專利名稱：一種曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種曝光方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，制造半導(dǎo)體器件的晶片是圓形，而在圓形晶片上進(jìn)行曝光的區(qū)域卻是矩形。為了使得晶片充分利用，追求利益最大化，需要在晶片表面布滿盡可能多的管芯，因此，在光刻工藝中對晶片進(jìn)行曝光時，在晶片邊緣就不可避免地存在不完整矩形區(qū)域，對這些不完整矩形區(qū)域進(jìn)行曝光將會發(fā)生聚焦現(xiàn)象，一般稱這種聚焦為邊緣聚焦。聚焦一般是因為光刻版的成像平面和膠平面沒有平行，或者成像平面和膠平面偏離太大，進(jìn)而造成圖形顏色異常，圖形模糊，甚至連條斷裂。邊緣聚焦即是發(fā)生在晶片邊緣不完整區(qū)域的聚焦。邊緣聚焦的一般處理方式為對曝光工藝進(jìn)行返工，而返工不僅浪費時間和財力， 還有可能對晶片上其他正常管芯造成損傷，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種曝光方法，該方法能夠減少或避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種曝光方法，該方法包括步驟A 判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B ；如果否，則執(zhí)行步驟C ；步驟B:判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，如果是，則執(zhí)行步驟C;如果否，則執(zhí)行步驟D ；步驟C 對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；步驟D 對所述曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束對角線長度一半之和。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述去邊寬度為3mm。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述光束長度為2mm。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述光束對角線長度為2mm。優(yōu)選的，上述曝光方法中，所述預(yù)設(shè)寬度為4mm。優(yōu)選的，本發(fā)明所提供的方法中，所述步驟C具體為將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿水平方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。優(yōu)選的，本發(fā)明所提供的方法中，所述步驟C具體為
將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿對角方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的方法首先判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心不在晶片上時，采用漂移聚焦形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光；當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心在晶片上時，進(jìn)一步判斷該曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)時，采用漂移聚焦形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光；當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍之外時，采用自動聚焦形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光。由于所述預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)至少有寬度為光束長度(或光束對角線長度)一半的環(huán)形區(qū)域上覆蓋有光刻膠，因此，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心(即光束中心)由晶片中心方向接近預(yù)設(shè)寬度范圍時，能夠保證光束全部處于光刻膠上，從而可采用自動聚焦形式對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，避免了邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生；對于曝光區(qū)域的中心位于預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)或晶片外的情況，采用漂移聚焦形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光，也解決了晶片邊緣易于聚焦的問題。