專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay, TFT-LCD)因具有低輻射性、厚度薄和耗電低等特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于平板顯示領(lǐng)域中。對(duì)于絕大多數(shù)桌面TFT-LCD都是采用TNCTwistedNematic，扭轉(zhuǎn)向列)模式，然而，TN型液晶顯示器的第一電極和第二電極是分別形成在上下兩個(gè)基板上，其液晶分子是在與基板正交的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，由于液晶分子的光學(xué)各向異性，導(dǎo)致光從不同角度經(jīng)過(guò)液晶分子后進(jìn)入人眼的光程不同，因此其顯示效果不同，必然導(dǎo)致視角的問(wèn)題。為了解決視角問(wèn)題，對(duì)于TN型液晶顯示器，由于在個(gè)人和辦公環(huán)境對(duì)視角要求不高，因此一般采用加貼視角補(bǔ)償膜的方法。對(duì)于電視及手持PAD產(chǎn)品來(lái)說(shuō)視角要求較高，幾種新型的液晶顯示模式，例如FFS (FringeField Switching,邊緣電場(chǎng)開(kāi)關(guān))模式、 IPSdn-Plane Switch，面內(nèi)切換)模式等被應(yīng)用到相關(guān)產(chǎn)品上。圖1揭示了現(xiàn)有的一種FFS 型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖，如圖1所示，F(xiàn)FS型液晶顯示裝置800的第一電極81和第二電極82均是形成在下基板上，第一電極81和第二電極82分別位于不同層上，并且，在像素區(qū)域中，第一電極81為整面設(shè)置，而第二電極82呈條形設(shè)置。圖2揭示了現(xiàn)有的一種IPS 型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖，如圖2所示，IPS型液晶顯示裝置900的第一電極91和第二電極92也均是形成在下基板上，第一電極91和第二電極92位于同一層上，并且，在像素區(qū)域中，第一電極91和第二電極92均呈條形設(shè)置并且交替排布。由于FFS型液晶顯示器 800與IPS型液晶顯示器900的第一電極81、91和第二電極82、92均形成于同一基板上，其液晶分子是在與基板平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因而其視角特性得以改善，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角顯示。對(duì)于TN模式加補(bǔ)償膜的這種方式，其技術(shù)門檻低，因此應(yīng)用廣泛，然而，由于補(bǔ)償膜是固定的，不能對(duì)任意灰階任意角度進(jìn)行補(bǔ)償，因此，TN模式固有的灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象依舊存在。對(duì)于FFS模式及IPS模式，其技術(shù)門檻高，專利壟斷，使用費(fèi)高。因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問(wèn)題是提供一種液晶顯示裝置，其具有較廣的視角及較低的操作電壓。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一方面提供了一種液晶顯示裝置，其包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板、以及夾于所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域，所述每個(gè)像素區(qū)域包括多個(gè)彼此電性連接的第一電極、多個(gè)彼此電性連接的第二電極和多個(gè)彼此電性連接的第三電極，所述第三電極大致與所述第二電極平行排列并與所述第一電極電性連接，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極分別位于不同層上并且其間夾有絕緣層，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第三電極彼此相交叉以限定出多個(gè)單元區(qū)域，在每一個(gè)所述單元區(qū)域內(nèi)部均有兩個(gè)所述第二電極穿過(guò)，位于所述單元區(qū)域內(nèi)部的兩個(gè)所述第二電極之間的所述第一電極在與所述第二電極不相交疊的位置處設(shè)置有凸起狀圖案。本發(fā)明的液晶顯示裝置通過(guò)利用交叉的電極架構(gòu)并搭配凸起狀圖案結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)， 因此，當(dāng)在本發(fā)明的液晶顯示裝置工作，在第一電極和第二電極之間施加一定的電壓差時(shí)， 則會(huì)在一個(gè)單元區(qū)域中實(shí)現(xiàn)既有邊緣電場(chǎng)，又有水平電場(chǎng)，液晶層中的液晶分子能夠同時(shí)受到邊緣電場(chǎng)和水平電場(chǎng)的雙重作用，利用邊緣場(chǎng)效應(yīng)和水平場(chǎng)效應(yīng)可以使液晶分子發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，并且，在雙重電場(chǎng)力的作用下液晶分子可以更快地轉(zhuǎn)動(dòng)，減小液晶分子的響應(yīng)時(shí)間， 并且在雙電場(chǎng)的作用下可以降低液晶分子的驅(qū)動(dòng)電壓，提高穿透率。而且，本發(fā)明的液晶顯示裝置不同于現(xiàn)有的FFS與IPS顯示模式，并且相對(duì)于現(xiàn)有的FFS與IPS顯示模式來(lái)說(shuō)，其實(shí)現(xiàn)了集FFS與IPS兩種顯示模式的優(yōu)點(diǎn)于一身，而且對(duì)打破FFS與IPS的技術(shù)壟斷具有重要意義。通過(guò)以下參考附圖的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因?yàn)槠鋺?yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說(shuō)明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。


