)外圍電路免受靜電影響。并且，保護(hù)層可以是有機(jī)層，可有效防止在切割彩膜基板時(shí)，造成外圍電路損壞，有機(jī)層屬于絕緣層，避免靜電對(duì)陣列基板TFT的損傷，提高了 LCD的成品率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板的外圍電路，包括形成在基板上位于外圍區(qū)域的電路層，其特征在于，還包括形成在所述基板上用于保護(hù)所述電路層的至少一層電路保護(hù)層，其中，形成在所述基板上位于最外一層的電路保護(hù)層為有機(jī)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路，其特征在于，所述形成在基板上的所有電路保護(hù)層的厚度不大于液晶盒厚與電路層厚度的差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外圍電路，其特征在于，形成在基板上的所有電路保護(hù)層為兩層，為第一電路保護(hù)層和第二電路保護(hù)層；所述第一電路保護(hù)層為形成在所述基板上位于最外一層的電路保護(hù)層；所述第二電路保護(hù)層為位于所述第一電路保護(hù)層和電路層之間的電路保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外圍電路，其特征在于，所述第二電路保護(hù)層與覆蓋陣列基板上的薄膜晶體管的鈍化層同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電路，其特征在于，所述第一電路保護(hù)層覆蓋陣列基板的整個(gè)外圍區(qū)域，或所述第一電路保護(hù)層覆蓋與所述電路層相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的外圍電路，其特征在于，所述第一電路保護(hù)層為由有機(jī)材料制作而成的光阻層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的外圍電路，其特征在于，所述第二電路保護(hù)層為氮化硅或氧化娃膜層。
8.—種陣列基板,其特征在于,包括權(quán)利要求1-7任一權(quán)項(xiàng)所述的外圍電路。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板的外圍電路、陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，用以避免外圍電路靜電損傷，提高顯示裝置的良品率。本實(shí)用新型提供的陣列基板的外圍電路包括形成在基板上位于外圍區(qū)域的電路層，還包括形成在所述基板上用于保護(hù)所述電路層的至少一層電路保護(hù)層，其中，形成在所述基板上位于最外一層的電路保護(hù)層為有機(jī)層。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202886795SQ20122060160
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者王盛 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司