因此，本發(fā)明所提供的方法能夠有效地減少或避免曝光工藝中邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生， 減少返工率，利于提高半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例所提供的一種曝光方法流程圖示意圖；圖2為本發(fā)明實施例所提供的晶片上一個曝光區(qū)域的位置示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中NIKON曝光機(jī)自動聚焦和自動調(diào)平對晶片不同曝光區(qū)域的影響示意圖；圖4為圖3所對應(yīng)的晶片結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例所提供的一個曝光區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為現(xiàn)有技術(shù)中晶片上兩個曝光區(qū)域的位置示意圖；圖7為本發(fā)明實施例所提供的一種漂移聚焦的具體實現(xiàn)方式；圖8為本發(fā)明實施例所提供的另一種漂移聚焦的具體實現(xiàn)方式。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
實施例一參考圖1，圖1為本發(fā)明實施例所提供的一種曝光方法流程圖示意圖，所述方法具體包括如下步驟步驟A 判斷曝光區(qū)域(即待曝光區(qū)域)的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B;如果否，則執(zhí)行步驟C。在光刻工藝過程中，需要對晶片進(jìn)行曝光，每個曝光的區(qū)域為矩形，而晶片是圓形，因此晶片邊緣不可避免地存在不完整矩形區(qū)域，所述不完整矩形區(qū)域指的是部分位于光刻膠上、部分位于沒有光刻膠的去邊寬度范圍內(nèi)的矩形區(qū)域。在對這些不完整矩形區(qū)域進(jìn)行曝光時極易發(fā)生聚焦現(xiàn)象，一般稱這種聚焦現(xiàn)象為邊緣聚焦。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)生邊緣聚焦的本質(zhì)原因在于在對晶片進(jìn)行曝光時，所采用的光束不是點光束，而是具有一定長度和一定寬度的矩形光束。按照現(xiàn)有曝光機(jī)上的程序設(shè)置，采用該光束照射晶片邊緣不完整矩形區(qū)域時，當(dāng)光束的中心(即曝光區(qū)域的中心)接近晶片的去邊邊緣(即晶片上除去邊緣特定寬度的光刻膠后剩余光刻膠的邊緣)時，很容易使得所述光束一部分在光刻膠上，一部分在沒有光刻膠的晶片上，即所述光束不在同一平面內(nèi)，致使得到的聚焦信息不正確，從而出現(xiàn)邊緣聚焦現(xiàn)象。為避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生，本發(fā)明所采用的方法為首先判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B ；如果否，則執(zhí)行步驟C。判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，一般由曝光機(jī)的程序自動完成，即當(dāng)所述曝光機(jī)對某晶片進(jìn)行曝光時，首先由曝光機(jī)發(fā)出一光束照射到該晶片上的某個區(qū)域，此時，由內(nèi)嵌入曝光機(jī)中的程序自動檢測所述光束中心(即曝光區(qū)域的中心)的位置(或坐標(biāo))， 然后根據(jù)晶片上的原點位置(坐標(biāo))和半徑，即可得知所述光束中心是否位于晶片上。對于當(dāng)光束中心位于晶片上的情況，所述曝光機(jī)還可判斷光束中心是否位于晶片上某一區(qū)域 (如去邊寬度或預(yù)設(shè)寬度等)范圍內(nèi)，在此不再贅述。步驟B:判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和，如果是，則執(zhí)行步驟C ；如果否，則執(zhí)行步驟D。當(dāng)曝光區(qū)域的中心位于晶片上時，進(jìn)一步判斷所述曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和，如果是，則執(zhí)行步驟C;如果否，則執(zhí)行步驟D。由于用來對晶片進(jìn)行曝光的光束是有一定長度和一定寬度的矩形光束(所述寬度遠(yuǎn)小于所述長度，所述寬度相對所述長度來說可忽略不計)，而光束的中心正好照射到曝光區(qū)域的中心，因此，不能按照常規(guī)的方法，只判斷所述曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的去邊寬度范圍內(nèi)，而是應(yīng)該將傳統(tǒng)方法中的“去邊寬度”范圍“拓寬”一下，即判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和。參考圖2，圖中邊緣線15為晶片的物理邊緣，邊緣線14為晶片的去邊邊緣，邊緣線 14和邊緣線15之間寬度為d的環(huán)形區(qū)域為晶片的去邊寬度區(qū)域，邊緣線13為本發(fā)明實施例中預(yù)設(shè)的邊緣線，邊緣線13和邊緣線15之間寬度為c的環(huán)形區(qū)域為本發(fā)明所提供的預(yù)設(shè)寬度區(qū)域，本實施例中所述預(yù)設(shè)寬度c為去邊寬度d與光束3長度一半之和。當(dāng)曝光區(qū)域2的中心(即矩形光束3的中心)接近邊緣線13時，一種極限情況，二分之一長度的光束位于預(yù)設(shè)寬度c范圍內(nèi)，二分之一長度的光束位于預(yù)設(shè)寬度c范圍外。