專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
薄膜晶體管陣列基板及其制作方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)由于具有高分辨率、低功耗、輕量化、無(wú)輻射以及尺寸多樣化等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用越來(lái)越多。薄膜晶體管液晶顯示器一般都是由薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板和彩色濾光片(Color Filter, CF)基板經(jīng)成盒工藝灌注液晶，然后經(jīng)過模組廠的組裝制造完成。在制作薄膜晶體管陣列基板過程中，需經(jīng)過多次濺射鍍膜或化學(xué)氣相沉積的成膜工序，在每次成膜后，還需經(jīng)過涂抹、曝光、顯影以及蝕刻等工序。以濺射鍍膜為例，濺射鍍膜主要是通過濺射方式沉積形成金屬膜和銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)膜，然后進(jìn)行光刻工序形成信號(hào)線、掃描線以及像素電極等。其中，信號(hào)線用來(lái)傳導(dǎo)包含灰階信息的電壓信號(hào)，掃描線用來(lái)傳輸開啟和關(guān)閉薄膜晶體管的電壓信號(hào)，信號(hào)線和掃描線一般由電阻率較低的金屬或金屬合金等材料形成?，F(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管液晶顯示器的尺寸不斷的增加，但是由于需要維持一定的光透過率，薄膜晶體管中掃描線和信號(hào)線的寬度不能無(wú)限的增加，而只能考慮增加掃描線和信號(hào)線的長(zhǎng)度。而掃描線與信號(hào)線的長(zhǎng)度增加，都導(dǎo)致其電阻的增大，電阻的增大將極大的降低信號(hào)的傳輸速率，進(jìn)而導(dǎo)致畫面顯示質(zhì)量下降。另外，在完成掃描線的光刻工序后，需進(jìn)行溫度高達(dá)350°C的化學(xué)氣相沉積(CVD)的成膜工藝來(lái)制作薄膜晶體管的有源層，此時(shí)形成掃描線的金屬層必須耐受高達(dá)350°C的高溫?，F(xiàn)有技術(shù)中采用銅或銅合金來(lái)形成掃描線和信號(hào)線，在一定程度上可以解決上述電阻增大以及耐高溫的問題，但是由于銅靶材成本較高，且對(duì)銅膜層的進(jìn)行蝕刻時(shí)，生產(chǎn)工藝存在困難。為避免使用銅靶材而導(dǎo)致的上述問題，另一現(xiàn)有技術(shù)是采用鑰/鋁或鑰/鋁/鑰的多層結(jié)構(gòu)來(lái)制作形成金屬層。譬如在鑰/鋁膜層結(jié)構(gòu)的金屬層中，由于鋁的電阻率比鑰的電阻率低，因此鋁膜層用作主要的導(dǎo)電層。但是鋁的熔點(diǎn)較低(熔點(diǎn)為660°C)，在經(jīng)歷化學(xué)氣相沉積成膜時(shí)的高溫環(huán)境，鋁原子之間相互擠壓，一旦達(dá)到一定的應(yīng)力，鋁膜層會(huì)擠壓變形產(chǎn)生小丘(hillock)，進(jìn)而導(dǎo)致掃描線與信號(hào)線之間的短路。鑰的熔點(diǎn)較高(熔點(diǎn)在2000°C以上)，且鑰膜層具有柱狀晶粒結(jié)構(gòu)，可以抑制鋁膜層因高溫產(chǎn)生的小丘，因此由鑰形成的膜層一般用作鋁膜層的阻擋層和保護(hù)層。
在大尺寸薄膜晶體管液晶顯示器中，為了降低掃描線和信號(hào)線的電阻，現(xiàn)有技術(shù)一般是增加鋁膜層的厚度。但是當(dāng)鋁膜層的厚度增加后，在經(jīng)歷化學(xué)氣相沉積成膜的高溫環(huán)境，鋁膜層由于高溫產(chǎn)生小丘，嚴(yán)重時(shí)產(chǎn)生的小丘可以穿出鑰膜層，導(dǎo)致薄膜晶體管的柵極、源極以及漏極之間發(fā)生短路，影響畫面顯示質(zhì)量。另外，上述鑰/鋁膜層結(jié)構(gòu)的金屬層經(jīng)蝕刻形成信號(hào)線或者掃描線后，被蝕刻的金屬層的蝕刻剖面為由下往上漸變縮的錐形，以便于后續(xù)的成膜附著工序。當(dāng)鋁膜層的厚度增加時(shí)，在鑰/鋁或鑰/鋁/鑰的多層結(jié)構(gòu)中，鋁膜層占的體積增大，在后續(xù)的濕式蝕刻工序中，由于鋁和鑰存在氧化特性的差異而發(fā)生原電池效應(yīng)，導(dǎo)致鑰的蝕刻速率比鋁的蝕刻速率慢，因此在濕式蝕刻工序后，位于頂部的鑰膜層將會(huì)比鋁膜層較為突出。