專利名稱：線柵偏振片以及使用該線柵偏振片的投影型影像顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種線柵偏振片以及使用該線柵偏振片的投影型影像顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展非常顯著，光的波長(zhǎng)程度的微細(xì)結(jié)構(gòu)的形成已經(jīng)成為可能。具有這樣的微細(xì)結(jié)構(gòu)的構(gòu)件、制品能夠適合應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域等。例如，通過(guò)使由金屬等構(gòu)成的導(dǎo)電體的細(xì)線以入射光的波長(zhǎng)的二分之一以下的間隔(間距)在基材表面上排列，能夠得到以下這樣的偏振片(線柵偏振片)，所述偏振片能夠反射相對(duì)于導(dǎo)電體的延伸方向平行地振動(dòng)的電場(chǎng)矢量成分的光，并能夠透射垂直的電場(chǎng)矢量成分的光。由于線柵偏振片具有上述那樣的偏振分離特性，因此能夠適合作為反射型液晶投影儀、光拾波裝置等的偏振分光器使用。當(dāng)著眼于使用偏振分光器的反射型液晶投影儀時(shí)，裝置尺寸的小型化正在急速推進(jìn)。為了裝置尺寸的小型化，必須縮短反射型液晶投影儀內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)的光路長(zhǎng)度，從而難以使光源發(fā)出光源光成為充分的平行光。因此，入射到偏振分光器的光為廣角度的光。由于線柵偏振片能夠偏振分離廣角度入射的光，因此作為偏振分光器具有理想的偏振分離特性。近年來(lái)，隨著反射型液晶投影儀的開(kāi)發(fā)的進(jìn)行，不斷要求提高投影影像的品質(zhì)。僅依靠將廣角度入射的光偏振分離成高偏振度的光的偏振分離特性，無(wú)法達(dá)成影像品質(zhì)的提高。因此，需要相對(duì)于入射的光的角度的平行透過(guò)率的變化率小(平行透過(guò)率的角度依存性小)的偏振分光器。為了提高作為偏振分光器使用的線柵偏振片的偏振特性，提出了縮小基材的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的間距的線柵偏振片的制造方法(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。使用專利文獻(xiàn)I所記載的線柵偏振片的制造方法時(shí)，能夠形成沿著與基材上的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直的面(以下稱為“剖面視圖”)的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部那樣形狀的導(dǎo)電體，從而能夠提高線柵偏振片的偏振特性。另外，為了提高線柵偏振片的光學(xué)特性，提出了以偏設(shè)于剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的一方的側(cè)面的狀態(tài)設(shè)置導(dǎo)電層的線柵偏振片(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2所記載的線柵偏振片中，相對(duì)于基材的延伸方向垂直的面內(nèi)的基材的凸部的剖面形狀和導(dǎo)電體的剖面形狀為非對(duì)稱形狀。因此，隨著入射角度的變化平行透過(guò)率發(fā)生變化，從而能夠降低偏振度、透過(guò)率的波長(zhǎng)依存性。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2008-83656號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2010-85990號(hào)公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型要解決的課題然而，大多數(shù)的偏振分光器被制作以及配置成，光從相對(duì)于偏振分離層呈45度的角度方向入射，偏振分離成反射光和透射光。因此，在將線柵偏振片作為偏振分光器使用的情況下，光從相對(duì)于線柵偏振片的基材表面傾斜的方向入射。因此，以將45度的角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率小的線柵偏振片作為小型化的反射型液晶投影儀的偏振分光器比較理想。另一方面，線柵偏振片的光學(xué)性能主要依存于導(dǎo)電體的結(jié)構(gòu)以及間距。一般來(lái)說(shuō)，線柵偏振片的導(dǎo)電體被制作成在相對(duì)于基材表面垂直的方向伸長(zhǎng)。因此，線柵偏振片中，從相對(duì)于基材表面垂直的方向入射的光的透過(guò)率較高，從相對(duì)于基材表面傾斜的方向入射的情況下為低透過(guò)率，從而存在以將45度的角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率變大的傾向。本實(shí)用新型是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而研發(fā)的，其目的在于提供一種以將相對(duì)于剖面視圖中的基材表面為45度的角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率小、且平行透過(guò)率高的線柵偏振片。解決課題的手段本實(shí)用新型所涉及的線柵偏振片，其包括，具有在表面上的特定方向延伸的凹凸結(jié)構(gòu)的基材，以及以偏設(shè)于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的一方的側(cè)面的狀態(tài)設(shè)置的導(dǎo)電體，其中，在相對(duì)于所述凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直的方向的剖面視圖中，將從所述凸部的最高部至凹部的最低部的高度的差設(shè)定為凸部高度H，將自所述最低部的高度位置起在高度方向上大致9/10H的位置設(shè)定為第一高度位置，將自所述最低部的高度位置起在高度方向上大致1/10H的位置設(shè)定為第二高度位置時(shí)，在設(shè)定了所述第一高度位置的所述凹凸結(jié)構(gòu)的特定點(diǎn)Cl、所述第一高度位置的所述導(dǎo)電體的特定點(diǎn)C3、所述第二高度位置的所述凹凸結(jié)構(gòu)的特定點(diǎn)C2以及所述第二高度位置的所述導(dǎo)電體的特定點(diǎn)C4的情況下，通過(guò)所述特定點(diǎn)Cl以及所述特定點(diǎn)C2的第一假想線的斜率和通過(guò)所述特定點(diǎn)C3以及所述特定點(diǎn)C4的第二假想線的斜率的絕對(duì)值的平均值為I以上6以下，所述第一高度位置的所述凸部的寬度為所述第二高度位置的所述凸部的寬度的0. 45倍以下，所述凸部高度H為所述凸部的間距Pl的1/2以上。本實(shí)用新型所涉及的線柵偏振片的優(yōu)選情況為，所述導(dǎo)電體的至少一部分設(shè)置于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最高部的上方。本實(shí)用新型所涉及的線柵偏振片的優(yōu)選情況為，所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的間距為130nm以下。本實(shí)用新型所涉及的線柵偏振片的優(yōu)選情況為，從所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最低部在高度方向上上升1/3H的第三高度位置的導(dǎo)電體的寬度為40nm以下。本實(shí)用新型所涉及的投影型影像顯示設(shè)備，其包括上述的線柵偏振片、光源、以及反射型液晶顯示元件，其中從所述光源射出的光在所述線柵偏振片透射或者反射，之后入射到所述反射型液晶顯示元件，通過(guò)所述反射型液晶顯示元件調(diào)制的光在所述線柵偏振片反射或者透射而投影影像。本實(shí)用新型所涉及的投影型影像顯示設(shè)備的優(yōu)選情況為，所述線柵偏振片的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面被配設(shè)成面向反射型液晶顯示元件。實(shí)用新型效果根據(jù)本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)提供一種以將相對(duì)于剖面視圖的基材表面為45度的角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率小、且平行透過(guò)率高的線柵偏振片。由此，能夠提供作為偏振分光器具有優(yōu)選特性的線柵偏振片。