下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖1是現(xiàn)有的一種FFS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種IPS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板的平面示意圖；圖4是圖3中的一個(gè)單元區(qū)域的局部放大圖；圖如是沿圖3中的A-A線的剖面示意圖；圖恥是沿圖3中的B-B線的剖面示意圖；圖5c是沿圖3中的C-C線的剖面示意圖；圖6是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS及IPS型液晶顯示裝置的穿透率-電壓的效果對(duì)比圖；圖7a是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS型液晶顯示裝置的穿透率-響應(yīng)時(shí)間的效果對(duì)比圖；圖7b是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有IPS型液晶顯示裝置的穿透率-響應(yīng)時(shí)間的效果對(duì)比圖；圖8是圖3所示的本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板的制造流程圖；圖9是本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板的平面示意圖；圖IOa是沿圖9中的D_D線的剖面示意圖；圖IOb是沿圖9中的E-E線的剖面示意圖；圖IOc是沿圖9中的F-F線的剖面示意圖11是圖9所示的本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板的制造流程圖；圖12是本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板的平面示意圖；圖13是圖12中的第一電極、第二電極和第三電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS及IPS型液晶顯示裝置的色偏-角度的效果對(duì)比圖；以及圖15是本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置的對(duì)比度模擬效果圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，為了圖示的清楚起見(jiàn)，本發(fā)明的附圖僅顯示了與本發(fā)明的創(chuàng)作點(diǎn)相關(guān)的結(jié)構(gòu)特征，而對(duì)于其他的結(jié)構(gòu)特征則進(jìn)行了省略。本發(fā)明的液晶顯示裝置包括相對(duì)設(shè)置的第一基板100、200、300和第二基板(未圖示)、以及夾于第一基板100、200、300和第二基板之間的液晶層(未圖示)。本發(fā)明的第一基板100、200、300可以具有多種實(shí)現(xiàn)方式，從而由多種不同的第一基板100、200、300形成多種實(shí)現(xiàn)方式的液晶顯示裝置。以下將對(duì)本發(fā)明的液晶顯示裝置，特別是其中的第一基板 100,200,300的組成及其像素結(jié)構(gòu)，以及所帶來(lái)的有益技術(shù)效果進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。第一實(shí)施方式圖3-4及圖5a_5c揭示了本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板100的結(jié)構(gòu)示意圖，其中為了圖示的簡(jiǎn)潔和清楚起見(jiàn)，圖3僅揭示了第一基板100的其中一個(gè)像素區(qū)域P的平面結(jié)構(gòu)。如圖3和圖4并結(jié)合參照?qǐng)D5a-5c所示，本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的第一基板100包括透明基底10以及形成于透明基底10上的多條掃描線11、公共電極總線(未圖示)、多條數(shù)據(jù)線12及形成在掃描線11和數(shù)據(jù)線12交叉位置處的薄膜晶體管14。薄膜晶體管14包括與掃描線11電性連接的柵極141、半導(dǎo)體層142、與數(shù)據(jù)線 12電性連接的源極143以及與像素電極電性連接的漏極144。多條掃描線11和多條數(shù)據(jù)線12交叉限定多個(gè)像素區(qū)域P，即每相鄰兩條掃描線11和每相鄰兩條數(shù)據(jù)線12交叉限定一個(gè)像素區(qū)域P。每個(gè)像素區(qū)域P包括多個(gè)彼此電性連接的第一電極15、多個(gè)彼此電性連接的第二電極16和多個(gè)彼此電性連接的第三電極19，第三電極19大致與第二電極16平行排列并與第一電極15電性連接。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，多個(gè)第一電極15通過(guò)多個(gè)第三電極19彼此電性連接在一起，并且，多個(gè)第三電極19大致平行于第二電極16的方向，在本發(fā)明中，第一電極15、第二電極16和第三電極19均為透明電極，其可以例如是由ITOandium Tin Oxide，氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料形成。多個(gè)第一電極15和多個(gè)第二電極16分別位于不同層上并且其間夾有絕緣層，多個(gè)第三電極19可以與多個(gè)第一電極15由同一層透明導(dǎo)電材料形成，即第一電極15可以和第三電極19在同一制程中形成。多個(gè)第一電極15和多個(gè)第三電極19彼此相交叉以限定出多個(gè)單元區(qū)域U。優(yōu)選地，每個(gè)像素區(qū)域P包括至少四個(gè)以上的單元區(qū)域U，從而能夠提高穿透率。圖1所示的單元區(qū)域U的數(shù)目?jī)H為方便說(shuō)明而設(shè)，其不作為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的單元區(qū)域U的數(shù)目可以根據(jù)實(shí)際液晶顯示裝置的尺寸和實(shí)際制程條件合理選擇。如圖3和圖4所示，在每一個(gè)單元區(qū)域U內(nèi)部均有兩個(gè)第二電極16穿過(guò)，位于單元區(qū)域U內(nèi)部的兩個(gè)第二電極16之間的第一電極15在與第二電極16不相交疊的位置處設(shè)置有凸起狀圖案150。優(yōu)選地，凸起狀圖案150居中地設(shè)置在單元區(qū)域U中的穿過(guò)該單元區(qū)域U內(nèi)部的兩個(gè)第二電極16之間的第一電極15上，從而確保液晶顯示裝置工作時(shí)單元區(qū)域U產(chǎn)生的電場(chǎng)的對(duì)稱性。優(yōu)選地，所有凸起狀圖案150具有相同的結(jié)構(gòu)，從而確保液晶顯示裝置工作時(shí)整個(gè)像素區(qū)域P產(chǎn)生的電場(chǎng)的均一性。