所述預(yù)設(shè)寬度c 范圍外(朝向晶片中心方向)的區(qū)域均覆蓋有光刻膠，所述預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)的區(qū)域上只有部分環(huán)形區(qū)域覆蓋有光刻膠，所述部分環(huán)形區(qū)域即為邊緣線13和邊緣線14之間的區(qū)域，因此，對于曝光區(qū)域的中心接近預(yù)設(shè)寬度c邊緣線13時的極限情況下，處于預(yù)設(shè)寬度c范圍內(nèi)的光束也在光刻膠上，從而保證了整個光束3均處在光刻膠上，即保證了光束3和成像平面平行，進(jìn)而能有效地避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。對于其他非極限情況，本發(fā)明所提供的方法均能通過判斷所述曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，從而通過執(zhí)行步驟C或步驟D來進(jìn)行準(zhǔn)確曝光，避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。需要說明的是，上述極限情況是基于光束的寬度遠(yuǎn)小于其長度情況而描述的，如果所述光束的寬度相對其長度不是非常小，從而不能忽略，則極限情況應(yīng)該為二分之一對角線長度的光束位于預(yù)設(shè)寬度c范圍內(nèi)，二分之一對角線長度的光束位于預(yù)設(shè)寬度c范圍外。此時，所述預(yù)設(shè)寬度應(yīng)為不小于去邊寬度與光束對角線長度一半之和。當(dāng)預(yù)設(shè)寬度c大于去邊寬度d與光束3長度一半之和時，通過本發(fā)明所提供的方法更能有效地避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。步驟C 對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。當(dāng)曝光區(qū)域的中心不在晶片上時，對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。除此之外，當(dāng)曝光區(qū)域的中心在晶片上，但曝光區(qū)域的中心位于晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)時，仍然對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。上述兩種情況，用來曝光的光束很可能出現(xiàn)一部分光束在光刻膠上，一部分光束在沒有光刻膠的晶片上，因此，這時如果仍采用自動聚焦的形式對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，則會出現(xiàn)邊緣聚焦現(xiàn)象，故此時應(yīng)該采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。步驟D 對所述曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光。當(dāng)曝光區(qū)域的中心在晶片上，且曝光區(qū)域的中心位于晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍外時，即，用來曝光的光束均在光刻膠上，此時，對所述曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光， 從而避免了邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。從上述實施例可以看出，本發(fā)明所提供的方法首先判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心不在晶片上時，對該曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心在晶片上時，進(jìn)一步判斷該曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度(或光束對角線長度)一半之和，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)時，對該曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；當(dāng)曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍外時，對該曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光，此時的極限情況下，用來曝光的光束也全部處于光刻膠上，因此，采用自動聚焦的形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光不會出現(xiàn)邊緣聚焦的現(xiàn)象。對于其他不能采用自動聚焦的區(qū)域采用漂移聚焦進(jìn)行曝光，也避免了邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。因此，本發(fā)明所提供的方法減少或避免了光刻工藝中邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生，利于提高半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。實施例二下面以一具體的實施例來詳細(xì)闡述本發(fā)明所提供的曝光方法。步驟A 判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B ；如果否，則執(zhí)行步驟C。