圖I是本實(shí)用新型的實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片的剖面示意圖。圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施形態(tài)所涉及的投影型影像顯示設(shè)備的示意圖。圖3是本實(shí)用新型的實(shí)施例所涉及的線柵偏振片的剖面圖。圖4是本實(shí)用新型的比較例所涉及的線柵偏振片的剖面圖。符號(hào)說(shuō)明 I 線柵偏振片2 反射型液晶投影儀11 基材Ila 凸部Ilb 側(cè)面11c、12a 最聞部Ild 凹部Ile最低部12 導(dǎo)電體21 光源22 反射型液晶顯示元件23 投影透鏡L1、L2 假想線Cl C4特定點(diǎn)H 凸部高度
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。<線柵偏振片>圖I是本實(shí)用新型的實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I的剖面示意圖。另外，在圖I中，表示的是相對(duì)于線柵偏振片I的基材11的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向(圖I的垂直于紙面的方向)垂直的剖面的示意圖。如圖I所示，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I包括，具有在表面上的特定方向延伸的凹凸結(jié)構(gòu)的基材11，和被偏設(shè)于基材11表面的凸部Ila的一方的側(cè)面Ilb的導(dǎo)電體12?；?1的凹凸結(jié)構(gòu)由多個(gè)凸部Ila和多個(gè)凹部Ild重復(fù)交替而構(gòu)成。本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，基材11的凸部Ila被構(gòu)成為支撐導(dǎo)電體12，相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直的剖面中的導(dǎo)電體12的剖面形狀被構(gòu)成為，具有相對(duì)于基材11表面的垂直方向相對(duì)傾斜的形狀。接著，對(duì)實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，在以下的說(shuō)明中，在相對(duì)于基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直的剖面內(nèi)，將從凸部Ila的最高部Ilc到凹部lid的最低部lie的高度的差設(shè)定為凸部高度H，將從凹部Ild的最低部lie起在高度方向(相對(duì)于基材表面垂直的方向)上大約9/10H的位置設(shè)定為“第一高度位置(參照?qǐng)DI的虛線L3)”，將從凹部Ild的最低部lie起在高度方向上大約1/10H的位置設(shè)定為“第二高度位置(參照?qǐng)DI的虛線L4)。另外，將在第一高度位置的凸部Ila的與導(dǎo)電體12的接觸點(diǎn)設(shè)定為“特定點(diǎn)Cl”，將在第一高度位置的導(dǎo)電體12的與凸部Ila的非接觸點(diǎn)設(shè)定為“特定點(diǎn)C3”。進(jìn)一步，將在第二高度位置的凸部Ila的與導(dǎo)電體12的接觸點(diǎn)設(shè)定為“特定點(diǎn)C2”，將在第二高度位置的導(dǎo)電體12的與凸部Ila的非接觸點(diǎn)設(shè)定為“特定點(diǎn)C4”?；?1被形成為，第一高度位置的凸部Ila的寬度Wh相對(duì)于第二高度位置的寬度Wl為0.45倍以下。另外，基材11被形成為，凸部高度H為相鄰的凸部Ila的最高部Ilc之間的間距Pl的1/2以上。導(dǎo)電體12被設(shè)置成，通過(guò)特定點(diǎn)Cl以及特定點(diǎn)C2的假想線LI (參照?qǐng)DI的一點(diǎn)劃線LI)的斜率的絕對(duì)值，和通過(guò)特定點(diǎn)C3以及特定點(diǎn)C4的假想線L2 (參照?qǐng)DI的一點(diǎn)劃線L2)的斜率的絕對(duì)值，為I以上6以下。另外，導(dǎo)電體12被設(shè)置成，在凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向的垂直方向的剖面視圖中，做成將相對(duì)于基材11表面平行的方向設(shè)定為X軸方向、將相對(duì)于基材11表面垂直的方向設(shè)定為y軸方向的x-y平面坐標(biāo)系的線性函數(shù)時(shí)，假想線LI的斜率的符號(hào)和假想線L2的斜率的符號(hào)相同。S卩，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I被構(gòu)成為，對(duì)應(yīng)于向設(shè)于基材11表面的導(dǎo)電體12入射的光的入射角度(例如,相對(duì)于基材11表面呈45度的方向),導(dǎo)電體12的表觀上的高度(入射角度方向的從基材11表面到導(dǎo)電體12的最高部12a為止的高度)變高，且被構(gòu)成為光從導(dǎo)電體12的表觀上的高度變高的方向向?qū)щ婓w12入射的情況下的平行透過(guò)率和偏振特性相對(duì)變高。通過(guò)這樣的構(gòu)成，能夠使以將相對(duì)于基材11表面呈45度的入射角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率減小，且使平行透過(guò)率提高。本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，從光學(xué)特性的觀點(diǎn)出發(fā)，以從凸部Ila的大致最高部Ilc偏設(shè)于凸部Ila的一方的側(cè)面Ilb的狀態(tài)設(shè)置導(dǎo)電體12。另外，通過(guò)使凸部高度H為凸部Ila的間距Pl的1/2以上，從而形成導(dǎo)電體12變得容易。由此，能夠制作假想線LI的斜率的絕對(duì)值和假想線L2的斜率的絕對(duì)值的平均值為I以上6以下的線柵偏振片I。另外，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，基材11的在第一高度位置的凸部Ila的寬度Wh相對(duì)于第二高度位置的凸部的寬度Wl為0. 45倍以下。由此，使剖面視圖中的導(dǎo)電體12的形狀相對(duì)傾斜變得容易，且能夠通過(guò)生產(chǎn)率優(yōu)良的斜向蒸鍍法來(lái)制作相對(duì)傾斜的形狀的導(dǎo)電體12。另外，從強(qiáng)度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選情況為寬度Wh為寬度Wl的0. I倍以上。另外，對(duì)于凸部Ila的寬度Wh、Wl，用掃描型電子顯微鏡(SEM)或者透過(guò)型電子顯微鏡(TEM)觀察剖面視圖的基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀，測(cè)量任意選擇的3個(gè)凸部Ila的相對(duì)于凸部Ila的基材11表面平行的方向的寬度，使用其平均值。進(jìn)一步，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，優(yōu)選情況為，在高度方向上導(dǎo)電體12的至少一部分設(shè)于凸部Ila的最高部Ilc的上方。