如圖3所示，在本發(fā)明中，多個(gè)第一電極15、多個(gè)第二電極16和多個(gè)第三電極19 均呈彼此大致平行排列的條形。如圖3和圖4所示，第一電極15和第二電極16之間的夾角θ在50至150度之間的范圍內(nèi)，從而可以使液晶分子具有更快的響應(yīng)速度。在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，第一電極15和第二電極16彼此相互垂直，具體地，多個(gè)第一電極15大致沿平行于掃描線11排列，第二電極16大致沿平行于數(shù)據(jù)線12排列，第三電極19同樣大致沿平行于數(shù)據(jù)線12排列，從而能夠使得液晶顯示裝置具有更加規(guī)整的像素結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明的第一電極15、第二電極16和第三電極19的排列方式并不局限此，本發(fā)明的第一電極15可以大致沿平行于數(shù)據(jù)線12和掃描線11的其中之一排列，而第二電極16、第三電極19大致沿平行于數(shù)據(jù)線 12和掃描線11中的另一個(gè)排列。例如，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，多個(gè)第一電極15也可以大致沿平行于數(shù)據(jù)線12排列，而第二電極16、第三電極19大致沿平行于掃描線11排列。如圖4所示，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，凸起狀圖案150為三角形，并且，三角形的斜邊與第一電極15之間的夾角在0至60度之間的范圍內(nèi)，從而可使液晶分子3較快地轉(zhuǎn)動(dòng)， 也會(huì)使穿透率有所增加。然而，本發(fā)明的凸起狀圖案150的形狀并不限于三角形，其也可以是梯形、矩形或弧形等，只要是在液晶顯示裝置工作時(shí)能夠使液晶分子3迅速轉(zhuǎn)動(dòng)的凸起狀圖案結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖5a_5c所示，在本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一基板100中，第一電極15為與薄膜晶體管14的漏極144電性連接的像素電極，凸起狀圖案150設(shè)置在像素電極上，而第二電極16為公共電極。然而，本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一電極15并不限于像素電極，其也可以是公共電極，并將凸起狀圖案150設(shè)置在公共電極上，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。實(shí)際上，只要第一電極15和第二電極16的其中之一為像素電極，而第一電極15和第二電極16 中的另一個(gè)為公共電極即可。并且，在第一實(shí)施方式的第一基板100中，像素電極位于下層，公共電極位于上層，即公共電極位于像素電極上方，像素電極和公共電極之間所夾的絕緣層為鈍化層18。相對(duì)于現(xiàn)有的FFS型液晶顯示裝置中上層電極在整個(gè)像素區(qū)域P中為條形而下層電極在整個(gè)像素區(qū)域P中為整面設(shè)置的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的液晶顯示裝置的主要優(yōu)勢(shì)在于第一基板100上的上層電極和下層電極在整個(gè)像素區(qū)域P中均呈條形設(shè)置，由于下層電極呈條形設(shè)置，因此，下層電極在整個(gè)像素區(qū)域P中會(huì)有部分區(qū)域沒(méi)有被透明電極覆蓋，從而，可以提高穿透率。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，第一電極15的寬度Li、第二電極16的寬度L2和第三電極19的寬度L7在2至5微米之間的范圍內(nèi)。由于第一電極15、第二電極16和第三電
7極19的正上方會(huì)出現(xiàn)向錯(cuò)線(disclination line)，所以第一電極15的寬度Li、第二電極 16的寬度L2和第三電極19的寬度L7越細(xì)越好，但是考慮到實(shí)際制程能力的限制，依據(jù)制程良率，優(yōu)選地將第一電極15和第二電極16的寬度Li、L2設(shè)為2-5微米較好，更優(yōu)選地， 第二電極16的寬度L2和第三電極19的寬度L7相等。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，在單元區(qū)域U中，穿過(guò)該單元區(qū)域U的兩個(gè)第二電極 16之間的間隙寬度L3在3至8微米之間的范圍內(nèi)，相鄰兩個(gè)第一電極15之間的間隙寬度 L4在0至6微米之間的范圍內(nèi)，相鄰兩個(gè)第一電極15上的凸起狀圖案150之間間隔的距離 L5在0至6微米之間的范圍內(nèi)，第二電極16與其臨近的第三電極19之間的間隙寬度L6在 2至4微米之間的范圍內(nèi)。在一個(gè)單元區(qū)域U中，相鄰兩個(gè)第二電極16之間的間隙寬度L3 是為了使第一電極15的三角形凸起狀圖案150露出來(lái)，由于要利用第一電極15的三角形凸起狀圖案150與第二電極16的水平電場(chǎng)分量，并且考慮到實(shí)際制程的能力，大于此范圍將會(huì)得不到較為理想的效果，小于此范圍則實(shí)際制作比較困難，因此，優(yōu)選地將相鄰兩個(gè)第二電極16之間的間隙寬度L3設(shè)在3至8微米之間的范圍內(nèi)。在一個(gè)單元區(qū)域U中，相鄰兩個(gè)第一電極15上的凸起狀圖案150之間間隔的距離L5設(shè)在0至6微米之間的范圍內(nèi)也是考慮實(shí)際電場(chǎng)分量的利用率，太大則達(dá)不到效果。在一個(gè)單元區(qū)域U中，第二電極16與其臨近的第三電極19之間的間隙寬度L6設(shè)在2至4微米之間的范圍內(nèi)也是基于其可以在第二電極16與第三電極19之間產(chǎn)生較理想的水平電場(chǎng)分量的原因。本發(fā)明的液晶顯示裝置還包括位于第一基板100上的第一配向膜(未圖示)和位于第二基板上的第二配向膜(未圖示)。