后續(xù)的成膜過程中，成膜材料將會(huì)受突出的鑰膜層影響而不能在金屬層的蝕刻邊緣完整的附著，造成產(chǎn)品特性異常。綜上，由于鋁膜層厚度的增加，在經(jīng)歷化學(xué)氣相沉積成膜的高溫環(huán)境下易產(chǎn)生小丘等變形，在經(jīng)歷濕式蝕刻工序時(shí)易導(dǎo)致鋁和鑰發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)而造成的鑰膜層突出。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)由于鋁膜層厚度的增加，在經(jīng)歷化學(xué)氣相沉積成膜的高溫環(huán)境下易產(chǎn)生小丘等變形，在經(jīng)歷濕式蝕刻工序時(shí)易導(dǎo)致鋁和鑰發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的鑰膜層突出的技術(shù)問題。為解決上述問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種薄膜晶體管陣列基板，包括掃描線和信號(hào)線，所述掃描線由第一金屬層形成，所述信號(hào)線由第二金屬層形成；所述第一金屬層和第二金屬層皆為復(fù)層結(jié)構(gòu)，該復(fù)層結(jié)構(gòu)包括一主導(dǎo)電層及至少一阻擋層；所述主導(dǎo)電層內(nèi)部設(shè)有一熔點(diǎn)高于該主導(dǎo)電層的抑制金屬層。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，其特征在于；所述柵極由所述第一金屬層形成，所述源極和漏極由所述第二金屬層形成。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中，所述抑制金屬層的厚度范圍為O. 5納米 2納米。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中，所述主導(dǎo)電層由鋁形成；所述抑制金屬層由鑰形成。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中，所述第一金屬層包括第一主導(dǎo)電層和第一阻擋層；所述第一主導(dǎo)電層內(nèi)設(shè)置有第一抑制金屬層；所述第二金屬層包括第二阻擋層、第二主導(dǎo)電層和第三阻擋層，所述第二主導(dǎo)電層中內(nèi)設(shè)置有第二抑制金屬層。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)由于鋁膜層厚度的增加，在經(jīng)歷化學(xué)氣相沉積成膜的高溫環(huán)境下易產(chǎn)生小丘等變形，在經(jīng)歷濕式蝕刻工序時(shí)易導(dǎo)致鋁和鑰發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的鑰膜層突出的技術(shù)問題。為解決上述問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟提供玻璃基板，在玻璃基板上形成第一金屬層，并對(duì)所述第一金屬層刻蝕處理，形成掃描線；在所述第一金屬層上沉積形成絕緣層和半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成第二金屬層，并對(duì)所述第二金屬層刻蝕處理，形成信號(hào)、線.沉積鈍化層于所述第二金屬層上，并在所述鈍化層上形成透明電極層；其中，所述第一金屬層和第二金屬層皆為復(fù)層結(jié)構(gòu)，該復(fù)層結(jié)構(gòu)包括一主導(dǎo)電層及至少一阻擋層，所述主導(dǎo)電層內(nèi)部設(shè)有一熔點(diǎn)高于該主導(dǎo)電層的抑制金屬層。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，對(duì)所述第一金屬層刻蝕處理，形成掃描線的同時(shí)，還形成薄膜晶體管的柵極對(duì)所述第二金屬層刻蝕處理，形成信號(hào)線的同時(shí)，還形成薄膜晶體管的源極和漏極。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在玻璃基板上形成第一金屬層的步驟具體包括；在玻璃基板上濺鍍第一部分鋁膜層；在該第一部分鋁膜層上濺鍍一鑰膜層；在該鑰膜層上濺鍍第二部分鋁膜層，進(jìn)而形成所述第一金屬層。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在所述半導(dǎo)體層上形成所述第二金屬層的步驟具體包括在所述半導(dǎo)體層上濺鍍一鑰膜層形成第二阻擋層；在所述第二阻擋層上濺鍍第一部分鋁膜層，在該第一部分鋁膜層上濺鍍一鑰膜層，在該鑰膜層上濺鍍第二部分鋁膜層，進(jìn)而形成第二主導(dǎo)電層；在所述第二主導(dǎo)電層上濺鍍一鑰膜層形成所述第三阻擋層。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述抑制金屬層的厚度范圍為