這時(shí)，更優(yōu)選的情況為，導(dǎo)電體12的最高部12a在高度方向上從凹部Ild的最低部lie向上方延伸相對(duì)于凸部高度H的I. I倍以上。通過(guò)設(shè)置成導(dǎo)電體12延伸至基材11的凸部Ila的最高部Ilc的上方，能夠增加導(dǎo)電體12的體積。其結(jié)果是，能夠提高線柵偏振片I的偏振分離特性，且能夠減少光的損失。另外，導(dǎo)電體12的形狀只要是至少?gòu)幕?1的凸部Ila的最高部Ilc向上方突出來(lái)的形狀即可，可以在能夠增加導(dǎo)電體12的體積、提高偏振分離特性的范圍內(nèi)適時(shí)地變更。本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，導(dǎo)電體12具有微小的間隔(間距P2)而排列。如此，在導(dǎo)電體12以微小的間隔排列的線柵偏振片中，導(dǎo)電體12的間距P2越小則越能夠在廣泛的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)呈現(xiàn)良好的偏振特性。另外，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，由于導(dǎo)電體12與空氣(折射率為I. 0)接觸，通過(guò)將導(dǎo)電體12的間距P2設(shè)置成入射光波長(zhǎng)的1/4 1/3，能夠呈現(xiàn)出充分實(shí)用的偏振特性。另一方面，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，導(dǎo)電體12被設(shè)置成在剖面視圖中偏設(shè)于凸部Ila的一方的側(cè)面lib。因此，通過(guò)在相鄰的凸部Ila的非相對(duì)面的一方的側(cè)面Ilb上設(shè)置導(dǎo)電體12，凸部11的間距Pl和導(dǎo)電體12的間距P2以大致相同的間隔排列，因此從光學(xué)特性的觀點(diǎn)出發(fā)較為優(yōu)選。因此，考慮利用可見(jiàn)光區(qū)域的光的情況下，間距Pl優(yōu)選為150nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為130nm以下。在此，本實(shí)用新型的發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，為了制作在廣泛的波長(zhǎng)帶域呈現(xiàn)良好的偏振特性的線柵偏振片1，將本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I的剖面視圖中的凸部Ila的間距Pl設(shè)置為130nm以下時(shí)，與從具有導(dǎo)電體12的面(以下稱為“導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面”)側(cè)入射的光的反射率相比，導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的相反側(cè)的面的反射率較低。這是因?yàn)?，在蒸鍍?dǎo)電體12時(shí)的制造方法的特性上，由于基材11的凸部Ila的遮蔽效果，從剖面視圖中的基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的最低部Ile在高度方向上上升1/3H的高度位置(以下稱為“第三高度位置(參照?qǐng)DI的虛線L5)”)的導(dǎo)電體12的寬度Wm (在此所說(shuō)的導(dǎo)電體12的寬度Wm是指和基材11表面平行的方向的導(dǎo)電體12的寬度)變薄了。尤其是當(dāng)寬度Wm為40nm以下時(shí)，與導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的反射率相比，導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的相反側(cè)的面的反射率變低。具有這樣的特性的線柵偏振片I用于反射型液晶投影儀的偏振分光器時(shí)，能夠降低不需要的光的反射光強(qiáng)，從而能夠提高影像光的影像品質(zhì)，因此較為優(yōu)選。所述導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的反射率和導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的相反側(cè)的面的反射率的差異由剖面視圖中的導(dǎo)電體12的寬度Wm所決定。另外，本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I中，導(dǎo)電體12的寬度Wm，與凸部Ila的最高部Ilc的導(dǎo)電體12的厚度相比，容易制得更薄?？紤]到線柵偏振片I的有效折射率時(shí)，導(dǎo)電體12的寬度Wm是使有效折射率變化的因素，隨著有效折射率的變化反射特性也發(fā)生變化。凹部Ild的最低部Ile的導(dǎo)電體12的寬度Wm較薄的情況下，從基材11的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面?zhèn)热肷涞墓獾姆瓷渎式档?。尤其是，剖面視圖中的第三高度位置的導(dǎo)電體12的寬度Wm為40nm以下時(shí)，從基材11的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面?zhèn)热肷涞墓獾姆瓷渎瘦^低。利用生產(chǎn)率優(yōu)良的斜向蒸鍍法時(shí)，作為使剖面視圖中的凹部Ild的最低部Ile的導(dǎo)電體12的厚度變薄的方法，可以列舉，減小凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的間距P1、提高凸部高度H、加大凸部Ila的寬度Wh、Wl等。但是，在剖面視圖中的凸部高度H極其高的情況下，與凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的上部比較，在下部蒸鍍的導(dǎo)電體12的量變少。因此，在如例如正弦波狀凹凸結(jié)構(gòu)那樣的凸部Ila的寬度從凸部Ila的最高部Ilc至凹部Ild的最低部Ile連續(xù)地變化的結(jié)構(gòu)的情況下，相對(duì)于凸部Ila的上部在下部蒸鍍的導(dǎo)電體12的量變少，由此，導(dǎo)電體12的與凸部Ila的非接觸面?zhèn)鹊膫?cè)面的輪廓接近于垂直方向(假想線L2的斜率變大)，因此難以使導(dǎo)電體12的形狀相對(duì)傾斜。因此，凸部Ila的高度H優(yōu)選為凸部Ila的間距Pl的I. 5倍以下。、[0057]另外，加大凸部Ila的寬度Wh、Wl的情況下，隨著凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的占有比例變化，有效折射率也隨之發(fā)生變化，由此光學(xué)特性將會(huì)下降。因此，作為制作從基材11面?zhèn)热肷涞墓獾姆瓷渎实偷木€柵偏振片I的最佳條件是，減小凸部Ila的間距P1。另外，將剖面視圖中的凸部Ila的間距Pl設(shè)置為130nm以下時(shí)，能夠容易地使剖面視圖中的第三高度位置的導(dǎo)電體12的寬度Wm為40nm以下。但是，從光學(xué)特性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選的情況為，位于凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的一方的側(cè)面Ilb的導(dǎo)電體12不會(huì)發(fā)生局部的欠缺，是連續(xù)存在的。因此，優(yōu)選情況為在剖面視圖中的第三高度位置具有導(dǎo)電體12，更優(yōu)選的情況為該寬度Wm為5nm以上的導(dǎo)電體12連續(xù)存在。在此，如果過(guò)度減小凸部Ila的間距Pl的話，由于基材11的凸部Ila的遮蔽效果，導(dǎo)電體12的寬度Wm將會(huì)變得過(guò)薄，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)部分的欠缺。