本實施例中以尼康(NIKON)曝光機(jī)為例來具體說明。NIKON曝光機(jī)在對晶片進(jìn)行曝光時，將會對晶片上每個矩形區(qū)域進(jìn)行自動聚焦(Auto Focus)和自動調(diào)平(Auto Leveling)，進(jìn)而獲取準(zhǔn)確的曝光信息進(jìn)行曝光。參考圖3和圖4，圖3中示出了 NIKON曝光機(jī)在對晶片進(jìn)行曝光時，自動聚焦和自動調(diào)平對晶片上每個矩形區(qū)域的影響范圍。矩形區(qū)域12為既可以進(jìn)行自動聚焦、又可以進(jìn)行自動調(diào)平的區(qū)域，矩形區(qū)域11為可以進(jìn)行自動聚焦、但不可以進(jìn)行自動調(diào)平的區(qū)域，矩形區(qū)域10為既不能進(jìn)行自動聚焦、又不能進(jìn)行自動調(diào)平的區(qū)域。對應(yīng)到圖4中，當(dāng)曝光區(qū)域的中心在直徑4所指示的圓內(nèi)，則該區(qū)域既可以進(jìn)行自動聚焦，又可以進(jìn)行自動調(diào)平；當(dāng)曝光區(qū)域的中心在寬度5所指示的環(huán)形區(qū)域內(nèi)，則該區(qū)域可以進(jìn)行自動聚焦，但不可以進(jìn)行自動調(diào)平；當(dāng)曝光區(qū)域的中心在寬度6所指示的環(huán)形區(qū)域內(nèi)、或者在晶片外，則該區(qū)域既不能進(jìn)行自動聚焦，又不能進(jìn)行自動調(diào)平。圖4中寬度6所指示的環(huán)形區(qū)域表示去除光刻膠的區(qū)域。由于晶片邊緣是缺陷很高的地方，因此在旋涂光刻膠后需要將晶片邊緣可能造成缺陷的、特定寬度的光刻膠去掉。 本實施例中所述特定寬度(也稱去邊寬度)為3mm。寬度6所指示的環(huán)形區(qū)域的外側(cè)界線稱為晶片的物理邊緣，內(nèi)側(cè)界線稱為晶片的去邊邊緣。邊緣聚焦現(xiàn)象發(fā)生的原因和NIKON曝光機(jī)的自動聚焦有很大的關(guān)系。由圖3和圖 4可看出，自動聚焦能否進(jìn)行的界線是晶片的去邊邊緣。當(dāng)曝光區(qū)域的中心位于去邊邊緣以內(nèi)(朝向晶片中心方向的區(qū)域)時，可以進(jìn)行自動聚焦；當(dāng)曝光區(qū)域的中心位于去邊邊緣以外(遠(yuǎn)離晶片中心方向的區(qū)域)時，不可以進(jìn)行自動聚焦。在NIKON曝光機(jī)的程序中，一般默認(rèn)曝光區(qū)域中心在去邊邊緣以內(nèi)時，可以進(jìn)行自動聚焦，曝光區(qū)域中心在去邊邊緣以外時，不能進(jìn)行自動聚焦，因此，一般情況下，在 NIKON曝光機(jī)顯示界面的SHOT MAP圖中，當(dāng)曝光區(qū)域的中心位于晶片去邊邊緣以內(nèi)時，默認(rèn)設(shè)置滿足該條件的曝光區(qū)域所對應(yīng)的SHOT為“*”，即表示對這些區(qū)域進(jìn)行自動聚焦；當(dāng)曝光區(qū)域的中心位于晶片去邊邊緣以外時，默認(rèn)設(shè)置滿足該條件的曝光區(qū)域所對應(yīng)的SHOT 為“ + ”，即表示對這些區(qū)域進(jìn)行漂移聚焦。對某些區(qū)域進(jìn)行漂移聚焦的原因也是為了避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。本發(fā)明實施例中首先判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B; 如果否，則執(zhí)行步驟C。步驟B:判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和，如果是，則執(zhí)行步驟C ；如果否，則執(zhí)行步驟D。實際應(yīng)用中，對于曝光區(qū)域的中心接近去邊邊緣的時候，采用自動聚焦形式對該區(qū)域進(jìn)行曝光時極易發(fā)生邊緣聚焦現(xiàn)象，這是因為對每個矩形區(qū)域進(jìn)行曝光的光束不是點光束，參考圖5，圖中示出了對矩形區(qū)域2進(jìn)行曝光的光束3是具有一定長度a和一定寬度b的矩形光束。本實施例中所述矩形光束3的長度a為2mm，寬度b為2. 5 μ m，因此，所述寬度b相對所述長度a來說可忽略不計。參考圖6，對于曝光區(qū)域的中心(即光束中心) 接近去邊邊緣的時候，考慮到曝光區(qū)域中心的光束不是點光束，因此，很容易出現(xiàn)類似曝光區(qū)域2所示的情況，即曝光區(qū)域2中的光束3橫跨去邊邊緣，這就使得所述光束3 —部分在光刻膠上，一部分在沒有光刻膠的晶片上，此種情況下，NIKON曝光機(jī)采用自動聚焦形式得到的曝光信息將不正確，進(jìn)而很容易導(dǎo)致邊緣聚焦。對于圖6中曝光區(qū)域1所示的情況，由于其內(nèi)的光束均在光刻膠上，因此，區(qū)域1內(nèi)不會發(fā)生邊緣聚焦現(xiàn)象。而NIKON曝光機(jī)程序中的默認(rèn)設(shè)置為曝光區(qū)域的中心在去邊邊緣以內(nèi)時，其所對應(yīng)的SHOT為“*”;曝光區(qū)域的中心在去邊邊緣以外時，其所對應(yīng)的SHOT為“ + ”。但由于曝光區(qū)域中心的光束不是點光束，因此當(dāng)光束中心接近去邊邊緣時，極易產(chǎn)生邊緣聚焦現(xiàn)象?；诖?，本發(fā)明所提供的方法包括此步驟當(dāng)曝光區(qū)域的中心在晶片上時，進(jìn)一步判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和，如果是，則執(zhí)行步驟C ；如果否，則執(zhí)行步驟D。