O.5納米 2納米。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，通過在鋁-鑰膜層結(jié)構(gòu)中的鋁膜層內(nèi)增加一層抑制金屬層(譬如鑰膜層)，可以抑制高溫環(huán)境下鋁膜層的變形，還能抑制由于鋁膜層和鑰膜層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的鑰膜層的突出，進(jìn)而保證了產(chǎn)品的特性正常，提高了畫面顯示質(zhì)量。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下

圖I為本發(fā)明中薄膜晶體管陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為沿圖I中A-A’位置的剖面示意圖；圖3為沿圖I中B-B’位置的剖面示意圖；圖4為沿圖I中C-C’位置的剖面示意圖；圖5為本發(fā)明中薄膜晶體管陣列基板的制作方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。請(qǐng)參考圖I所示，圖I為本發(fā)明中薄膜晶體管陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為沿圖I中A-A’位置的剖面示意圖。請(qǐng)一并參閱圖I和圖2，所述薄膜晶體管陣列基板包括有掃描線11和信號(hào)線12，其中，所述掃描線11和所述信號(hào)線12彼此交叉排列并相互垂直，交叉區(qū)域限定一像素13。所述像素13內(nèi)包括有公共電極14與像素電極15,所述像素電極15為具有多個(gè)分支的梳狀結(jié)構(gòu)。所述薄膜晶體管陣列基板還包括薄膜晶體管16 (TFT)，所述薄膜晶體管16對(duì)應(yīng)所述像素13。所述薄膜晶體管16包括柵極161、源極162以及漏極163。其中所述柵極161為所述掃描線11的一部分，所述源極162連接所述信號(hào)線12，所述漏極163上設(shè)置有通孔251，該通孔251與所述像素電極15連接。請(qǐng)一并參閱圖2，玻璃基板20上形成有第一金屬層21，所述第一金屬層21經(jīng)蝕刻后形成所述柵極161，該柵極161為梯形的形狀，便于所述絕緣層22和所述半導(dǎo)體層23的附著。所述柵極161上沉積絕緣層22和半導(dǎo)體層23，所述半導(dǎo)體層23上沉積第二金屬層24。所述第二金屬層24上形成有鈍化層25。所述第二金屬層24的斷面經(jīng)蝕刻后為漸變的錐形，便于所述鈍化層25的附著。 所述鈍化層25上形成有透明電極層26，所述鈍化層25中間形成有通孔251 (對(duì)應(yīng)圖I中漏極163位置)，所述透明電極層26通過所述通孔251連接所述第二金屬層24。請(qǐng)一并參閱圖I、圖2和圖3，圖3為沿圖I中B_B’位置的剖面示意圖。所述第一金屬層21刻蝕形成所述掃描線11以及柵極161，所述第一金屬層21包括第一主導(dǎo)電層211以及疊加在所述第一主導(dǎo)電層211上的第一阻擋層212。所述第一主導(dǎo)電層211優(yōu)選為鋁膜層，所述第一阻擋層212優(yōu)選為鑰膜層，當(dāng)然也可以為其它材質(zhì)的金屬膜層，此處不列舉。在本實(shí)施例中，所述第一主導(dǎo)電層211內(nèi)部還設(shè)置有第一抑制金屬層213。所述第一抑制金屬層213優(yōu)選為鑰膜層，用于抑制高溫環(huán)境下所述第一主導(dǎo)電層211的變形，以及用于抑制由于所述第一主導(dǎo)電層211和所述第一阻擋層212發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的所述第一阻擋層212的突出。當(dāng)然，所述第一抑制金屬層213還可以由其它高熔點(diǎn)的金屬材質(zhì)形成，只要能夠達(dá)到上述有益效果即可，此處不一一列舉。其中，所述第一抑制金屬層213的厚度范圍優(yōu)選為O. 5納米 2納米。