因此，凸部Ila的間距Pl優(yōu)選為80nm以上130nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為IOOnm以上130nm以下。另外，通過(guò)改變蒸鍍時(shí)的剖面視圖的蒸鍍角度，使向凹部Ild的最低部lie的蒸鍍量減少，能夠使凹部Ild的最低部Ile的導(dǎo)電體12的寬度Wm變薄。但是，蒸鍍角度的改變 會(huì)使剖面視圖中的導(dǎo)電體12的形狀發(fā)生變化。因此，為了使導(dǎo)電體12的形狀相對(duì)傾斜，且減少向凹部Ild的最低部lie的蒸鍍量，必須嚴(yán)格進(jìn)行蒸鍍條件的控制以及管理，將會(huì)產(chǎn)生生產(chǎn)率下降、各制造批次的光學(xué)特性的偏差變大等問(wèn)題。因此，優(yōu)選情況為，導(dǎo)電體12的寬度Wm通過(guò)凸部Ila的間距Pl來(lái)調(diào)整。本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片1，能夠通過(guò)粘結(jié)材料等將導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面?zhèn)然蛘咂湎喾磦?cè)的面光學(xué)地和其他的光學(xué)構(gòu)件接合來(lái)使用。在此對(duì)于所說(shuō)的光學(xué)構(gòu)件沒(méi)有特別的限制，可以是棱鏡、包括雙折射性膜的光學(xué)膜、擴(kuò)散膜、偏振膜等。另外，用粘結(jié)材料等將線柵偏振片I的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面和光學(xué)構(gòu)件等相接合，即使在和上述的光學(xué)構(gòu)件等接合的情況下，與線柵偏振片I的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面?zhèn)认啾容^，基材11面?zhèn)鹊姆瓷渎嗜匀惠^低。這是因?yàn)?，在光學(xué)特性良好的線柵偏振片I的剖面視圖中，與存在于凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的最高部Ilc上方的導(dǎo)電體12的厚度相比較，存在于凹部Ild的最低部lie的導(dǎo)電體12的寬度Wm較薄。(基材)作為基材11可以使用例如玻璃等的無(wú)機(jī)材料或樹(shù)脂材料。尤其采用樹(shù)脂材料形成基材11時(shí)，其能夠利用棍軋法(英文roll process ;日文口一 > 7° a七^(guò) ),可以使線柵偏振片I具有柔韌性(彎曲性)，由于具有上述等優(yōu)點(diǎn)，因此較為理想。作為可以用作基材11的樹(shù)脂，例如有聚甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、環(huán)烯烴樹(shù)脂(C0P)、交聯(lián)聚乙烯樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚丙烯酸酯樹(shù)脂、聚苯醚樹(shù)脂、改性聚苯醚樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂等的非晶性熱塑性樹(shù)脂、或者聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù)脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯樹(shù)脂、芳香族聚酯樹(shù)脂、聚甲醛樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂等的結(jié)晶性熱塑性樹(shù)脂、或者丙烯酸系、環(huán)氧系、聚氨酯系等的紫外線(UV)固化型樹(shù)脂或熱固化型樹(shù)脂。又，可以是UV固化型樹(shù)脂或熱固化型樹(shù)脂與玻璃等的無(wú)機(jī)基板、上述熱塑性樹(shù)脂、三醋酸酯樹(shù)脂等組合構(gòu)成基材11，或者是單獨(dú)使用構(gòu)成基材11。在基材11的表面也可以具有用來(lái)提高基材11和導(dǎo)電體12的附著性的薄膜?；?1表面的凹凸結(jié)構(gòu)，在剖面視圖中，優(yōu)選為正弦波形狀。正弦波形狀是指由凹部Ild和凸部Ila重復(fù)交替而成、曲率如拋物線那樣平緩變化的曲線部，其也可是梯形形狀、矩形形狀、正方形形狀、半圓形等的正弦波形狀。這些剖面形狀的曲線部為彎曲的曲線即可，例如，凸部Ild中間變細(xì)的形狀也包含于正弦波形狀中。通過(guò)凹凸結(jié)構(gòu)的形狀，在基材11的表面上的凹凸形狀的凸部Ila的側(cè)面Ilb以及凹部Ild的底部上，利用斜向蒸鍍法可以容易地形成連續(xù)的導(dǎo)電體12。另外，基材11只要在目標(biāo)波長(zhǎng)區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上透明即可。另外，在規(guī)定的方向上延伸是指，只要凹凸構(gòu)造在規(guī)定的方向?qū)嵸|(zhì)上延伸即可，并不需要凹凸構(gòu)造的凹部Ild和凸部Ila各自嚴(yán)格地平行延伸。另外，凹凸構(gòu)造的間隔(間距Pl)優(yōu)選為150nm以下，且等間隔的情況較為理想。另外，等間隔是指，只要實(shí)質(zhì)上等間隔即可，可以容許上至±10%左右的偏差。表面具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材11的制造方法沒(méi)有被特別地限定。例如，可以是本申請(qǐng) 人的申請(qǐng)日本專利第4147247號(hào)公報(bào)所記載的制造方法。根據(jù)日本專利第4147247號(hào)公報(bào)，利用具有采用干涉曝光法而制作的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模，將凹凸結(jié)構(gòu)熱轉(zhuǎn)印到熱塑性樹(shù)脂上，并在與賦予了凹凸結(jié)構(gòu)的熱塑性樹(shù)脂的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向相平行的方向上實(shí)施自由端一軸延伸加工。其結(jié)果是，轉(zhuǎn)印到熱塑性樹(shù)脂上的凹凸結(jié)構(gòu)的間距被縮小，能夠得到具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)。接著，由得到的具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)，利用電鍍法等方法，制作具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模。利用該金屬壓模，在基材11表面上轉(zhuǎn)印、形成微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)，由此能夠得到具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材11。另外，還存在使用硅系基板等的方法，所述硅系基板是應(yīng)用半導(dǎo)體制造的光刻來(lái)制作微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的。例如，將具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的硅系基板作為鑄模，制作表面上具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版。能夠由樹(shù)脂版，采用電鍍法等方法，制作具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模。