由于凸起狀圖案150設(shè)置在第一電極15上，故在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向(如圖4所示的R-R方向)與不設(shè)置凸起狀圖案150的第二電極16的方向不同，從而使液晶分子3具有初始轉(zhuǎn)動(dòng)方向的力矩，可以使液晶分子3的指向與電場(chǎng)有一個(gè)夾角，使液晶分子3能夠在初始電場(chǎng)力的作用下就可以統(tǒng)一沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向(R-R 方向)與第二電極16的方向之間的夾角Φ在0至30度之間的范圍內(nèi)，從而可使液晶分子 3初始就具有沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)的力矩，并且具有較大的力矩和較快的響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明的液晶顯示裝置在第一基板100上制作第一電極15、和第二電極16和第三電極19，第一電極15和第三電極19同一層形成并電性連接，而第二電極16則在另一層形成，兩層電極中間用絕緣層間隔，第一電極15和第二電極16呈交叉結(jié)構(gòu)，并且，第一電極 15和第三電極19也呈交叉結(jié)構(gòu)，在第一電極15和第三電極19相交叉所形成的單元區(qū)域U 中，在每一個(gè)單元區(qū)域U內(nèi)部均有兩個(gè)第二電極16穿過(guò)，如圖4所示，每個(gè)單元區(qū)域U又分為子單元區(qū)域Ul和U2(圖4中分別用虛線框所圍的區(qū)域)，其中，子單元區(qū)域Ul是第一電極15和穿過(guò)該單元區(qū)域U的兩個(gè)第二電極16交叉限定的區(qū)域，子單元區(qū)域U2是第一電極 15、穿過(guò)該單元區(qū)域U的第二電極16和與該第二電極16相鄰的第三電極19共同交叉限定的區(qū)域，如圖4所示，每個(gè)單元區(qū)域U包括位于中間的一個(gè)子單元區(qū)域Ul和兩個(gè)位于子單元區(qū)域Ul兩側(cè)的子單元區(qū)域U2，本實(shí)施例中，位于單元區(qū)域U內(nèi)部的兩個(gè)第二電極16之間的第一電極15在與第二電極16不相交疊的位置處(即位于子單元區(qū)域Ul內(nèi)部并與第二電極16不相交疊的位置處的第一電極1 具有凸起狀圖案150結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的液晶顯示裝置通過(guò)利用交叉的電極架構(gòu)并搭配凸起狀圖案150結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，因此，當(dāng)在本發(fā)明的液晶顯示裝置工作，在第一電極15和第二電極16之間施加一定的電壓差時(shí)，如圖4所示，則會(huì)在一個(gè)單元區(qū)域U中實(shí)現(xiàn)既有邊緣電場(chǎng)，又有水平電場(chǎng)。在圖4所示的子單元區(qū)域Ul 中，位于穿過(guò)該單元區(qū)域內(nèi)部的第二電極16之間的該區(qū)域的液晶層中的液晶分子3能夠同時(shí)受到邊緣電場(chǎng)和水平電場(chǎng)的雙重作用，利用邊緣場(chǎng)效應(yīng)和水平場(chǎng)效應(yīng)可以使液晶分子3 發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，并且，在雙重電場(chǎng)力的作用下液晶分子3可以更快地轉(zhuǎn)動(dòng)，減小液晶分子3的響應(yīng)時(shí)間，并且在雙電場(chǎng)的作用下可以降低液晶分子3的驅(qū)動(dòng)電壓，提高穿透率。在圖4所示的子單元區(qū)域U2中，位于相鄰的第二電極16與第三電極19之間區(qū)域的液晶層中的液晶分子3主要受到大致平行的第二電極16與第三電極19之間產(chǎn)生的水平電場(chǎng)的作用，該水平電場(chǎng)的作用下液晶分子3可以更快地轉(zhuǎn)動(dòng)，減小液晶分子3的響應(yīng)時(shí)間，降低液晶分子3的驅(qū)動(dòng)電壓，提高穿透率。同時(shí)，由于子單元區(qū)域U2中，第二電極16與第三電極19之間的水平電場(chǎng)較強(qiáng)，因此位于此區(qū)域的液晶層中的液晶分子3較快發(fā)生扭轉(zhuǎn)，并可以帶動(dòng)位于子單元區(qū)域Ul中的液晶層中的液晶分子3快速發(fā)生扭轉(zhuǎn)，從而提高整個(gè)液晶顯示裝置的響應(yīng)速度。本發(fā)明的液晶顯示裝置不同于現(xiàn)有的FFS與IPS顯示模式，并且相對(duì)于現(xiàn)有的FFS 與IPS顯示模式來(lái)說(shuō)，其實(shí)現(xiàn)了集FFS與IPS兩種顯示模式的優(yōu)點(diǎn)于一身，而且對(duì)打破FFS 與IPS的技術(shù)壟斷具有重要意義。另外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中像素的存儲(chǔ)電容只存在于第一電極15和第二電極16的交疊部分，相比FFS型液晶顯示裝置，本發(fā)明的存儲(chǔ)電容的形成面積小很多，從而， 本發(fā)明的液晶顯示裝置中第一電極15與第二電極16之間的絕緣層相比FFS型液晶顯示裝置可以做得較薄，可以節(jié)省CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)的產(chǎn)能。因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置相對(duì)于現(xiàn)有的FFS型液晶顯示裝置來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制程比FFS型液晶顯示裝置要快，從而提高產(chǎn)能。圖6揭示了本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS及IPS型液晶顯示裝置的穿透率-電壓的效果對(duì)比圖，圖6中的各曲線均是在相同的模擬條件下生成的。由圖 6可以看出，本發(fā)明的液晶顯示裝置的穿透率大致接近現(xiàn)有的FFS型液晶顯示裝置，由圖6 中本發(fā)明的曲線和現(xiàn)有FFS的曲線對(duì)比可以明顯看出，本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電壓比現(xiàn)有的IPS型液晶顯示裝置大大降低，并且其穿透率比現(xiàn)有的IPS型液晶顯示裝置有很大提升。圖7a是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS型液晶顯示裝置的穿透率-響應(yīng)時(shí)間的效果對(duì)比圖，圖7a中的曲線均是在相同的模擬條件下生成的，另外，在圖7a 中曲線的上方所示的表格中，T。n為穿透率從10%升到90%時(shí)液晶分子3轉(zhuǎn)動(dòng)所需的時(shí)間， T。ff為穿透率從90%降到10%時(shí)液晶分子3轉(zhuǎn)動(dòng)所需的時(shí)間。從圖7a中可以看出，本發(fā)明的液晶顯示裝置所具有的T。n明顯小于現(xiàn)有FFS型液晶顯示裝置的Τ。η，而所具有的T。ff與現(xiàn)有FFS型液晶顯示裝置的T。