請(qǐng)一并參閱圖I、圖2和圖4，圖4為沿圖I中C_C’位置的剖面示意圖。所述第二金屬層24刻蝕形成所述信號(hào)線12、源極162以及漏極1623。所述第二金屬層24包括有第二阻擋層241、第二主導(dǎo)電層242以及第三阻擋層243。所述第二阻擋層241和所述第三阻擋層243優(yōu)選為鑰膜層，所述第二主導(dǎo)電層242優(yōu)選為鋁膜層，當(dāng)然也可以為其它材質(zhì)的金屬膜層，此處不一一列舉。在本實(shí)施例中，所述第二主導(dǎo)電層242內(nèi)部還設(shè)置有第二抑制金屬層244。所述第二抑制金屬層244優(yōu)選為鑰膜層，用于抑制高溫環(huán)境下所述第二主導(dǎo)電層242的變形，以及用于抑制由于所述第二主導(dǎo)電層242和所述第三阻擋層243發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的所述第三阻擋層243的突出。當(dāng)然，所述第二抑制金屬層244還可以由其它高熔點(diǎn)的金屬材質(zhì)形成，只要能夠達(dá)到上述有益效果即可，此處不一一列舉。其中，所述第二抑制金屬層244的厚度范圍為O. 5納米 2納米。請(qǐng)參閱圖5，圖5為本發(fā)明中薄膜晶體管陣列基板制作方法流程示意圖，下面結(jié)合圖I至圖5詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明中薄膜晶體管陣列基板的構(gòu)造原理。
在步驟S 501中，提供玻璃基板20，在玻璃基板20上用磁控濺射的方法沉積形成第一金屬層21，并對(duì)所述第一金屬層21刻蝕處理，形成所述掃描線11和柵極161。其中，在制作形成所述第一金屬層21時(shí)，首先在玻璃基板20上濺鍍第一部分鋁膜層。具體為，先將洗凈的玻璃基板20載入磁控濺鍍機(jī)臺(tái)，并將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鋁靶材相對(duì)的位置，設(shè)定成膜功率在40 70千瓦(KW)，鍍膜時(shí)間設(shè)定在28 49秒(S)，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕(Pa)。在上述第一部分鋁膜層形成后，在該第一部分鋁膜層上濺鍍一薄層的鑰膜層(即第一抑制金屬層213，厚度范圍為O. 5納米 2納米)。具體為，將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鑰靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在5 20千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定為I 4秒。在上述鑰膜層形成后，在該鑰膜層上繼續(xù)濺鍍第二部分鋁膜層。具體為，將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鋁靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在40 70千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定在28 49秒。 至此，形成所述第一主導(dǎo)電層211。其中，所述第一主導(dǎo)電層211內(nèi)形成有所述第一抑制金屬層213。之后，在上述第一主導(dǎo)電層211上繼續(xù)濺鍍一鑰膜層形成所述第一阻擋層212。具體為，將形成有所述第一主導(dǎo)電層211的玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鑰靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在50 65千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定為6 10秒。上述第一主導(dǎo)電層211和第一阻擋層212構(gòu)成所述第一金屬層21。其中，所述第一主導(dǎo)電層211內(nèi)形成有所述第一抑制金屬層213。在步驟S502中，用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法在所述第一金屬層21上沉積形成所述絕緣層22和半導(dǎo)體層23。