采用剖面視角觀察的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀為矩形形狀的金屬壓模，將凹凸結(jié)構(gòu)熱轉(zhuǎn)印到熱塑性樹(shù)脂上，在與賦予了凹凸結(jié)構(gòu)的熱塑性樹(shù)脂的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向相平行的方向上實(shí)施自由端一軸延伸加工時(shí)，隨著由延伸加工引起的凹凸結(jié)構(gòu)的變化，能夠使凹凸結(jié)構(gòu)的剖面形狀成為正弦波形狀。在此，在由得到的具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)，利用電鍍法等方法，制作了具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模的情況下，能夠做成能夠轉(zhuǎn)印、形成剖面視角的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀成為正弦波形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模。作為能夠轉(zhuǎn)印、形成在剖面視圖中的第一高度位置的凸部Ila的寬度Wh相對(duì)于第二高度位置的凸部Ila的寬度Wl為0. 45倍以下的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀的金屬壓模的制作方法,例如,能夠列舉如下這樣的方法。首先，利用剖面視圖的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀為矩形形狀的金屬壓模，將凹凸結(jié)構(gòu)熱轉(zhuǎn)印到熱可塑性樹(shù)脂上，在與賦予了凹凸結(jié)構(gòu)的熱可塑性樹(shù)脂的凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向相平行的方向上實(shí)施自由端一軸延伸加工。接著，在得到的具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)表面的具有凹凸結(jié)構(gòu)的面(以下稱之為“凹凸結(jié)構(gòu)面”)上，實(shí)施利用UV-臭氧的表面處理，利用電鍍法等方法制作具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模。如此，能夠制成能夠轉(zhuǎn)印、形成如下這樣的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀的金屬壓模，即，剖面視圖中基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀為正弦波形狀，且第一高度位置的凸部Ila的寬度Wh相對(duì)于第二高度位置的凸部Ila的寬度Wl為0. 45倍以下。在此，不實(shí)施上述的表面處理的情況下，不僅無(wú)法使剖面視圖中的第一高度位置的凸部Ila的寬度Wh相對(duì)于第二高度位置的凸部Ila的寬度Wl為0. 45倍以下，且無(wú)法使基材凸部Ila的最高部Ilc的水平方向的厚度變薄。凸部Ila的最高部Ilc的水平方向的厚度較厚的話，在蒸鍍時(shí)，導(dǎo)電體12將容易從凸部Ila的最高部Ilc向上方生長(zhǎng)，從而生長(zhǎng)的導(dǎo)電體12自身將成為賦予遮蔽效果的結(jié)構(gòu)體。其結(jié)果是，在導(dǎo)電體12蒸鍍時(shí)導(dǎo)電體12容易在相對(duì)于基材11表面垂直的方向上生成，即使第一假想線LI的斜率和第二假想線L2的斜率的符號(hào)相同，但第一以及第二假想線L1、L2的斜率的絕對(duì)值的平均值變得比6大，難以形成相對(duì)傾斜的導(dǎo)電體形狀。另外，作為對(duì)具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)的凹凸結(jié)構(gòu)面實(shí)施表面處理的方法并沒(méi)有限制，可以使用UV-臭氧法、電暈放電法、等離子法、干法刻蝕法等方法。另外，剖面視圖中具有所希望的凹凸結(jié)構(gòu)的金屬壓模的制作方法，也不限定于上述的方法，還能夠容易地想到以下這樣的方法，例如，將實(shí)施表面處理的對(duì)象由具有微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂版(延伸完成后)變更為金屬壓模，對(duì)金屬壓模的凹凸結(jié)構(gòu)面進(jìn)行表面處理這樣的方法、或者通過(guò)光刻的微細(xì)加工，制作具有所希望的凹凸形狀的鑄模，從而不需要進(jìn)行表面處理這樣的方法。(導(dǎo)電體)
·[0071]導(dǎo)電體12設(shè)于基材11的凹凸結(jié)構(gòu)面。如上述那樣，在表面形成有凹凸結(jié)構(gòu)的基材11上設(shè)置導(dǎo)電體12時(shí)，優(yōu)選設(shè)置成導(dǎo)電體12與凸部Ila的一方的側(cè)面Ilb相接，且導(dǎo)電體12的上部延伸到基材11的凸部Ila的頂部(最高部lie)的上方。導(dǎo)電體12，與在規(guī)定的方向上延伸的基材11的表面的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部I Ia大致平行地以規(guī)定的間距P2被形成為直線狀，在該直線狀的導(dǎo)電體12的周期比可見(jiàn)光的波長(zhǎng)小的情況下，可以成為反射相對(duì)于導(dǎo)電體12在平行方向上振動(dòng)的偏振成分、且透射在垂直方向上振動(dòng)的偏振成分的偏振分光部件。作為導(dǎo)電體12可以使用鋁、銀、銅、白金、金，或者以這些金屬為主成分的合金，且可以通過(guò)斜向噴鍍法、斜向蒸鍍法形成。特別是，通過(guò)使用鋁或者銀形成導(dǎo)電體12能夠減小可見(jiàn)光的吸收損失，因此較為理想。〈導(dǎo)電體形成方法〉考慮到生產(chǎn)率、光學(xué)特性等，導(dǎo)電體12的形成方法優(yōu)選采用從相對(duì)于具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材11的表面的垂直方向傾斜的方向進(jìn)行蒸鍍的斜向蒸鍍法。斜向蒸鍍法是指，在基材11的剖面視圖中，蒸鍍?cè)聪鄬?duì)于基材11表面的垂直方向以規(guī)定的入射角度蒸鍍、層積金屬的方法。入射角度由凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila和所制作的導(dǎo)電體12的剖面形狀來(lái)決定優(yōu)選的范圍，一般來(lái)說(shuō)，優(yōu)選為5度 45度，更優(yōu)選為5度 35度。進(jìn)一步，考慮到蒸鍍中層積的金屬的投影效果，逐漸地減小或者增加入射角度，適合于控制導(dǎo)電體12的高度等剖面形狀。另外，在基材11表面彎曲的情況下，也可以從相對(duì)于基材11表面的法線方向傾斜的方向進(jìn)行蒸鍍。具體來(lái)說(shuō)，基材11在表面具有在特定方向以規(guī)定的間距Pl大致平行地延伸的凹凸結(jié)構(gòu)，相對(duì)于基材11表面的被蒸鍍區(qū)域的中心的垂直方向在5度以上不到45度的方向上設(shè)置蒸鍍?cè)吹闹行模瑥亩诎纪菇Y(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電體12。進(jìn)一步優(yōu)選為，相對(duì)于基材11表面的被蒸鍍區(qū)域的中心的垂直方向在5度以上不到35度的角度方向上設(shè)置蒸鍍?cè)吹闹行?。由此，能夠?qū)?dǎo)電體12有選擇地設(shè)置在基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的某一方側(cè)面Ilb上。另外，在邊傳送基材11邊蒸鍍的情況下，也可以是以在某一瞬間被蒸鍍區(qū)域的中心和蒸鍍?cè)吹闹行臐M足上述的條件的狀態(tài)進(jìn)行蒸鍍。利用上述斜向蒸鍍法的情況下，基材11表面的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila和導(dǎo)電體12的延伸方向相同。