ff基本接近，因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置在響應(yīng)時(shí)間上明顯優(yōu)于現(xiàn)有FFS型液晶顯示裝置，而整體穿透率與現(xiàn)有FFS型的液晶顯示裝置的穿透率大致接近。圖7b是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有IPS型液晶顯示裝置的穿透率-響應(yīng)時(shí)間的效果對(duì)比圖，圖7b中的曲線均是在相同的模擬條件下生成的，另外，在圖7b 中曲線的上方所示的表格中，T。n為穿透率從10%升到90%時(shí)液晶分子3轉(zhuǎn)動(dòng)所需的時(shí)間， T。ff為穿透率從90%降到10%時(shí)液晶分子3轉(zhuǎn)動(dòng)所需的時(shí)間。從圖7b中可以看出，本發(fā)明的液晶顯示裝置所具有的1 和T。ff均明顯小于現(xiàn)有IPS型液晶顯示裝置的1 和T。ff，因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置在響應(yīng)時(shí)間上明顯優(yōu)于現(xiàn)有IPS型液晶顯示裝置，整體穿透率相對(duì)于現(xiàn)有IPS型的液晶顯示裝置也大大提升。綜上，本發(fā)明的液晶顯示裝置不論在穿透率方面還是在液晶分子的響應(yīng)時(shí)間方面相對(duì)于現(xiàn)有的FFS型液晶顯示裝置和現(xiàn)有的IPS型液晶顯示裝置均有較大優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一基板100可以采用如下六道光罩制程來(lái)制造。圖8揭示了本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一基板100的制造流程。以下將參照?qǐng)D8并結(jié)合參照?qǐng)D3及圖5a-5c對(duì)第一實(shí)施方式的第一基板100的制造過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖8并結(jié)合參照?qǐng)D3及圖5a_5c所示，在步驟Sll中，采用第一道光罩制程，形成第一金屬層，并對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化。具體地，在透明基底10上依次形成第一金屬層和第一光阻層，以第一道光罩圖案對(duì)第一光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第一光阻層圖案，再以第一光阻層圖案為遮罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化，從而形成掃描線11、公共電極總線(未圖示)和薄膜晶體管14的柵極141，隨后，移除第一光阻層。在步驟S12中，采用第二道光罩制程，依次形成柵極絕緣層17、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并對(duì)摻雜非晶硅層和非晶硅層進(jìn)行圖案化。具體地，在具有圖案化的第一金屬層的透明基底10上依次形成柵極絕緣層17、非晶硅層、摻雜非晶硅層以及第二光阻層，以第二道光罩圖案對(duì)第二光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第二光阻層圖案，再以第二光阻層圖案為遮罩對(duì)摻雜非晶硅層和非晶硅層進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化，從而形成薄膜晶體管14的半導(dǎo)體層142，隨后，移除第二光阻層。在步驟S13中，采用第三道光罩制程，形成第一透明導(dǎo)電材料層，并對(duì)第一透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行圖案化。具體地，在形成第二道光罩圖案后的透明基底10上依次形成第一透明導(dǎo)電材料層和第三光阻層，以第三道光罩圖案對(duì)第三光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第三光阻層圖案，再以第三光阻層圖案為遮罩對(duì)第一透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化，從而形成多個(gè)彼此電性連接的條形像素電極(即第一電極15和第三電極19)及在條形第一電極15 與隨后形成的公共電極(即第二電極16)不交疊并位于兩條第三電極19之間的兩條第二電極之間位置處的凸起狀圖案150，隨后，移除第三光阻層。在步驟S14中，采用第四道光罩制程，形成第二金屬層，并對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化。具體地，在形成第三道光罩圖案后的透明基底10上依次形成第二金屬層和第四光阻層，以第四道光罩圖案對(duì)第四光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第四光阻層圖案，再以第四光阻層圖案為遮罩對(duì)第二金屬層進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化，從而由經(jīng)過(guò)圖案化的第二金屬層形成數(shù)據(jù)線12、薄膜晶體管14的源極143和漏極144，像素電極15與薄膜晶體管14的漏極144直接電性接觸，隨后，移除第四光阻層。在步驟S15中，采用第五道光罩制程，形成鈍化層18，并對(duì)鈍化層18進(jìn)行圖案化。具體地，在形成第四道光罩圖案后的透明基底10上依次形成鈍化層18和第五光阻層，以第五道光罩圖案對(duì)第五光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第五光阻層圖案，再以第五光阻層圖案為遮罩對(duì)鈍化層18和鈍化層18下方的柵極絕緣層17進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化， 從而分別形成使之后形成的公共電極16與公共電極總線能夠電性連接的過(guò)孔(未圖示)以及其它需要跨接電路部分的過(guò)孔(未圖示)，隨后，移除第五光阻層。在步驟S16中，采用第六道光罩制程，形成第二透明導(dǎo)電材料層，并對(duì)第二透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行圖案化。具體地，在形成第五道光罩圖案后的透明基底10上依次形成第二透明導(dǎo)電材料層和第六光阻層，以第六道光罩圖案對(duì)第六光阻層進(jìn)行曝光顯影，從而形成第六光阻層圖案，再以第六光阻層圖案為遮罩對(duì)第二透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕以實(shí)現(xiàn)圖案化，從而形成多個(gè)彼此電性連接的條形公共電極16，隨后，移除第六光阻層。