專利名稱：1810納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種濾光片，特別是1810納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
在許多工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，需要對物料(如冶金鋼鐵行業(yè)的燒結(jié)物料、食品加工行業(yè)的糧食物料和煙草行業(yè)的煙絲等)的水分進(jìn)行精確檢測，以保證產(chǎn)品的質(zhì)量，提高生產(chǎn)效率，降低能源消耗。現(xiàn)大多采用紅外水分儀來測量各種物料的水分，為了確保檢測的精準(zhǔn)度,在紅外水分儀內(nèi)設(shè)有濾光片。但是，目前用于水分測量的1810納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的的1810納米帶通紅外濾光片。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所設(shè)計的1810納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以SiO和Si為鍍膜材料的第二鍍膜層，所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為50nm的Si層、厚度為130nm的SiO層、厚度為80nm的Si層、厚度為149nm的SiO層、厚度為71nm的Si層、厚度為131nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為133nm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為64nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為134nm的Si層、厚度為157nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為292nm的SiO層、厚度為54nm的Si層、厚度為16Inm的SiO層、厚度為IOOnm的Si層、厚度為250nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為68nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為217nm的SiO層、厚度為236nm的Si層、厚度為296nm的SiO層、厚度為166nm的Si層、厚度為328nm的SiO層、厚度為179nm的Si層、厚度為322nm的SiO層以及厚度為162nm的Si層；第二鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為243nm的SiO層、厚度為90nm的Si層以及厚度為190nm的SiO層。上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實用新型得到的1810納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位在1810±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于O. I %，極大地提高了信噪比，提高應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的探測精度和效能。

圖I是實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。圖中基板I、第一鍍膜層2、第二鍍膜層3。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)ー步說明。實施例如圖I所示，本實施列提供的1810納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板I、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層2和以SiO和Si為鍍膜材料的第二鍍膜層3，所述基板I位于第一鍍膜層2和第二鍍膜層3之間，如圖2所示，第一鍍膜層2包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為50nm的Si層、厚度為130nm的SiO層、厚度為80nm的Si層、厚度為149nm的SiO層、厚度為71nm的Si層、厚度為131nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為133nm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為64nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為134nm的Si層、厚度為157nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為292nm的SiO層、厚度為54nm的Si層、厚度為16Inm的SiO層、厚度為IOOnm的Si層、厚度為250nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為68nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為217nm的SiO層、厚度為236nm的Si層、厚度為296nm的SiO層、厚度為166nm的Si層、厚度為328nm的SiO層、厚度為179nm的Si層、厚度為322nm的SiO層以及厚度為162nm的Si層；第二鍍膜層3包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為243nm的SiO層、厚度為90nm的Si層以及厚度為190nm的SiO層。如圖2所示，本實施例得到的1810納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位為1810 土 I %納米，峰值透過率達(dá)90 %以上，截止區(qū)透過率小于O. I %。
權(quán)利要求1.一種1810納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板(I)、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(2)和以SiO和Si為鍍膜材料的第二鍍膜層(3)，所述基板(I)位于第一鍍膜層(2)和第二鍍膜層(3)之間，其特征是第一鍍膜層(2)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為50nm的Si層、厚度為130nm的SiO層、厚度為80nm的Si層、厚度為149nm的SiO層、厚度為71nm的Si層、厚度為131nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為133nm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為64nm的Si層、厚度為147nm的SiO層、厚度為134nm的Si層、厚度為157nm的SiO層、厚度為60nm的Si層、厚度為292nm的SiO層、厚度為54nm的Si層、厚度為161nm的SiO層、厚度為IOOnm的Si層、厚度為.250nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為68nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為217nm的SiO層、厚度為236nm的Si層、厚度為296nm的SiO層、厚度為166nm的Si層、厚度為328nm的SiO層、厚度為179nm的Si層、厚度為322nm的SiO層以及厚度為162nm的Si層；第二鍍膜層(3)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為.125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為246nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為1478nm的SiO層、厚度為125nm的Si層、厚度為243nm的SiO層、厚度為90nm的Si層以及厚度為.190nm 的 SiO 層。
專利摘要本實用新型公開了一種1810納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以SiO和Si為鍍膜材料的第二鍍膜層，所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是其特征是所述第一鍍膜層包括從內(nèi)向外依次排列的厚度不同的Si層和SiO層，所述Si層和SiO層交互排列；所述第二鍍膜層包括從內(nèi)向外依次排列的厚度不同的SiO層和Si層，所述SiO層和Si層交互排列。本實用新型公開了一種1810納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位在1810±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，極大地提高了信噪比，提高應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的探測精度和效能。
文檔編號G02B5/20GK202472018SQ20122009092
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司