為了達(dá)成導(dǎo)電體12的形狀的金屬蒸鍍量由凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的形狀而定，一般來(lái)說(shuō)，平均蒸鍍厚度為50nm至200nm左右。這里所說(shuō)的平均厚度是指，假定在平滑玻璃基板上從與玻璃面相垂直的方向蒸鍍物質(zhì)時(shí)的蒸鍍物的厚度，作為金屬蒸鍍量的參考值來(lái)使用。另外，從光學(xué)特性的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為通過(guò)刻蝕去除不必要的導(dǎo)電體12。對(duì)于刻蝕方法沒(méi)有特別的限制，只要是不會(huì)給基材11、后述的介電體層帶來(lái)不良影響，能夠有選擇性地去除導(dǎo)電體12的方法即可，從生產(chǎn)率以及導(dǎo)電體12的形狀控制的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為各向同性刻蝕，例如，可以優(yōu)選浸潰到堿性的水溶液中的刻蝕方法。(介電體)在本實(shí)施形態(tài)所示的線柵犏振片I中，為了提高構(gòu)成基材11的材料和導(dǎo)電體12之間的附著性，可以在兩者之間適當(dāng)?shù)厥褂煤信c兩者的附著性都較高的介電體材料的介電體層。例如，可以使用二氧化硅等硅(Si)的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物的單一成分或者其混合物(向介電體單一成分中混入其他元素、單一成分、或者化合物的介電體)、鋁(Al)、鉻(Cr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋇(Ba)、銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈰(Ce )、銅(Cu )等的金屬的氧化物、氮化物、鹵化物、碳化物的單一成分或者它們的混合物。只要介電體材料在想要獲得透過(guò)偏振性能的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)實(shí)質(zhì)上透明即可。對(duì)介電體材料的層積方法沒(méi)有特別的限制，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂谜婵照翦兎?、噴鍍法、離子鍍敷法等物理蒸鍍法。(基板)作為保持具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材11的部材，可以使用基板。作為基板，可以使用玻璃等無(wú)機(jī)材料、樹(shù)脂材料，優(yōu)選為使用能夠通過(guò)輥軋法制造線柵偏振片、且容易和其他光學(xué)部件粘結(jié)的平板狀樹(shù)脂材料。作為樹(shù)脂材料可以選用，例如，聚甲基丙烯酸樹(shù)脂(PMMA)、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、環(huán)烯烴樹(shù)脂(C0P)、交聯(lián)聚乙烯樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚丙烯酸酯樹(shù)脂、聚苯醚樹(shù)脂、改性聚苯醚樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù)脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯樹(shù)脂、芳香族聚酯樹(shù)脂、聚甲醛樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、三乙酰纖維素系樹(shù)脂(TAC)等、或者丙烯酸類、環(huán)氧類、聚氨酯類等的紫外線(UV)固化型樹(shù)脂或熱固化型樹(shù)脂。另外，也可以將UV固化型樹(shù)脂或熱固化型樹(shù)脂，和玻璃等的無(wú)機(jī)基板、熱塑性樹(shù)脂等組合使用，或者單獨(dú)使用?；宓拿鎯?nèi)相位差，為了避免偏振度低下，優(yōu)選為降低相對(duì)于規(guī)定波長(zhǎng)的面內(nèi)相位差，例如考慮利用可見(jiàn)光時(shí)，優(yōu)選為相對(duì)于波長(zhǎng)550nm的相位差的值為30nm以下。更為優(yōu)選的情況為15nm以下。另外，為了防止線柵偏振片引起的偏振的偏振度在面內(nèi)不均勻，需要對(duì)基板面內(nèi)的任意兩點(diǎn)的相位差值進(jìn)行管理，例如考慮利用可見(jiàn)光時(shí)，優(yōu)選為相對(duì)于波長(zhǎng)550nm的面內(nèi)相位差值為IOnm以下,更為優(yōu)選的情況相位差值為5nm以下。作為具有如此特性的基板，優(yōu)選使用三乙酰纖維素系樹(shù)脂(TAC)、環(huán)烯烴樹(shù)脂(C0P)、聚碳酸酯樹(shù)脂(PC)、聚甲基丙烯酸樹(shù)脂(PMMA)等樹(shù)脂材料。[0084](反射型液晶投影儀)接著，對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施形態(tài)所涉及的投影型影像顯示設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。作為本實(shí)施形態(tài)所涉及的投影型影像顯示設(shè)備的投影儀，為利用反射型液晶顯示元件的反射型液晶投影儀，作為反射型液晶投影儀的偏振分光器，可以適用上述實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片。參照?qǐng)D2對(duì)使用上述實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片的投影型影像顯示設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖2是作為投影型影像顯示設(shè)備的反射型液晶投影儀的示意圖。如圖2所示，本實(shí) 施形態(tài)所涉及的反射型液晶投影儀2構(gòu)成為具有LED等的光源21 ;作為偏振分光器的線柵偏振片I ;以及在光源的光上附加影像信息的反射型液晶顯示元件22。根據(jù)需要可以具有擴(kuò)大投影影像光的投影透鏡23。從光源21射出的光源的光入射到作為偏振分光器的線柵偏振片I上。在線柵偏振片I被偏振分離而透射或者反射的偏振光，入射到反射型液晶顯示元件22上而被調(diào)制，之后出射。從反射型液晶顯示元件22出射的出射光，在線柵偏振片I透過(guò)或者反射，在被投影透鏡23擴(kuò)大后投影到屏幕上。使用上述實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片I作為偏振分光器時(shí)，優(yōu)選配置成線柵偏振片I的剖面視圖中的第一假想線LI的斜率和第二假想線L2的斜率為相同的符號(hào)。通過(guò)這樣的配置，由于入射光從剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部Ila的設(shè)有導(dǎo)電體12的一方的側(cè)面Ilb的相反側(cè)的側(cè)面入射，從而能夠得到良好的偏振特性。另外，線柵偏振片I優(yōu)選被配置成其導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面面向反射型液晶顯示元件22。這是因?yàn)?，由于線柵偏振片I的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的相反側(cè)的面反射率相對(duì)較低，能夠減少不需要的反射光、即減少雜散光，從而能夠提高投影影像光的品質(zhì)。特別是，凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的間距為130nm以下時(shí)，能夠大幅度地減少不需要的雜散光。即，通過(guò)將線柵偏振片I的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面配置成面向反射型液晶顯示元件22，能夠提高影像的顯示精度。