經(jīng)過(guò)以上步驟S11-S16，形成了本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一基板100。第二實(shí)施方式圖9及圖IOa-IOc揭示了本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板200的結(jié)構(gòu)示意圖，同樣地，為了圖示的簡(jiǎn)潔和清楚起見(jiàn)，圖9也僅揭示了第一基板200的其中一個(gè)像素區(qū)域P的平面結(jié)構(gòu)。第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板200和第一實(shí)施方式的第一基板100的相同之處在此不再贅述，其不同之處在于如圖9并結(jié)合參照?qǐng)DIOa-IOc 所示，在第二實(shí)施方式的第一基板200中，第一電極15為公共電極，凸起狀圖案150設(shè)置在公共電極上，而第二電極16為像素電極。然而，本發(fā)明第二實(shí)施方式的第一電極15并不限于公共電極，其也可以是像素電極，并將凸起狀圖案150設(shè)置在該像素電極上，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。實(shí)際上，只要第一電極15和第二電極16的其中之一為像素電極，第一電極15和第二電極16中的另一個(gè)為公共電極即可。并且，第二實(shí)施方式的第一基板200與第一實(shí)施方式的第一基板100的不同之處還在于在第二實(shí)施方式的第一基板200中，公共電極位于下層，像素電極位于上層，即像素電極位于公共電極上方，像素電極和公共電極之間所夾的絕緣層包括柵極絕緣層17和鈍化層18。類似地，第二實(shí)施方式的第一基板200可以采用如下六道光罩制程來(lái)制造，但與第一實(shí)施方式的第一基板100的制程略有不同。圖11揭示了本發(fā)明第二實(shí)施方式的第一基板200的制造流程。以下將參照?qǐng)D11并結(jié)合參照?qǐng)D9及圖IOa-IOc對(duì)第二實(shí)施方式的第一基板200的制造過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖11并結(jié)合參照?qǐng)D9及圖IOa-IOc所示，在步驟S21中，采用第一道光罩制程， 形成第一透明導(dǎo)電材料層，并對(duì)第一透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行圖案化，從而形成多個(gè)彼此電性連接的第一電極15、第三電極19以及在第一電極15上與隨后形成的第二電極16不交疊的位置處的凸起狀圖案150，本實(shí)施例中，第一電極15為條形的公共電極15，凸起狀圖案150 位于條形的公共電極15的與隨后形成的第二電極16 (即像素電極16)不交疊的位置處。在步驟S22中，采用第二道光罩制程，形成第一金屬層，并對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化，從而形成掃描線11、公共電極總線13和薄膜晶體管14的柵極141，條形公共電極15與公共電極總線13直接電性接觸。在步驟S23中，采用第三道光罩制程，依次形成柵極絕緣層17、非晶硅層和摻雜非晶硅層，并對(duì)摻雜非晶硅層和非晶硅層進(jìn)行圖案化，從而形成薄膜晶體管14的半導(dǎo)體層 142。在步驟S24中，采用第四道光罩制程，形成第二金屬層，并對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化，從而形成數(shù)據(jù)線12、薄膜晶體管14的源極143和漏極144。在步驟S25中，采用第五道光罩制程，形成鈍化層18，并對(duì)鈍化層18進(jìn)行圖案化，從而形成使之后形成的像素電極16與薄膜晶體管14的漏極144能夠電性連接的過(guò)孔H以及其它需要跨接電路部分的過(guò)孔(未圖示)。在步驟S26中，采用第六道光罩制程，形成第二透明導(dǎo)電材料層，并對(duì)第二透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行圖案化，從而形成多個(gè)彼此電性連接的條形像素電極16，像素電極16通過(guò)過(guò)孔H與薄膜晶體管14的漏極144電性連接。經(jīng)過(guò)以上步驟S21-S26，形成了本發(fā)明第二實(shí)施方式的第一基板200。第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置除在第一基板的制程上略有不同之外，二者具有類似的有益技術(shù)效果，故，在此不再贅述。第三實(shí)施方式圖12和圖13揭示了本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板300的結(jié)構(gòu)示意圖。第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置中第一基板300與第一實(shí)施方式的第一基板100的相同之處在此不再贅述，其不同之處在于如圖12和圖13所示，在第三實(shí)施方式的第一基板300中，第一電極15、第二電極16和第三電極19并非沿直線排列而是呈彎折狀排列，配合第一電極15、第二電極16和第三電極19的彎折排列，數(shù)據(jù)線12亦相應(yīng)地呈彎折狀排列， 其中，第一電極15包括沿第一方向排列的第一電極部151及沿不同于第一方向的第二方向排列的第二電極部152，第二電極16包括與第一電極部151相交叉的沿第三方向排列的第三電極部161及與第二電極部152相交叉的沿第四方向排列的第四電極部162，從而可以將一個(gè)像素區(qū)域P分成兩個(gè)區(qū)域，當(dāng)在液晶顯示裝置工作時(shí)，則液晶分子3會(huì)在一個(gè)像素區(qū)域 P內(nèi)形成兩個(gè)不同的轉(zhuǎn)動(dòng)區(qū)域，在一個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)形成兩個(gè)疇(domain)，因此，可以明顯改善液晶顯示裝置的色偏(color shift)現(xiàn)象，可以形成更好的圖像顯示效果。在本發(fā)明的一種具體實(shí)施方式