本發(fā)明實施例中通過判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，進(jìn)而重新設(shè)置該曝光區(qū)域?qū)?yīng)的SHOT值，以期達(dá)到減少或避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和。所述預(yù)設(shè)寬度所在的環(huán)形區(qū)域至少包括去邊寬度環(huán)形區(qū)域和光束長度一半的環(huán)形區(qū)域，且所述去邊寬度環(huán)形區(qū)域上沒有光刻膠，所述光束長度一半的環(huán)形區(qū)域上覆蓋有光刻膠。本實施例中由于所述去邊寬度為3mm，光束長度為2mm，因此，所述預(yù)設(shè)寬度不小于4mm。當(dāng)所述預(yù)設(shè)寬度等于去邊寬度與光束長度一半之和時，對于曝光區(qū)域中心在晶片上、但處于預(yù)設(shè)寬度范圍外時，一種極限情況，二分之一長度的光束處于預(yù)設(shè)寬度范圍外， 二分之一長度的光束處于預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)。預(yù)設(shè)寬度范圍外的區(qū)域上覆蓋有光刻膠，預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)的部分環(huán)形區(qū)域上覆蓋有光刻膠，所述部分環(huán)形區(qū)域的寬度為光束長度的一半，因此，對于極限情況下，所述光束也是全部處于光刻膠上，從而可采用自動聚焦形式對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，避免了邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。對于其他非極限的情況，同樣可避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。當(dāng)所述預(yù)設(shè)寬度大于去邊寬度與光束長度一半之和時，本發(fā)明所提供的方法更能有效地解決產(chǎn)生邊緣聚焦現(xiàn)象的問題。本實施例中之所以將預(yù)設(shè)寬度設(shè)置為不小于去邊寬度與光束長度一半之和，是基于光束的寬度遠(yuǎn)小于其長度出發(fā)的。對于光束的寬度相對其長度來說不可忽略的時候，所述預(yù)設(shè)寬度應(yīng)為不小于去邊寬度與光束對角線長度一半之和。步驟C 對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。當(dāng)曝光區(qū)域的中心不在晶片上時，對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。除此之外，當(dāng)曝光區(qū)域的中心在晶片上，但曝光區(qū)域的中心位于晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)時，仍然采用漂移聚焦形式對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光。上述兩種情況，用來曝光的光束很可能出現(xiàn)一部分光束在光刻膠上，一部分光束在沒有光刻膠的晶片上，因此，這時如果仍采用自動聚焦的形式對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，則會出現(xiàn)邊緣聚焦現(xiàn)象，故此時應(yīng)該采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光。本步驟中對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光，具體可以有如下兩種實現(xiàn)方式其一，將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿水平方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。參考圖7，圖中示出了矩形區(qū)域7不能進(jìn)行自動聚焦，此時，在對所述矩形區(qū)域7進(jìn)行曝光時，需要將曝光的光束中心(原先處于矩形區(qū)域7的中心)沿水平方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域，然后再進(jìn)行曝光。移動后的光束中心，可能位于矩形區(qū)域7內(nèi)，也可能位于與所述矩形區(qū)域7相鄰的矩形區(qū)域8內(nèi)。其二，將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿對角方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。參考圖8，圖中示出了矩形區(qū)域16不能進(jìn)行自動聚焦，此時，在對所述矩形區(qū)域16進(jìn)行曝光時，需要將曝光的光束中心(原先處于矩形區(qū)域16的中心)沿對角方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域，然后再進(jìn)行曝光。移動后的光束中心，可能位于矩形區(qū)域16內(nèi)，也可能位于與所述矩形區(qū)域16成對角分布的矩形區(qū)域17內(nèi)。