專利名稱：硅化物保護(hù)層去膠方法
硅化物保護(hù)層去膠方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅化物保護(hù)層去膠方法，尤其是涉及一種解決硅化物保護(hù)層去膠過程中光阻殘留的新方法。
背景技術(shù)：
晶圓制造流程中硅化物保護(hù)層階段是一道重要的工序，目的是在晶圓適當(dāng)?shù)膮^(qū)域表面形成自對準(zhǔn)多晶硅化物。它是由硅化物保護(hù)層光刻，硅化物保護(hù)層刻蝕，硅化物保護(hù)層去膠三個(gè)子工藝步驟組成。其中，現(xiàn)有的硅化物保護(hù)層去膠步驟包括硫酸(HZS04 =HZOZ) 10 分鐘和氨水雙氧水(NH40H) 10分鐘，然而該工藝步驟目前存在的問題在于去膠不凈，即是有光阻殘留，可造成晶圓的報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種硅化物保護(hù)層去膠方法，該方法可去膠徹底。本發(fā)明的目的通過提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種硅化物保護(hù)層去膠方法，其特征在于，包括以下步驟第一步、進(jìn)行稀釋的氫氟酸酸洗；第二步、進(jìn)行硫酸和氨水雙氧水?？蛇x地，所述稀釋的氫氟酸酸洗步驟需進(jìn)行10分鐘?？蛇x地，所述硫酸和氨水雙氧水步驟各需進(jìn)行10分鐘?？蛇x地，在進(jìn)行上述第一步之前，需要先進(jìn)行以下步驟首先、對硅化物保護(hù)層進(jìn)行光刻；其次、對硅化物保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是徹底的去處光阻，沒有光阻殘留，保證晶
圓質(zhì)量。

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明圖1為本發(fā)明硅化物保護(hù)層階段的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。本發(fā)明的硅化物保護(hù)層階段，包括現(xiàn)有的硅化物保護(hù)層階段中的硅化物保護(hù)層光刻、硅化物保護(hù)層刻蝕和硅化物保護(hù)層去膠。其中硅化物保護(hù)層去膠過程除了需要進(jìn)行10 分鐘硫酸和10分鐘氨水雙氧水，還會再此之前增加10分鐘稀釋的氫氟酸酸洗。通過這種方法可以把光阻徹底去除干凈，降低晶圓報(bào)廢率。
其中，對于硅化物保護(hù)層光刻，還包括以下步驟準(zhǔn)備基質(zhì)在涂布光阻劑之前，硅化物一般要進(jìn)行處理，需要經(jīng)過脫水烘培蒸發(fā)掉硅化物表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅化物表面附著能力的化合物(目前應(yīng)用的比較多的是六甲基乙硅氮烷(hexa-methyl-disilazane，簡稱HMDQ以及三甲基甲硅烷基二乙胺(tri-methyl-silyl-diethyl-amime，簡稱 TMSDEA))。涂布光阻劑(photo resist)將硅化物放在一個(gè)平整的金屬托盤上，托盤內(nèi)有小孔與真空管相連，硅化物就被吸在托盤上，這樣硅化物就可以與托盤一起旋轉(zhuǎn)。涂膠工藝一般分為三個(gè)步驟1.將光刻膠溶液噴灑倒硅化物表面；2.加速旋轉(zhuǎn)托盤(硅化物)，直到達(dá)到所需的旋轉(zhuǎn)速度；3.達(dá)到所需的旋轉(zhuǎn)速度之后，保持一定時(shí)間的旋轉(zhuǎn)。由于硅化物表面的光刻膠是借旋轉(zhuǎn)時(shí)的離心力作用向著硅化物外圍移動，故涂膠也可稱做甩膠。經(jīng)過甩膠之后，留在硅化物表面的光刻膠不足原有的1%。軟烘干也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65% -85%，甩膠之后雖然液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10% -30%的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進(jìn)行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右)，從而降低了灰塵的玷污。同時(shí)還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力，從而提高光刻膠的附著性。 在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10% -20%左右。曝光曝光過程中，光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，變?yōu)橐蚁┩?，進(jìn)一步水解為茚并羧酸andene-Carboxylic-Acid，簡稱ICA)，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時(shí)還會促進(jìn)酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。顯影(development)經(jīng)顯影，正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中， 曝光后在光刻膠層中的潛在圖形，顯影后便顯現(xiàn)出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以保證高質(zhì)量的顯影效果。硬烘干也稱堅(jiān)膜。顯影后，硅化物還要經(jīng)過一個(gè)高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對硅化物表面的附著力，同時(shí)提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護(hù)能力。在此溫度下，光刻膠將軟化，形成類似玻璃體在高溫下的熔融狀態(tài)。這會使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑化，并使光刻膠層中的缺陷(如針孔) 因此減少，借此修正光刻膠圖形的邊緣輪廓。在所述硅化物保護(hù)層光刻后，則進(jìn)行硅化物保護(hù)層刻蝕步驟。在所述硅化物保護(hù)層刻蝕步驟后，則進(jìn)行硅化物保護(hù)層去膠步驟?？涛g或離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作保護(hù)層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分有機(jī)溶劑去膠和無機(jī)溶劑去膠。有機(jī)溶劑去膠，主要是使光刻膠溶于有機(jī)溶劑而除去；無機(jī)溶劑去膠則是利用光刻膠本身也是有機(jī)物的特點(diǎn)，通過一些無機(jī)溶劑，將光刻膠中的碳元素氧化為二氧化碳而將其除去；干法去膠，則是用等離子體將光刻膠剝除。在本發(fā)明中的去膠步驟，包括第一步、進(jìn)行10分鐘稀釋的氫氟酸酸洗；第二步、再進(jìn)行10分鐘硫酸和10分鐘氨水雙氧水。通過這種方法可以把光阻徹底去除干凈，降低晶圓報(bào)廢率。
盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。
權(quán)利要求
1.一種硅化物保護(hù)層去膠方法，其特征在于，包括以下步驟 第一步、進(jìn)行稀釋的氫氟酸酸洗；第二步、進(jìn)行硫酸和氨水雙氧水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠方法，其特征在于，所述稀釋的氫氟酸酸洗步驟需進(jìn)行 10分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去膠方法，其特征在于，所述硫酸和氨水雙氧水步驟各需進(jìn)行10分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的去膠方法，其特征在于，在第一步之前，需要先進(jìn)行以下步驟首先、對硅化物保護(hù)層進(jìn)行光刻； 其次、對硅化物保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅化物保護(hù)層去膠方法，其特征在于，包括以下步驟第一步、進(jìn)行稀釋的氫氟酸酸洗；第二步、進(jìn)行硫酸和氨水雙氧水。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是徹底的去處光阻，沒有光阻殘留，保證晶圓質(zhì)量。
文檔編號G03F7/42GK102540775SQ201010605270
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月27日
發(fā)明者朱旋, 李健, 楊兆宇, 石磊, 肖玉潔 申請人:無錫華潤上華科技有限公司