中，多個(gè)第一電極15的第一電極部151通過(guò)多個(gè)第三電極19彼此電性連接在一起，多個(gè)第一電極15的第二電極部152同樣通過(guò)多個(gè)第三電極19彼此電性連接在一起，并且，連接多個(gè)第一電極15的第一電極部151的多個(gè)第三電極 19平行于第三方向，連接多個(gè)第一電極15的第二電極部152的多個(gè)第三電極19平行于第四方向。在本發(fā)明的第三實(shí)施方式中，第三方向垂直于第一方向，第四方向垂直于第二方向，即第一電極15的第一電極部151與第二電極16的第三電極部161相互垂直，第一電極 15的第二電極部152與第二電極16的第四電極部162相互垂直。在第三實(shí)施方式中，第一電極15為像素電極，凸起狀圖案150設(shè)置在像素電極上， 而第二電極16為公共電極。然而，本發(fā)明第三實(shí)施方式的第一電極15并不限于像素電極， 其也可以是公共電極，并將凸起狀圖案150設(shè)置在公共電極上，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。實(shí)際上，只要第一電極15和第二電極16的其中之一為像素電極，第一電極15和第二電極16中的另一個(gè)為公共電極即可。本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置還包括位于第一基板300上的第一配向膜 (未圖示)和位于第二基板上的第二配向膜(未圖示)。由于凸起狀圖案150設(shè)置在第一電極15的第一電極部151和第二電極部152上，故優(yōu)選地，第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向(如圖13所示的R-R方向)既與不設(shè)置凸起狀圖案150的第二電極16的第三電極部161的方向不同也與不設(shè)置凸起狀圖案150的第二電極16的第四電極部162的方向不同，即第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向(R-R方向)既不同于第三方向也不同于第四方向，從而使液晶分子具有初始轉(zhuǎn)動(dòng)方向的力矩，可以使液晶分子指向與電場(chǎng)有一個(gè)夾角，使液晶分子能夠在初始電場(chǎng)力的作用下就可以統(tǒng)一沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向(R-R方向)與第三方向以及與第四方向之間的夾角φ均在0至30 度之間的范圍內(nèi)，從而可使液晶分子初始就具有沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)的力矩，并且有較大的力矩和較快的響應(yīng)時(shí)間。在本發(fā)明的具體實(shí)施方式
中，第一配向膜和第二配向膜的摩擦方向 (R-R方向)沿著垂直于掃描線11的方向，第三方向及第四方向均與垂直于掃描線11的方向呈預(yù)定夾角Φ。因應(yīng)第二電極16沿著第三方向和第四方向設(shè)置，相應(yīng)地，構(gòu)成像素區(qū)域 P的數(shù)據(jù)線12亦包括沿第三方向延伸的部分(未標(biāo)號(hào))和沿第四方向延伸的部分(未標(biāo)號(hào))。第三實(shí)施方式的第一基板300可以采用與第一實(shí)施方式的第一基板100基本相同的六道光罩制程來(lái)制造，在此不再贅述。第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置除了具有第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置類似的有益技術(shù)效果之外，其還能夠更好地改善色偏現(xiàn)象，具有更好的圖像顯示效果。圖14揭示了本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置與現(xiàn)有FFS及IPS型液晶顯示裝置的色偏-角度的效果對(duì)比圖。如圖14所示，從圖14中的曲線對(duì)比可以看出，本發(fā)明第三實(shí)施方式的具有兩個(gè)疇的液晶顯示裝置具有與現(xiàn)有的具有兩個(gè)疇的FFS及IPS型液晶顯示裝置相比擬的色偏效果，而且，在本領(lǐng)域中將在視角(即與液晶顯示裝置的法向之間的觀察角度)為60度時(shí)的色偏值小于0. 02均視為具有較佳的色偏效果，從圖14中的曲線可以看出，本發(fā)明第三實(shí)施方式的具有兩個(gè)疇的液晶顯示裝置在視角為60度時(shí)的色偏值大約為0. 012，因此，已經(jīng)能夠很好地滿足本領(lǐng)域?qū)τ谏囊蟆D15揭示了本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置的對(duì)比度模擬效果圖。從圖15 的模擬結(jié)果中可以明顯看出，本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置具有超高的視角及對(duì)比度。第三實(shí)施方式的第一基板300中的第一電極15、第二電極16和第三電極19的彎折設(shè)計(jì)同樣可以適用于第二實(shí)施方式的第一基板200中，將第一電極15、第二電極16和第三電極19的彎折設(shè)計(jì)應(yīng)用于第二實(shí)施方式的第一基板200中所形成的液晶顯示裝置具有與第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置相類似的有益技術(shù)效果，故，在此亦不再贅述。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的液晶顯示裝置的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述， 以上實(shí)施方式的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板、以及夾于所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域， 其特征在于，所述每個(gè)像素區(qū)域包括多個(gè)彼此電性連接的第一電極、多個(gè)彼此電性連接的第二電極和多個(gè)彼此電性連接的第三電極，所述第三電極大致與所述第二電極平行排列并與所述第一電極電性連接，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極分別位于不同層上并且其間夾有絕緣層，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第三電極彼此相交叉以限定出多個(gè)單元區(qū)域，在每一個(gè)所述單元區(qū)域內(nèi)部均有兩個(gè)所述第二電極穿過(guò)，位于所述單元區(qū)域內(nèi)部的兩個(gè)所述第二電極之間的所述第一電極在與所述第二電極不相交疊的位置處設(shè)置有凸起狀圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述多個(gè)第一電極、所述多個(gè)第二電極和所述多個(gè)第三電極均分別呈彼此大致平行排列的條形。