本實(shí)施形態(tài)所涉及的線柵偏振片1，在作為偏振分光器使用時(shí)，可以貼合在平滑的玻璃平板上使用，或者使其彎曲地使用。另外，能夠?qū)?dǎo)電體結(jié)構(gòu)面的相反側(cè)的面進(jìn)行AR(防反射)處理，或者附加蛾眼結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)用新型所涉及的線柵偏振片I能夠在可見(jiàn)光、近紅外光、以及紅外光的區(qū)域不損害光學(xué)特性地使用，因此能夠在影像顯示用途、拾波用途、傳感器用途等領(lǐng)域使用。然而，本實(shí)用新型并不限于所述的實(shí)施形態(tài)，可以進(jìn)行各種變更來(lái)實(shí)施。另外，所述實(shí)施形態(tài)中的材質(zhì)、數(shù)量等僅為一個(gè)示例，可能進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏Ａ硗猓梢栽诓怀霰緦?shí)用新型的技術(shù)上的思想的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但本實(shí)用新型不為以下這些實(shí)施例所限定。首先，對(duì)實(shí)施例中的測(cè)量值的測(cè)量方法進(jìn)行說(shuō)明。<透過(guò)率以及反射率的測(cè)量>透過(guò)率以及反射率的測(cè)量使用了分光光度計(jì)(日立高科技公司制的U-4100)。該分光光度計(jì)在光源附近具有偏振件，保持測(cè)量樣品的測(cè)量樣品臺(tái)和受光器具有相同的一軸動(dòng)作旋轉(zhuǎn)軸，按照測(cè)量目的能夠各自動(dòng)作。<面內(nèi)相位差值的測(cè)量>[0097]作為面內(nèi)相位差值的測(cè)量設(shè)備，使用了利用平行尼科耳法的偏振解析裝置(王子計(jì)測(cè)機(jī)器株式會(huì)社制的KOBRA - WR)。測(cè)量光的波長(zhǎng)為550nm，將入射角度為0度時(shí)的相位差值作為面內(nèi)相位差值。<折射率的測(cè)量方法>折射率的測(cè)量，使用了折射率測(cè)量裝置(Metricon公司制的激光折射率測(cè)量?jī)xModel2010)。進(jìn)行固化型樹(shù)脂的測(cè)量時(shí)，在進(jìn)行了固化處理之后測(cè)量折射率。根據(jù)由折射率測(cè)量裝置得到的波長(zhǎng)532nm、633nm以及824nm的折射率的測(cè)量結(jié)果，利用柯西色散公式求得折射率的波長(zhǎng)色散圖，從而求出波長(zhǎng)589nm的折射率。(線柵偏振片的制作方法)接著，對(duì)本實(shí)施例所使用的線柵偏振片的制作方法進(jìn)行以下說(shuō)明。(模具的制作)凹凸結(jié)構(gòu)在一個(gè)方向上延伸，剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)為矩形形狀，應(yīng)用光刻技術(shù)制作凹凸結(jié)構(gòu)的間距為145nm、130nm以及IOOnm的各硅系基板。在PET膜(A — 4300 東洋紡株式會(huì)社制)上涂敷大約3 u m丙烯酸系UV固化型樹(shù)脂(折射率I. 52)，使得各硅系基板的凹凸結(jié)構(gòu)面與UV固化型樹(shù)脂相接，并分別層疊在一起。使用中心波長(zhǎng)為365nm的UV燈，從PET膜側(cè)進(jìn)行l(wèi)OOOmJ/cm2的UV照射，從而將硅系基板的凹凸結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印到PET膜上。用SEM觀察PET膜的表面和剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)時(shí)，凹凸結(jié)構(gòu)在一方向上延伸，其間距為145nm、130nm以及l(fā)OOnm，確認(rèn)了能夠轉(zhuǎn)印硅系基板的凹凸結(jié)構(gòu)。在上述PET膜的凹凸結(jié)構(gòu)面上，作為導(dǎo)電化處理，通過(guò)噴鍍法用鉬鈀覆蓋凹凸結(jié)構(gòu)，之后分別電鍍鎳，從而制作出表面具有凹凸結(jié)構(gòu)的鎳壓模。另外，將由表面具有間距為145nm的凹凸結(jié)構(gòu)的PET膜制作而成的鎳壓模作為模具A，將間距為130nm的作為模具C，將間距為IOOnm的作為模具E。利用所制作的模具A、C以及E，通過(guò)熱沖床法在厚度為0. 5mm的環(huán)烯烴樹(shù)脂(以下略稱為COP)板的表面轉(zhuǎn)印凹凸結(jié)構(gòu)，制作表面具有凹凸結(jié)構(gòu)的COP板A、C以及E各一塊。接著，對(duì)于轉(zhuǎn)印了上述各模具A、C以及E表面的凹凸結(jié)構(gòu)的COP板A、C以及E，對(duì)其凹凸結(jié)構(gòu)面進(jìn)行UV-臭氧表面處理。利用紫外線表面處理裝置(Photo Surface Processor,型號(hào)PM906N - 2, SEN特殊光源株式會(huì)社制)，分別向COP板A、C以及E的凹凸結(jié)構(gòu)面照射波長(zhǎng)254nm的照度為34mW / cm2的UV30秒。用SEM觀察UV-臭氧表面處理后的COP板A、C以及E的表面以及剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)，第一高度位置的凸部的寬度Wh (參照?qǐng)DI)為第二高度位置的凸部的寬度Wl (參照?qǐng)DI)的0.45倍以下，其形狀為正弦波狀。對(duì)表面處理后的COP板A、C以及E作導(dǎo)電化處理，通過(guò)噴鍍法用鉬鈀覆蓋凹凸結(jié)構(gòu)，之后分別電鍍鎳，從而制作鎳壓模。將由表面處理后的COP板A制作的鎳壓模作為模具B，將由表面處理后的COP板C制作的鎳壓模作為模具D，將由表面處理后的COP板E制作的鎳壓模作為模具F。(使用UV固化型樹(shù)脂的凹凸結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印膜的制作)利用上述的模具A、B、D、E以及F，制作表面具有凹凸構(gòu)造的轉(zhuǎn)印膜。基材為由厚度80 ii m的三乙酰纖維素系樹(shù)脂構(gòu)成的TAC膜(TD80UL — H :富士薄膜株式會(huì)社制)，TAC膜的相對(duì)于波長(zhǎng)550nm的面內(nèi)相位差值為3. 5nm。在TAC膜上涂敷大約3 y m丙烯酸系UV固化型樹(shù)脂(折射率I. 52)，并在TAC膜上疊加模具。操作中心波長(zhǎng)為365nm的UV燈，從TAC膜側(cè)進(jìn)行IOOOmJ / cm2的UV照射，從而將模具的凹凸結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印到UV固化型樹(shù)脂上。將TAC膜從模具上剝離，從而制成在由UV固化型樹(shù)脂構(gòu)成的基材表面轉(zhuǎn)印了凹凸結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印膜。對(duì)各模具A、B、D、E以及F進(jìn)行以上的操作，制成下述表I所示的轉(zhuǎn)印膜A、B、D、E以及F。下述表I中表示用SEM觀察各轉(zhuǎn)印膜的表面和剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)的結(jié)果。下述表I的“凹凸結(jié)構(gòu)”表示剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)的形狀?！伴g距P1”為凹凸結(jié)構(gòu)的間隔(間距)，“凸部高度H”為從凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最高部至凹部的最低部的高度差，“凸部寬度比”為通過(guò)下述關(guān)系式(I)算出的值。第一高度位置的凸部的寬度Wh/第二高度位置的凸部的寬度Wl …式(I)表I