本步驟中，即便是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積時(shí)存在較高的溫度，由于第一金屬層21的第一主導(dǎo)電層211內(nèi)形成有第一抑制金屬層213,仍然能夠避免所述第一主導(dǎo)電層211產(chǎn)生小丘，進(jìn)而保證了液晶顯示器的畫面顯示的正常。在步驟S503中，繼續(xù)在所述半導(dǎo)體層23上濺鍍形成所述第二金屬層24。并對(duì)所述第二金屬層24刻蝕處理，形成源極162、漏極163、信號(hào)線12以及溝槽D。其中，在形成所述第二金屬層24的過程中，首先在所述半導(dǎo)體層23上濺鍍一鑰膜層形成所述第二阻擋層241。具體為，將完成所述半導(dǎo)體層23光刻工序的玻璃基板20洗凈后載入磁控濺射鍍膜機(jī)臺(tái)，將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鑰靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在50 65千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定為2 4秒。之后，在所述第二阻擋層241上濺鍍第一部分鋁膜層。具體為，將洗凈的玻璃基板20載入磁控濺鍍機(jī)臺(tái)并調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鋁靶材相對(duì)的位置，設(shè)定成膜功率在40 70千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定在28 49秒，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕。之后，在該第一部分鋁膜層上濺鍍一鑰膜層(即第二抑制金屬層244)，具體為，將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鑰靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在5 20千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定為I 4秒。之后，在上述鑰膜層上濺鍍第二部分鋁膜層。具體為，將玻璃基板20調(diào)整到與機(jī)臺(tái)內(nèi)鋁靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05 O. 3帕，設(shè)定成膜功率在40 70千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定在28 49秒。至此，形成所述第二主導(dǎo)電層242，所述第二主導(dǎo)電層242內(nèi)包括有第二抑制金屬層244。之后，在所述第二主導(dǎo)電層242上濺鍍一鑰膜層形成所述第三阻擋層243。具體為，將玻璃基板20調(diào)整到機(jī)臺(tái)內(nèi)與鑰靶材相對(duì)的位置，濺鍍腔的氣體壓力設(shè)定在O. 05
O.3帕，設(shè)定成膜功率在50 65千瓦，鍍膜時(shí)間設(shè)定為5 8秒。上述第二阻擋層241、第二主導(dǎo)電層242以及第三阻擋層243構(gòu)成所述第二金屬層24。其中，所述第二主導(dǎo)電層242內(nèi)形成有第二抑制金屬層244。在具體實(shí)施過程中，在對(duì)所述第二金屬層24進(jìn)行濕式蝕刻工序時(shí)，由于所述第二主導(dǎo)電層242內(nèi)形成有第二抑制金屬層244，因此可以避免所述第二主導(dǎo)電層242和所述第 三阻擋層243發(fā)生原電池效應(yīng)，進(jìn)而保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。在步驟S 504中，沉積所述鈍化層25于所述第二金屬層24上，并通過刻蝕處理在所述鈍化層25中間形成通孔251，所述鈍化層25優(yōu)選使用氮化硅材料。在步驟S 505中，在所述鈍化層25上用磁控濺射的方法制作形成透明電極層26，使得所述透明電極層26通過所述通孔251連接所述第二金屬層24。在本發(fā)明中，在每次涂布層(譬如第二金屬層24、鈍化層25等)形成之后，都有相應(yīng)的涂抹、曝光、顯影和蝕刻等工序，以在相應(yīng)的涂布層上在形成不同的圖形，此處不再詳述。本發(fā)明通過在鋁-鑰膜層結(jié)構(gòu)中的鋁膜層內(nèi)增加一層高熔點(diǎn)金屬層(譬如鑰膜層)，可以抑制高溫環(huán)境下鋁膜層的變形，還能抑制由于鋁膜層和鑰膜層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成的鑰膜層的突出，進(jìn)而保證了產(chǎn)品的特性正常，提高了畫面顯示質(zhì)量。