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極之間的夾角在50至150度之間的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極相垂直。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極大致沿平行于所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的其中之一排列，所述第二電極大致沿平行于所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線中的另一個(gè)排列。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其還包括位于所述第一基板上的第一配向膜和位于所述第二基板上的第二配向膜，所述第一配向膜和所述第二配向膜的摩擦方向不同于所述第二電極的方向。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一配向膜和所述第二配向膜的摩擦方向與所述第二電極的方向之間的夾角在0至30度之間的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極均呈彎折狀，所述第一電極包括沿第一方向排列的第一電極部及沿不同于所述第一方向的第二方向排列的第二電極部，所述第二電極包括與所述第一電極部相交叉的沿第三方向排列的第三電極部及與所述第二電極部相交叉的沿第四方向排列的第四電極部。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向，所述第四方向垂直于所述第二方向。
10.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其還包括位于所述第一基板上的第一配向膜和位于所述第二基板上的第二配向膜，所述第一配向膜和所述第二配向膜的摩擦方向既不同于所述第三方向也不同于所述第四方向。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一配向膜和所述第二配向膜的摩擦方向與所述第三方向以及與所述第四方向之間的夾角均在0至30度之間的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一配向膜和所述第二配向膜的摩擦方向沿著垂直于所述掃描線的方向，所述第三方向及所述第四方向均與垂直于所述掃描線的方向呈預(yù)定夾角，構(gòu)成所述像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線包括沿所述第三方向延伸的部分和沿所述第四方向延伸的部分。
13.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述凸起狀圖案居中地設(shè)置在所述單元區(qū)域內(nèi)部的兩個(gè)所述第二電極之間的所述第一電極上。
14.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述凸起狀圖案的形狀選自由三角形、 梯形、矩形和弧形所組成的組中。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其中，所述凸起狀圖案為三角形，并且，所述三角形的斜邊與所述第一電極之間的夾角在0至60度之間的范圍內(nèi)。
16.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所有所述凸起狀圖案具有相同的結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極的寬度在2至5微米之間的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，在所述單元區(qū)域中，兩個(gè)所述第二電極之間的間隙寬度在3至8微米之間的范圍內(nèi)，相鄰兩個(gè)所述第一電極之間的間隙寬度在0 至6微米之間的范圍內(nèi)，相鄰兩個(gè)所述第一電極上的凸起狀圖案之間間隔的距離在0至6 微米之間的范圍內(nèi)，所述第二電極與相鄰的所述第三電極之間的間隙寬度在2至4微米之間的范圍內(nèi)。
19.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極的其中之一為像素電極，所述第一電極和所述第二電極中的另一個(gè)為公共電極。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其中，所述絕緣層包括鈍化層，所述公共電極位于所述像素電極上方。
21.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其中，所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層， 所述像素電極位于所述公共電極上方。
22.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，每個(gè)像素區(qū)域包括至少四個(gè)以上的所述單元區(qū)域。
23.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極與所述第三電極在同一制程中形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶顯示裝置，其包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板以及夾于其間的液晶層，第一基板包括透明基底以及形成于其上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線和由其交叉限定的多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括多個(gè)彼此電性連接的第一電極、多個(gè)彼此電性連接的第二電極和多個(gè)彼此電性連接的第三電極，第三電極大致與第二電極平行排列并與第一電極電性連接，多個(gè)第一電極和多個(gè)第三電極彼此相交叉以限定出多個(gè)單元區(qū)域，每一個(gè)單元區(qū)域中均有兩個(gè)第二電極穿過(guò)，位于該兩個(gè)第二電極之間的第一電極在與第二電極不相交疊的位置處設(shè)置有凸起狀圖案。本發(fā)明的液晶顯示裝置具有較廣的視角及較低的操作電壓。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102393591SQ20111038909
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者廖家德, 李永謙, 鐘德鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:昆山龍騰光電有限公司