本發(fā)明實施例中所述漂移聚焦不限于上述兩種實現(xiàn)方式，只要通過移動光束中心使之到達(dá)能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域，然后再進(jìn)行曝光即可。步驟D 對所述曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光。當(dāng)曝光區(qū)域的中心在晶片上，且曝光區(qū)域的中心位于晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍外時，即，用來曝光的光束均在光刻膠上，此時對該曝光區(qū)域采用自動聚焦的形式進(jìn)行曝光， 避免了邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生。本實施例以NIKON曝光機(jī)為例，詳細(xì)闡述了本發(fā)明所提供的曝光方法。在實施例一的基礎(chǔ)上，再結(jié)合本實施例中的具體數(shù)據(jù)和圖形，相信已經(jīng)清楚地說明了本發(fā)明的技術(shù)方案?？傊景l(fā)明所提供的曝光方法，取代傳統(tǒng)工藝中曝光機(jī)對曝光區(qū)域所對應(yīng)SHOT 值的默認(rèn)設(shè)置，通過判斷曝光區(qū)域的中心所處的位置(此處設(shè)置有預(yù)設(shè)寬度范圍)，進(jìn)而重新設(shè)置曝光區(qū)域所對應(yīng)的SHOT值，采用新的SHOT值對相應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行曝光，從而能夠減少或避免邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生，降低了返工率，利于提高半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種曝光方法，其特征在于，包括步驟A 判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，如果是，則執(zhí)行步驟B;如果否，則執(zhí)行步驟C;步驟B:判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，如果是，則執(zhí)行步驟 C;如果否，則執(zhí)行步驟D ；步驟C 對所述曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；步驟D 對所述曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束長度一半之和。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寬度不小于去邊寬度與光束對角線長度一半之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述去邊寬度為3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述光束長度為2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述光束對角線長度為2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寬度為4mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C具體為將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿水平方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C具體為將對該曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的光束中心沿對角方向移動至能夠?qū)崿F(xiàn)自動聚焦的區(qū)域進(jìn)行曝光。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種曝光方法，該方法首先判斷曝光區(qū)域的中心是否在晶片上，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心不在晶片上時，對該曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心在晶片上時，進(jìn)一步判斷該曝光區(qū)域的中心是否在晶片邊緣的預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)，當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍內(nèi)時，對該曝光區(qū)域采用漂移聚焦形式進(jìn)行曝光；當(dāng)所述曝光區(qū)域的中心落入所述預(yù)設(shè)寬度范圍之外時，對該曝光區(qū)域采用自動聚焦形式進(jìn)行曝光。通過本發(fā)明所提供的曝光方法，能夠有效地減少或避免曝光工藝中邊緣聚焦現(xiàn)象的發(fā)生，降低返工率，從而有利于提高半導(dǎo)體器件的設(shè)備產(chǎn)能。
文檔編號G03F7/207GK102486616SQ20101057440
公開日2012年6月6日 申請日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者平梁良, 張三強(qiáng), 李曉波, 段天利 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司