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括掃描線和信號(hào)線，所述掃描線由第一金屬層形成，所述信號(hào)線由第二金屬層形成；所述第一金屬層和第二金屬層皆為復(fù)層結(jié)構(gòu)，該復(fù)層結(jié)構(gòu)包括一主導(dǎo)電層及至少一阻擋層，其特征在于； 所述主導(dǎo)電層內(nèi)部設(shè)有一熔點(diǎn)高于該主導(dǎo)電層的抑制金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，其特征在于； 所述柵極由所述第一金屬層形成，所述源極和漏極由所述第二金屬層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述抑制金屬層的厚度 范圍為O. 5納米 2納米。
4.如權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述主導(dǎo)電層由鋁形成；所述抑制金屬層由鑰形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層包括第一主導(dǎo)電層和第一阻擋層；所述第一主導(dǎo)電層內(nèi)設(shè)置有第一抑制金屬層； 所述第二金屬層包括第二阻擋層、第二主導(dǎo)電層和第三阻擋層，所述第二主導(dǎo)電層中內(nèi)設(shè)置有第二抑制金屬層。
6 提供玻璃基板，在玻璃基板上形成第一金屬層，并對(duì)所述第一金屬層刻蝕處理，形成掃描線； 在所述第一金屬層上沉積形成絕緣層和半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上形成第二金屬層，并對(duì)所述第二金屬層刻蝕處理，形成信號(hào)線； 沉積鈍化層于所述第二金屬層上，并在所述鈍化層上形成透明電極層；其中， 所述第一金屬層和第二金屬層皆為復(fù)層結(jié)構(gòu)，該復(fù)層結(jié)構(gòu)包括一主導(dǎo)電層及至少一阻擋層，所述主導(dǎo)電層內(nèi)部包括一熔點(diǎn)高于該主導(dǎo)電層的抑制金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，對(duì)所述第一金屬層刻蝕處理，形成掃描線的同時(shí)，還形成薄膜晶體管的柵極； 對(duì)所述第二金屬層刻蝕處理，形成信號(hào)線的同時(shí)，還形成薄膜晶體管的源極和漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上形成第一金屬層的步驟具體包括； 在玻璃基板上濺鍍第一部分鋁膜層；在該第一部分鋁膜層上濺鍍一鑰膜層；在該鑰膜層上濺鍍第二部分鋁膜層，進(jìn)而形成所述第一金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層上形成所述第二金屬層的步驟具體包括 在所述半導(dǎo)體層上濺鍍一鑰膜層形成第二阻擋層； 在所述第二阻擋層上濺鍍第一部分鋁膜層，在該第一部分鋁膜層上濺鍍一鑰膜層，在該鑰膜層上濺鍍第二部分鋁膜層，進(jìn)而形成第二主導(dǎo)電層； 在所述第二主導(dǎo)電層上濺鍍一鑰膜層形成所述第三阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述抑制金屬層的厚度范圍為O. 5納米 2納米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，薄膜晶體管陣列基板包括掃描線和信號(hào)線，所述掃描線由第一金屬層形成，所述信號(hào)線由第二金屬層形成；所述第一金屬層和第二金屬層皆為復(fù)層結(jié)構(gòu)，該復(fù)層結(jié)構(gòu)包括一主導(dǎo)電層及至少一阻擋層，所述主導(dǎo)電層內(nèi)部設(shè)有一熔點(diǎn)高于該主導(dǎo)電層的抑制金屬層。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102623461SQ20121007220
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月19日
發(fā)明者李金磊 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司