轉(zhuǎn)印膜凹凸結(jié)構(gòu)間距Pl 凸部高度H 凸部寬度f(wàn)
A__矩形形狀145nm 145nm__O1TO_
~~B正弦波形狀 _ 145nm ' 130nm0. 35
~~D正弦波形狀 ^ 130nm ' 148nm0. 35
~~E矩形形狀 ^ IOOnm ' 140nm0.62
~T~正弦波形狀 IOOnm 130nm0. 33(使用噴鍍法的介電體層的形成)接著在各轉(zhuǎn)印膜A、B、D、E以及F的具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材表面上，通過(guò)噴鍍法將二氧化硅成膜作為介電體層。噴鍍裝置條件為Ar氣體壓力0. 2Pa、噴鍍功率770W/cm2、覆蓋速度0. lnm/s，成膜使得轉(zhuǎn)印膜上的介電體厚度換算成平膜為3nm。(利用斜向蒸鍍法的導(dǎo)電體的形成)接著，在各轉(zhuǎn)印膜A、B、D、E以及F的具有凹凸結(jié)構(gòu)的基材表面上，通過(guò)真空蒸鍍將鋁(Al)成膜。Al的蒸鍍條件為常溫下、真空度2.0X10_3Pa、蒸鍍速度40nm/s。在剖面視圖中，將相對(duì)于基材的垂直方向的蒸鍍角設(shè)定為20度，向轉(zhuǎn)印膜A以及B蒸鍍Al使得Al平均厚度為120nm。對(duì)于轉(zhuǎn)印膜D，將蒸鍍角設(shè)定為18度，Al平均厚度為llOnm。對(duì)于轉(zhuǎn)印膜E以及F，將蒸鍍角設(shè)定為15度，Al平均厚度為lOOnm。另外，在此所說(shuō)的平均厚度是將表面平滑的玻璃基板與各轉(zhuǎn)印膜A、B、D、E以及F —起插入蒸鍍裝置內(nèi)，測(cè)量被蒸鍍的平滑玻璃基板上的Al厚度所得到的值，是指假設(shè)在平滑玻璃基板上從垂直方向蒸鍍物質(zhì)時(shí)的蒸鍍物的厚度，作為蒸鍍量的參考值來(lái)使用。(不必要的Al的去除)接著為了去除不必要的Al，將蒸鍍了 Al的各轉(zhuǎn)印膜在室溫下浸潰于0. I重量％的氫氧化鈉水溶液中70秒鐘，然后立即水洗，將膜干燥。如此，由各轉(zhuǎn)印膜A、B、D、E以及F制作線柵偏振片A、B、D、E以及F。通過(guò)SEM觀察各線柵偏振片A、B、D、E以及F的剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)電體的形狀，導(dǎo)電體偏設(shè)于基材上的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的一方的側(cè)面，導(dǎo)電體的一部分位于凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的頂部的上方。另外，剖面視圖中的第三高度位置的導(dǎo)電體的寬度Wm (參照?qǐng)DI)相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)凸部的最高部的導(dǎo)電體的寬度較薄。下述表2示出了用SEM觀察到的各線柵偏振片的剖面視圖中的凹凸結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)電體的形狀。下述表2的“間距P1”為凹凸結(jié)構(gòu)的間隔(間距)，“凸部高度H”為從凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最高部至凹部的最低部的高度的差，“凸部寬度比”為由上述關(guān)系式(I)算出的值，“斜率平均值”為由下述關(guān)系式(2)算出的值，為假想線LI的斜率和假想線L2的斜率的平均值。(假想線LI的斜率的絕對(duì)值+假想線L2的斜率的絕對(duì)值)/2…式(2)表2[0119][0120]
權(quán)利要求1.一種線柵偏振片，其包括，具有在表面上的特定方向延伸的凹凸結(jié)構(gòu)的基材，以及以偏設(shè)于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的一方的側(cè)面的狀態(tài)設(shè)置的導(dǎo)電體，其特征在于， 在相對(duì)于所述凹凸結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直的方向的剖面視圖中，將從所述凸部的最高部至凹部的最低部的高度的差設(shè)定為凸部高度H，將自所述最低部的高度位置起在高度方向上大致9/10H的位置設(shè)定為第一高度位置，將自所述最低部的高度位置起在高度方向上大致1/10H的位置設(shè)定為第二高度位置時(shí)，在設(shè)定了所述第一高度位置的所述凹凸結(jié)構(gòu)的特定點(diǎn)Cl、所述第一高度位置的所述導(dǎo)電體的特定點(diǎn)C3、所述第二高度位置的所述凹凸結(jié)構(gòu)的特定點(diǎn)C2以及所述第二高度位置的所述導(dǎo)電體的特定點(diǎn)C4的情況下，通過(guò)所述特定點(diǎn)Cl以及所述特定點(diǎn)C2的第一假想線的斜率和通過(guò)所述特定點(diǎn)C3以及所述特定點(diǎn)C4的第二假想線的斜率的絕對(duì)值的平均值為I以上6以下， 所述第一高度位置的所述凸部的寬度為所述第二高度位置的所述凸部的寬度的0. 45倍以下，所述凸部高度H為所述凸部的間距Pl的1/2以上。
2.如權(quán)利要求I所述的線柵偏振片，其特征在于，所述導(dǎo)電體的至少一部分設(shè)置于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最高部的上方。
3.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的間距為130nm以下。
4.如權(quán)利要求I或2所述的線柵偏振片，其特征在于，從所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最低部在高度方向上上升1/3H的第三高度位置的導(dǎo)電體的寬度為40nm以下。
5.如權(quán)利要求3所述的線柵偏振片，其特征在于，從所述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的最低部在高度方向上上升1/3H的第三高度位置的導(dǎo)電體的寬度為40nm以下。
6.一種投影型影像顯示設(shè)備，其包括如權(quán)利要求I至5中的任意一項(xiàng)所述的線柵偏振片、光源、以及反射型液晶顯示元件，其特征在于從所述光源射出的光在所述線柵偏振片透射或者反射，之后入射到所述反射型液晶顯示元件，通過(guò)所述反射型液晶顯示元件調(diào)制的光在所述線柵偏振片反射或者透射而投影影像。
7.如權(quán)利要求6所述的投影型影像顯示設(shè)備，其特征在于，所述線柵偏振片的導(dǎo)電體結(jié)構(gòu)面被配設(shè)成面向反射型液晶顯示元件。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種以將相對(duì)于剖面視圖的基材表面為45度的角度方向作為中心的廣角度入射的光的平行透過(guò)率的變化率小、且平行透過(guò)率高的線柵偏振片，以及使用該線柵偏振片的投影型影像顯示設(shè)備。本實(shí)用新型的線柵偏振片(1)包括，具有在表面上的特定方向延伸的凹凸結(jié)構(gòu)的基材(11)，以及以偏設(shè)于凹凸結(jié)構(gòu)的凸部(11a)的一方的側(cè)面(11b)的狀態(tài)設(shè)置的導(dǎo)電體(12)，通過(guò)特定點(diǎn)C1以及特定點(diǎn)C2的第一假想線L1的斜率和通過(guò)特定點(diǎn)C3以及特定點(diǎn)C4的第二假想線L2的斜率的絕對(duì)值的平均值為1以上6以下，第一高度位置的凸部(11a)的寬度Wh為第二高度位置的凸部(11a)的寬度Wl的0.45倍以下，凸部高度H為凸部(11a)的間距P1的1/2以上。
文檔編號(hào)G03B21/14GK202472025SQ20112040869
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
發(fā)明者杉山大, 杉村昌治 申請(qǐng)人:旭化成電子材料株式會(huì)社